CN101017301A - 制造显示基板的方法 - Google Patents

Abstract

一种制造显示基板的方法，此方法应用于制造半穿透反射式液晶显示器，方法步骤至少包括：形成有源元件与电容结构于基板上。形成平坦层于有源元件与电容结构上方。使用具有多种透光区的掩膜对平坦层进行光刻蚀刻程序，以同时形成不同的结构特征于平坦层上。

Description

制造显示基板的方法

技术领域

本发明涉及一种制造液晶显示面板的方法，特别涉及一种制造半穿透反射式显示基板的方法。

背景技术

目前的液晶显示器(以下简称LCD)主要可分为三类：穿透式LCD、反射式LCD、半穿透反射式LCD。穿透式LCD需要背光模块作为背光源，可在较暗的环境中具有良好的能见度，但具有耗电量过大及环境光太强(如阳光下)时显示不清楚的问题。反射式LCD则以反射电极层取代透明电极层，以外部光作为光源而不需背光模块。故反射式LCD具有低耗电量的优点，但在黑暗环境下无法作用。

而半穿透反射式LCD同时具有穿透区及反射区，并利用背光模块与外部的光作为光源。因此，半穿透反射式LCD可避免全穿透式或全反射式的缺点，且兼具穿透式LCD、反射式LCD两者的优点。半穿透反射式LCD简单介绍如下。

请参照图1，图1为已知的半穿透反射式液晶显示面板的横截面图。此液晶显示面板100包括了具有多个薄膜晶体管(TFT)阵列的显示基板、显示基板对面的彩色滤光片基板150以及介于上述两基板之间的液晶层170。

显示基板包括第一基板110、多个形成于第一基板110上的TFT120、多个由透明导电层141与反射电极层142所组成，且电连接至TFT120的像素电极140，以及形成于TFT120与像素电极140之间的平坦层130。

其中，透明导电层141形成于平坦层130上表面，而反射电极层142仅形成于透明导电层141的部分上表面，由此，将显示基板区分为具有反射电极层142的反射区R以及仅具有透明导电层的穿透区T。

彩色滤光片基板150包括第二基板151以及依序形成于第二基板151上的彩色滤光片152与共通电极153。

在半穿透反射式液晶显示面板100的反射区R中，外部光L1由彩色滤光片基板150被导入，并通过反射电极层142将外部光L1反射回彩色滤光片基板150来显示影像。在穿透区T中，配置于显示基板背侧的背光单元所发出的背光L2，直接依序经过平坦层130、液晶层170以及彩色滤光片基板150来显示影像。其中，外部光L1经过两次液晶层170间距(cell gap)，而背光L2经过一次液晶层170间距(cell gap)。

然而，虽然半穿透反射式面板具有较佳的显示特性与较广的应用层面，但其工艺的繁杂度与成本也相对较高。

于是，如何有效地简化半穿透反射式面板的工艺步骤以降低工艺成本及提高工艺合格率，为当前技术所必需。

发明内容

由于半穿透反射式面板中，以显示基板的工艺较为繁杂，故半穿透反射式面板中的显示基板为本发明的技术内容所在。

本发明的目的在于有效地简化半穿透反射式面板的工艺步骤以降低工艺成本及提高工艺合格率。

本发明的另一目的在于利用具有多种透光区的掩膜，在显示基板上的平坦层上同时形成不同的结构特征，由此减少掩膜的使用数量。

本发明提供一种制造显示基板的方法，方法步骤如下所述。形成有源元件与电容结构于基板上，有源元件具有漏极，电容结构由共通电极与电容电极所构成，其中共通电极与漏极电连接。

形成平坦层于有源元件与电容结构上方。使用掩膜对平坦层进行光刻蚀刻程序，以同时形成多个凸起(bump)与导孔(via)。其中，这些凸起位于平坦层的部分上表面，而导孔位于电容结构上方，并暴露电容电极。

接着，形成透明导电层于平坦层表面与导孔的内壁，并通过导孔电连接漏极。最后，形成反射电极层于部分透明导电层上，且反射电极层位于凸起表面上。

本发明提供一种制造显示基板的方法，方法步骤如下所述。形成有源元件与电容结构于基板上，有源元件具有漏极，电容结构由共通电极与电容电极所构成。

形成平坦层于有源元件与电容结构上方。使用掩膜对平坦层进行光刻蚀刻程序，以同时形成多个凸起与导孔，其中，这些凸起位于平坦层的部分上表面，而导孔则位于有源元件上方，并暴露该漏极。

接着，形成透明导电层于平坦层表面与导孔的内壁，并通过导孔电连接漏极。最后，形成反射电极层于部分透明导电层上，且反射电极层位于凸起表面上。

关于本发明的优点与精神，以及更详细的实施方式可以通过以下的实施方式以及附图得到进一步的了解。

附图说明

通过以下详细的描述结合附图，将可轻易的了解上述内容及此项发明的诸多优点，其中：

图1为已知的半穿透反射式液晶显示面板的横截面图；

图2为本发明显示基板的俯视图；

图3A至图7B与图21A至图25B为本发明各种结构形式的显示基板横截面图；

图8A至图19B为本发明制造显示基板的示意图；以及

图20为本发明各实施例的对应工艺层的表格。

其中，附图标记说明如下：

100：液晶显示面板    110：第一基板

120：TFT             130：平坦层

140：像素电极        141：透明导电层

142：反射电极层      150：彩色滤光片基板

151：第二基板        152：彩色滤光片

153：共通电极        170：液晶层

L1：外部光           L2：背光

R：反射区            T：穿透区

200：像素            21：栅极线

22：共通线           23：TFT

24：电容结构         25：像素电极

300：基板        310：有源元件

311：栅极        312：第一绝缘层

313：半导体层    314：接触层

315：源极        316：漏极

320：电容结构    321：共通电极

322：电容电极    330：第二绝缘层

331：开口        340：平坦层

341：导孔        342：凸起

343：蚀刻平面    344：穿透窗

400：掩膜        401：第一透光区

402：第二透光区  403：第三透光区

404：第四透光区  41：第一图案区

42：第二图案区   43：第三图案区

44：第四图案区

具体实施方式

请参照图2，其为本发明的显示基板的俯视图。显示基板的每一像素200至少包括栅极线21、共通线22、TFT23、电容结构24以及像素电极25。而本发明的技术内容，大致上以图2中a-a’线的横截面图来做介绍如下。

请参照图3A至图7B，其为本发明各种结构形式的显示基板横截面图。由于本发明的主要技术内容在于半穿透反射式面板中的显示基板，而设置于显示基板对面的彩色滤光片基板与已知技术相似，故不加以赘述。

请参照图3A，其为本发明的显示基板的一种结构形式。如图所示，显示基板包括基板300、有源元件310、电容结构320、平坦层340、透明导电层350以及反射电极层360。在较佳实施例中，有源元件310至少包括栅极311、半导体层313、源极315以及漏极316。而电容结构320至少包括共通电极321与电容电极322。

上述元件的相对位置关系与显示基板的结构特征详细说明如下，栅极311与共通电极321位于基板300的上表面，两者由金属层被图案化后所形成。其中，基板300为透明绝缘基板，其材质可为玻璃或塑胶等。而栅极311与共通电极321的材质可为导电金属或合金，如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)及钼钨合金(MoW)等。

接着，由二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)所制造的第一绝缘层312被配置于基板300、栅极311与共通电极321上。

再者，半导体层313与接触层314依序形成于第一绝缘层312上，并对应于栅极311的上方。在较佳实施例中，半导体层313为非晶硅(α-Si)材质。

源极315与漏极316设置于半导体层313上方以及接触层314的上表面，且源极315与漏极316之间具有间隔，用以分离两电极。而电容结构320的电容电极322则配置于共通电极321与第一绝缘层312上方，且电容电极322可与源极315与漏极316同时形成。值得注意的是，此显示基板具有风筝线(图中未显示)，风筝线两端连接共通电极321与漏极316，使共通电极321与漏极316产生电连接。

在本实施例中，共通电极321与电容电极322之间存在第一绝缘层312。然而，在其他实施例中，共通电极321与电容电极322之间除了存在第一绝缘层312之外，也可存在上述的半导体层313，由此用以调整电容结构320的特性。

接着，第二绝缘层330及平坦层340依序形成于源极315、漏极316及电容电极322上。其中，平坦层340可通过旋转涂布(spin coating)或非旋转涂布(Spinless coating)等方式形成，且平坦层340可为绝缘透明材质所制造。例如，压克力级的低介电常数光阻材料、含有二苯环丁烯(BCB)或过氟环丁烯(PFCB)等有机材料或含有二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料。

此外，值得注意的是，在本实施例中平坦层340上具有导孔341、多个凸起(Bump)342以及蚀刻平面343三种结构特征。

其中，导孔341贯穿平坦层340与第二绝缘层330且暴露出电容电极322。凸起342形成于平坦层340的部分上表面，主要位于有源元件310与电容结构320的上方。蚀刻平面343位于不具凸起342的平坦层340上表面，且蚀刻平面343的高度与凸起342的平均高度相等，由此显示基板与对向的彩色滤光片基板间可具有稳定且大致上相等的液晶层间距(cell gap)。

再者，透明导电层350以及反射电极层360依序形成于平坦层340上，且透明导电层350的材质可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、氧化锡(stannum dioxide，SnO2)或氧化锌(zinc oxide，ZnO)。反射电极层360的材质为具有高反射率的金属，如：铝、银或上述组合。

其中，透明导电层350形成于平坦层340上表面，也就是形成于多个凸起342、导孔341的内壁、蚀刻平面343以及导孔341所暴露的电容电极322上表面，由此透明导电层350可电连接至漏极316。而反射电极层360则形成于透明导电层350的部分表面，主要对应于凸起342与导孔341内壁的上方，而不形成于蚀刻平面343上方。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

因此，存在反射电极层360的区域为显示基板的反射区R，而不具反射电极层360，仅具有透明导电层350的区域为显示基板的穿透区T。而且，在反射区R中，反射电极层360的凸起的表面，可用来增加外部光的反射特性。

图3A的显示基板应用到液晶面板时，由于具有反射电极层360的关系，外部光在反射区R经过两次液晶层间距(cell gap)，而穿透区T的背光仅经过一次液晶层间距(cell gap)。所以，光线在穿透区T的光径距离仅约为在反射区R的一半，这样的光径距离差异容易造成液晶效率等光学特性的差异。

因此，为了改善上述的问题，可在穿透区T的平坦层340制造一个穿透窗，以减少穿透区T的平坦层340厚度，而增加穿透区T的液晶层间距，且使得穿透区T的液晶层间距约为反射区R的液晶层间距的两倍。由此，使光线在穿透区T的光径距离与在反射区R的光径距离实质上相等。

请参照图3B，其为具有穿透窗344的显示基板。图3A的显示基板与图3B的显示基板两者的差异在于：图3A的穿透区T的平坦层340上表面具有蚀刻平面343，且其厚度与反射区R的平坦层340厚度约为相等。而图3B的穿透区T的平坦层340大部分都被去除，且其厚度小于反射区R的平坦层340厚度，而呈现一个凹槽状的穿透窗344。其中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留，图3B以去除第二绝缘层330而保留第一绝缘层312为例，并不局限于本发明。

在本实施例中，穿透区T的平坦层340几乎全被移除，也就是说穿透区T的平坦层340被移除后所形成的穿透窗344，若经蚀刻第二绝缘层330后，暴露出第一绝缘层312。后续的工艺中，透明导电层350仍形成于穿透窗344的表面，而反射电极层360并未形成于穿透窗344上。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

请参照图4A，其为本发明的显示基板的另一种结构形式。图4A的显示基板的结构大致上与图3A相同，唯一的差异在于透明导电层350以及反射电极层360的形成次序。

在图4A的实施例中，反射电极层360先形成于平坦层340上表面，也就是形成于多个凸起342、导孔341的内壁以及导孔341所暴露的电容电极322上表面，但不形成于蚀刻平面343上方。接着，透明导电层350形成于反射电极层360上表面以及蚀刻平面343，并通过反射电极层360与电容电极322电连接至漏极316。在此实施例中，由于透明导电层350为透明的，故外部光可穿透透明导电层350后，再通过反射电极层360进行反射。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

请参照图4B，其为具有穿透窗344的显示基板。图4B与图4A所显示的显示基板差异在于：图4B的显示基板的穿透区T具有穿透窗344，且透明导电层350形成于穿透窗344的表面，而反射电极层360并未形成于穿透窗344上。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。其中，位于穿透区T的第二绝缘层330可被去除或保留，图4B以去除第二绝缘层330而保留第一绝缘层312为例，并不局限于本发明。

请参照图5A，其为本发明的显示基板的另一种结构形式。图5A的显示基板的结构大致上与图3A相同，唯一的差异在于图5A的显示基板不具有第二绝缘层330。也就是说，平坦层340直接形成于源极315、漏极316及电容电极322上。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

请参照图5B，其为具有穿透窗344的显示基板。图5B与图5A所显示的显示基板差异在于：图5B的显示基板的穿透区T具有穿透窗344，且透明导电层350形成于穿透窗344的表面，而反射电极层360并未形成于穿透窗344上。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。其中，位于穿透区T的第一绝缘层312可被去除或保留，图5B以保留第一绝缘层312为例，并不局限于本发明。

请参照图6A，其为本发明的显示基板的另一种结构形式。图6A的显示基板的结构大致上与图5A相同，唯一的差异在于透明导电层350以及反射电极层360的形成次序。

在图6A的实施例中，反射电极层360先形成于平坦层340上表面，也就是形成于多个凸起342、导孔341的内壁以及导孔341所暴露的电容电极322上表面，但不形成于蚀刻平面343上方。接着，透明导电层350形成于反射电极层360上表面以及蚀刻平面343，并通过反射电极层360与电容电极322电连接至漏极316。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

请参照图6B，其为具有穿透窗344的显示基板。图6B与图6A所显示的显示基板差异在于：图6B的显示基板的穿透区T具有穿透窗344，且透明导电层350形成于穿透窗344的表面，而反射电极层360并未形成于穿透窗344上。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。其中，位于穿透区T的第一绝缘层312可被去除或保留，图6B以保留第一绝缘层312为例，并不局限于本发明。

请参照图7A，其为本发明的显示基板的另一种结构形式。图7A的显示基板的结构在第二绝缘层330形成之前，也就是第二绝缘层330以下的结构大致上与图3A相同，而上述两者的结构差异如下所述。图7A的实施例中，第二绝缘层330在电容电极322上方具有开口，用以暴露电容电极322。接着，透明导电层350形成于第二绝缘层330上，且通过上述开口接触电容电极322，以电连接至漏极316。

接着，平坦层340形成于透明导电层350与第二绝缘层330上方，且平坦层340上同样具有导孔341、多个凸起(Bump)342以及蚀刻平面343三种结构特征。其中，导孔341位于电容结构320的上方，且导孔341贯穿平坦层340，并暴露出透明导电层350的部分上表面。而凸起342与蚀刻平面343的位置与结构特征与图3A相同。

再者，反射电极层360形成于平坦层340上表面，也就是形成于多个凸起342、导孔341的内壁以及导孔341所暴露的透明导电层350上表面，但不形成于蚀刻平面343上方。

请参照图7B，其为具有穿透窗344的显示基板。图7B与图7A所显示的显示基板差异在于：图7B的显示基板的穿透区T具有穿透窗344，且透明导电层350形成于穿透窗344的表面，而反射电极层360并未形成于穿透窗344上。其中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留，图7B以去除第二绝缘层330而保留第一绝缘层312为例，并不局限于本发明。

以上叙述为本发明各种结构形式的显示基板，而上述显示基板的制造方法分述如下。

请参照图8A至图8D，其为本发明显示基板的制造方法示意图。如图8A所示，形成栅极312与共通电极321于基板300上。依序形成第一绝缘层312及半导体层313于栅极311上，其中第一绝缘层312也形成于共通电极321上。形成源极315与漏极316于半导体层313上，并同时形成电容电极322于共通电极321及第一绝缘层312上方。

其中，上述的栅极312、半导体层313、源极315及漏极即构成薄膜晶体管的类的有源元件310。而共通电极321、第一绝缘层312及电容电极322则构成电容结构320。

形成源极315、漏极316与电容电极322之后，接着形成第二绝缘330层于源极315、漏极316、电容电极322以及第一绝缘层312上。使用第一掩膜进行光刻蚀刻程序，形成开口331于第二绝缘层330上，用以暴露电容电极322。其中，共通电极321通过风筝线(图中未显示)与漏极316电连接。

请继续参照图8B，形成平坦层340于第二绝缘层330上。接着，使用第二掩膜进行光刻蚀刻程序，而形成导孔341贯穿平坦层340，且导孔341与开口331相通连。

其中，第一掩膜与第二掩膜具有第一透光区与第二透光区，且第一透光区的透光率约为100％，第二透光区的透光率约为0％。第一透光区形成第一图案区，用以形成开口331与导孔341。

请参照图8C，接着使用第三掩膜400进行光刻蚀刻程序，以形成多个凸起342于平坦层340的部分上表面。其中，第三掩膜400具有第二透光区402与第三透光区403，且第三透光区403的透光率为10％至30％。第二透光区402与第三透光区403交错而构成第二图案区42，用以形成这些凸起342。

且在此实施例中，在形成凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面。此时，第三掩膜400还具有第四透光区404，且第四透光区的透光率为3％至15％。第四透光区404与第二透光区402交错而构成第三图案区43，用以形成蚀刻平面343。

值得注意的是，在第三掩膜400中，第三图案区43中的第二透光区402小于第二图案区42中的第二透光区402。并且，蚀刻平面343的高度与这些凸起342的平均高度举例可为相等。

然而，在另一实施例中，在形成凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340，请参照图9A至图9B。此时，第三掩膜400具有第一透光区401，且此第一透光区401于第三掩膜400上形成第四图案区44，用以形成穿透窗344。

而形成上述凸起342的步骤后(如图8D与图9B)，形成透明导电层350于平坦层340表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成反射电极层360于部分透明导电层350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分别形成如图3A与图3B的显示基板。

而在另一实施例中，形成上述凸起342的步骤后(如图8D与图93)，形成反射电极层360于凸起342表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成透明导电层350于反射电极层360与平坦层340上。由此，便可分别形成如图4A与图4B的显示基板。

请参照图10A至图10C，其为本发明显示基板的另一制造方法示意图。如图10A所示，其工艺步骤与图8A相同。

请继续参照图10B，形成平坦层340于第二绝缘层330、有源元件310与电容结构320上。接着，使用掩膜400对平坦层340进行光刻蚀刻程序，以同时形成多个凸起342及导孔341，如图10C。其中凸起342位于平坦层340的部分上表面，导孔341位于电容结构320上方，并暴露电容电极322。

如图10B所示，掩膜400具有第一透光区401、第二透光区402及第三透光区403。其中，第一透光区401的透光率约为100％，第二透光区402的透光率约为0％，第三透光区403的透光率约为10％至30％。

第一透光区401形成第一图案区41，用以形成导孔341。第二透光区402与第三透光区403交错而构成第二图案区42，用以形成多个凸起342。

且在此实施例中，在形成导孔341与凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面。此时，掩膜400还具有第四透光区404，且第四透光区的透光率为3％至15％。第四透光区404与第二透光区402交错而构成第三图案区43，用以形成蚀刻平面343。值得注意的是，第三图案区43中的第二透光区402小于第二图案区42中的第二透光区402。

在另一实施例中，在形成导孔341与凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340，请参照图11A至图11B。此时，掩膜400具有第四图案区44，由第一透光区401构成，用以形成穿透窗344。其中，位于穿透窗344正下方的第二绝缘层330可被去除或保留。

而形成上述凸起342的步骤后，如图10C与图11B，形成透明导电层350于平坦层340表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成反射电极层360于部分透明导电层350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分别形成如图3A与图3B的显示基板。

而在另一实施例中，形成上述凸起342的步骤后，如图10C与图11B，形成反射电极层360于凸起342表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成透明导电层350于反射电极层360与平坦层340上。由此，便可分别形成如图4A与图4B的显示基板。

请参照图12A至图12D，其为本发明显示基板的另一制造方法示意图。如图12A所示，其工艺步骤与图8A大致相同，其差异在于图12A的工艺步骤中，形成第二绝缘层330之后，并未在第二绝缘层330上形成开口，而直接形成平坦层340于第二绝缘层330上。

请参照图12B，接着使用掩膜(图中未显示)进行光刻蚀刻程序，以形成导孔341贯穿平坦层340与第二绝缘层322，其中导孔341位于电容电极322上方，用以暴露电容电极322。

再者，请参照图12C，使用另一掩膜400进行光刻蚀刻程序，以形成多个凸起342于平坦层340的部分上表面。在此实施例中，在形成凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面，如图12D所示。上述凸起342与蚀刻平面343的工艺过程及所使用的掩膜与图8C相同。

请参照图13A至图13B，在另一实施例中，在形成凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340。上述凸起342与穿透窗344的工艺过程及所使用的掩膜与图9A相同。

而形成上述凸起342的步骤后，如图12D与图13B，形成透明导电层350于平坦层340表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。在图13B中，其中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留。接着，形成反射电极层360于部分透明导电层350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分别形成如图3A与图3B的显示基板。

而在另一实施例中，形成上述凸起342的步骤后，如图12D与图13B，形成反射电极层360于凸起342表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成透明导电层350于反射电极层360与平坦层340上。由此，便可分别形成如图4A与图4B的显示基板。

请参照图14A至图14B，其为本发明显示基板的另一制造方法示意图。如图14A所示，形成有源元件310与电容结构320于基板300上。其中有源元件310具有漏极316，电容结构320由共通电极321与电容电极322所构成。上述的详细工艺步骤与图8A大致相同，其差异在于图14A的工艺步骤中，并未形成第二绝缘层330。

请继续参照图14A，接着形成平坦层340于有源元件310、电容结构320及第一绝缘层312上方。使用掩膜400对平坦层340进行光刻蚀刻程序，以同时形成导孔341与多个凸起342于平坦层340。其中，导孔341位于电容结构320上方，并暴露电容电极322，而多个凸起342则位于平坦层340的部分上表面。

在此实施例中，在形成导孔341与凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面，如图14B所示。上述导孔341、凸起342与蚀刻平面343的工艺过程及所使用的掩膜与图10B相同。

请参照图15A至图15B，在另一实施例中，在形成导孔341与凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340。上述导孔341、凸起342与穿透窗344的工艺过程及所使用的掩膜可与图11A相同。

而形成上述凸起342的步骤后，如图14B与图15B，形成透明导电层350于平坦层340表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成反射电极层360于部分透明导电层350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分别形成如图5A与图5B的显示基板。

而在另一实施例中，形成上述凸起342的步骤后，如图14B与图15B，形成反射电极层360于凸起342表面与导孔341的内壁，并通过导孔341以电连接漏极316。接着，形成透明导电层350于反射电极层360与平坦层340上。由此，便可分别形成如图6A与图6B的显示基板。

请参照图16A至图16D，其为本发明显示基板的另一制造方法示意图。如图16A所示，其工艺步骤与图8A相同。而在进行形成平坦层340的步骤前，还包括形成透明导电层350于第二绝缘层330上并通过开口331电连接至漏极316。在较佳实施例中，透明导电层350覆盖了整个电容结构320以及部分的漏极316。

请参照图16B，接着形成平坦层340于第二绝缘层330与透明导电层350上，并使用第二掩膜进行光刻蚀刻程序，以形成导孔341于平坦层340，导孔341位于电容结构320上方，并暴露部分透明导电层350上表面。

请参照图16C，接着使用第三掩膜400进行光刻蚀刻程序，以形成多个凸起342于平坦层340的部分上表面。在此实施例中，在形成凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面，如图16D所示。上述凸起342与蚀刻平面343的工艺过程及所使用的掩膜与图8C相同。

请参照图17A至图17B，在另一实施例中，在形成凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340。上述凸起342与穿透窗344的工艺过程及所使用的掩膜与图9A相同。

而形成上述凸起342的步骤后，如图16D与图17B，形成反射电极层360于凸起342的表面、导孔341的内壁与透明导电层350上。由此，便可分别形成如图7A与图7B的显示基板。

请参照图18A至图18C，其为本发明显示基板的另一制造方法示意图。如图18A所示，其工艺步骤与图16A相同。

请参照图18B，接着形成平坦层340于第二绝缘层330与透明导电层350上。使用掩膜400对平坦层340进行光刻蚀刻程序，以同时形成导孔341与多个凸起342于平坦层340。其中，导孔341位于电容结构320上方，并暴露部分透明导电层350上表面，而多个凸起342则位于平坦层340的部分上表面。

在此实施例中，在形成导孔341与凸起342时，也可同时形成蚀刻平面343于平坦层340的部分上表面，如图18C所示。上述导孔341、凸起342与蚀刻平面343的工艺过程及所使用的掩膜与图10B相同，差异在于图18C的导孔341暴露部分透明导电层350上表面，而非暴露至电容电极322上表面。

请参照图19A至图19B，在另一实施例中，在形成导孔341与凸起342时，并非同时形成蚀刻平面343，而是同时形成穿透窗344贯穿于平坦层340。上述导孔341、凸起342与穿透窗344的工艺过程及所使用的掩膜与图11A相同，而差异同样在于图19B的导孔341暴露部分透明导电层350上表面，而非暴露至电容电极322上表面。

形成上述凸起342的步骤后，如图18C与图19B，形成反射电极层360于凸起342的表面、导孔341的内壁与透明导电层350上。由此，便可分别形成如图7A与图7B的显示基板。

上述各实施例的工艺步骤可归纳成为对应工艺层别的表格，如图20所示。请参照图20，表格中“7P8M”代表制造本发明的显示基板所需经过的7个光蚀刻程序(Photo etching process)且使用了8个掩膜(Mask)。同样的，“7P7M”代表所经过的7个光蚀刻程序且使用了7个掩膜的工艺，“6P6M”代表所经过的6个光蚀刻程序且使用了6个掩膜的工艺。

另外，表格中的「GE」代表栅极311的形成，「AS」代表半导体层313的形成，「SD」代表源极315与漏极316的形成，「BP」代表第二绝缘层330的形成，「Via」代表导孔341的形成，「PL」代表平坦层340上凸起342的形成，「ITO」代表透明导电层350的形成，「AL」代表反射电极层360的形成。

上述图8A至图8D，以及图3A的工艺叙述即为「7P8M」的工艺过程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「BP」、「ITO」、「AL」各都经过了一个光蚀刻程序且各使用了一个掩膜，「Via」及「PL」则共使用了两个掩膜且经过了一个光蚀刻程序，且在「PL」的工艺过程中，除了凸起342之外，也同时形成蚀刻平面343。

图9A、图9B以及图3B的工艺叙述也为「7P8M」的工艺过程，与上述不同的是，在「PL」的工艺过程中，除了凸起342之外，也同时形成穿透窗344。

上述图10A至图10C，以及图3A的工艺叙述即为「7P7M(1)」的工艺过程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「BP」、「ITO」、「AL」各都经过了一个光蚀刻程序且各使用了一个掩膜。而「PL」的工艺过程中，使用了一个掩膜且经过一个光蚀刻程序，以同时形成导孔341、凸起342及蚀刻平面343。

图11A、图11B以及图3B的工艺叙述也为「7P7M(1)」的工艺过程，与上述不同的是，在「PL」的工艺过程中，并非形成蚀刻平面343，而是形成穿透窗344。

上述图12A至图12D，以及图3A的工艺叙述即为「7P7M(2)」的工艺过程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「ITO」、「AL」各都经过了一个光蚀刻程序且各使用了一个掩膜。另外，「BP+Via」的工艺过程中使用了一个掩膜且经过一个光蚀刻程序，来同时形成导孔341及第二绝缘层上的开口331，而「PL」的工艺过程中，使用了一个掩膜且经过一个光蚀刻程序，以同时形成凸起342及蚀刻平面343。

图13A、图13B以及图3B的工艺叙述也为「7P7M(2)」的工艺过程，与上述不同的是，在「PL」的工艺过程中，并非形成蚀刻平面343，而是形成穿透窗344。

上述图14A至图14B，以及图5A的工艺叙述即为「6P6M」的工艺过程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「ITO」、「AL」各都经过了一个光蚀刻程序且各使用了一个掩膜。而「PL」的工艺过程中，使用了一个掩膜且经过一个光蚀刻程序，以同时形成导孔341、凸起342及蚀刻平面343。

图15A、图15B以及图5B的工艺叙述也为「6P6M」的工艺过程，与上述不同的是，在「PL」的工艺过程中，并非形成蚀刻平面343，而是形成穿透窗344。

值得注意的是，上述工艺步骤中，「ITO」与「AL」的工艺顺序可互换，详细说明都揭示于前文，故不再赘述。

以上所述的各实施例的导孔341与开口331都位于电容结构320的上方，以暴露出电容电极322。由此，透明导电层350可通过导孔341或开口331与电容电极322电连接。而且，由于电容结构320的共通电极321以风筝线电连接至有源元件310的漏极316，故透明导电层350可与漏极316产生电连接。

然而，在其他实施例中，导孔341与开口331也可位于有源元件310的上方，以暴露出漏极316。由此，透明导电层350可通过导孔341或开口331，而与漏极316直接电连接。

请参照图21A至图25B，其为导孔341与开口331位于有源元件310上方的实施例，而图3A至图7B为导孔341与开口331位于电容结构320上方的实施例。上述两者的工艺步骤大致相同，仅导孔341与开口331的形成位置不同。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。

请参照图21A与图21B的显示基板，其结构形式分别与图3A与图3B的显示基板相似，仅导孔341与开口331的位置改变至漏极316上方。在图21B中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留。

请参照图22A与图22B的显示基板，其结构形式分别与图4A与图4B的显示基板相似，仅导孔341与开口331的位置改变至漏极316上方。在图22B中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留。

请参照图23A与图23B的显示基板，其结构形式分别与图5A与图5B的显示基板相似，仅导孔341与开口331的位置改变至漏极316上方。其中，位于导孔341正上方的反射电极层360可被移除或保留。在图23B中，位于穿透区T的第一绝缘层312可被去除或保留。

请参照图24A与图24B的显示基板，其结构形式分别与图6A与图6B的显示基板相似，仅导孔341与开口331的位置改变至漏极316上方。在图24B中，位于穿透区T的第一绝缘层312可被去除或保留。

请参照图25A与图25B的显示基板，其结构形式分别与图7A与图7B的显示基板相似，仅导孔341与开口331的位置改变至漏极316上方。在图25B中，位于穿透区T的第二绝缘层330和/或第一绝缘层312可被去除或保留。

另外，本发明制造显示基板的方法也可应用至一种制造膜层的方法，方法步骤如下所述。提供底层，并形成一膜层于底层上，其中膜层的材质包括光阻或有机材料。接着，使用掩膜进行光刻蚀刻程序，以同时形成导孔及多个凸起于上述膜层，其中导孔贯穿膜层，以暴露出部分的底层，且导孔的位置可视需求调整。而凸起形成于膜层的部分上表面。

上述掩膜具有第一透光区、第二透光区及第三透光区。其中第一透光区的透光率约为100％，第二透光区的透光率约为0％，且第三透光区的透光率约为10％至30％。

第一透光区形成第一图案区，用以形成导孔，第二透光区与第三透光区交错而构成第二图案区，用以形成多个凸起。在一个实施例中，在形成导孔与多个凸起时，也可同时形成蚀刻平面于膜层的部分上表面。

此时，掩膜具有第四透光区，其透光率为3％至15％。第四透光区与第二透光区交错而构成第三图案区，用以形成蚀刻平面。

值得注意的是，在掩膜中，第三图案区中的第二透光区小于第二图案区中的第二透光区。

综上所述，本发明的制造显示基板的方法具有下列优点：

一、利用具有多种透光区的掩膜，在显示基板上的平坦层同时形成不同的结构特征，由此减少掩膜的使用数量。

二、有效地简化半穿透反射式面板的工艺步骤以降低工艺成本及提高工艺合格率。

本发明虽以较佳实例阐明如上，但其并非用以限定本发明精神与发明实体。对本领域技术人员，当可轻易了解并利用其它元件或方式来产生相同的功效。因此，在不脱离本发明的精神与范围内所作的修改，均应包含在下述的权利要求内。

Claims (16)

1.一种制造显示基板的方法，包括：

形成有源元件与电容结构于基板上，该有源元件具有漏极，该电容结构由共通电极与电容电极所构成；

形成平坦层于该有源元件与该电容结构上方；及

使用掩膜对该平坦层进行光刻蚀刻程序，以同时形成多个凸起于该平坦层的部分上表面与导孔。

2.如权利要求1所述的方法，其中该掩膜具有第一透光区、第二透光区及第三透光区，该第一透光区形成第一图案区，用以形成该导孔，该第二透光区与该第三透光区交错而构成第二图案区，用以形成这些凸起。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第一透光区的透光率约为100％，该第二透光区的透光率约为0％，且该第三透光区的透光率为10％至30％。

4.如权利要求3所述的方法，其中该掩膜还具有第四透光区，且该第四透光区与该第二透光区交错而构成第三图案区，其中该第四透光区的透光率为3％至15％。

5.如权利要求3所述的方法，其中形成该导孔与这些凸起的步骤中，包括同时形成穿透窗贯穿该平坦层。

6.如权利要求1中所述的方法，其中形成该有源元件与该电容结构于该基板上的步骤，包括下列步骤：

形成栅极与该共通电极于该基板上；

依序形成第一绝缘层及半导体层于该栅极上，其中该第一绝缘层也形成于该共通电极上；以及

形成源极与该漏极于该半导体层上，并同时形成该电容电极于该共通电极及该第一绝缘层上方。

7.如权利要求1所述的方法，其中该形成该平坦层的步骤前，还包括下列步骤：

形成第二绝缘层于该有源元件上；

形成开口于该第二绝缘层上，以暴露该漏极；以及

形成透明电极于该第二绝缘层上，并通过该开口与该漏极电连接。

8.如权利要求7所述的方法，其中进行该光刻蚀刻程序的步骤后，还包括形成反射电极层于这些凸起表面、该导孔的内壁与该透明导电层上，其中该导孔位于该开口的上方，且暴露该透明导电层的部分上表面。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成该平坦层的步骤前，还包括下列步骤：

形成第二绝缘层于该电容结构上；

形成开口于该第二绝缘层上，以暴露该电容电极；以及

形成透明电极于该第二绝缘层上，并通过该开口与该漏极电连接。

10.如权利要求9所述的方法，其中进行该光刻蚀刻程序的步骤后，还包括形成反射电极层于这些凸起表面、该导孔的内壁与该透明导电层上，其中该导孔位于该开口的上方，且暴露该透明导电层的部分上表面。

11.如权利要求1所述的方法，其中进行该光刻蚀刻程序的步骤后，还包括下列步骤：

形成透明导电层于该平坦层表面与该导孔的内壁，并通过该导孔电连接该漏极；以及

形成反射电极层于部分该透明导电层上，且于这些凸起表面上。

12.如权利要求11所述的方法，其中该导孔位于该有源元件上方，并暴露该漏极。

13.如权利要求11所述的方法，其中该导孔位于该电容结构上方，并暴露该电容电极。

14.如权利要求1所述的方法，其中进行该光刻蚀刻程序的步骤后，还包括下列步骤：

形成反射电极层于这些凸起表面与该导孔的内壁，并通过该导孔电连接该漏极；以及

形成透明导电层于该反射电极层与该平坦层表面。

15.如权利要求14所述的方法，其中该导孔位于该有源元件上方，并暴露该漏极。

16.如权利要求14所述的方法，其中该导孔位于该电容结构上方，并暴露该电容电极。

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