CN101009120A

CN101009120A - 信息记录再现装置和光盘介质的管理信息的更新方法

Info

Publication number: CN101009120A
Application number: CNA2006101468917A
Authority: CN
Inventors: 渊胁厚词
Original assignee: Hitachi LG Data Storage Inc
Current assignee: Hitachi LG Data Storage Inc
Priority date: 2006-01-25
Filing date: 2006-11-27
Publication date: 2007-08-01
Anticipated expiration: 2026-11-27
Also published as: US7768887B2; CN101009120B; JP2007200417A; US20070171797A1

Abstract

在更新光盘的介质管理信息的情况下，有必要全部更新多重配置的管理信息，会产生大量的时间损失。另外，由于增加了更新次数，消耗了盘的重写耐力。为了解决这样的问题实行以下的处理。在向用户数据区的地址(a)的用户数据的记录失败的情况下(1)、在备用区的地址(b)中记录同一数据(2)。将在地址(b)中记录有地址(b)的数据这一情况在存入到缓冲存储器8中的DL中登录，将这个信息记录在DMA1的当前有效的DL区域(3)。同样地，也记录在DMA2的当前有效的DL区域中，但在这里失败的情况下(4)，在同一DMA2的DL区域中交替的DL并进行记录(5)。然后，在消除DMA2的DDS之后(9)，不更新DDS更新次数信息，只更新该DDS的DL开始地址(10)。

Description

信息记录再现装置和光盘介质的管理信息的更新方法

技术领域

本发明涉及使用高密度光盘等的记录介质的信息记录再现装置和光盘介质的管理信息的更新方法。

背景技术

为了使光盘对应更高密度化，要求有可靠性更高的介质的管理。对于每个装入的光盘，表示在盘上的哪些位置上存在缺陷以及存在于其交替区域的哪些位置的缺陷管理信息对于进行信息的记录或再现来说是不可缺的。另外，针对装入的盘的记录再现时的各种的条件，通过例如保存记录功率等的值并且在记录再现动作启动时将其读出并设定，从而实现装盘(setup)的高效率。缺陷管理信息在盘的多个位置上设置有缺陷管理区域(Defect Management Area，以下简称DMA)，在各个区域进行多重记录。

例如，DVD-RAM盘设置有4个缺陷管理区域(DMA1～DMA4)，在光盘的内周侧配置有2个缺陷管理区域，在光盘的外周侧配置有剩下的2个缺陷管理区域(例如日本专利特开2002-245723号公报)。

另外，在被称为DVR(Data&Video Recording：数据视频记录)的大容量高密度盘上，盘内周侧的2个缺陷管理区域(DMA1、DMA2)由试写区域(OPC)夹住而被分离地配置在盘半径方向上。通过这样的结构，防止由于缺陷、损伤等的原因造成的2个缺陷管理区域(DMA1、DMA2)同时受到损坏的情况，提高了DMA的可靠性。另外，在缺陷管理区域的DDS(Disc Definition Structure：盘精确度结构)上记录了更新次数，在该更新次数达到了过载次数的界限值时，使缺陷管理区域的记录区域交替，提高了DMA的记录再现的可靠性。于是，比较该DDS的更新次数，判断哪个DMA的数据有效(例如日本专利特开2004-14088号公报)。

针对设置有多个缺陷管理区域(DMA1～DMA4)的高密度盘，顺次读出这些信息，对读出的各数据进行比较来判断哪些信息是有效的信息(最新的信息)。于是，根据判断为有效的信息，进行记录再现动作的装盘处理。在高密度盘上，不仅增加了管理信息，由于将增加的各信息区域离散地配置在盘的内周侧(读入)和外周侧(读出)，读取用拾取器在各个位置之间移动，根据情况也有必要往返运动。由于拾取器的移动速度有界限，存在用于信息读出的时间增大和装盘时间增大的问题。尤其是，在DMA的缺陷信息(DL：Defect List)的更新中，在向已有的DL区域的记录失败并且在预备的DL区域中记录DL的情况下，有必要对全体的DMA(DMA1～DMA4)的介质管理信息(DDS)进行更新，产生了大量的时间浪费。另外，由于增加了更新次数，盘的重写耐力被消耗。

本发明的目的是缩短信息记录再现装置中介质的管理信息的更新所需要的时间。

本发明的另外的目的是减少光盘介质的管理信息的更新次数。

发明内容

为了达到上述目的，本发明的信息记录再现装置的特征在于，具有：

使在半径方向的不同的多个区域中记录有管理信息的光盘介质旋转的主轴电动机，其中上述管理信息包括含有缺陷位置信息和交替位置信息的缺陷信息，和含有缺陷信息的开始位置信息与更新次数信息的介质管理信息；

对上述光盘介质进行信息的记录、再现或消除的拾取器；

对供给到上述拾取器的记录信号和消除信号进行处理，并对来自上述拾取器的再现信号进行处理的记录再现消除电路；

控制上述主轴电动机的旋转和上述拾取器的移动的伺服电路；

存储供给到上述记录再现消除电路的记录信息和由上述记录再现消除电路处理过的再现信息的存储器；和

控制上述伺服电路和上述记录再现消除电路的微处理器，

当对于上述光盘介质的信息的记录失败而进行交替处理，并且更新记录在光盘介质的内周侧的第一管理信息的缺陷信息之后，在与第一管理信息相比记录在外周侧的第二管理信息的缺陷信息的更新失败且已进行交替处理的情况下，消除第二管理信息的介质管理信息，变更缺陷信息的开始位置信息而更新第二管理信息的介质管理信息。

上述更新后的第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。

上述缺陷信息的开始位置信息的变更对于在上述存储器中存储的第二管理信息的介质管理信息进行，第二管理信息的介质管理信息的更新根据上述存储器的变更后的第二管理信息的介质管理信息，对于上述光盘介质而进行。

在上述第一管理信息的缺陷信息的更新失败并进行交替处理的情况下，在进行上述第二管理信息的缺陷信息的更新之前，消除第一管理信息的介质管理信息，变更缺陷信息的开始位置而更新第一管理信息的介质管理信息。

上述更新后的第一与第二管理信息的介质管理信息的更新次数与上次相同。

为了达到本发明的另一个目的，本发明的光盘介质的管理信息的更新方法，其中的光盘介质在半径方向的不同的多个区域中记录有管理信息，上述管理信息包括含有缺陷位置信息和交替位置信息的缺陷信息，和含有缺陷信息的开始位置信息与更新次数信息的介质管理信息，其特征在于，包括：

再现上述光盘介质的多个管理信息并存储在存储器中的步骤；

在对于上述光盘介质的信息的记录失败的情况下，进行在交替区域中记录同一信息的交替处理的步骤；

对记录在上述光盘介质的内周侧的第一管理信息的缺陷信息进行更新的步骤；

在与上述光盘介质的第一管理信息相比记录在外周侧的第二管理信息的缺陷信息的更新失败并进行交替处理的情况下，变更上述存储器内的第二管理信息的介质管理信息的缺陷信息的开始位置信息的步骤；

消除上述光盘介质的第二管理信息的介质管理信息的步骤；和

将上述存储器内的变更后的第二管理信息的介质管理信息存储在上述光盘介质中的步骤。

在上述光盘介质中记录并已更新的第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。

在上述第一管理信息的缺陷信息的更新已失败的情况下，在进行上述第二管理信息的缺陷信息的更新之前，进行：

进行第一管理信息的缺陷信息的交替处理的步骤；

变更上述存储器内的第一管理信息的介质管理信息的缺陷信息的开始位置信息的步骤；

消除上述光盘介质的第一管理信息的介质管理信息的步骤；

将上述存储器内的变更后的第一管理信息的介质管理信息存储在上述光盘介质中的步骤。

在上述光盘介质中记录并已更新的第一与第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。

附图说明

图1是表示作为本发明的信息记录再现装置的一个实施例的光盘装置的框结构的示意图。

图2是表示本实施例中使用的高密度可重写型光盘的区域结构和DL更新处理的一个例子的概要图。

图3是表示DL更新处理的其它例子的概要图。

图4是表示根据本发明的DL更新处理的概要图。

图5是表示图4中的在DDS中包含的介质管理信息的示意图。

图6是表示图4中的DL(DL1～DL3)的结构的示意图。

图7是表示在图6的DL中登录的内容(交替原地址和交替目的地址)的示意图。

图8是表示图2的DL更新处理的光盘装置的处理的流程图。

图9是表示图4所示的实施例的DL更新处理的光盘装置的处理的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施例进行详细的说明。

图1是表示作为本发明的信息记录再现装置的一个实施例的光盘装置的框形结构的示意图。作为记录再现介质的光盘1通过主轴电动机2以规定的旋转速度旋转。拾取器3包含激光光源和光电探测器以及光学透镜系统，将激光照射在光盘1上，实现信息的记录和再现。伺服电路4控制主轴电动机2的旋转和拾取器3的盘半径方向与垂直方向的位置，实现跟踪和聚焦的控制。记录再现消除电路5进行提供到拾取器3的记录信号的调制和补偿等的记录处理、进行针对拾取器3的读出信号的2值化、解调、解码、误码校正等的再现处理和提供到拾取器3的消除信号的处理。记录再现用的数据暂时保存在缓冲存储器8中，经过接口控制电路9和与外部连接的上位装置10(例如个人计算机)之间发送和接收信息。微处理器6从上位装置10接受指令，控制伺服电路4、记录再现消除电路5和接口控制电路9，控制记录再现消除等的各种处理。控制存储器7保存控制中必要的程序和数据。

记录再现动作开始时，拾取器3对在光盘1上的内周侧和外周侧设置的DMA等的管理信息记录区域进行存取(寻轨动作)，取得管理信息。微处理器6控制拾取器3的存取的次序，根据取得的管理信息，以与装入的光盘对应的记录再现条件实现装盘。另外，微处理器6取得来自取得的管理信息的DDS状态信息来管理最新的DDS(介质管理信息)，另外，取得DL状态信息并管理当前有效的DL(缺陷信息)，实当前DL更新中检测出向已经存在的DL区域的记录失败的情况的DL错误检测处理。另外，DL错误检测在微处理器6的处理以外，设置了DL错误检测电路，可以将检测结果报告给微处理器6。

参照图2，说明本实施例中使用的高密度可重写型光盘1的区域结构的一个例子。另外，为了使说明简单化，在图2中表示的区域结构只表示了记录与本发明有关系的介质管理信息的区域，省略了记录在此之外的其它的管理信息的区域。在内周侧有记录DDS、DL的DMA1，在外周侧有记录DDS、DL的DMA2，在中间有记录用户数据等的数据区域。在DMA1中设置有4个DDS和3个DL(DL1～DL3)，在DMA2中也设置有4个DDS和3个DL(DL1～DL3)。数据区域具有用户数据区、内周侧的交替区(ISA)、外周侧的交替区(OSA)。另外，在图2中为了简化说明，DMA在内周侧设置有1个，在外周侧设置有1个，实际上，在内周侧设置有2个，在外周侧设置有2个。另外，DL的个数为3个，它可以是任意的个数。

在图5、图6和图7中，表示由作为高密度可重写型光盘的BD-RE(Blu-ray Disc Recording：蓝光盘记录)标准化的DDS、DL、DL contents的构成。在图5所示的DDS中，其它的DMA也管理共同的信息和仅对该DMA有效的信息。仅对该DMA有效的信息是字节(Byte)位置4的“DDS up date count：DDS更新次数”和字节位置24的“first PSNof defect list：缺陷列表的第一个PSN”。字节位置4的“DDS up datecount”是表示DDS的更新次数的更新次数信息，字节位置24的“firstPSN of defect list”是表示DL的开始地址的缺陷信息的开始位置信息。在图6中表示的DL中，设置有记录了缺陷表的内容的多个区域(list ofdefects)。这个list of defects的内容(DL contents)是在图7中表示的那样的被当作缺陷的被交替的区域的位置信息(defective cluster firstPSN)及其交替区域的位置信息(replacement cluster first PSN)。

下面，参照图2、图3和图4说明实施例的介质管理信息的更新方法。依据BD-RE标准，在DL更新中，在向已经存在的DL区域的记录失败并在预备的DL区域中记录DL的情况下，有必要更新全部的DMA的DDS。如图2所表示的那样，在向用户数据区的地址(a)的用户数据的记录失败的情况下(1)，在备用区(这次是ISA)的地址(b)中记录同一数据(2)。在存入到缓冲存储器8中的DL中登录地址(a)的数据被记录在地址(b)中这一情况，将该信息记录在DMA1的当前有效的DL区域(这次DL1被当作有效)(3)。同样地，在DMA2的当前有效的DL区域(这次DL1被当作有效)中进行记录，但在失败的情况下(4)，在同一DMA2的DL区域中实现交替(这次是DL2)并记录DL(5)。由于DMA2的有效的DL从DL1变化到DL2，由DDS管理的有效的DL的开始地址“first PSN of defect list”的更新是必要的。为了更新DDS的这个信息，更新存入到缓冲存储器8中的DDS的“DDSupdate count”信息(增加1)，DMA1的DDS的4个都更新(记录)(6)，在此之后，DMA2的4个DDS的“DDS update count”信息和“first PSNof defect list”信息也被更新(7)。

如上所述，在DL的开始地址变更的情况下，本来，由于“first PSNof defect list”信息是DDS中的唯一的仅对该DMA(上述的情况是DMA2)有效的信息，图3的那样的“DDS update count”信息没有被更新，优选只更新了该DMA2的DDS(8)。如果是这样，由于没有必要更新其它的DMA(上述的情况下是DMA1)的DDS，因为能够减少没有预备区域的DDS的更新次数，盘的再写耐力没有被白白浪费，用于其它的DMA更新的时间(最内周和最外周之间的移动时间)也能缩短。但是，在图3所示的方法中，在(8)的处理实施中，在光盘装置的电源被置于关(OFF)等的情况下，在盘上记录的DDS中，会出现“DDS update count”值是同一个值而其它的信息(这次是“first PSNof defect list”)不同这样的违反标准的(没有采取匹配性)盘。这样的盘有可能读出不是有效的“first PSN of defect list”，在这样的情况下，光盘装置有可能不能正常工作。

这里，在本实施例中，如图4所表示那样，一旦消除了该DMA2的DDS之后，没有更新“DDS update count”信息，只更新了该DDS的“first PSN of defect list”信息(10)。由此，在DDS的更新处理(10)的过程中即使在电源被置于关(OFF)等的情况下，也不会出现“DDS的DDS update count”值是同一个值而“first PSN of defect list”不同这样的违反标准的盘。由于能够不用进行其它的DMA的DDS的更新，减少DDS的更新次数和缩短更新时间是可能的。另外，对于作为可以重写的介质的相变化光盘，由于在消除处理(9)中需要的激光功率是记录时的1/10左右，所以能够减少盘的重写耐力的消耗。

下面，参照图8和图9说明上述介质管理信息的更新方法的的光盘装置的具体的处理顺序。图8是在图2中表示的更新方法的流程图，在向用户数据区的地址(a)的用户数据记录失败且更新DMA1的有效DL(步骤800，图2的(3))之后的微处理器6的处理。在步骤802检查步骤800的更新中是否有错误，若没有错误，则进行到步骤804，进行DMA2的有效DL的更新。在步骤806检查步骤804的更新是否有错误，在检查出错误的情况下(图2的(4))，在步骤808中DMA2的预备的DL(图2的(5))中进行记录(交替处理)。接着，在步骤810中检查交替处理中是否有错误，在检查出错误的情况下重复步骤808、步骤810。在步骤810没有检查出错误的情况下或在没有被检查出来的情况下，进行到步骤812，检查是否更新了DMA1的DDS。由于DMA1的DDS的更新还没有进行，进行到步骤814，对存入到缓冲存储器8中的DMA1的4个DDS的“DDS update count”信息增加1。接着在步骤816更新光盘的DMA1的4个DDS(图2的(6))。然后，进行到步骤818，将拾取器3移动到外周(寻轨)，变更存入到缓冲存储器8中的DMA2的4个DDS的“first PSN of defect list”信息。接着，在步骤820更新光盘的DMA2的4个DDS(图2的(7))。

在步骤802中检查出错误的情况下，进行到步骤822，在DMA1的预备的DL中进行记录(交替处理)。接着，在步骤824中检查交替处理中是否有错误，在检查出错误的情况下重复步骤822和步骤824。在步骤824没有检查出错误的情况下或在错误没有被检查出来的情况下，进行到步骤826，对存入到缓冲存储器8中的DMA1的4个DDS的“DDS update count”信息增加1。接着，在步骤828变更缓冲存储器内的DMA1的4个DDS的“first PSN of defect list”信息，在步骤830更新光盘DMA1的4个DDS。在此之后，进行到上述步骤804。在这种处理的情况下，由于在步骤812已经完成了DMA1的DDS的更新，进入向步骤818的处理。另外，在步骤806成功地完成了DMA2的有效DL的更新并且没有检查出错误的情况下，进行到步骤832，确认DMA1的DDS的更新，处理结束。

这种处理的情况如前面所述，有在全部DMA的更新中花费很多时间的问题。特别是，在来自通常的上位装置(主机)的连续记录处理中，在记录时检测出缺陷并在交替区域中交替记录数据，进而在当进行DL的更新时也产生错误并进行交替记录的情况下，与通常的记录再现相比产生了大幅度的时间浪费。

图9是表示根据图4中表示的实施例的更新方法的光盘装置的具体的处理的流程图。直到步骤800～步骤810与上述图8中表示的处理相同，在步骤810，在向DMA2的预备DL的记录成功的情况下(图4的(5))，没有图8的步骤812、814、816的处理(图2的(6))，在步骤818只更新缓冲存储器内的DMA2的4个DDS的“first PSN ofdefect list”信息。接着，在步骤900，消除光盘的DMA2的4个DDS(图4的(9))，在步骤820根据已经变更的缓冲存储器内的DDS更新光盘的DMA2的4个DDS(图4的(10))。在步骡802，在检查出错误并且向DMA1的预备的DL的交替记录成功的情况下(步骤824)，不更新“DDS update count”信息，在步骤828中仪更新“first PSN ofdefect list”信息，在步骤902消除DMA1的4个DDS，在步骤830更新光盘的DMA1的4个DDS。在步骤804，在向光盘的DMA2的有效DL的交替处理成功的情况下，不确认DMA1的DDS的更新，结束处理。

根据上述实施例，在用户数据的记录时，在检测出缺陷并在交替区域进行交替记录并且在DL更新中也失败的情况下，由于不对全部DMA的DDS的更新次数进行更新，消除在DL更新中失败的DMA的DDS，仅变更和更新该DDS的DL开始地址，于是能够减少DDS的更新次数。由于在消除处理中需要的功率是比记录时低的功率，与DDS的更新次数降低相伴随的是能够减轻盘的重写耐力的消耗。另外，由于能够减少DL更新时的从盘的内周到外周经过的寻轨动作，能够缩短更新时间。另外，由于没有更新DDS的更新次数信息，也不会产生违反标准的盘。于是，进一步，在DL更新时，在产生大幅度的时间损失时，引发主机的记录指令的时间监视，在记录处理失败的情况下，有可能从主机脱离，根据上述实施例，能够回避这样的事态。

如以上的说明，根据本发明，能够缩短在信息记录再现装置的介质的管理信息的更新中所需要的时间。另外，能够减少光盘介质的管理信息的更新次数。

Claims

1.一种信息记录再现装置，其特征在于，具有：

使在半径方向的不同的多个区域中记录有管理信息的光盘介质旋转的主轴电动机，其中所述管理信息包括含有缺陷位置信息和交替位置信息的缺陷信息，和含有缺陷信息的开始位置信息与更新次数信息的介质管理信息；

对所述光盘介质进行信息的记录、再现或消除的拾取器；

对供给到所述拾取器的记录信号和消除信号进行处理，并对来自所述拾取器的再现信号进行处理的记录再现消除电路；

控制所述主轴电动机的旋转和所述拾取器的移动的伺服电路；

存储供给到所述记录再现消除电路的记录信息和由所述记录再现消除电路处理过的再现信息的存储器；和

控制所述伺服电路和所述记录再现消除电路的微处理器，

当对于所述光盘介质的信息的记录失败而进行交替处理，并且更新记录在光盘介质的内周侧的第一管理信息的缺陷信息之后，在与第一管理信息相比记录在外周侧的第二管理信息的缺陷信息的更新失败且已进行交替处理的情况下，消除第二管理信息的介质管理信息，变更缺陷信息的开始位置信息而更新第二管理信息的介质管理信息。

2.根据权利要求1所述的信息记录再现装置，其特征在于：

所述更新后的第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。

3.根据权利要求1所述的信息记录再现装置，其特征在于：

所述缺陷信息的开始位置信息的变更对于在所述存储器中存储的第二管理信息的介质管理信息进行，第二管理信息的介质管理信息的更新根据所述存储器的变更后的第二管理信息的介质管理信息，对于所述光盘介质而进行。

4.根据权利要求1所述的信息记录再现装置，其特征在于：

在所述第一管理信息的缺陷信息的更新失败并进行交替处理的情况下，在进行所述第二管理信息的缺陷信息的更新之前，消除第一管理信息的介质管理信息，变更缺陷信息的开始位置而更新第一管理信息的介质管理信息。

5.根据权利要求4所述的信息记录再现装置，其特征在于：

所述更新后的第一与第二管理信息的介质管理信息的更新次数与上次相同。

6.一种光盘介质的管理信息的更新方法，其中的光盘介质在半径方向的不同的多个区域中记录有管理信息，所述管理信息包括含有缺陷位置信息和交替位置信息的缺陷信息，和含有缺陷信息的开始位置信息与更新次数信息的介质管理信息，其特征在于，包括：

再现所述光盘介质的多个管理信息并存储在存储器中的步骤；

在对于所述光盘介质的信息的记录失败的情况下，进行在交替区域中记录同一信息的交替处理的步骤；

对记录在所述光盘介质的内周侧的第一管理信息的缺陷信息进行更新的步骤；

在与所述光盘介质的第一管理信息相比记录在外周侧的第二管理信息的缺陷信息的更新失败并进行交替处理的情况下，变更所述存储器内的第二管理信息的介质管理信息的缺陷信息的开始位置信息的步骤；

消除所述光盘介质的第二管理信息的介质管理信息的步骤；和

将所述存储器内的变更后的第二管理信息的介质管理信息存储在所述光盘介质中的步骤。

7.根据权利要求6所述的光盘介质的管理信息的更新方法，其特征在于：

在所述光盘介质中记录并已更新的第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。

8.根据权利要求6所述的光盘介质的管理信息的更新方法，其特征在于：

在所述第一管理信息的缺陷信息的更新已失败的情况下，在进行所述第二管理信息的缺陷信息的更新之前，进行：

进行第一管理信息的缺陷信息的交替处理的步骤；

变更所述存储器内的第一管理信息的介质管理信息的缺陷信息的开始位置信息的步骤；

消除所述光盘介质的第一管理信息的介质管理信息的步骤；

将所述存储器内的变更后的第一管理信息的介质管理信息存储在所述光盘介质中的步骤。

9.根据权利要求8所述的光盘介质的管理信息的更新方法，其特征在于：

在所述光盘介质中记录并已更新的第一与第二管理信息的介质管理信息的更新次数信息与上次相同。