CN101008652B - 一种微粒富集传输装置 - Google Patents

一种微粒富集传输装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101008652B
CN101008652B CN200610169547A CN200610169547A CN101008652B CN 101008652 B CN101008652 B CN 101008652B CN 200610169547 A CN200610169547 A CN 200610169547A CN 200610169547 A CN200610169547 A CN 200610169547A CN 101008652 B CN101008652 B CN 101008652B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
enrichment
substrate
transmission
transmission device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200610169547A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101008652A (zh
Inventor
袁松梅
庄驰
刘强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beihang University
Original Assignee
Beihang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beihang University filed Critical Beihang University
Priority to CN200610169547A priority Critical patent/CN101008652B/zh
Publication of CN101008652A publication Critical patent/CN101008652A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101008652B publication Critical patent/CN101008652B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本发明系一种微粒富集传输装置,它是由富集腔和传输腔构成。所述富集腔由基板、腔盖和压电陶瓷组成;传输腔由基板、腔盖和条形电极组成。压电陶瓷固定在基板上,条形电极沉积在基板上,腔盖与基体合在一起形成空腔,富集腔和传输腔是相通的,其基板和腔盖为共用的,在基板上还用三个出入口(即流体入口、富集腔出口和传输腔出口)。本发明微粒富集传输装置,它可以在一个装置中实现微粒的富集、分离和输运的操作,为微粒操作系统的小型化和集成化提供一种方法。

Description

一种微粒富集传输装置
一、技术领域
本发明系一种微粒富集传输装置,属于将液体中悬浮微粒进行富集并且对富集后的液体进行传输的装置。
二、背景技术
对流体中的微粒进行控制,包括富集、分离和输运等操作,在医药、生物与化学分析、航天宇航等领域具有非常广阔的应用前景。目前对微粒进行操作主要有如下几种方法:1)采用微/纳米镊;2)利用微粒的尺寸,对其采用过滤技术;3)利用微粒的选择性吸附和洗脱的原理;4)基于介电电泳原理;5)利用声场作用的原理。
利用压电陶瓷材料产生的声场可以对流体中粒子进行控制,包括富集和分离等操作,具有结构简单、体积小、耗能低、操作控制方便、可实现精确的定量控制、便于集成和微型化、没有间隙和活动部件、损耗小等优点。而利用流体中有诱导的电荷与电场的相互作用原理来实现流体的传输具有无机械驱动部分和结构简单的优点。
将上述两种工作原理结合使用,可以在一个装置中实现对微粒富集、分离和输运的操作,且结构简单,便于系统的集成。
三、发明内容
本发明的目的在于:提供一种微粒富集传输装置,它可以在一个装置中实现微粒的富集、分离和输运的操作,对微粒操作系统的小型化和集成化提供一种方法。
本发明一种微粒富集传输装置,它是由富集腔和传输腔构成。所述富集腔由基板、腔盖和压电陶瓷组成,压电陶瓷粘贴在基板下部,基板上部与腔盖形成富集腔的腔体。传输腔由基板、腔盖和条形电极组成,条形电极沉积在基板上部,基板上部与腔盖形成传输腔的腔体。富集腔和传输腔是相通的,其基板和腔盖为共用的,在基板上还有三个出入口,即流体入口、富集腔出口和传输腔出口。流体入口在基板的左侧,即富集腔的左端;富集腔出口在基板的中部,即富集腔的右端;传输腔出口在基板的右侧,即传输腔的右端。
本装置所涉及的腔盖由玻璃制作而成。
本装置所涉及的基体由硅或二氧化硅晶体制作而成。
本装置所涉及的条形电极是通过微机电系统(MEMS)技术加工而成,如沉积方法。
本装置所涉及的空腔由硅微加工技术制作而成,如腐蚀方法。
本装置所涉及的出入口由硅微加工技术制作而成,如等离子刻蚀方法。
本发明一种微粒富集传输装置的优点:可在一个装置中实现微粒的富集、分离和传输且结构简单便于加工。
四、附图说明
图1是本发明装置的主视图。
图2是本发明装置的俯视图。
图3是本发明装置图1的A-A。
图4是本发明装置的底视图(即仰视图)。
图中标号如下:
1.腔盖        2.富集腔        3.空腔        4.基板
5.传输腔      6.传输腔出口    7.条形电极    8.富集腔出口
9.压电陶瓷    10.流体入口    11.电极板      12.电极条
五、具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1至图4所示,本发明一种微粒富集传输装置,它是由富集腔2和传输腔5构成;所述富集腔2由基板4、腔盖1和压电陶瓷9组成,压电陶瓷9粘贴在基板4下部,基板4上部与腔盖1形成富集腔2的腔体。传输腔5由基板4、腔盖1和条形电极7组成,条形电极7沉积在基板4上部,基板4上部与腔盖1形成传输腔5的腔体。富集腔2和传输腔5是相通的,其基板4和腔盖1为共用的,在基板4上还有三个出入口,即流体入口10、富集腔出口8和传输腔出口6。流体入口10在基板4的左侧,即富集腔2的左端;富集腔出口8在基板4的中部,即富集腔2的右端;传输腔出口6在基板4的右侧,即传输腔5的右端。
腔盖1的材料为玻璃,对其采用硅微加工技术如腐蚀方法,可加工出空腔3的结构。基板4的材料为硅或二氧化硅晶体,对其采用硅微加工技术如等离子刻蚀方法,可加工出流体入口10、富集腔出口8和传输腔出口6。通过微机电系统(MEMS)技术如沉积方法,可以在基板4上加工出条形电极7。
本发明微粒富集传输装置,在压电陶瓷9上加载电压时,压电陶瓷9产生上下方向的弯曲,并带动基板4也产生上下方向的弯曲。当驱动电压很高时,压电陶瓷9和基板4的上下弯曲振动可以在富集腔2内产生超声场。此时,当带有微粒的流体从流体入口10进入到空腔3并流经富集腔2时,流体中的微粒被富集,其清澈的流体从富集腔出口8流出,同时,剩下的流体和微粒将进入到传输腔5中,对条形电极施加不同相位的电压,将在流体中激发电荷并在传输腔5中产生电场,在电荷和电场的相互作用下,流体和微粒将被传输并从传输腔出口6流出。条形电极上电压的施加是通过把相同相位的电极连接到电极条12上,再将电极条12连接到电极板11上,对电极板11施加电压来实现的。

Claims (7)

1.一种微粒富集传输装置,其特征在于:它是由富集腔和传输腔构成;该富集腔由基板、腔盖和压电陶瓷组成;传输腔由基板、腔盖和条形电极组成,压电陶瓷粘贴在基板下部,条形电极沉积在基板上部,腔盖与基板合在一起形成空腔,富集腔和传输腔是相通的,其基板和腔盖为共用的,在基板上还有流体入口、富集腔出口和传输腔出口,流体入口在基板的左侧,即富集腔的左端,富集腔出口在基板的中部,即富集腔的右端,传输腔出口在基板的右侧,即传输腔的右端。
2.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:该腔盖是由玻璃制作而成。
3.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:该基板是由硅制作而成。
4.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:该基板是由二氧化硅晶体制作而成。
5.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:该条形电极是通过微机电系统技术加工而成。
6.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:该空腔由硅微加工技术制作而成。
7.根据权利要求1所述的一种微粒富集传输装置,其特征在于:所述的流体入口、富集腔出口和传输腔出口由硅微加工技术制作而成。
CN200610169547A 2006-12-22 2006-12-22 一种微粒富集传输装置 Expired - Fee Related CN101008652B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200610169547A CN101008652B (zh) 2006-12-22 2006-12-22 一种微粒富集传输装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200610169547A CN101008652B (zh) 2006-12-22 2006-12-22 一种微粒富集传输装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101008652A CN101008652A (zh) 2007-08-01
CN101008652B true CN101008652B (zh) 2010-05-26

Family

ID=38697183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610169547A Expired - Fee Related CN101008652B (zh) 2006-12-22 2006-12-22 一种微粒富集传输装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101008652B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1359733A (zh) * 2002-01-29 2002-07-24 清华大学 一种雾化给药用的压电驱动微喷方法及其装置
US7147865B2 (en) * 2001-06-29 2006-12-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Artificial synapse chip
CN201035017Y (zh) * 2006-12-22 2008-03-12 北京航空航天大学 一种微粒富集传输装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7147865B2 (en) * 2001-06-29 2006-12-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Artificial synapse chip
CN1359733A (zh) * 2002-01-29 2002-07-24 清华大学 一种雾化给药用的压电驱动微喷方法及其装置
CN201035017Y (zh) * 2006-12-22 2008-03-12 北京航空航天大学 一种微粒富集传输装置

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JAN G SMITS.Piezoelectric Micropump with Three ValvesWorkingPeristaltically.Sensors and Actuators A:Physical21 1-3.1990,21(1-3),203-206.
JAN G SMITS.Piezoelectric Micropump with Three ValvesWorkingPeristaltically.Sensors and Actuators A:Physical21 1-3.1990,21(1-3),203-206. *
Vijay Srinivasan, Vamsee K. Pamula ,Richard B. Fair.An integrated digital microfluidic lab-on-a-chipforclinicaldiagnostics on human physiological fluids.Lab On a Chip4 4.2004,4(4),310-315.
Vijay Srinivasan, Vamsee K. Pamula,Richard B. Fair.An integrated digital microfluidic lab-on-a-chipforclinicaldiagnostics on human physiological fluids.Lab On a Chip4 4.2004,4(4),310-315. *
王国辉,周兆英,袁松梅,刘长庚.压电驱动微喷雾粒特性的理论和实验分析.仪器仪表学报23 5.2002,23(5),6-8.
王国辉,周兆英,袁松梅,刘长庚.压电驱动微喷雾粒特性的理论和实验分析.仪器仪表学报23 5.2002,23(5),6-8. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101008652A (zh) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101060898B (zh) 用于分离粒子的方法和装置
CN105797792B (zh) 一种数字微流控芯片上的低电压介质液滴驱动方法
US10538731B2 (en) Device for manipulating biological cells using a vibrating support
WO2005102527A1 (en) Cell transporter for a biodevice
JP4677832B2 (ja) 細胞融合用微小流路基板及びそれを用いた細胞融合用微小流路構造体並びに細胞融合方法
CN108339581A (zh) 基于介电泳的表面微液滴配发结构、制备方法及配发方法
Stringer et al. Methodologies, technologies, and strategies for acoustic streaming-based acoustofluidics
CN208494260U (zh) 基于介电泳的表面微液滴配发结构
CN201035017Y (zh) 一种微粒富集传输装置
CN101008652B (zh) 一种微粒富集传输装置
JP2004351309A (ja) マイクロ化学チップおよびその製造方法
JPH074218B2 (ja) 細胞融合装置
CN110170341B (zh) 利用声表面波技术实现粒子高通量分选的数字微流控器件
CN109641210A (zh) 微流体元件及其制造方法
CN207420830U (zh) 微流泵浦结构及系统
CN101873052B (zh) 纳米磁性液体微致动泵
CN110067791A (zh) 流体系统
JP4745755B2 (ja) 分画マイクロチップ及び分画装置
WO2021206686A1 (en) Microfluidic chip cell sorting and transfection
CN109578686A (zh) 流体系统
JP5267923B2 (ja) 細胞捕捉装置及び細胞捕捉方法
CN208749522U (zh) 气体输送装置
CN1204339C (zh) 一种磁能驱动的微型泵
CN208546607U (zh) 流体系统
CN208546605U (zh) 流体系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100526

Termination date: 20121222