CN100594577C - 分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法 - Google Patents

分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100594577C
CN100594577C CN200680020615A CN200680020615A CN100594577C CN 100594577 C CN100594577 C CN 100594577C CN 200680020615 A CN200680020615 A CN 200680020615A CN 200680020615 A CN200680020615 A CN 200680020615A CN 100594577 C CN100594577 C CN 100594577C
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
voltage
harmonic
probe
transmission line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200680020615A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101203934A (zh
Inventor
约翰·D·斯旺克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BIRD TECHNOLOGIES GROUP Inc
Original Assignee
BIRD TECHNOLOGIES GROUP Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BIRD TECHNOLOGIES GROUP Inc filed Critical BIRD TECHNOLOGIES GROUP Inc
Publication of CN101203934A publication Critical patent/CN101203934A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100594577C publication Critical patent/CN100594577C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/133Arrangements for measuring electric power or power factor by using digital technique
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra

Abstract

一种用于测量和分析半导体等离子体生成器的基于RF的激励系统中的功率通量参数的系统和方法。测量探针(8)连接到RF传输线,用于从传输线(4)接收和测量电压(10)和电流信号(12)。高速采样处理将测量的RF电压和电流信号转换成数字信号。然后处理数字信号,以便揭示对应于原始RF信号的基波和谐波幅度和相位信息。可以在功率传输路径中插入多个测量探针,以测量两端口参数,并且可以询问联网的探针来确定输入阻抗、输出阻抗、插入损耗、内耗、功率通量效率、散射以及RF信号的等离子体非线性效应。

Description

分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2005年6月10目提交的美国临时申请号No.60/689769的优先权。
技术领域
本发明总的涉及RF传输系统中的功率通量的测量,尤其涉及用于测量半导体等离子体生成器的基于RF的激励系统中的电压和电流信号的基波和谐波幅度和相位关系的系统和方法。
背景技术
在加工半导体晶圆时采用的RF等离子体反应器(plasma reactor)类型需要大量的RF功率。基本上,该技术涉及通过对等离子体施加电功率来点火和维持加工等离子体。等离子体与引入的气体以及与涉及的目标和晶圆表面相互作用,来实现期望的加工结果。
由于半导体器件复杂度的增加,已经要求对制造工艺越来越严格的控制。为了完成在当今的等离子体加工中的更严格的工艺控制,希望获得更多关于在实际加工条件下的相关RF电压和电流信号的信息。这通常是通过在功率传输路径中插入的可用的V-I探针来进行的,该探针用来测量送往等离子体生成系统的基波和谐波信号功率。
本领域技术人员已认识到,RF电压和电流信号的基波和谐波幅度和相位角关系对于半导体晶圆制造期间的工艺性能的变化有很大影响。由于加工等离子体的非线性,即使负载看起来在其基波频率上匹配,也将产生基波RF激励频率的谐波。结果,传递到加工等离子体的总功率包括基波和谐波频率的功率电平之和。已知的等离子体加工工具常规地采用两个或多个RF信号频率以增强工艺性能产出。然而,将两个或多个激励频率引入到等离子体生成系统,由于将交调频率分量引入了总功率通量,因此容易增加工艺的不确定性。
做出了现有技术的尝试来在等离子体加工中限定功率通量,如在美国专利No.5523955和5273610中所披露的。例如,美国专利No.5523955披露了插入功率传输路径中的、感测RF信号的测量探针。然后,使用感测的信号来间接地导出AC信号,以便计算关于原始感测的信号的相位角信息。然而,直到本发明为止,以精确和稳定的方式直接测量RF电压和电流信号的基波和谐波频率内容的相对相位角信息所要求的技术,对于本领域技术人员来说仍然不是容易获得的。
因此,仍然迫切需要提供一种系统和方法,用来测量和分析基波信号频率和基波频率的谐波之间的临界幅度和相位角关系。然后可以监视限定RF激励信号的频率内容的信息,来调整和控制到加工室的功率通量,以便提高制造成品率,并且使等离子体加工更加可控和可重复。
尽管这里按照用于分析半导体等离子体生成器中的功率通量的系统和方法描述了本发明,但本领域技术人员将理解,本发明也可以用在各种其他功率传输系统中,包括但不限于,磁共振成像(MRI)系统和工业加热系统(如电感和介电加热系统)。例如,在MRI系统中,可以利用谐波幅度和相位信息的分析来在各种负荷(例如,病人)条件下控制和调整发送的信号的磁共振。在工业加热应用中,可以利用谐波幅度和相位信息的分析来控制和调节到工件和/或加工装置的功率通量,以提高加工性能。
发明内容
一种测量RF功率传输系统中的功率通量的测量探针,包括连接到测量接收器的电压传感器和电流传感器,用于接收和测量RF电压和电流信号。RF电压和电流信号被转换成RF波形的数字表示,这是通过直接转换,后者通过基于采样的频率转换器转换的,后者将RF电压和电流信号在数字转换之前带到固定的中频(IF)。RF信号的数字表示包含关于原始RF信号的基波和谐波幅度和相位信息。数字信号处理电路管理数据捕获、数学变换、信号滤波、缩放和和对外部处理控制创建数学上可变的模拟输出。此外,该电路提取关于每个原始RF信号的基波和谐波幅度和相位分量的信息。提供通用串行总线(USB)和/或以太网连接,来将测量接收器连接到外部计算机,以进行额外的数字和图形分析。
还披露一种测量和分析RF传输系统中的功率通量参数的方法,其中多个测量探针被插入功率传输路径中以确定阻抗匹配、插入损耗和功率通量。联网的探针可以提供两端口的测量,并且可以用于确定输入阻抗、输出阻抗、插入损耗、内耗、功率通量效率、散射、RF信号上的等离子体非线性效应。在本发明的一个示例性实施例中,采用单个测量接收器来从若干探针取出数据,其中来自若干探针的数据被送到外部计算机以便后处理。在另一示例性实施例中,多个测量接收器分别地连接到每个探针,从而允许系统数据的“实时”处理。
通过考虑下面结合附图和权利要求书对其示例性实施例的详细描述,本发明的上述和其他目的、特征和优点将变得更加明显。
附图说明
图1是示出本发明实施例的工作概念的总体框图;
图2是根据本发明实施例的示例性探针组件的示意图;
图3A、图3B是示出用于执行本发明的处理的处理电路的示意框图;
图4A、图4B和图4C是示出根据本发明的实施例分别生成的示例性电压、电流和功率波形的图;以及
图5是示出用于执行本发明的处理的多探针联网布置的总体框图。
具体实施方式
参照示出本发明的基本概念的附图,图1是示出用于在基于RF的激励系统中测量基波和谐波幅度和相位关系的系统的总体框图。一个或多个交流电源2生成交流电压和电流信号,该信号经由RF传输线4、通过匹配网络5传送到工具夹盘(tool chuck)40,工具夹盘40例如可以是半导体等离子体反应器。为了本发明公开的目的,术语“传输线”意图包含所有已知或以后开发的、用于传输电信号的部件,包括但不限于,同轴线缆、波导、微波传输带(microstrip)、双绞线、铜线等。
匹配网络5转换等离子体的复阻抗,以便在其基波频率上匹配生成器的特征负载阻抗。测量探针8被插入功率传输路径中来测量通过RF传输线4传送的电压和电流信号。测量探针8是大功率设备,包括分别用来感测电压和电流信号的电压传感器10和电流传感器12。电压传感器10和电流传感器12连接到RF传输线4的中心导体,由此传感器外壳自身成为传输线的外导体的一部分。
探针8连接到测量接收器14,后者包括RF连接器输入通道10a和12b,分别用于从电压和电流传感器10、12接收电压和电流信号。接收器14还包括数字接口(未示出),用于上载存储在探针外壳中的温度读数和校准数据,从而可以用存储在探针外壳中的校准数据来校准各个阻抗探针。
现在参照图2,测量探针8的电流传感器12包括位置与探针8的中心导体102和相关传输线4平行的刚性同轴传输线的一个环。电流传感器12的外导体被改变来用作法拉第屏蔽,从而消除外来电容性耦合,并且只有相互耦合的RF电流产生输出电压。在电流传感器环12的一端的电压以现有技术公知的方式连接到测量接收器接口,来测量通过传输线4传送的电流信号。
回来参照图2,电压传感器10典型地包括与探针8的中心导体102电容性耦合的盘。电压传感器10与传输线的输入相连,后者因而与测量接收器接口相连,以接收和测量来自传输线4的RF电压信号。
在本发明的一个示例性实施例中,探针外壳101与中心导体102之间的空腔区域可以填充介电材料,以便提高击穿电压,从而测量探针8可以经受超过7500伏峰值的电压电平。应理解,可以调节中心导体102和外壳101的尺寸,使得线部分的特征阻抗大约为50欧姆。
为了保持探针传感器10、12提供的测量结果的精度,可以不断地监视中心导体102和外导体/外壳101的温度,并且对传感器校准系数做出小的调节,以校正由中心导体102的发热而引起的传感器耦合的不可避免的改变。
每个探针8由校准处理来限定,该校准处理确定在设备的工作频率范围上的精确电流和电压耦合系数以及它们之间的相位角。在校准处理期间,记录中心导体102和外导体/外壳101的温度。该校准数据或信息以数字形式存储在探针组件内,并且每当探针8附接到测量接收器14时被重新取出。结果,多个测量探针8可以共享单个测量接收器14,这是因为每当探针和接收器配对时都加载本地存储的温度读数和校准数据。除了校准各个探针外,还分别地校准互连的传输线。来自传输线的校准数据被存储在传输线组件自身内。在我们的示例性实施例中,传输线组件包括两个RF线缆和数据线缆。数字存储器芯片位于数据线缆连接器内部,允许将来自传输线组件的校准数据存储在传输线组件自身内。测量接收器被适配来经由数字接口从传输线和探针外壳下载校准数据。通过这种方式,本发明的校准处理允许每个组件被分别地校准。此分别的校准处理有利地允许本领域的各个组件的可互换性,而不要求执行总体系统校准。
在操作中,使用红外温度计105不断地监视中心导体102的温度,然后将读数与外导体/外壳101的温度进行比较。使用得到的温度差来对电压和电流耦合系数进行调节(由于中心导体102相对于外导体/外壳101的大小和间隔的改变)。同时,也可以确定与探针部件相关的寄生电抗。校准处理也调节测量的阻抗信息以补偿探针的寄生电抗。
现在转到图3A、图3B,类似地处理从电压和电流传感器10、12接收的电压和电流信号。将电压和电流信号通过各自的电压通道10a和电流通道12b彼此隔开。由于与工作频率变化相关的信号电平的波动较大,因此在电压和电流传感器10、12之间以具有电容性反馈的宽带宽运算放大器的形式实现有源均衡器13。均衡器13“积分”电压和电流信号来补偿电压和电流传感器10、12的“变化率”响应。在一个示例性实施例中,均衡器的输出连接到基于采样的频率转换器15,以便在将被测试的信号进行数字转换之前将其带到固定的中频(IF)。在另一实施例中,均衡器13的输出可以直接连接到可变增益级18和用于数字转换的A/D转换器20。
如图3A所示,可以使用可选的基于采样的频率转换器15来将RF信号及其谐波转换到低得多的IF频率,于是其与现有高分辨率模数(A/D)转换器技术的带宽限制相兼容。在该实施例中,一对采样门16是零阶保持电路的一部分,零阶保持电路捕获RF信号的小采样,并且保持该值,直到进行下一采样为止。采样门被大约300微微秒持续时间的窄脉冲关闭。在采样门关闭的这一瞬间,RF信号电压被压到采样电容器上。采用采样器放大器17来缓冲采样电容器上的电压,使得电平维持在各采样之间。采样器的带宽足够宽,因此不会对高达约1000MHz的信号的相位产生明显影响。可以在数字信号处理电路22中校准可预测的、与延迟有关的相移。参照图3A、图3B,IF信号被锁相到A/D转换器20的转换周期,使得可以在IF的最高期望谐波上对每个周期取多个采样。根据本发明的示例性实施例,对IF的最高期望谐波的每个周期取正好四个采样。在优选实施例中,计算采样率,使得在IF频率上再现的RF波形保持基波信号频率与基波信号频率的谐波之间的相应相位关系,并且保留基波工作频率的多达大约15个谐波。
使用基于采样的频率转换器的一个优点是,仅需要从大约1.95到2.1MHz的本地振荡器频率偏移来覆盖2、13.56、27.12、60和162MHz的典型等离子体生成器频率。此外,与传统的基于混频器的频率转换器相比,基于采样的频率转换器通常具有最简单的架构和最高的带宽。
然而,因为采样下转换同时地变换输入RF带宽内的所有信号,所以它可能不完全适合使用多个激励信号频率的系统。在多个激励频率的情况下,可以有利地使用耐奎斯特采样。也可以这样构想,采样装置可以包括耐奎斯特采样率模数转换器和带通采样模数转换器的组合,用于采样和数字化RF电压和电流信号。已知耐奎斯特采样在感兴趣的最高频率的每个周期获得至少两个采样。一旦信号被数字化,数字信号处理电路22进行额外的信号处理,包括数据捕获管理、数学变化、滤波、缩放和对外部控制系统创建数学上可变的模拟输出。高速通用串行总线(USB)或以太网端口24用来将探针组件连接到外部计算机21以进行额外的数字和图形分析。可以采用一对数模转换器26来接收来自数字信号处理器22的输出,以便重构初始RF电压和电流波形。电源电路28由外部DC源生成必要的内部工作电压。
现在参照图4A、图4B和图4C,示出根据本发明实施例生成的示例性波形数据。图4A示出示例性未经处理的(raw)电压波形,图4B示出示例性未经处理的电流波形,以及图4C示出示例性未经处理的功率波形。根据本发明,使用傅立叶变换来将电压和电流信号的基波频率和谐波分量分离,从而可以应用数字信号处理算法来校正各频率分量的幅度和相位。该处理除去探针传感器的耦合响应中的不理想性,并且除去与探针结构相关的寄生电抗。然后可以以适当的相位关系重新合并各频率分量,以便重构初始电压和电流波形。数字信号处理部分的输出结果包括连同波形数据的、在每个频率分量上的电压、电流、相位角、功率和阻抗。
当使用多个探针时,也可以容易地确定输入和输出阻抗和插入损耗。一旦确定了两端口的阻抗参数,则可以计算出所有其他两端口的参数。例如,阻抗参数可以被转换成导纳参数或散射参数。
现在转到图5,示出了在基于RF的激励系统中分析功率通量的方法,其中在RF功率传输线4中的不同点上插入两个或更多个测量探针8a、8b、8c,以便揭示关于RF激励系统中的功率通量参数的信息。例如,测量探针8a可以插入在生成器2和传输线4之间,而测量探针8b可以插入在传输线和匹配网络5之间,探针8c可以插入在匹配网络5和工具夹盘40之间。然后可以将联网的探针的输出组合来揭示关于RF激励系统中的分量的阻抗匹配和插入损耗的信息。
在与基波和谐波有关的信号频率上同时进行多个探针的测量。然后询问联网的探针来恢复表示功率通量的瞬时电压、电流和相位信息、以及功率施加路径中的不同点上的阻抗级别。以这种方式,例如,通过计算与探针对相关的两端口的阻抗、导纳、传输和/或散射参数,于是可以量化传输线4、匹配设备5、连接器和反应器等离子体自身的特性。这些计算同时揭示在基波激励频率和每个谐波上的每个分量的特性。例如,可以使用来自分别位于匹配网络前面和后面的探针8b、8c的两端口测量,来确定在RF信号的基波或谐波频率上的输入或输出阻抗(导纳)、插入损耗、内耗和功率传输效率。可以使用来自位于匹配网络5与工具夹盘40之间的探针8c的测量,来重构RF电压和电流波形,以观察RF信号上的等离子体非线性效应。
上面讨论的示例性方法提供关于RF激励信号的基波和谐波幅度和相位关系的临界信息。然后可以在正常工具运行期间监视该信息来确定任何功能块中的故障或不当运行。在维持模式中可以周期性地检查探针,并且可以分析测量数据来识别处理改进的机会。在优选实施例中,测量探针被构建来隔离电压和电流信号,并且维持足够的RF带宽以保留最高测试(即,激励)信号频率的至少15个谐波,尽管也可以构想,可以保留测试信号的更多或更少的谐波,而不背离本发明的范围。
如上所述,可以采用单个测量接收器来从若干探针取出数据,并且来自若干探针的数据可以被送到用于后处理的外部计算机。多个测量接收器可以分别地连接到每个阻抗探针,从而允许系统数据的“实时”处理。使用外部计算机进行大批的信号处理,并且以用户灵活控制的格式通过显示器23呈现和显示结果。
在上述说明书中,参照其特定示例性实施例对本发明进行了描述。然而,在不背离权利要求书所限定的本发明更宽宗旨和范围的前提下,很明显可以对其进行各种修改和改变。

Claims (20)

1.一种分析RF功率传输线中的功率通量的系统,包括:
测量探针,具有用于从所述传输线感测RF电压和电流信号的电压传感器和电流传感器,所述RF电压和电流信号具有波形;
连接到所述电压和电流传感器的测量接收器,用于接收所述RF信号;
采样装置,将所述RF信号转换成数字信号,所述数字信号包括表示所述RF信号的基波频率和所述基波频率的预定数量的谐波的幅度和相位信息;和
数字信号处理装置,辨别所述幅度和相位信息,以便分析功率通量参数以及揭示所述基波和谐波频率之间的幅度和相位角关系;以及
所述数字信号处理装置通过使用关于所述基波和谐波频率之间的相位角关系的所述信息,以适当的相位关系重新合并所述谐波频率,重构所述RF电压和电流波形。
2.如权利要求1所述的系统,还包括数模转换器,用于重构所述RF信号。
3.如权利要求1所述的系统,其中,所述探针和所述传输线包括数字存储装置,用于存储分别来自所述探针和所述传输线的校准数据。
4.如权利要求3所述的系统,其中,所述测量接收器包括数字接口,用于接收来自所述探针和所述传输线的所述校准数据。
5.如权利要求4所述的系统,还包括连接到所述数字信号处理器的计算机,用于所述数字信号的额外数字和图形处理。
6.如权利要求5所述的系统,还包括均衡器,用于补偿所述RF电压和电流信号的波动。
7.如权利要求1所述的系统,其中,所述采样装置包括带通采样模数转换器,用于采样所述RF信号。
8.如权利要求1所述的系统,其中,所述采样装置包括耐奎斯特采样率模数转换器,用于采样所述RF信号。
9.如权利要求1所述的系统,其中,所述采样装置包括用于采样所述RF信号的耐奎斯特采样率模数转换器和带通采样模数转换器的组合。
10.如权利要求1所述的系统,其中,所述预定数量的谐波包括所述基波频率的多达15个的谐波。
11.如权利要求1所述的系统,其中,所述功率通量参数包括输入阻抗、插入损耗、内耗、等离子体非线性、功率通量效率、散射及其组合。
12.一种分析RF传输线中的功率通量的方法,包括步骤:
将所述至少一个测量探针连接到所述RF传输线;
通过所述至少一个测量探针从所述RF传输线接收RF电压和电流信号,所述RF电压和电流信号具有波形;
将所述RF信号转换成相应的数字信号,所述数字信号包括表示所述RF信号的基波频率和所述基波频率的预定数量的谐波的幅度和相位信息;以及
处理所述数字信号,以便分析功率通量参数以及揭示所述基波和谐波频率之间的幅度和相位角关系;
其中关于所述基波和谐波频率之间的相位角关系的所述信息允许以适当的相位关系重新合并所述谐波频率,以便重构所述RF电压和电流波形。
13.如权利要求12所述的方法,还包括步骤:
将所述数字信号转换成模拟信号,以便重构所述RF信号;以及
将所述数字信号发送到外部计算机,以进行额外的数字和图形处理。
14.如权利要求13所述的方法,还包括步骤:存储来自所述至少一个探针和所述传输线的校准数据,并将所述校准数据下载到测量接收器。
15.如权利要求14所述的方法,还包括步骤:互换所述至少一个探针和/或所述传输线,并且将来自所述互换后的探针和/或传输线的、更新的校准数据下载到所述测量接收器。
16.如权利要求15所述的方法,还包括步骤:以用户控制的格式显示所述各处理步骤的结果。
17.如权利要求16所述的方法,还包括步骤:
将RF电源和工具夹盘连接到所述RF传输线;
将匹配网络连接在所述电源和所述工具夹盘之间的所述RF传输线;
将至少一个所述探针连接在所述电源和所述匹配网络之间,并且将另一个所述探针连接在所述匹配网络和所述工具夹盘之间。
18.如权利要求17所述的方法,其中,所述功率通量参数包括输入阻抗、插入损耗、内耗、等离子体非线性、功率通量效率、散射及其组合。
19.如权利要求18所述的方法,其中,所述采样频率包括取自最高的所述基波频率的所述预定谐波上的每个周期的至少两个采样。
20.如权利要求12所述的方法,其中,所述预定数量的谐波包括所述基波频率的多达15个的谐波。
CN200680020615A 2005-06-10 2006-05-10 分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法 Expired - Fee Related CN100594577C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68976905P 2005-06-10 2005-06-10
US60/689,769 2005-06-10
PCT/US2006/018087 WO2006135515A1 (en) 2005-06-10 2006-05-10 System and method for analyzing power flow in semiconductor plasma generation systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101203934A CN101203934A (zh) 2008-06-18
CN100594577C true CN100594577C (zh) 2010-03-17

Family

ID=36729361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200680020615A Expired - Fee Related CN100594577C (zh) 2005-06-10 2006-05-10 分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7885774B2 (zh)
EP (1) EP1889279B1 (zh)
JP (1) JP5116667B2 (zh)
KR (1) KR101306612B1 (zh)
CN (1) CN100594577C (zh)
AT (1) ATE441203T1 (zh)
DE (1) DE602006008780D1 (zh)
IL (1) IL187610A (zh)
TW (1) TWI403726B (zh)
WO (1) WO2006135515A1 (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728602B2 (en) * 2007-02-16 2010-06-01 Mks Instruments, Inc. Harmonic derived arc detector
KR100870121B1 (ko) * 2007-04-19 2008-11-25 주식회사 플라즈마트 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템
US7649363B2 (en) * 2007-06-28 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for a voltage/current probe test arrangements
DE102007055010A1 (de) * 2007-11-14 2009-05-28 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren und Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung
DE102007056468A1 (de) 2007-11-22 2009-06-04 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Messsignalverarbeitungseinrichtung und Verfahren zur Verarbeitung von zumindest zwei Messsignalen
KR101606736B1 (ko) * 2008-07-07 2016-03-28 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (cce) 프로브 장치
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
US9462672B2 (en) 2012-02-22 2016-10-04 Lam Research Corporation Adjustment of power and frequency based on three or more states
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US9295148B2 (en) 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US9197196B2 (en) * 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US9114666B2 (en) 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US9842725B2 (en) 2013-01-31 2017-12-12 Lam Research Corporation Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system
US10128090B2 (en) 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
CN104685365B (zh) * 2012-07-25 2017-05-17 安平丹斯有限责任公司 分析来自等离子体系统的rf信号
US9347976B2 (en) * 2012-11-05 2016-05-24 Foster-Miller, Inc. Hot stick power analyzer
US9155182B2 (en) 2013-01-11 2015-10-06 Lam Research Corporation Tuning a parameter associated with plasma impedance
US9107284B2 (en) * 2013-03-13 2015-08-11 Lam Research Corporation Chamber matching using voltage control mode
CN103454489B (zh) * 2013-09-12 2016-09-21 清华大学 匹配网络的损耗功率标定方法及系统
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9745660B2 (en) 2014-05-02 2017-08-29 Reno Technologies, Inc. Method for controlling a plasma chamber
US9594105B2 (en) 2014-01-10 2017-03-14 Lam Research Corporation Cable power loss determination for virtual metrology
US10950421B2 (en) 2014-04-21 2021-03-16 Lam Research Corporation Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system
CN104062492B (zh) * 2014-06-13 2017-07-28 清华大学 射频功率测量系统
US9958480B2 (en) 2015-02-10 2018-05-01 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for a current sensor
TWI559821B (zh) * 2015-09-25 2016-11-21 紫焰科技股份有限公司 獲得穩定電漿源之方法
KR101772475B1 (ko) 2015-11-23 2017-08-29 엔비노드 주식회사 광대역 rf 신호 디지털 저장 장치 및 방법
CN106249185B (zh) * 2016-07-07 2020-04-24 国网北京市电力公司 用于标定高频电流传感器的阻抗匹配单元、系统和方法
EP3349002A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of and system for detecting structures on or below the surface of a sample using a probe including a cantilever and a probe tip
KR102544625B1 (ko) * 2017-02-16 2023-06-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 환경에서 무선 주파수 전력을 측정하기 위한 전압-전류 프로브 및 이를 교정하는 방법
KR101881536B1 (ko) * 2017-02-24 2018-07-24 주식회사 뉴파워 프라즈마 출력전류 제어가 가능한 전력공급장치 및 이를 이용한 전력공급방법
US11817296B2 (en) * 2020-06-26 2023-11-14 Tokyo Electron Limited RF voltage and current (V-I) sensors and measurement methods
US11600474B2 (en) * 2020-06-26 2023-03-07 Tokyo Electron Limited RF voltage and current (V-I) sensors and measurement methods
JP2023540974A (ja) * 2020-09-10 2023-09-27 ラム リサーチ コーポレーション センサデータを分析し、インテリジェントに収集するためのシステム及び方法
CN113960357A (zh) * 2021-10-27 2022-01-21 重庆大学 一种多级微带传输线的高带宽差分电压探头
US20230360896A1 (en) * 2022-05-05 2023-11-09 Applied Materials, Inc. Autonomous frequency retrieval from plasma power sources

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263653A (en) 1979-06-04 1981-04-21 Bird Electronic Corporation Digital RF wattmeter
US4360788A (en) 1980-07-14 1982-11-23 John Fluke Mfg. Co., Inc. Phase-locked loop frequency synthesizer
US4547728A (en) 1982-08-31 1985-10-15 Bird Electronic Corporation RF Wattmeter
US4584079A (en) 1983-10-11 1986-04-22 Honeywell Inc. Step shape tailoring by phase angle variation RF bias sputtering
US6095083A (en) 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
US6077384A (en) 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5523955A (en) 1992-03-19 1996-06-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for characterizing AC properties of a processing plasma
US5273610A (en) 1992-06-23 1993-12-28 Association Institutions For Material Sciences, Inc. Apparatus and method for determining power in plasma processing
US5414324A (en) 1993-05-28 1995-05-09 The University Of Tennessee Research Corporation One atmosphere, uniform glow discharge plasma
US5467013A (en) * 1993-12-07 1995-11-14 Sematech, Inc. Radio frequency monitor for semiconductor process control
US5587917A (en) 1994-10-17 1996-12-24 Eaton Corporation Data collection and processing for digital AC power system monitor/analyzer
TW308778B (en) * 1995-06-07 1997-06-21 Eni Inc Aliasing sampler for plasma probe detection
US5565737A (en) * 1995-06-07 1996-10-15 Eni - A Division Of Astec America, Inc. Aliasing sampler for plasma probe detection
US6252354B1 (en) 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5754440A (en) * 1996-02-28 1998-05-19 Eaton Corporation Apparatus for harmonic analysis of waveforms in an AC electrical system
US5900105A (en) 1996-07-09 1999-05-04 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US5846883A (en) 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
US5770922A (en) * 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
TW336297B (en) * 1997-01-10 1998-07-11 Netspeed Inc Communication server apparatus and method
US5808415A (en) * 1997-03-19 1998-09-15 Scientific Systems Research Limited Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
JPH1183907A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Mitsubishi Electric Corp 高周波電流の測定方法
US6351683B1 (en) * 1997-09-17 2002-02-26 Tokyo Electron Limited System and method for monitoring and controlling gas plasma processes
US6269135B1 (en) 1998-01-14 2001-07-31 Tropian, Inc. Digital phase discriminations based on frequency sampling
US6098568A (en) 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
US6406759B1 (en) 1998-01-08 2002-06-18 The University Of Tennessee Research Corporation Remote exposure of workpieces using a recirculated plasma
US6155199A (en) 1998-03-31 2000-12-05 Lam Research Corporation Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system
US6265831B1 (en) * 1999-03-31 2001-07-24 Lam Research Corporation Plasma processing method and apparatus with control of rf bias
WO2001052302A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-19 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
US7030335B2 (en) 2000-03-17 2006-04-18 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
IES20000498A2 (en) * 2000-06-20 2001-08-08 Scient Systems Res Ltd A method of processing a high frequency signal containing multipe fundamental frequencies
JP4610021B2 (ja) * 2000-07-04 2011-01-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置の運転方法及び処理装置の異常検出方法
TW533667B (en) * 2000-08-31 2003-05-21 Univ Illinois Multiple output dynamically regulated charge pump power converter
US6920312B1 (en) * 2001-05-31 2005-07-19 Lam Research Corporation RF generating system with fast loop control
US6677711B2 (en) 2001-06-07 2004-01-13 Lam Research Corporation Plasma processor method and apparatus
JP3702220B2 (ja) * 2001-11-29 2005-10-05 株式会社東芝 プラズマ管理方法
US7093560B2 (en) 2002-04-17 2006-08-22 Lam Research Corporation Techniques for reducing arcing-related damage in a clamping ring of a plasma processing system
US20040116080A1 (en) 2002-06-24 2004-06-17 Jin-Shyong Chen Time resolved RF plasma impedance meter
CN1666315A (zh) * 2002-07-03 2005-09-07 东京电子株式会社 等离子体参数非侵入测量和分析的方法和装置
WO2004028003A2 (en) 2002-09-23 2004-04-01 Turner Enterprises & Associates A system and method for monitoring harmonic content of an rf signal

Also Published As

Publication number Publication date
JP5116667B2 (ja) 2013-01-09
TWI403726B (zh) 2013-08-01
EP1889279A1 (en) 2008-02-20
TW200702666A (en) 2007-01-16
KR20080014997A (ko) 2008-02-15
EP1889279B1 (en) 2009-08-26
WO2006135515A1 (en) 2006-12-21
US20090210181A1 (en) 2009-08-20
US7885774B2 (en) 2011-02-08
DE602006008780D1 (de) 2009-10-08
IL187610A (en) 2011-10-31
CN101203934A (zh) 2008-06-18
IL187610A0 (en) 2008-03-20
KR101306612B1 (ko) 2013-09-11
ATE441203T1 (de) 2009-09-15
JP2008544443A (ja) 2008-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100594577C (zh) 分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法
EP1690278B1 (en) Method for calibrating an RF metrology system
EP2304456B1 (en) Rf calibration device and method
Hale et al. A statistical study of de-embedding applied to eye diagram analysis
JP5498217B2 (ja) 高周波測定装置、および、高周波測定装置の校正方法
JPH11352163A (ja) ネットワ―ク・アナライザの校正方法
CN105051554A (zh) 使用脉冲激励的无源互调测试
Lewandowski et al. Multi-frequency approach to vector-network-analyzer scattering-parameter measurements
CN106998234A (zh) 测试系统、分类系统以及测试方法
CN108333469A (zh) 网络分析仪的相位相干的主单元和远程单元
CN111123184A (zh) Fpga结温测试的校准装置及方法
Edler et al. Self-validating contact thermometry sensors for higher temperatures
Pollarolo et al. Johnson Noise Thermometry Measurement of the Boltzmann Constant With a 200$\Omega $ Sense Resistor
Muguira et al. A configurable electronics system for the ESS-Bilbao beam position monitors
Nam et al. A ratiometric method for Johnson noise thermometry using a quantized voltage noise source
Carobbi et al. Measurements and Simulations of the near-field generated by a reference source of electromagnetic field
Gu et al. Noise Synthesis Technique in Time Domain for Metrology Application
Gu et al. Variable termination unit for noise-parameter measurement
Parikh et al. High Precision and Fast RF Power Measurement using Linear Regression Technique over FPGA
CN109888514A (zh) 一种快速定标射电望远镜接收机及定标方法
Stolle et al. The Complete and Accurate Determination of Two-Port Noise Parameters without Seperate Measurements of the Two-Port Input Impedance
Van der Merwe Development of a synchronous galvanically isolated measuring system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100317

Termination date: 20190510

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee