CN100593863C - 太阳能电池的制作工艺 - Google Patents
太阳能电池的制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100593863C CN100593863C CN200580052225A CN200580052225A CN100593863C CN 100593863 C CN100593863 C CN 100593863C CN 200580052225 A CN200580052225 A CN 200580052225A CN 200580052225 A CN200580052225 A CN 200580052225A CN 100593863 C CN100593863 C CN 100593863C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- electrode
- crystal wafer
- solar cell
- film band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 22
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
一种太阳能电池的制作工艺，其特点是将带有p-n结层或n-p结层的晶体片一批一批地置放到置于传送带上的薄膜带上。在能够随着传送带运动的薄膜带上进行制作电池片的前电极及背电极。当薄膜带采用导电薄膜带时，其导电薄膜带可以直接作为背电极。无须再另外制作背电极。缩短了制作工艺流程。提高了生产效率。需要带有曲面的太阳能电池时，只划开片子本身，不划破背面的薄膜带，被划开的片子将随着薄膜带的弯曲而形成所需要的太阳能电池的曲面。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的制作工艺。特别是涉及一种晶体片(包括单晶硅片、多晶硅片以及其它晶体片)的太阳能电池的制作工艺。
背景技术
众所周知，制作太阳能电池的工艺流程通常是首先选择并经过处理的晶体片(包括单晶硅片、多晶硅片以及其它晶体片)，在其晶体片上制作p-n结层，或者n-p结层，在p-n结层或n-p结层上制作前电极。在相对前电极的晶体片上的另一面制作背电极。
在先技术中，在p-n结层或n-p结层上制作前电极和在晶体片的背面上制作背电极都是一片一片的进行。取片和传送片子时，是用吸盘吸住一片一片的取送。为了吸住片子，通常在吸盘的中心上有一个吸头。为了吸力均匀，比较先进的如德国一家制作太阳能电池的公司(Q-Cells.AG www.q-cells.com)采用含有四个吸头的吸盘取送片子，它的吸盘机械化程度比较高，速度较快。尽管如此，对于用作太阳能电池的晶体片通常都是小于0.5mm。因为片子的厚度与产量和生产效率以及成本是密切相关的。也就是说，片子的厚度越薄，对于同等量的材料和在相同的时间内，生产片子的数量就越多，相应的生产效率就提高。而生产成本降低。所以，目前，片子的厚度已经做到0.28mm、0.20mm、甚至到0.09mm。这么薄的片子在取送中，无论被一个吸头的吸盘所吸附，或是被四个吸头的吸盘所吸附时，均不能保证片子本身的平整度，片子多少都有些变形，甚至破碎。因为片子比较薄，一片一片地制作前电极和背电极不仅效率较低，而且容易损坏片子。造成片子的破碎率比较高。
发明内容
本发明的目的为了改善上述在先技术中制作太阳能电池的工艺，提供一种太阳能电池的制作工艺，是一批一批地制作前电极和背电极。而不是一片一片地制作前后电极。
本发明为了达到上述的目的，所采取的技术方案是：
首先将已经在晶体片上制作了p-n结层或者n-p结层，即将带有p-n结层或n-p结层的晶体片一批一批地置放到置于传送带上的薄膜带上，薄膜带随着传送带的运动能够带着置于它上面的一批一批的晶体片运动，就在这能够运动的薄膜带上制作p-n结层或n-p结层上的前电极以及相对前电极在晶体片背面上的背电极。
本发明的太阳能电池的制作工艺具有显著的进步：
●如上所述，本发明太阳能电池的制作工艺中，制作太阳能电池的前电极和背电极是将带有p-n结层或者n-p结层的晶体片置放在能够运动的薄膜带上，是一批一批地进行制作，而不是如在先技术中一片一片地进行制作。这就大大地简化和缩短了制作工艺流程，使其制作前、背电极更自动化。提高了生产效率。
●本发明的制作工艺中，由于制作前、背电极均是在能够运动的薄膜带上进行。在这个过程中，无须一片一片的取下、放上以及输送片子。这也就大大地减少了损坏片子的机率，降低了片子的破损率，提高了成品率。
●本发明的制作工艺中，由于制作背电极是在能够运动的薄膜带上进行，如若薄膜带的薄膜是导电薄膜，则此导电薄膜就可以直接作为背电极。而无须再另外涂镀导电膜的背电极，这将更简化了制作工艺流程。
●本发明的制作工艺中，由于制作前、背电极是在能够运动的薄膜带上进行，如若薄膜带的薄膜是透明的薄膜，则此透明薄膜还可以作为电极表面的保护膜。
●利用本发明的制作工艺，容易制作带有曲面的太阳能电池。当前和背电极在薄膜带上完成后，对片子进行划片，可以不划破片子背面的薄膜带。则片子可以由划痕处随着背面的薄膜形成所要求的弧面或曲面等形状。因此，能够方便地制成带有各种曲面的太阳能电池。
具体实施方式
下面结合实施例，进一步说明本发明太阳能电池的制作工艺。
实施例1
制作单晶硅太阳能电池。
1)首先选择经过处理的单晶硅片；
2)在单晶硅片上用扩散的方法形成p-n结层，并将多片带有p-n结层的硅片夹紧。用等离子体的腐蚀方法对片子的四周边缘进行腐蚀并清洗；
3)用具有平整表面上含有均匀分布吸孔的吸盘将上述带有p-n结层的一整批硅片全部置放到置于传送带上的能够随着传送带运动的薄膜带上；
4)对置放在薄膜带上的硅片一起制作前电极。
所述的置放在传送带上的能够随着传送带运动的薄膜带的薄膜可以采用透明或不透明的塑料薄膜，或者采用PVC薄膜，或者采用塑料导电薄膜，或者采用导电橡胶薄膜，或者采用金属导电(如铝箔等)薄膜等。
在本实施例中，薄膜带的薄膜采用塑料导电薄膜。所以，此塑料导电薄膜(带有铝膜的塑料薄膜)就作为硅电池的背电极。所以，上述的第4步中，在薄膜带上，即在塑料导电薄膜带上只制作前电极就可以了。
实施例2
制作硅太阳能电池。
制作的工艺流程与实施例1相同。只是硅片为多晶硅片，在硅片上形成的是n-p结层。所采用的薄膜带的薄膜为铝薄膜(即金属导电薄膜)，因此也不需要再另外制作背电极。因为多晶硅片的面积较大，所采用的吸盘是表面上均匀密布吸孔的平滑吸面。用此吸盘不仅吸力大，而且吸力均匀，片子被吸得牢固而不变形。
实施例3
制作带有曲面的晶体硅太阳能电池。
制作的工艺流程与实施例1相同。仅是第4步在薄膜带上制作前电极(或背电极)完成后，增加第5步进行划片，在划片时，仅将片子本身划开，而不划破薄膜带，将被划开的片子连同其背面的薄膜带一起取下，将薄膜带弯成所要求的曲面，则薄膜带上已经被划开的片子也就随同薄膜带的弯曲形成所要求的曲面。比如在本实施例中，所要求形成的是圆弧状曲面。
Claims (3)
1.一种太阳能电池的制作工艺，其制作工艺首先在晶体片上制作p-n结层或者n-p结层，在p-n结层或n-p结层上制作前电极，在相对前电极的晶体片的另一面制作背电极，其特征在于将带有p-n结层或n-p结层的晶体片一批一批地置放到置于传送带上的薄膜带上，薄膜带随着传送带的运动能够带着置于它上面的一批一批的晶体片运动，就在能够运动的薄膜带上制作p-n结层或n-p结层上的前电极，所述薄膜带采用导电薄膜，该导电薄膜做为相对前电极在晶体片背面上的背电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作工艺，其特征在于所述的导电薄膜采用塑料导电薄膜，或者采用导电橡胶薄膜，或者采用金属导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作工艺，其特征在于在薄膜带上进行划片，只划开完成前电极和背电极制作的晶体片的本身，而不划破其背面的薄膜带，将被划开的完成前电极和背电极制作的晶体片连同背面的薄膜带一起取下，被划开的完成前电极和背电极制作的晶体片随同薄膜带弯成所要求的太阳能电池的曲面。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2005/002145 WO2007065305A1 (fr) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | Procede de fabrication d'une cellule solaire |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101326647A CN101326647A (zh) | 2008-12-17 |
| CN100593863C true CN100593863C (zh) | 2010-03-10 |
Family
ID=38122463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200580052225A Expired - Fee Related CN100593863C (zh) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 太阳能电池的制作工艺 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100593863C (zh) |
| WO (1) | WO2007065305A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102610693A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-25 | 吴江迈为技术有限公司 | 一种太阳能电池片坏片的处理方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226260A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子の製造方法およびその製造装置 |
| JP2000307139A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜電極層形成装置 |
| JP4841023B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び太陽電池の作製方法 |
| JP2004232067A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜形成装置 |
-
2005
- 2005-12-09 CN CN200580052225A patent/CN100593863C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-09 WO PCT/CN2005/002145 patent/WO2007065305A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101326647A (zh) | 2008-12-17 |
| WO2007065305A1 (fr) | 2007-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104409405B (zh) | 用平板式pecvd制备hit太阳电池的传片机构及方法 | |
| TWI586527B (zh) | Glass laminate and manufacturing method of electronic device | |
| WO2012037758A1 (zh) | 大面积柔性光电器件的制造方法 | |
| JP2013184346A (ja) | ガラス積層体、電子デバイスの製造方法 | |
| CN102834901A (zh) | 用于半导体基板的剥落 | |
| JP2015093405A (ja) | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 | |
| TW200836354A (en) | Fabrication method of single crystal silicon solar battery and single crystal silicon solar battery | |
| CN107863420A (zh) | 无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺 | |
| CN107190247B (zh) | 一种太阳能电池pecvd多层钝化减反膜的制备方法 | |
| CN103165694A (zh) | 一种太阳能电池组件及其制造方法 | |
| CN109192670A (zh) | 柔性半导体复合薄膜及其制备方法 | |
| CN104966760A (zh) | 一种太阳能电池生产工艺 | |
| CN103370800A (zh) | 用于形成薄层板的方法和设备 | |
| CN207572352U (zh) | 太阳能电池硅片承载装置以及传输系统 | |
| WO2023020515A1 (zh) | 异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件 | |
| JP4320529B2 (ja) | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| CN103943724A (zh) | 一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法 | |
| CN204189776U (zh) | 一种用于pvd溅射的载板 | |
| CN100593863C (zh) | 太阳能电池的制作工艺 | |
| CN111446164A (zh) | 一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法 | |
| CN109244186B (zh) | 一种新型背钝化背膜正膜机台镀膜连体上下料装置及方法 | |
| CN103339741A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
| CN110739209A (zh) | 一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺 | |
| US9842956B2 (en) | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures | |
| CN108538966A (zh) | 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100310 Termination date: 20101209 |