CN100589249C - 有机场致发光元件及其制造方法 - Google Patents

有机场致发光元件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100589249C
CN100589249C CN200410033221A CN200410033221A CN100589249C CN 100589249 C CN100589249 C CN 100589249C CN 200410033221 A CN200410033221 A CN 200410033221A CN 200410033221 A CN200410033221 A CN 200410033221A CN 100589249 C CN100589249 C CN 100589249C
Authority
CN
China
Prior art keywords
hole injection
injection layer
mentioned
electroluminescent device
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN200410033221A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1535095A (zh
Inventor
木下敏宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of CN1535095A publication Critical patent/CN1535095A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100589249C publication Critical patent/CN100589249C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0042—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries characterised by the mechanical construction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3127—Layers comprising fluoro (hydro)carbon compounds, e.g. polytetrafluoroethylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机场致发光元件及其制造方法，在有机EL元件(100)中，在玻璃基板(1)上形成由透明电极薄膜构成的空穴注入电极(阳极)(2)。在空穴注入电极(2)上，依次形成由CuPc构成的第1空穴注入层(3a)、由CFx构成的第2空穴注入层(3b)、由有机材料构成的空穴输送层(4)及发光层(5)。此外，在发光层(5)上，形成电子注入电极(阴极)(6)。由CuPc构成的第1空穴注入层(3a)，由于吸收紫外线，所以能够防止有机EL元件的因紫外线造成的劣化。由CFx构成的第2空穴注入层(3b)，由于促进空穴注入，所以能够降低初期驱动电压。根据本发明的有机场致发光元件，能够防止光劣化同时降低初期驱动电压。

Description

有机场致发光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机场致发光元件及其制造方法。
背景技术
有机场致发光元件(以下称为有机EL元件)，期待着作为新的自发光型元件。这样的有机EL元件，具有在空穴注入电极和电子注入电极的之间形成载流子输送层(电子输送层或空穴输送层)及发光层的叠层结构。
作为空穴注入电极，采用金或ITO(铟-锡氧化物)这样的功函数大的电极材料，作为电子注入电极，采用Mg(镁)或Li(锂)这样的功函数小的电极材料。
此外，在空穴输送层、发光层及电子输送层，采用有机材料。在空穴输送层，采用具有P型半导体的性质的材料，在电子输送层，采用具有n型半导体的性质的材料。发光层也由具有电子输送性或空穴输送性这样的载流子输送性并且发出荧光或磷光的有机材料构成。
另外，根据采用的有机材料，可以多层构成空穴输送层、电子输送层及发光层的各功能层，或省略这些功能层。
为了提高这样的有机EL元件的工作稳定性，提出了在空穴注入电极和空穴输送层之间插入CuPc(酞菁铜)层的提案。但是，如在空穴注入电极和空穴输送层的之间插入CuPc层，出现初期驱动电压升高的问题(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：特开2000-150171号公报
此外，在有机EL元件中，也依赖于材料，但如果从外部照射紫外线，出现有机EL元件劣化的现象。以下，将此现象称为光劣化。因该光劣化，有机EL元件的发光亮度降低。因此，为了使有机EL元件的亮度维持恒定，需要随时间提高驱动电压。
发明内容
本发明的目的是，提供一种能够防止光劣化，同时降低初期驱动电压有机场致发光元件及其制造方法。
第1发明的有机场致发光元件，依次具有空穴注入电极、空穴注入层、发光层及电子注入电极，空穴注入层包括第1空穴注入层及第2空穴注入层，第1空穴注入层具有吸收紫外线的物性，第2空穴注入层具有促进空穴注入的物性。
在本发明的有机场致发光元件中，可以利用第1空穴元件吸收紫外线，同时，利用第2空穴注入层促进空穴注入。所以，能够防止紫外线造成的有机场致发光元件的光劣化，同时也能够降低初期驱动电压。此外，不需要为维持亮度而随时间变化升高驱动电压。
第1空穴注入层，优选吸收波长短于380nm的紫外线10％以上。此时，能够利用第1空穴注入层可靠地吸附紫外线。结果，能够防止有机场致发光元件的劣化。
第1空穴注入层，也可以由从酞菁系化合物、卟啉化合物、胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的至少一种化合物形成。由此，能够吸收紫外线。
第2空穴注入层，也可以由从结晶性或非结晶性的无机材料、酞菁系化合物、卟啉化合物、胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的至少一种化合物形成。此外，第2空穴注入层，也可以由从碳系材料、硅系材料、碳化硅系材料及硫化镉系材料中选择的材料形成。此外，第2空穴注入层也可以由卤化物形成。另外，第2空穴注入层也可以由碳系卤化物形成。特别是，第2空穴注入层也可以由氟化碳形成。由此，能够充分降低初期驱动电压。
第1空穴注入层也可以由酞菁铜形成。此时，能够利用第1空穴注入层高效率吸收紫外线。
第1空穴注入层的膜厚度优选在5nm以上。第1空穴注入层的膜厚度优选在15nm以下。由此，能够防止紫外线造成的有机场致发光元件的劣化。
第2空穴注入层的膜厚度优选在0.5nm以上。第2空穴注入层的膜厚度优选在3nm以下。由此，也能够充分降低初期驱动电压。
第2发明的有机场致发光元件的制造方法，具有在空穴注入电极上形成空穴注入层的工序和在上述空穴注入层上依次形成发光层及电子注入电极的工序；形成空穴注入层的工序包括形成具有吸收紫外线的物性的第1空穴注入层的工序、和形成具有促进空穴注入的物性的第2空穴注入层的工序。
在本发明的有机场致发光元件的制造方法中，在空穴注入电极上形成空穴注入层，在空穴注入层上依次形成发光层及电子注入电极。空穴注入层包括，具有吸收紫外线的物性的第1空穴注入层及具有促进空穴注入的物性的第2空穴注入层。所以，能够防止由紫外线造成的有机场致发光元件的光劣化，同时也能够降低初期驱动电压。此外，不需要为维持亮度而随时间变化升高驱动电压。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的4层结构的有机场致发光元件的结构的模式图。
图2是表示由CuPc构成的第1空穴注入层的紫外线的吸光度的图。
图3是表示实施例2～8的有机EL元件的由CuPc构成的第1空穴注入层的膜厚度与初期驱动电压的关系的图。
图4是表示实施例2～8的有机EL元件的由CuPc构成的第1空穴注入层的膜厚度与光照射后的电压升高的关系的图。
图5是表示实施例9～16的有机EL元件的由CFx构成的第2空穴注入层的膜厚度与初期驱动电压的关系的图。
图6是表示实施例9～16的有机EL元件的由CFx构成的第2空穴注入层的膜厚度与光照射后的电压升高的关系的图。
符号说明
1：玻璃基板、2：空穴注入电极(阳极)、3a：第1空穴注入层、3b：第2空穴注入层、4：空穴输送层、5：发光层、6：电子注入电极(阴极)、100：有机EL元件
具体实施方式
图1是表示本发明的一实施方式的4层结构的有机场致发光元件(以下称为有机EL元件)的结构的模式图。
如图1所示，在有机EL元件100中，在玻璃基板1上形成有由透明电极薄膜构成的空穴注入电极(阳极)2。在空穴注入电极(阳极)2上，依次形成有由有机材料构成的空穴输送层(以下，称为第1空穴注入层。)3a、由等离子CVD法(等离子化学气相生长法)形成的空穴注入层(以下，称为第2空穴注入层。)3b、由有机材料构成的空穴输送层4及发光层5。此外，在发光层5上形成有电子注入电极(阴极)6。
空穴注入电极(阳极)2例如由铟锡氧化物(ITO)构成。第1空穴注入层3a由CuPc(酞菁铜)构成。该由CuPc构成的第1空穴注入层3a具有吸收紫外线的功能。
图2是表示由CuPc构成的第1空穴注入层3a的紫外线的吸光度的图。图2的纵轴表示吸光度(％)，横轴表示波长(nm)。在图2中，CuPc的膜厚度为10nm。
如图2的虚线所示，由CuPc构成的第1空穴注入层3a，具有吸收波长短于380nm的紫外线大约10％以上的性质。结果，能够通过CuPc的作用，阻止造成有机EL元件光劣化的紫外线向第2空穴注入层3b、空穴输送层4及发光层5入射。
第2空穴注入层3b由CFx(氟化碳)构成。空穴输送层4例如由具有以下记式(1)表示的分子结构的N，N’-2(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(N，N’-(naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzidine：以下，称为NPB)构成。
[化1]
Figure C20041003322100071
发光层5例如作为主(host)材料含有具有以下记式(2)表示的分子结构的三(8-羟基喹啉)铝(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum：以下，称为Alq)，作为掺杂剂含有具有以下记式(3)表示的分子结构的叔丁基置换二萘蒽(以下，称为化合物A)及以下记式(4)表示的3，4-二氟-N，N’-二甲基-喹吖啶酮(3，4-Difuluoro-N，N’-Dimethyl-quinacridone：-以下，称为化合物B)。
[化2]
Figure C20041003322100081
[化3]
Figure C20041003322100082
[化4]
Figure C20041003322100083
电子注入电极(阴极)6，例如具有MgIn合金(镁铟合金，比率10∶1)的叠层结构。
在上述有机EL元件100中，通过在空穴注入电极(阳极)2和电子注入电极(阴极)6的之间外加电压，使发光层5发绿色光。在发光层5所发出的绿色光中，波长大于380nm的大部分可见光，透过由CuPc构成的第1空穴注入层3a，从玻璃基板1的背面射出。另外，薄长短于380nm的大部分紫外线被由CuPc构成的第1空穴注入层3a吸收。
此外，由CFx构成的第2空穴注入层3b具有促进向空穴注入层4及发光层5注入空穴的作用，具有降低初期驱动电压的功能。
在本实施方式的有机EL元件100中，通过在空穴注入电极(阳极)2和空穴输送层4的之间，形成由CuPc构成的第1空穴注入层3a及由Fx构成的第2空穴注入层3b，能够防止光劣化，同时能够降低初期驱动电压。此外，也不需要随时间变化提高驱动电压来弥补光劣化造成的亮度降低。
另外，本发明的有机EL元件的结构，不限定于上述结构，能够采用多种结构。例如，在发光层5和电子注入电极(阴极)6的之间，也可以再设置电子注入层或电子输送层。
作为发光层5的材料，可以采用各种已知的高分子材料。在此种情况下，也可以不设置空穴输送层4。
此外，在上述的实施方式中，作为第1空穴注入层3a的材料采用了CuPc，但也不局限于此，只要是在膜厚度为10nm时具有吸收波长短于380nm的光10％以上的功能，也可以采用从酞菁系化合物、卟啉化合物、胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的材料。
此外，作为第2空穴注入层3b的材料采用了CFx，但也不局限于此，只要是能促进空穴注入、降低初期驱动电压的材料，除CFx这样的无机薄膜以外，优选采用从酞菁系、卟啉化合物、胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的材料。
此外，作为第2空穴注入层3b的材料采用了CFx，但也不局限于此，也可以采用C系、Si系、SiC系、CdS系等非结晶性或结晶性的无机材料。此外，作为第2空穴注入层3b的材料，也可以采用C系卤化物或Si系卤化物。此外，作为第2空穴注入层3b的材料，也可以采用含有从Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb中选择的稀土类元素的稀土类氟化物，及含有从Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni及Cu中选择的过渡金属的过渡金属氟化物等。
另外，在上述实施方式中，按空穴注入电极(阳极)2、第1空穴注入层3a、第2空穴注入层3b及空穴输送层4的顺序形成，但也可以按空穴注入电极(阳极)2、第2空穴注入层3b、第1空穴注入层3a及空穴输送层4的顺序形成。
此外，也可以将上述发绿色光的有机EL元件100和发橙色或红色光的有机EL元件及发蓝色光的有机EL元件组合使用。此时，通过将发橙色或红色光的有机EL元件用作发出红色光的像素(R像素)，将发绿色光的有机EL元件用作发出绿色光的像素(G像素)，将发蓝色光的有机EL元件用作发出蓝色光的像素(B像素)，可显示光的3基色(显示RGB)，实现全色显示。
此外，发光层5，也可以具有产生不同发光色的2个发光层的叠层结构。例如，通过在2个发光层中的一方添加可得到橙色或红色光的发光掺杂剂，在另一方添加能得到蓝色发光的发光掺杂剂，能够得到发出白色光的白色发光元件。此时，通过在白色发光元件上组合红色、绿色及蓝色的滤光片，可显示光的3基色(显示RGB)，实现全色显示。
此时，紫外线具有特地通过蓝色的滤光片，照射有机EL元件的可能性。但是，由于能够利用上述的有机EL元件100的作用，防止由紫外线造成的光劣化，所以，能够抑制有机EL元件亮度的降低。结果，能够维持红色、绿色及蓝色的白色平衡。
另外，在上述的实施方式中，对通过玻璃基板1向外部取出发光层5所产生的光的反射结构的有机EL元件100进行了说明，但也不局限于此，也可以是，通过将电子注入电极(阴极)6设定为透明电极或半透明电极，通过电子注入电极(阴极)6，从上部取出在发光层5所产生的光的顶部发射结构。
实施例
以下，制作实施例1及比较例1、2的有机EL元件，测定这些元件的初期驱动电压及光照后的电压升高。
实施例1
在实施例1中，按以下方法制作有机EL元件。在玻璃基板1上形成由铟-锡氧化物(ITO)构成的空穴注入电极(阳极)2，用中性清洗剂清洗形成了该空穴注入电极(阳极)2的玻璃基板1，浸渍在丙酮中，进行10分钟超声波清洗，然后，浸渍在乙醇中进行10分钟超声波清洗后，用臭氧清洁剂对玻璃基板1的表面进行清洗。之后，在空穴注入电极(阳极)2上，利用真空蒸镀法形成由CuPc构成的第1空穴注入层3a。该由CuPc构成的第1空穴注入层3a如上所述，具有吸收波长短于380nm的紫外线的性质。
然后，在第1空穴输送层3a上，利用采用CHF3气体的等离子CVD法形成由CFx构成的第2空穴注入层3b。该由CFx构成的第2空穴注入层3b具有促进空穴注入的作用，并具有降低初期驱动电压的功能。
此时，实施例1的第1空穴注入层3a的膜厚度为10nm，第2空穴注入层3b的膜厚度为0.5nm。
此外，在第2空穴输送层3b上，利用真空蒸度法形成由膜厚度50nm的NPB构成的空穴输送层4。另外，在空穴输送层4上，利用真空蒸度法形成膜厚度35nm的发光层5。发光层5含有Alq作为主材料，并含有20重量％的上述化合物A及0.7重量％的上述化合物B作为掺杂剂。
另外，在发光层5上，利用真空蒸度法形成由膜厚200nm的MgIn合金构成的电子注入电极(阴极)6。上述这些真空蒸镀，均在真空度1×10- 6Torr的气氛中进行，不进行基板温度控制。由此，制作了实施例1的有机EL元件。
比较例1
在比较例1中，除不形成由CFx构成的第2空穴注入层3b外，按与实施例1相同的方法制作有机EL元件。此时，比较例1的第1空穴注入层3a的膜厚度为10nm。
(比较例2)
比较例2中，除不形成由CuPc构成的第1空穴注入层3a外，按与实施例1相同的方法制作有机EL元件。此时，比较例2的第2空穴注入层3b的膜厚度为0.5nm。
(评价1)
实施例1及比较例1、2的有机EL元件的初期驱动电压及光照射后的电压升高的测定结果见表1。另外，调节驱动电压，使电流密度达到20mA/cm2，测定了初期驱动电压及光照射后的驱动电压。作为光照射条件，照射空气质量(AirMass：以下称为AM)1.5的100mW/cm2的光30小时。
表1
 第1空穴注入层的材质  第2空穴注入层的材质   初期驱动电压(V)  光照射后的电压升高(V)
 比较例1   CuPc   -   9.0   0.3
 比较例2   -   CFx   6.0   2.0
 实施例1   CuPc   CFx   6.1   0.5
在表1中，与比较例1的有机EL元件的初期驱动电压相比，实施例1及比较例2的有机EL元件的初期驱动电压降低。此外，与比较例2的有机EL元件的光照射后的电压升高相比，实施例1及比较例1的有机EL元件的光照射后的电压升高降低。
因此，在只具有由CuPc构成的第1空穴注入层3a的比较例1的有机EL元件中，不能实现初期驱动电压的降低，在只具有由CFx构成的第2空穴注入层3b的比较例2的有机EL元件中，不能降低光照射后的电压升高。
相反，在具有第1空穴注入层3a及第2空穴注入层3b的实施例1的有机EL元件中，能够实现初期驱动电压的降低及光照射后的电压升高的降低。
(实施例2～8)
以下，在实施例2～8中，按0nm、3nm、5nm、10nm、15nm、17nm及20nm等7个厚度，变化由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度，制作有机EL元件。另外，实施例2～8的有机EL元件，除第1空穴注入层3a的膜厚度外，采用与实施例1的有机EL元件相同的条件及方法制作。
实施例2～8的有机EL元件的初期驱动电压及光照射后的电压升高的测定结果见表2。另外，图3是表示实施例2～8的有机EL元件的由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度与初期驱动电压的关系的图，图4是表示实施例2～8的有机EL元件的由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度与光照射后的电压升高的关系的图。
另外，初期驱动电压及光照射后的电压升高的测定条件，与实施例及比较例1、2相同。
图3的纵轴表示初期驱动电压，横轴表示第1空穴注入层3a的膜厚度。图4的纵轴表示光照射后的电压升高，横轴表示第1空穴注入层3a的膜厚度。
表2
  CuPc的膜厚度(nm)   初期驱动电压(V)   光照射后的电压升高(V)
 实施例2   0   9   2
 实施例3   3   8   1.2
 实施例4   5   6   0.5
 实施例5   10   6   0.6
 实施例6   15   6   0.5
 实施例7   17   7   0.4
 实施例8   20   8   0.5
如表2及图3所示，当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在3nm以上时，能降低初期驱动电压，当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在5nm以上时，能进一步降低初期驱动电压。
此外，当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在20nm以下时，能降低初期驱动电压；当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在17nm以下时，能进一步降低初期驱动电压；当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在15nm以下时，更能降低初期驱动电压。
另外，如表2及图4所示，当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在3nm以上时，能降低光照射后的电压升高；当由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度在5nm以上时，能进一步降低光照射后的电压升高。
从以上看出，要实现初期驱动电压及光照射后的电压升高的降低，由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度优选在3nm以上20nm以下的范围，由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度更优选在5nm以上17nm以下的范围，由CuPc构成的第1空穴注入层3a的膜厚度进一步优选在5nm以上15nm以下的范围
实施例9～16
以下，在实施例9～16中，按0nm、0.5nm、1nm、2nm、3nm、5nm、8nm及10nm等8个厚度，变化由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度，制作有机EL元件。另外，实施例9～16的有机EL元件，除第2空穴注入层3b的膜厚度外，采用与实施例1的有机EL元件相同的条件及方法制作。
实施例9～16的有机EL元件的初期驱动电压及光照射后的电压升高的测定结果见表3。另外，图5是表示实施例9～16的有机EL元件的由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度与初期驱动电压的关系的图，图6是表示实施例9～16的有机EL元件的由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度与光照射后的电压升高的关系的图。
另外，初期驱动电压及光照射后的电压升高的测定条件，与实施例及比较例1、2相同。
图5的纵轴表示初期驱动电压，横轴表示第2空穴注入层3b的膜厚度。图6的纵轴表示光照射后的电压升高，横轴表示第2空穴注入层3b的膜厚度。
表3
  CFx的膜厚度(nm)   初期驱动电压(V)   光照射后的电压升高(V)
  实施例9   0   9   2
  实施例10   0.5   6   2
  实施例11   1   6.1   2.1
  实施例12   2   5.9   2
  实施例13   3   6.1   2.2
  实施例14   5   6.5   2.1
  实施例15   8   8   2
  实施例16   10   10   2.2
如表3及图5所示，当由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度在0.5nm以上时，能降低初期驱动电压。此外，当由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度在8nm以下时，能降低初期驱动电压；当由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度在5nm以下时，能进一步降低初期驱动电压；当由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度在3nm以下时，更能降低初期驱动电压。
另外，如表3及图6所示，当由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度在0nm以上10nm以下的范围时，能够充分降低光照射后的电压升高。
从以上看出，要同时实现初期驱动电压及光照射后的电压升高的降低，由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度优选在0.5nm以上8nm以下，由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度更优选在0.5nm以上5nm以下，由CFx构成的第2空穴注入层3b的膜厚度进一步优选在0.5nm以上3nm以下。
如此，通过有效地降低初期驱动电压及光照射后的电压升高，能够综合降低有机EL元件的驱动电压。即，在降低初期驱动电压的同时，不需要增加驱动电压来弥补由光劣化造成的亮度降低。

Claims (13)

1.一种有机场致发光元件，其特征在于：依次具有空穴注入电极、空穴注入层、发光层及电子注入电极，
上述空穴注入层包括第1空穴注入层及第2空穴注入层；
上述第1空穴注入层具有吸收紫外线的物性，上述第2空穴注入层具有促进空穴注入的物性，
并且上述第1空穴注入层由从酞菁系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的至少一种化合物形成。
2.如权利要求1所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第1空穴注入层吸收波长短于380nm的紫外线10％以上。
3.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层由从结晶性或非结晶性的无机材料、酞菁系化合物、卟啉化合物、胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的至少一种化合物形成。
4.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层由从碳系材料、硅系材料、碳化硅系材料及硫化镉系材料中选择的材料形成。
5.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层由卤化物形成。
6.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层由碳系卤化物形成。
7.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层由氟化碳形成。
8.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第1空穴注入层由酞菁铜形成。
9.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第1空穴注入层的膜厚度在5nm以上。
10.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第1空穴注入层的膜厚度在15nm以下。
11.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层的膜厚度在0.5nm以上。
12.如权利要求1～2中的任何一项所述的有机场致发光元件，其特征在于：上述第2空穴注入层的膜厚度在3nm以下。
13.一种有机场致发光元件的制造方法，其特征在于：具有在空穴注入电极上形成空穴注入层的工序和在上述空穴注入层上依次形成发光层及电子注入电极的工序，
形成上述空穴注入层的工序包括：
形成具有吸收紫外线的物性的第1空穴注入层的工序；
形成具有促进空穴注入的物性的第2空穴注入层的工序，
并且所述第1空穴注入层由从酞菁系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中选择的至少一种化合物形成。
CN200410033221A 2003-03-28 2004-03-26 有机场致发光元件及其制造方法 Expired - Lifetime CN100589249C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003090614A JP3877692B2 (ja) 2003-03-28 2003-03-28 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2003090614 2003-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1535095A CN1535095A (zh) 2004-10-06
CN100589249C true CN100589249C (zh) 2010-02-10

Family

ID=33404194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200410033221A Expired - Lifetime CN100589249C (zh) 2003-03-28 2004-03-26 有机场致发光元件及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7550919B2 (zh)
JP (1) JP3877692B2 (zh)
KR (1) KR20040084805A (zh)
CN (1) CN100589249C (zh)
TW (1) TWI239787B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679945A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
CN107565036A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 三星显示有限公司 有机发光装置
CN108431981A (zh) * 2015-12-16 2018-08-21 Oti领英有限公司 用于光电子器件的屏障涂层

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8188315B2 (en) 2004-04-02 2012-05-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device and flat panel display device comprising the same
KR100787425B1 (ko) * 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
JP5165193B2 (ja) * 2004-08-27 2013-03-21 昭和電工株式会社 有機発光素子及びその製造方法
US8021765B2 (en) * 2004-11-29 2011-09-20 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Phenylcarbazole-based compound and organic electroluminescent device employing the same
KR101030008B1 (ko) * 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
US20060228543A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-12 Zheng-Hong Lu Metal/fullerene anode structure and application of same
CN101203968B (zh) * 2005-04-21 2010-05-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
TWI299636B (en) * 2005-12-01 2008-08-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode
KR100712181B1 (ko) * 2005-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US7799439B2 (en) * 2006-01-25 2010-09-21 Global Oled Technology Llc Fluorocarbon electrode modification layer
KR100741135B1 (ko) 2006-08-01 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 전하주입성 청색 칼라필터층을 구비하는 유기전계발광소자
CN100521286C (zh) * 2006-10-18 2009-07-29 中国科学院半导体研究所 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管
CN100492707C (zh) * 2006-10-18 2009-05-27 中国科学院半导体研究所 采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管
TW200824497A (en) * 2006-11-21 2008-06-01 Au Optronics Corp Organic electro-luminescent device
KR100846597B1 (ko) * 2007-01-24 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 함불소 화합물 및 탄소계 화합물을 포함하는 유기 발광소자
KR100846607B1 (ko) * 2007-05-16 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
KR100879476B1 (ko) * 2007-09-28 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR20090050369A (ko) 2007-11-15 2009-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100918401B1 (ko) 2007-12-24 2009-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922755B1 (ko) * 2007-12-28 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100894066B1 (ko) 2007-12-28 2009-04-24 삼성모바일디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR100864140B1 (ko) 2008-01-11 2008-10-16 김종환 할로겐화 풀러렌 유도체를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100964223B1 (ko) * 2008-02-11 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100898075B1 (ko) 2008-03-04 2009-05-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101042954B1 (ko) * 2008-07-30 2011-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 아민계 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이러한유기 발광 소자를 구비한 평판 표시 장치
US8337267B2 (en) 2008-11-27 2012-12-25 Panasonic Corporation Organic EL device with filter and method of repairing same
KR102129869B1 (ko) 2012-11-06 2020-07-06 오티아이 루미오닉스 인크. 표면상에 전도성 코팅층을 침착시키는 방법
CN109473562A (zh) * 2018-11-22 2019-03-15 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN108963094B (zh) * 2018-07-12 2020-06-09 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
US11444267B2 (en) * 2018-07-12 2022-09-13 Gu'an Yeolight Technology Co., Ltd. Organic light emitting device
CN109659446A (zh) * 2018-12-21 2019-04-19 固安翌光科技有限公司 高可靠性oled屏体
CN113130782B (zh) * 2019-12-31 2022-10-11 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4759993A (en) * 1985-04-25 1988-07-26 Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. Plasma chemical vapor deposition SiO2-x coated articles and plasma assisted chemical vapor deposition method of applying the coating
JPH03138889A (ja) * 1989-10-24 1991-06-13 Sharp Corp 薄膜ｅｌ素子の作製方法
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP3556258B2 (ja) 1992-12-18 2004-08-18 株式会社リコー 複数のキャリヤー注入層を有する有機薄膜ｅｌ素子
JP3224396B2 (ja) * 1996-05-29 2001-10-29 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
JPH10233288A (ja) 1996-12-20 1998-09-02 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6211065B1 (en) * 1997-10-10 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing and amorphous fluorocarbon film using HDP-CVD
US6501217B2 (en) 1998-02-02 2002-12-31 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
JP2000068070A (ja) 1998-08-17 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
US6208075B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
US6208077B1 (en) * 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with a non-conductive fluorocarbon polymer layer
US6127004A (en) 1999-01-29 2000-10-03 Eastman Kodak Company Forming an amorphous fluorocarbon layer in electroluminescent devices
EP1067165A3 (en) 1999-07-05 2001-03-14 Konica Corporation Organic electroluminescent element
JP2001076884A (ja) 1999-07-08 2001-03-23 Ulvac Japan Ltd 有機ｅｌパネル
WO2002009478A1 (fr) * 2000-07-24 2002-01-31 Tdk Corporation Dispositif luminescent
US6579629B1 (en) 2000-08-11 2003-06-17 Eastman Kodak Company Cathode layer in organic light-emitting diode devices
US6515314B1 (en) 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3690286B2 (ja) 2001-02-02 2005-08-31 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6844089B2 (en) * 2002-05-10 2005-01-18 Sensient Imaging Technologies Gmbh Organic red electro-luminescent device and dopant
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
US6558820B2 (en) 2001-05-10 2003-05-06 Eastman Kodak Company High contrast light-emitting diode devices
JP4154898B2 (ja) 2002-02-21 2008-09-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法
JP2003257664A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3819789B2 (ja) 2002-03-05 2006-09-13 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP3706605B2 (ja) 2002-09-27 2005-10-12 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2004179142A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US7086918B2 (en) * 2002-12-11 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Low temperature process for passivation applications
US20040142206A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Bazan Guillermo C. Binaphthol based chromophores for the fabrication of blue organic light emitting diodes
US6875320B2 (en) 2003-05-05 2005-04-05 Eastman Kodak Company Highly transparent top electrode for OLED device
US7002293B2 (en) 2004-01-27 2006-02-21 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode
JP4090447B2 (ja) 2004-03-29 2008-05-28 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679945A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
US9673415B2 (en) 2014-11-18 2017-06-06 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Blue light organic light-emitting diode and display including same
CN105679945B (zh) * 2014-11-18 2017-12-26 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
CN108431981A (zh) * 2015-12-16 2018-08-21 Oti领英有限公司 用于光电子器件的屏障涂层
CN108431981B (zh) * 2015-12-16 2022-05-24 Oti领英有限公司 用于光电子器件的屏障涂层
CN107565036A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 三星显示有限公司 有机发光装置
CN107565036B (zh) * 2016-06-30 2021-06-29 三星显示有限公司 有机发光装置
US11258032B2 (en) 2016-06-30 2022-02-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display device including same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040084805A (ko) 2004-10-06
CN1535095A (zh) 2004-10-06
JP2004296403A (ja) 2004-10-21
TWI239787B (en) 2005-09-11
US7550919B2 (en) 2009-06-23
JP3877692B2 (ja) 2007-02-07
US20050062406A1 (en) 2005-03-24
TW200423794A (en) 2004-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100589249C (zh) 有机场致发光元件及其制造方法
EP1286569B1 (en) White organic light-emitting devices with improved efficiency
Gao et al. Bright-blue electroluminescence from a silyl-substituted ter-(phenylene–vinylene) derivative
CN100571475C (zh) 有机el器件
CN101351065B (zh) 显示设备
KR101407580B1 (ko) 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치
EP2518789B1 (en) Method of manufacturing a light extraction substrate for an electroluminescent device
EP1595295A2 (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR101000620B1 (ko) 유기 일렉트로 루미네센스 소자 및 그 제조 방법
JP2000340361A (ja) 有機電界発光素子
CN101107726A (zh) 有机el元件
US7061175B2 (en) Efficiency transparent cathode
KR20080112875A (ko) 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치
Cheng et al. White organic light-emitting devices using 2, 5, 2′, 5′-tetrakis (4′-biphenylenevinyl)-biphenyl as blue light-emitting layer
JP2002237386A (ja) 有機電界発光素子
KR100755478B1 (ko) 발광소자 및 그 제조 방법 및 다층구조의 유기발광소자보호막
EP1244154A2 (en) Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof
EP1881742A1 (en) Organic electroluminescence element
KR20120118306A (ko) 유기 전계 발광소자용 광추출층 및 그 제조방법
KR101877746B1 (ko) 유기 발광 소자
CN101038953A (zh) 一种改进的有机发光器件
TW200423813A (en) Organic light-emitting diode containing fullerene as a hole-injection modification layer or hole-transporting layer
KR100770247B1 (ko) 고효율 유기전계발광소자
Yu et al. High-Efficiency White Organic Light-Emitting Devices Based on Multiple Quantum-Well Structure
CN100581309C (zh) 有机电致发光元件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100210

CX01 Expiry of patent term