CN100578786C - 有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种有机电致发光显示器件。由于在两个不同的基板上分别形成TFT和有机发光二极管器件，并将两个基板彼此粘结，从而提高了生产率并降低了制造成本。此外，因为使用具有抗侵蚀性的导电层形成暴露到外部的焊盘部，所以阻止了焊盘部的侵蚀，因而提供了一种具有改善可靠性的有机电致发光显示器件。

Description

有机电致发光显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示器件，尤其涉及一种能实现可靠性的双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法。

背景技术

有机电致发光显示器件使用在半导体内部的下述现象来产生光，即载流子，如电子和空穴，产生电子-空穴对或者载流子被激发到高能态然后下落到稳定状态的基态。

因为有机电致发光显示器件是自发光型显示器件，因而其不需要如液晶显示(LCD)器件中的背光单元，所以其可以制造为轻重量和薄外形。此外，有机电致发光显示器件具有低电压驱动、高发光效率、宽视角和快速响应时间的优点，且其在实现高质量移动图像方面是有利的。

尤其是，不像LCD器件或等离子体显示面板(PDP)，沉积和封装设备占据了有机电致发光显示器件制造工序的大部分，制造工序非常简单。

此外，在使用其中薄膜晶体管(TFT)作为开关器件的有源矩阵来驱动有机电致发光显示器件的情形中，即使当施加较低的电流时也可获得相同的亮度，从而可实现低电力消耗、高清晰度和大尺寸。

图1是依照现有技术的有机电致发光显示器件的示意性横截面图。参照图1，在基板10上形成有TFT Tr。TFT包括栅极15、有源层25、和源极/漏极27a和27b。

基板10包括具有暴露一部分漏极27b的接触孔的钝化层20。

在钝化层20上形成有第一电极30，其通过接触孔与漏极27b电连接。

在钝化层20上设置有其中限定像素区域的绝缘层40。在对应于像素区域的一部分第一电极30上设置有机发光层50。在有机发光层50上设置作为公共电极的第二电极60。

这里，第一和第二电极30和60在有机发光层50上施加正向电流，从而使有机发光层50发光。

之后，为了保护形成在基板10上的有机发光二极管器件E免于外部的湿气和氧气，在基板10的外部边缘上涂覆密封剂70后，粘结面对有机发光二极管器件E的封装基板80，从而制备了有机电致发光显示器件。根据图像的发射方向，有机电致发光显示器件分为底部发射型有机电致发光显示器件和顶部发射型有机电致发光显示器件。

底部发射型有机电致发光显示器件具有下述缺点，即由于孔径比的限制，很难将该显示器件用于高分辨率的产品中。

另一方面，因为设计TFT比较容易且提高了孔径比，所以顶部发射型有机电致发光显示器件在产品寿命方面具有优点。

然而，因为在依照现有技术的顶部发射型有机电致发光显示器件中，阴极一般位于有机发光层上，所以很难选择电极材料。因此，限制了透射率并减小了光效率。

此外，在依照现有技术的顶部发射型有机电致发光显示器件中，用于从外部接收信号的焊盘部暴露于外部。焊盘部由金属形成且很容易被外部氧气和湿气侵蚀。

焊盘部的侵蚀增加了焊盘部的金属与外部电路单元的接触金属之间的接触电阻，从而产生了暗像素。此外，焊盘部的侵蚀降低了有机电致发光显示器件的可靠性。

发明内容

因此，本发明涉及一种有机电致发光显示器件及其制造方法，其基本能克服有用现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本发明的一个目的是提供一种有机电致发光显示器件，通过如此形成TFT和有机发光二极管器件，即它们的形成不会影响其他元件，其能提高产品和误差率处理效率并提高光效率和可靠性。

本发明的另一个目的是提供一种制造有机电致发光显示器件的方法。

将在下面的描述中列出本发明其他的特征和优点，且其中一部分从下面的审查变得显而易见，或者通过本发明的实践可以理解到。通过在所写说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的目的和其它的优点。

为了实现这些目的和其它的优点并根据本发明的目的，如这里具体化和广泛描述的，提供了一种有机电致发光显示器件，包括：限定有第一区域和第二区域的第一基板；形成在与第一区域相对应的一部分第一基板上的栅线和从栅线延伸且形成在第二区域上的栅焊盘；延伸到第一基板的第一和第二区域的数据焊盘；形成在栅线、栅焊盘和数据焊盘上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上与栅线交叉的数据线、和位于数据线末端的数据焊盘连接部；形成在栅线和数据线交叉点上的至少一个薄膜晶体管；钝化层，其包含暴露一部分薄膜晶体管、数据焊盘、栅焊盘和数据焊盘连接部的接触孔；设置在钝化层上用于将数据焊盘与数据焊盘连接部电连接的连线；形成在第一区域和第二区域之间界面上的密封图案；与第一基板间隔开预定距离并使用密封图案粘结到第一基板的第二基板；和形成在第二基板内表面上的有机发光二极管器件，其中所述数据焊盘具有其中层叠有第一导电图案和第二导电图案的双层结构，所述第一导电图案由具有抗腐蚀性的导电材料形成。

在本发明的另一方面中，提供了一种制造有机电致发光显示器件的方法，该方法包括：设置第一基板；在第一基板上连续层叠第一导电层和第二导电层，并将第一和第二导电层构图，从而形成栅极、栅线、栅焊盘和数据焊盘；在栅极、栅线、栅焊盘和数据焊盘上形成栅绝缘层；在对应于栅极的一部分栅绝缘层上形成有源层、源极/漏极、数据线和数据焊盘连接部；在包含有源层、源极/漏极、数据线和数据焊盘连接部的栅绝缘层上形成钝化层；在钝化层上形成暴露一部分漏极、栅焊盘连接部、栅焊盘和数据焊盘的接触孔；形成用于将数据焊盘与数据焊盘连接部连接的连线；设置形成有有机发光二极管器件的第二基板；在第一基板的外围部分和第二基板的外围部分中的一个上形成密封图案；和将两个基板彼此粘结。

在本发明的另一方面中，提供了一种有机电致发光显示器件，包括：第一基板；位于第一基板上的栅线、和形成在栅线末端的栅焊盘连接部；形成在包含栅线和栅焊盘连接部的第一基板上的栅绝缘层；在栅绝缘层上通过至少层叠第一导电图案和第二导电图案而形成的数据线、位于数据线末端的数据焊盘、和与数据线分离开的栅焊盘，其中栅线和数据线形成为彼此交叉，并进一步设置形成在栅线和数据线彼此交叉区域上的薄膜晶体管；形成在数据线、数据焊盘和栅焊盘上并包括暴露一部分栅焊盘连接部、数据焊盘和栅焊盘的接触孔的钝化层；位于钝化层上用于将栅焊盘连接部与栅焊盘电连接的连线；与第一基板间隔开预定距离并使用密封图案粘结到第一基板的第二基板；和形成在第二基板内表面上的有机发光二极管器件；其中第一导电图案由具有抗侵蚀性的导电材料形成。

在本发明的另一方面中，提供了一种制造有机电致发光显示器件的方法，该方法包括：设置第一基板；在第一基板上形成导电层之后，将导电层构图，从而形成栅极、栅线和栅焊盘连接部；在栅极、栅线和栅焊盘连接部上形成栅绝缘层；在对应于栅极的一部分栅绝缘层上形成有源层；在包含有源层的栅绝缘层上连续形成第一导电层和第二导电层之后，将第一和第二导电层构图，从而同时形成位于有源层相应区域中的源极/漏极、以及位于栅绝缘层上的数据线、栅焊盘和数据焊盘；在有源层、源极/漏极、数据线、栅焊盘和数据焊盘上形成钝化层；在钝化层中形成暴露一部分漏极、栅焊盘连接部、栅焊盘和数据焊盘的接触孔；在钝化层上形成用于将栅焊盘与栅焊盘连接部连接的连线；设置形成有有机发光二极管器件的第二基板；在第一基板的外围部分和第二基板的外围部分中的一个上形成密封图案；和将两个基板彼此粘结。

应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是典型性的和解释性的，意在提供如权利要求中所述的本发明进一步的解释。

附图说明

给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是依照现有技术的有机电致发光显示器件的示意性横截面图；

图2是依照本发明第一实施方式的有机电致发光显示器件的示意性平面图；

图3是图解图2中有机电致发光显示器件一部分的横截面图；

图4A到4F是解释依照本发明第二实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图；

图5A到5D是解释依照本发明第三实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图；

图6是图解图2中有机电致发光显示器件另一部分的横截面图；

图7A到7G是解释依照本发明第四实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图；

图8A到8D是解释依照本发明第五实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图。

具体实施方式

现在将参照本发明的优选实施方式详细描述，附图中图解了其实施例。下面作为实施例提供了实施方式，以充分给本领域熟练技术人员传递本发明的精神。因此，本发明并不限于这里列出的实施方式，而是可以以其它形式和修改例来实现。在附图中，为了清楚起见放大了器件的尺寸和厚度。无论何时，在整个附图中相同的参考标记都指代相同或相似的部件。

第一实施方式

图2是依照本发明第一实施方式的有机电致发光显示器件的示意性平面图。

参照图2，使用密封图案300粘结第一基板100和第二基板200。

第一基板100限定有有源区域100a和沿有源区域100a边缘设置的外围区域100b。有源区域100a包括彼此交叉的多条栅线112和数据线122。此外，有源区域100a进一步包括平行于栅线112设置的电源线132。

在由栅线112和数据线122包围的部分中形成有像素区域P。在像素区域P中设置有薄膜晶体管(TFT)。例如，在像素区域P中设置有开关TFT S-Tr、驱动TFT D-Tr和电容器Cp。开关TFT S-Tr与栅线112和数据线122电连接。驱动TFT D-Tr与开关TFT S-Tr和电容器Cp电连接。此外，驱动TFT D-Tr的源极与电源线132电连接。

此外，在有源区域100a中设置有数据焊盘连接部123和连线124。数据焊盘连接部123形成在数据线122的末端，连线124与数据焊盘连接部123连接。

此外，数据焊盘120延伸到有源区域100a和外围区域100b并与连线124电连接。

在外围区域100b中设置有栅焊盘110和地焊盘130。栅焊盘110形成在栅线112的末端，地焊盘130形成在电源线132的末端。

此外，在外围区域100b中设置有公共电压焊盘140。公共电压焊盘140从外部电路部件接收公共电压。公共电压焊盘140与形成在第二基板200上的有机发光二极管器件E电连接。

对应于外围区域100b设置的焊盘部与外部电路部件，如载带封装(TCP)和柔性印刷电路(FPC)连接，从而接收外部信号。

同时，在第二基板200内侧上形成有机发光二极管器件E，且其与形成在第一基板100上的TFT连接。

下面描述具有上述结构的有机电致发光显示器件的驱动。

外部电路部件给栅焊盘110和数据焊盘120分别施加选择信号和数据信号。当选择信号通过与栅焊盘110连接的栅线导通开关TFT S-Tr的栅极时，数据信号就经由与数据焊盘120连接的数据线122通过开关TFT S-Tr，并施加给驱动TFT D-Tr和电容器Cp。

数据信号导通驱动TFT D-Tr的栅极，从而通过驱动TFT D-Tr给有机发光二极管器件E供给电流。当电流流过有机发光二极管器件E时，分别从阳极和阴极给有机发光层供给空穴和电子。之后，有机发光层中的电子和空穴复合，从而产生能量并显示图像。

在这一点上，可通过响应于数据信号控制驱动TFT D-Tr的导通/截止状态来控制流过驱动TFT D-Tr的电流，从而显示灰度。

此外，当不施加选择信号时，充在电容器Cp中的数据信号施加给驱动TFTD-Tr，从而使有机发光二极管器件E持续发光，一直到施加下一图像的信号。

图3是图解图2中有机电致发光显示器件一部分的横截面图。图3仅图解了一个驱动TFT，但是有机电致发光显示器件进一步包括电容器和开关TFT。此外，图3图解了给有机电致发光显示器件设置的焊盘部仅包括数据焊盘和栅焊盘，但焊盘部进一步包括公共电压焊盘和地焊盘，为了描述方便而省略了它们。

参照图3，有机电致发光显示器件包括第一基板100和第二基板200。第一和第二基板100和200使用密封图案300彼此粘结。这里，第一基板100分为有源区域100a和外围区域100b。密封图案沿有源区域100a和外围区域100b之间的界面设置。因此，使用第一和第二基板100和200以及密封图案300将有源区域100a与外部环境密封。外围区域100b暴露于外部环境。

在这一点上，在第一基板100的有源区域100a中以矩阵形式设置有多条栅线和数据线。在由栅线和数据线限定的像素区域中形成有TFT。此外，在第一基板100的外围区域100b中形成有用于施加信号的外部电路部，如用于与TCP和FPC连接的焊盘部。这里，焊盘部包括栅焊盘110、数据焊盘120、地焊盘(没有示出)和公共电压焊盘(没有示出)。

用于接收数据信号的数据焊盘120形成在有源区域100a和外围区域100b中。位于有源区域100a中的一部分数据焊盘120与形成在数据线末端的数据焊盘连接部123电连接。另一方面，位于外围区域100b中的一部分数据焊盘120与外部电路部件连接。

同时，第二基板200包括有机发光二极管器件E，其具有第一电极210、有机发光层220和第二电极230。形成在第二基板200上的有机发光二极管器件E面对第一基板100。

将更详细地描述形成有TFT Tr和焊盘部的第一基板100。

第一基板100限定有有源区域100a和沿有源区域100a边缘设置的外围区域100b。在第一基板100的有源区域100a中设置有栅线(没有示出)、从栅线部分分支的栅极111和平行于栅线的电源线(没有示出)。

在有源区域100a中和第一基板100外围区域的两侧设置有一部分数据焊盘120。

栅焊盘110设置在第一基板100的外围区域100b中。栅焊盘110从栅线延伸并设置在栅线的末端。

栅焊盘110和数据焊盘120包括第一导电图案150a和第二导电图案150b。因为第一导电图案150a包括具有抗侵蚀性的导电材料，所以第一导电图案150a阻止了栅焊盘110和数据焊盘120被外部湿气和氧气侵蚀。在这一点上，第一导电图案150a包括氧化铟锡(ITO)图案或氧化铟锌(IZO)图案。

第二导电图案150b包括具有比第一导电图案150a低的电阻的导电材料。第二导电图案150b减小了第一导电图案150a的电阻。在这一点上，第二导电图案150b由Cr或Mo形成。

此外，栅线和栅极111还包括第一导电图案150a和第二导电图案150b。

在第一基板100的整个表面上形成有栅绝缘层101，从而覆盖栅极111、栅焊盘110和数据焊盘120。

在对应于有源区域100a的一部分栅绝缘层101上形成有源图案113。有源图案113包括由无定形硅图案153a形成的沟道图案153a和由用杂质掺杂的无定形硅图案形成的欧姆接触层153b。在有源图案113上形成源极/漏极121a和121b。与栅线交叉的数据线(没有示出)与源极121a电连接。此外，形成在数据线末端的数据焊盘连接部123设置于对应于有源区域100a的一部分栅绝缘层101上。

数据焊盘连接部123由与源极/漏极121a和121b相同的材料形成。沟道图案153a和欧姆接触层153b设置在数据焊盘连接部123下方。

在第一基板100上形成有钝化层102，从而覆盖TFT和数据焊盘连接部123。

钝化层102包括分别暴露漏极121b、数据焊盘连接部123、栅焊盘110和数据焊盘120的接触孔。

在这一点上，接触孔包括暴露对应于有源区域100a的一部分数据焊盘120的第一接触孔P1和暴露对应于外围区域100b的一部分数据焊盘120的第二接触孔P2。

连线124形成在钝化层102上，从而将由第一接触孔P1暴露的一部分数据焊盘120连接到数据焊盘连接部123。用于形成连线124的例子包括Pt、Au、Ir、Cr、Mg、Ag、Ni、Al和AlNd。此外，由第二接触孔P2暴露的一部分数据焊盘与外部电路部件接触，从而从外部电路部件接收数据信号。

此外，在钝化层102上设置有连接电极125。连接电极125连接到通过接触孔暴露的漏极121b。连接电极125防止在形成接触孔的工序过程中损坏漏极121b。连接电极125包括与连线124相同的导电材料。

和附图不同，栅焊盘110和数据焊盘120可包括第二导电图案150b和第一导电图案150a。在这一点上，第一导电图案150a包括通过蚀刻由第一和第二接触孔P1和P2暴露的部分第二导电图案150b而形成的开口。

使用该结构，由具有抗侵蚀性的导电材料形成的组成栅焊盘110或数据焊盘120的第一导电图案150a暴露到外部，从而可阻止由外部的湿气和氧气导致的栅焊盘110或数据焊盘120的侵蚀。

在这一点上，在附图中未示出的地焊盘和公共电压焊盘也由与栅焊盘相同的导电材料形成。

因此，可阻止由于暴露到外部的焊盘部的侵蚀导致的有机电致发光显示器件的缺陷像素和可靠性的降低。

下面将详细描述设置有有机发光二极管器件E的第二基板200。

在面对第一基板100的第二基板200表面上设置有作为公共电极的第一电极210。此外，在第二基板200和第一电极210之间还设置有辅助电极205。

辅助电极205进一步减小了第一电极210的电阻。在这一点上，因为辅助电极205由具有低电阻的金属形成且几乎是不透明的，所以辅助电极205可形成在不显示图像的部分上。

在第一电极210下面设置有限定像素区域的缓冲层215。在缓冲层215下方设置有隔离物225和与隔离物225间隔开预定距离的衬垫料235。

在第一电极210下面连续设置有机发光层220和第二电极230。

有机发光层220包括空穴注入层、空穴传输层、空穴抑制层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层、空穴传输层、空穴抑制层、电子传输层和电子注入层更加快速地注入电子和空穴，从而进一步提高了发光效率。

此外，对于各像素区域，第二电极230通过隔离物225分离。为了对于各像素区域分离第二电极230，隔离物225具有倒锥形分隔壁的形状。与此不同，对于各像素区域分离第二电极230的隔离物可通过下述形成，即在缓冲层215上形成有机层并蚀刻该缓冲层215，从而在缓冲层215中形成底切(undercut)。

此外，因为第二电极230覆盖了衬垫料235的上表面，所以一部分第二电极230使用衬垫料235与第一基板100的TFT电连接。

此外，在第二电极230下面进一步设置湿气吸收层。湿气吸收层设计成阻止有机发光层220被湿气和/或氧气损坏。

使用上面的工序，在第一基板100的内侧上形成TFT，并在第二基板200的内侧上形成有机发光二极管器件。在这一点上，TFT和有机发光二极管器件E通过形成在衬垫料235上的第二电极230彼此电连接。因此，当驱动TFT时，有机发光二极管器件E发射光。光传递到第二基板200，从而为使用者提供图像。

第二实施方式

图4A到4F是解释依照本发明第二实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图；

参照图4A，在玻璃基板或塑料基板的第一基板400上连续形成第一导电层和第二导电层。将第一和第二导电层构图，从而同时形成包括具有线形的第一导电图案450a和第二导电图案450b的栅线(没有示出)、从栅线分支的栅极405和位于栅线末端的栅焊盘410。此外，在第一基板100上同时形成与栅线分离预定距离的数据焊盘420。

这里，第一导电图案450a由具有抗侵蚀性的导电材料形成，其可包括ITO或IZO。此外，第二导电图案450b不与第一导电图案450a发生化学反应，且其通过沉积Cr或Mo由具有比第一导电图案450a小的电阻的低电阻导电材料形成。

之后，在包含栅极405、栅焊盘410和数据焊盘420的第一基板400的整个表面上形成栅绝缘层401。栅绝缘层401可以为使用化学气相沉积(CVD)形成的氧化硅层、氮化硅层或者这些层的叠层。

参照图4B，将位于栅绝缘层401上的无定形硅层和用p-型或n-型杂质掺杂的无定形硅层和导电层构图，从而对应于栅电极405形成有源图案413，其中在有源图案413中层叠有沟道图案453a和欧姆接触层453b。同时，形成与栅线交叉的数据线(没有示出)、位于数据线末端的数据焊盘连接部423和源极/漏极421a和421b。

这里，因为有源图案413和设置在有源图案413上的源极/漏极421a和421b使用一个掩模同时形成，所以可在数据线和焊盘连接部423下方进一步设置沟道图案453a和欧姆接触层453b。

使用上面的工序，在第一基板400上形成了包含栅极405、有源图案413和源极/漏极421a和421b的TFT；包含具有抗侵蚀性的第一导电图案450a和用于减小第一导电图案450a电阻的第二导电图案450b的栅焊盘410；和数据焊盘420。

参照图4C，在包含TFT、栅焊盘410和数据焊盘420的栅绝缘层401上形成钝化层402。钝化层402为有机层或无机层。例如，有机层是选自由下列物质构成的组中的一种：丙烯酸类树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)和酚醛清漆类树脂。此外，无机层为氧化硅层、氮化硅层或这些层的叠层。

在钝化层402中形成分别暴露漏极421b、数据焊盘连接部423、栅焊盘410和数据焊盘420的接触孔。

在这一点上，接触孔包括分别暴露数据焊盘420两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2。

参照图4D，将沉积在包含接触孔的钝化层上的导电层构图，从而形成用于将数据焊盘连接部423电连接到数据焊盘420的连线424。因此，经由数据焊盘420施加的数据信号通过连线424传递到数据焊盘连接部423并通过数据线施加给TFT。

使用上面的工序，可同时形成包含第一导电图案450a并暴露到外部的栅焊盘410以及数据焊盘420。

可同时进一步形成通过接触孔电连接到暴露的漏极421b的连接电极425。连接电极425设计为用于阻止漏极421b在形成接触孔的工序过程中受到损坏。

同时，参照图4E，提供了其上形成有有机发光二极管器件E的第二基板500。

下面将详细描述在第二基板500上形成有机发光二极管器件E的工序。

在第二基板500上形成第一电极510作为公共电极。

第一电极由具有透明性和高功函的导电材料，如ITO和IZO形成。

在第一电极510上形成限定各像素区域的缓冲层515。缓冲层515是绝缘层。在缓冲层515上形成隔离物525。这里，以倒锥形分隔壁形状形成隔离物525。在这一点上，隔离物525由有机绝缘体形成。此外，在缓冲层515上形成与隔离物525间隔开预定距离的衬垫料535。

在包含衬垫料535的第一电极510整个表面上连续形成有机发光层520和第二电极530。在这一点上，第二电极530通过隔离物525选择性地形成在像素区域525中。此外，因为第二电极530覆盖了衬垫料535的上部，所以对应于衬垫料535的一部分第二电极530向第一基板100突出。

在这一点上，在形成有机发光层520之前进一步形成空穴注入层和/或空穴传输层。此外，在形成有机发光层520之后可进一步形成空穴抑制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

这里，在第二电极530上进一步形成湿气吸收层(没有示出)。湿气吸收层包括BaO或CaO。因此，因为湿气吸收层保护有机发光二极管器件E免于渗透进器件的湿气和氧气，所以可阻止整个装置寿命的减小。

参照图4F，在包含TFT的第一基板或者包含有机发光二极管器件E的第二基板500上形成密封图案600后，进行将两个基板彼此粘结的封装工序，从而制备有机电致发光显示器件。密封图案600形成为跨越分别暴露数据焊盘420两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2之间的部分。此外，如此形成密封图案600，即数据焊盘连接部424位于密封图案600内。因此，数据焊盘连接部424没有暴露到外部。

在这一点上，第一基板400的漏极421b与通过第二基板500的衬垫料535而突出的一部分第二电极530接触。

此外，为了移除湿气和氧气，在通过第一和第二基板400和500形成的内部填充惰性气体，如氮气。通过这样做，可阻止形成在第二基板500上的有机发光层520的寿命减小或者阻止由于湿气和氧气产生的黑点。

第三实施方式

图5A到5D是解释依照本发明第三实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图。这里，因为除了通过改变第一导电图案和第二导电图案的沉积顺序来形成数据焊盘之外，依照本发明第三实施方式的制造有机电致发光显示器件的方法与照本发明第二实施方式的制造有机电致发光显示器件的方法相同，所以将省略相同部分的描述。相同的参考标记表示相同的元件。

参照图5A，在第一基板400上连续层叠第二导电层和第一导电层。将层叠的第一和第二导电层构图，从而形成包括具有线形的第一导电图案450a和第二导电图案450b的栅线(没有示出)、从栅线分支的栅极405和位于栅线末端的栅焊盘410。此外，在第一基板100上同时形成数据焊盘420。

这里，第一导电图案450a由具有抗侵蚀性的导电材料形成，其可包括ITO层或IZO层。此外，第二导电图案450b不与第一导电图案450a发生化学反应，且其通过沉积Cr或Mo由具有比第一导电图案450a小的电阻的低电阻导电材料形成。

之后，在包含栅电极405、栅焊盘410和数据焊盘420的第一基板400的整个表面上形成栅绝缘层401。

在栅绝缘层401上形成其中层叠有沟道图案453a和欧姆接触层453b的有源图案413、源极/漏极421a和421b、数据线(没有示出)和位于数据线末端的数据焊盘连接部423后，形成钝化层402。

参照图5B，在钝化层402中形成分别暴露漏极421b、数据焊盘连接部423、栅极焊盘410和数据焊盘420的接触孔。接触孔包括分别暴露数据焊盘420两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2。

蚀刻通过形成在钝化层402中的接触孔而暴露的部分栅焊盘410和数据焊盘420以及作为数据焊盘连接部423上层的部分第二导电图案450b，从而形成暴露第一导电图案450a的开口。也就是说，具有抗侵蚀性的第一导电图案450a暴露到外部，从而与外部电路接触。

参照图5C，在包含接触孔的钝化层402上沉积导电材料。将沉积的导电材料构图，从而形成用于将数据焊盘连接部423电连接到数据焊盘420的连线424。此外，因为漏极421b在形成接触孔的工序过程中损耗掉，所以可进一步形成用于补偿该损耗的连接电极425。

参照图5D，在包含TFT的第一基板400或包含有机发光二极管器件E的第二基板500上形成密封图案600后，进行将两个基板彼此粘结的封装工序，从而制备了有机电致发光显示器件。

第四实施方式

图6是图解图2中有机电致发光显示器件另一部分的横截面图。图3仅仅图解了一个驱动TFT，但是可进一步形成电容器和开关TFT。此外，给有机电致发光显示器件设置的焊盘图解为限于数据焊盘和栅焊盘，但是可进一步形成公共电压焊盘和地焊盘。为了描述方便省略了公共电压焊盘和地焊盘。

参照图6，有机电致发光显示器件的第一基板1100和第二基板1200使用密封图案1300彼此粘结。这里，第一基板1100包括有源区域1100a和设置在有源区域1100a周围的外围区域1100b。密封图案1300设置于有源区域1100a和外围区域1100b之间的界面。因此，有源区域1100a与外部环境密封，外围区域1100b暴露于外部环境。

在这一点上，在第一基板1100有源区域1100a中多条栅线和数据线交叉。在由栅线和数据线确定的像素区域中形成有TFT。此外，在第一基板100的外围区域1100b中形成有用于施加信号的外部电路部，如用于与TCP和FPC连接的焊盘部。这里，焊盘部包括栅焊盘1110、数据焊盘1120、地焊盘(没有示出)和公共电压焊盘(没有示出)。

用于接收选择信号的栅焊盘1110在有源区域1100a和外围区域1100b上方延伸。位于有源区域1100a中的一部分栅焊盘1100与形成在栅线末端的栅焊盘连接部1153连接。位于外围区域1100b中的一部分栅焊盘1100与外部电路部件连接。

同时，在第二基板1200下方形成有机发光二极管器件E，其具有第一电极1210、有机发光层1220和第二电极1230。

将更详细地描述形成有TFT和焊盘部的第一基板1100。

第一基板1100包括有源区域1100a和外围区域1100b。有源区域1100a包括栅线(没有示出)、从栅线部分分支的栅极1111和形成在栅线末端的栅极焊盘连接部1153。

此外，在有源区域1100a中进一步形成有与栅线间隔开预定距离并与栅线平行形成的电源线(没有示出)。

在包含栅极1102、栅线和栅极焊盘连接部1153的第一基板1100整个表面上形成有栅绝缘层1101。

在对应于栅极1102的一部分栅绝缘层1101上设置有有源图案1113。有源图案1113通过连续层叠由无定形硅层形成的沟道图案1112a和由用杂质掺杂的无定形硅层形成的欧姆接触层1112b形成。

在有源图案1112上形成有源极/漏极1121a和1121b。在源极1121a上设有与栅线交叉的数据线(没有示出)。栅焊盘1110在对应于有源区域1100a和外围区域1100b的一部分栅绝缘层1101上延伸。此外，形成在数据线末端的数据焊盘连接部1120设置于对应于外围区域1100a的一部分栅绝缘层上。

这里，栅焊盘1110和数据焊盘1120具有双层结构，其中连续层叠有第一导电图案L1和第二导电图案L2。

第一导电图案L1由具有抗侵蚀性的导电材料形成。因此，即使当栅焊盘1110和数据焊盘1120暴露到外部时，也可阻止产生由外部湿气和氧气导致的侵蚀，因为第一导电图案L1由具有抗侵蚀性的导电材料形成。在这一点上，第一导电图案L1由ITO或IZO形成。

第二导电图案L2由具有比第一导电图案L1小的电阻的低电阻导电材料形成。第二导电图案L2减小了第一导电图案L1的电阻。在这一点上，考虑到与第一导电图案L1的反应，第二导电图案L2由Cr或Mo形成。

此外，可通过连续层叠第一导电图案L1和第二导电图案L2形成数据线和源极/漏极1121a和1121b。

栅极1111、有源层1113、包含源极/漏极1121a和1121b的TFT以及栅焊盘连接部1153形成在第一基板100的有源区域1100a中。栅焊盘1110延伸到有源区域1100a和外围区域1100b。此外，数据焊盘1120形成在外围区域1100b上。

在包含TFT、栅焊盘连接部1153、栅焊盘1110和数据焊盘1120的第一基板1100整个表面上形成有钝化层1102。

钝化层1102包括分别暴露漏极1121b、栅焊盘连接部1113、栅焊盘1110和数据焊盘1120的接触孔。在这一点上，接触孔包括暴露与有源区域1100a对应部分的第一接触孔P1和暴露与外围区域1100b对应部分的第二接触孔P2。

在钝化层1102上设有连线1124，从而将第一接触孔P1暴露的一部分栅焊盘1110连接到栅焊盘连接部1153。连线1124可由选自下列物质组成的组中的一种：Pt、Au、Ir、Cr、Mg、Ag、Ni、Al和AlNd。此外，通过第二接触孔P2暴露的一部分栅焊盘1110与外部电路部件接触。

此外，在钝化层1102上形成有连接电极1125，其连接到接触孔暴露的一部分漏极1121b。连接电极1125形成用于补偿漏极1121b在形成接触孔工序过程中的损耗。

这里，为了工序简便，连接电极1125由与连线1124相同的导电材料形成。

和附图中不同，栅焊盘1110和数据焊盘1120可以双层形成，其中连续层叠有第二导电图案L2和第一导电图案L1。在这一点上，通过在位于由第一和第二接触孔P1和P2暴露的部分中的一部分第二导电图案L2中形成开口，第一导电图案L1暴露到外部。就是说，蚀刻组成栅焊盘1110和数据焊盘1120的第二导电图案L2，以暴露第一导电图案L1。

因此，因为由具有抗侵蚀性的导电材料形成的第一导电图案L1暴露到外部，所以暴露到外部的一部分栅焊盘1110或数据焊盘1120不容易被外部湿气和氧气侵蚀。

换句话说，因为在暴露到外部的焊盘部中第一导电图案暴露到外部，所以可阻止由于焊盘部的侵蚀导致的有机电致发光显示器件的缺陷像素和可靠性的降低。

同时，下面将详细描述设置有有机发光二极管器件E的第二基板1200。

在第二基板1200下面设有作为公共电极的第一电极1210。这里，在第二基板1200和第一电极1210之间还设置有辅助电极1205。辅助电极1205进一步减小了第一电极1210的电阻。在这一点上，因为辅助电极1205由具有低电阻的金属形成且几乎是不透明的，所以辅助电极1205可形成在不显示图像的部分上。

在第一电极1210下面设置有限定像素区域的缓冲层1215。在缓冲层1215下面设置有隔离物1225和与隔离物1225间隔开预定距离的衬垫料1235。

在第一电极1210下面连续设置有机发光层1220和第二电极1230。

有机发光层1220在有机发光层1220上面或下面包括空穴注入层、空穴传输层、空穴抑制层、电子传输层和电子注入层。因为可在第一电极1210、有机发光层1220和第二电极1230的交界处适当调整能级，所以电子和空穴可更加快速地注入进有机发光层1220，从而进一步提高发光效率。

此外，对于各像素区域，第二电极1230通过隔离物1225分离。为了对于各像素区域分离第二电极1230，隔离物1225具有倒锥形隔离壁形状。与此不同，对于各像素区域分离第二电极1230的隔离物1225可通过下述形成，即在缓冲层1215上形成有机层并蚀刻缓冲层1215，从而在缓冲层1215中形成底切。

第二电极1230还形成在衬垫料1235上。一部分第二电极1230通过衬垫料1235向下突出，从而与第一基板1100的TFT连接。

此外，尽管在附图中没有示出，但在第二电极1230下面还进一步形成湿气吸收层。湿气吸收层意在阻止损坏有机发光层1220。

使用上面的工序，在第一基板1100内侧上形成TFT，并在第二基板1200内侧上形成有机发光二极管器件。在这一点上，TFT和有机发光二极管器件E通过形成在衬垫料1235上的第二电极1230彼此电连接。因此，当驱动TFT时，有机发光二极管器件E发射光。光传递到第二基板1200，从而为使用者提供图像。

图7A到7G是解释依照本发明第四实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图。

参照图7A，提供第一基板1400。第一基板1400为玻璃基板或塑料基板。

在第一基板1400上形成导电层。将导电层构图，从而形成具有一个方向的栅线(没有示出)、从栅线分支的栅极1402和位于栅线末端的栅焊盘连接部1413。

此外，尽管附图中没有示出，但还进一步形成与栅线间隔开恒定距离并与栅线平行设置的电源线、和位于电源线末端的地焊盘连接部。

之后，在包含栅电极1402和栅焊盘连接部1413的第一基板1400整个表面上形成栅绝缘层1401。栅绝缘层1401为使用化学气相沉积(CVD)形成的氧化硅层、氮化硅层或这些层的叠层。

参照图7B，连续沉积并构图位于栅绝缘层1401上的无定形硅层、用p-型或n-型杂质掺杂的无定形硅层和导电层，从而对应于栅极1402形成有源图案1412，其中在有源图案1412中层叠有沟道图案1412a和欧姆接触层1412b。

参照图7C，在包含有源层1412的栅绝缘层1401上连续形成第一导电图案L1和第二导电图案L2，并将其构图，从而形成与栅线交叉的数据线(没有示出)、位于数据线末端的数据焊盘1420、源极/漏极1421a和1421b。同时，形成与数据线分离的栅焊盘1410。

此外，尽管在附图中没有示出，可进一步形成岛形的地焊盘和公共电压焊盘。

这里，第一导电图案通过沉积ITO或IZO由具有抗侵蚀性的导电材料形成。此外，第二导电图案L2不与第一导电图案L1发生化学反应，且其由Cr或Mo形成，这些材料是具有比第一导电图案L1小的电阻的低电阻导电材料。

使用上面的工序，在第一基板1400上形成包含栅极1402、有源图案1412和源极/漏极1422a和1422b的TFT；包含具有抗侵蚀性的第一导电图案L1和用于减小第一导电图案L1电阻的第二导电图案L2的栅焊盘1410和数据焊盘1420。

参照图7D，在包含TFT、栅焊盘1410和数据焊盘1420的栅绝缘层1401上形成钝化层1402。钝化层1402可以为有机层或无机层。例如，有机层是选自由下列物质构成的组的一种：丙烯酸类树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)和酚醛清漆类树脂。此外，无机层为氧化硅层、氮化硅层或这些层的叠层。

在钝化层1402中形成分别暴露漏极1422b、数据焊盘连接部1413、栅焊盘1410和数据焊盘1420的接触孔。

在这一点上，接触孔包括分别暴露栅焊盘1410两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2。

参照图7E，在包含接触孔的钝化层1402上沉积导电材料，并将其构图，从而形成将栅焊盘连接部1413电连接到栅焊盘1410的连线1415。因此，通过栅焊盘1410施加的选择信号通过连线1415和栅焊盘连接部1413传递到栅线，并最终施加给TFT，从而导通栅极1402。

使用上面的工序，可同时形成包含第一导电图案L1并暴露到外部的栅焊盘1410和数据焊盘1420。

可同时进一步形成通过接触孔电连接到暴露的漏极1422b的连接电极1425。连接电极1425设计成用于补偿漏极1422b在形成接触孔工序过程中的损耗。

同时，参照图7F，提供其上形成有有机发光二极管器件E的第二基板1500。

下面将详细描述在第二基板1500上形成有机发光二极管器件E的工序。在第一步，提供第二基板1500。在第二基板1500上形成第一电极1510作为公共电极。

第一电极1510由具有透明性和高功函的导电材料，如ITO和IZO形成。

在第一电极1510上形成限定各像素区域的缓冲层1515。缓冲层1515是绝缘层。在缓冲层1515上形成隔离物1525。这里，以倒锥形隔离壁形状形成隔离物1525。在这一点上，隔离物1525由有机绝缘体形成。此外，在缓冲层1515上形成与隔离物1525间隔开预定距离的衬垫料1535。

在包含衬垫料1535的第一电极1510整个表面上连续形成有机发光层1520和第二电极1530。在这一点上，第二电极1530通过隔离物1525自动分离为子像素。此外，因为第二电极1530覆盖了衬垫料1535的上部，所以对应于衬垫料1535的一部分第二电极1530向上突出。

在这一点上，在形成有机发光层1520之前进一步形成空穴注入层和/或空穴传输层。此外，在形成有机发光层1520之后可进一步形成空穴抑制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

这里，在第二电极1530上进一步形成湿气吸收层(没有示出)。湿气吸收层包括BaO或CaO。因此，因为湿气吸收层保护有机发光二极管器件E免于渗透进器件的湿气和氧气，所以可阻止整个装置寿命的减小。

参照图7G，在包含TFT的第一基板1400或者包含有机发光二极管器件E的第二基板1500上形成密封图案1600后，进行将两个基板彼此粘结的封装工序，从而制备了有机电致发光显示器件。密封图案1600形成为跨越分别暴露栅焊盘1410两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2之间的部分。此外，如此形成密封图案1600，即栅焊盘连接部1413位于密封图案1600内。因此，栅焊盘连接部1413没有暴露到外部。

在这一点上，第一基板1400的漏极1422b与通过第二基板1500的衬垫料1535而突出的一部分第二电极1530接触。

此外，为了移除湿气和氧气，在第一和第二基板1400和1500形成的内部填充惰性气体。通过这样做，可阻止形成在第二基板1500上的有机发光层1420的寿命减小或者阻止由于湿气和氧气产生的黑点。

图8A到8D是解释依照本发明第五实施方式制造有机电致发光显示器件的方法的横截面图。这里，因为除了通过改变第一导电图案和第二导电图案的沉积顺序来形成栅焊盘之外，依照本发明第五实施方式的制造有机电致发光显示器件的方法与照本发明第二实施方式的制造有机电致发光显示器件的方法相同，所以将省略相同部分的描述。相同的参考标记表示相同的元件。

参照图8A，在第一基板1400上形成导电层。将导电层构图，从而形成具有一个方向的栅线(没有示出)、从栅线分支的栅极1402和位于栅线末端的栅极焊盘连接部1413。

在包含栅极1402和栅焊盘连接部1413的第一基板1400整个表面上形成栅绝缘层1401。

在栅绝缘层1401上形成其中层叠有沟道层1412a和欧姆接触层1412b的有源层1412。

之后，在包含有源层1412的栅绝缘层1401上连续层叠第二导电图案L2和第一导电图案L1，并将其构图，从而形成源极/漏极1422a和1422b、数据线(没有示出)、位于数据线末端的数据焊盘1420和岛形的栅焊盘1410。

这里，第一导电图案L1通过沉积ITO或IZO由具有抗侵蚀性的导电材料形成。此外，第二导电图案L2不与第一导电图案L1发生化学反应，且其由Cr或Mo形成，这些材料是具有比第一导电图案L1小的电阻的低电阻导电材料形成。

参照图8B，在包含源极/漏极1422a和1422b、栅焊盘1410和数据焊盘1420的栅绝缘层401上形成钝化层1402。

在钝化层1402中形成分别暴露漏极1422b、焊盘连接部1413、栅焊盘1410和数据焊盘1420的接触孔。接触孔包括分别暴露栅焊盘1410两端的第一接触孔P1和第二接触孔P2。

蚀刻通过形成在钝化层1402中的接触孔而暴露的部分栅焊盘1410和数据焊盘1420以及作为栅焊盘连接部1413上层的部分第二导电图案L2，从而形成暴露第一导电图案L1的开口。就是说，具有抗侵蚀性的第一导电图案L1暴露到外部，从而与外部电路接触。

参照图8C，在包含接触孔的钝化层1402上沉积导电材料。将沉积的导电材料构图，从而形成用于将栅焊盘连接部1413电连接到栅焊盘1410的连线1415。此外，因为，漏极1422b在形成接触孔的工序过程中损耗掉，所以可进一步形成用于补偿该损耗的连接电极1425。

参照图8D，在包含TFT的第一基板1400或包含有机发光二极管器件E的第二基板1500上形成密封图案1600后，进行将两个基板彼此粘结的封装工序，从而制备了有机电致发光显示器件。

如上所述，通过在不同的两个基板上分别形成TFT和有机发光二极管器件，并将两个基板彼此粘结而制备了电致发光显示器件，从而有望减小缺陷率和提高生产率。

此外，暴露到外部的焊盘部由具有强抗侵蚀性的导电材料形成，从而阻止了焊盘部的侵蚀。

此外，因为阻止了焊盘部的侵蚀，所以可解决由焊盘部的侵蚀而导致的缺陷问题，并提高了可靠性。

此外，因为同时形成具有抗侵蚀性的焊盘部，所以不需要单独的工序。

本发明可做各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书及其等价物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (17)

1.一种有机电致发光显示器件，包括：

限定有第一区域和第二区域的第一基板；

形成在与第一区域相对应的一部分第一基板上的栅线和从栅线延伸且形成在第二区域上的栅焊盘；

延伸到第一基板的第一区域和第二区域的数据焊盘；

形成在栅线、栅焊盘和数据焊盘上的栅绝缘层；

设置在栅绝缘层上与栅线交叉的数据线以及位于数据线末端的数据焊盘连接部；

形成在栅线和数据线的交叉点上的至少一个薄膜晶体管；

钝化层，其包含暴露一部分薄膜晶体管、数据焊盘、栅焊盘和数据焊盘连接部的接触孔；

设置在钝化层上用于将数据焊盘与数据焊盘连接部电连接的连线；

形成在第一区域和第二区域之间界面上的密封图案；

与第一基板间隔开预定距离并使用密封图案粘结到第一基板的第二基板；和

形成在第二基板内表面上的有机发光二极管器件，

其中所述数据焊盘具有其中层叠有第一导电图案和第二导电图案的双层结构，

所述第一导电图案由具有抗腐蚀性的导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中第一导电图案由氧化铟锡和氧化铟锌中的一种形成。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中第一导电图案具有第一电阻，而第二导电图案具有比第一导电图案的第一电阻小的第二电阻。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中第二导电图案由Mo和Cr中的一种形成。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中数据焊盘包括形成在第二导电图案上的第一导电图案。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中数据焊盘包括形成在第一导电图案上的第二导电图案，该第二导电图案包括暴露一部分第一导电图案的开口。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，其中栅焊盘由与数据焊盘相同的导电材料形成。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件，进一步包括由与连线相同的导电材料形成的连接电极，其连接到通过接触孔暴露的一部分薄膜晶体管。

9.一种有机电致发光显示器件，包括：

包含薄膜晶体管的第一基板；

形成在第一基板上的数据焊盘；

形成在数据焊盘上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的数据焊盘连接部；

形成在数据焊盘连接部上并具有暴露一部分数据焊盘连接部的接触孔的钝化层；

位于钝化层上用于将数据焊盘连接部与数据焊盘电连接的连线；

与第一基板间隔开预定距离并使用密封图案粘结到第一基板的第二基板；和

形成在第二基板内表面上的有机发光二极管器件；

其中所述数据焊盘具有其中层叠有第一导电图案和第二导电图案的双层结构，

所述第一导电图案由具有抗侵蚀性的导电材料形成。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中第一导电图案由氧化铟锡和氧化铟锌中的一种形成。

11.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中第一导电图案具有第一电阻，第二导电图案具有比第一导电图案的第一电阻小的第二电阻。

12.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中第二导电图案由Mo和Cr中的一种形成。

13.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，进一步包括：

由与数据焊盘相同的导电材料形成的栅线；和

从栅线延伸的栅焊盘。

14.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中数据焊盘包括形成在第二导电图案上的第一导电图案。

15.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中数据焊盘包括形成在第一导电图案上的第二导电图案，该第二导电图案包括暴露一部分第一导电图案的开口。

16.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，其中连线形成在与第二基板相对应且形成有密封图案的区域内部。

17.根据权利要求9所述的有机电致发光显示器件，进一步包括由与连线相同的导电材料形成的连接电极，其连接到通过接触孔暴露的一部分薄膜晶体管。

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