CN100562782C

CN100562782C - 液晶显示器件及其制造方法

Info

Publication number: CN100562782C
Application number: CNB2006100903140A
Authority: CN
Inventors: 李坰默; 吴载映; 宋桂灿
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2005-06-29
Filing date: 2006-06-29
Publication date: 2009-11-25
Anticipated expiration: 2026-06-29
Also published as: KR20070001792A; KR101234215B1; CN1892327A

Abstract

本发明公开了一种液晶显示器件及其制造方法可以避免从数据线的侧面产生的漏光发生。在该数据线的侧面的虚拟图案与用玻璃粉末作为绝缘膜一起可以简化修复步骤。一种用于制造液晶显示器件的方法包括形成在基板上的栅极、栅线、虚拟图案和第一绝缘膜。开关元件形成在该栅极的一部分上并包括源极、漏极和有源层。数据线形成在该虚拟图案的一部分上。第二绝缘膜形成在该基板上并具有暴露部分漏极的第一接触孔。像素电极形成在该基板上并且通过该第一接触孔与该漏极电连接。

Description

液晶显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法，尤其涉及一种使用玻璃粉末作为绝缘膜的液晶显示器件及其制造方法。

背景技术

随着消费者在信息显示方面的兴趣的增长和对便携(可移动)信息设备要求的增加，增加了轻而薄的平板显示器(“FPD”)的研究和商业化。平板显示器可以替代作为最普遍存在的显示器件的阴极射线管(“CRT”)。

液晶显示器为(“LCD”)通过使用液晶的光学各向异性显示图像的FPD器件。LCD器件显示出出色的分辨率及颜色和画面质量，并且因而，它们被广泛地应用于笔记本式计算机和桌面监视器等等。通常，在LCD器件中，基于图像信息的数据信号独立地提供到以矩阵形式设置的液晶单元，并且控制液晶单元的光透射率来显示所需要的图像。

现在参照图1对LCD器件进行详细描述。图1是示出通常现有技术LCD器件结构的分解透视图。如图1所示，LCD器件包括滤色片基板5，即第一基板，阵列基板10，即第二基板，以及形成在滤色片基板5和阵列基板10之间的液晶层30。滤色片基板包括用于实现红(R)、绿(G)和蓝(B)色的子滤色片7的滤色片(C)，用于划分子滤色片7并遮住透过液晶层30的光的黑矩阵6，以及用于将电压施加到液晶层30的透明公共电极8。

阵列基板10包括设置在基板10上并限定像素区域P的栅线16和数据线17。开关元件薄膜晶体管(“TFT”)T形成在栅线16和数据线17的各交叉点处，并且像素电极18形成在各像素区域P种。像素区域P为对应于滤色片基板5的一个子滤色片7的子像素，并且通过将红、绿和蓝三种类型的子滤色片7结合而获得彩色图像。即，红、绿和蓝三个子像素形成一个单个像素，并且TFT与该红、绿和蓝子像素相连。

LCD器件的制造步骤可以分为在阵列基板上形成开关元件的阵列步骤和形成滤色片的滤色片步骤。当阵列基板和滤色片基板通过该阵列步骤和滤色片步骤制造时，它们通过单元步骤粘接以完成液晶显示板。与该阵列步骤和滤色片步骤相比，该单元步骤并不包括重复性的步骤。可以将该单元步骤分为使液晶分子定向的定向膜形成步骤、盒间隙形成步骤、切割步骤和液晶注入步骤。通过上述步骤制造的液晶显示板通过检查而筛选。如果确定液晶显示板是好的，则将偏振板粘接到该液晶显示板的外侧上，并将驱动电路连接到其上，以完成该LCD器件。

在LCD器件的上述检查步骤中，在液晶显示板的屏幕上显示测试图案以检查是否存在有缺陷像素。当发现有缺陷像素时，执行修复步骤。LCD器件的缺陷可能包括任何像素的颜色缺陷、诸如斑点(在连续ON状态下)或暗点(在连续OFF状态下)的点缺陷。其他缺陷可以为相邻连接线路之间的短路或开路，由于静电造成的开关元件击穿引起的线缺陷等。特别是，数据线的断开是一种线缺陷。在点缺陷的情况下，根据其分布的程度、数量和类型，其可能是可容忍的，但是在线缺陷的情况下，即使一个线缺陷就很严重。线缺陷严重地削弱了显示器的质量，并且它的存在会导致产值的损失。

在这种情况下，如果像素电极与数据线重叠或者靠近数据线形成以提高孔径比，则可能在该数据线和该像素电极之间产生寄生电容。然后，设置在数据线左右两侧的液晶层将沿不合需要的方向排列，从而造成该区域中漏光。

发明内容

在第一方面，一种液晶显示器件包括形成在基板上的栅极，栅线和虚拟图案。第一绝缘膜形成在该基板上，该第一绝缘膜由玻璃粉末形成。另外，开关元件形成在该栅极的一部分上并包含源极、漏极和有源层。数据线形成在虚拟图案的一部分处，第二绝缘膜形成在该基板上并具有暴露部分漏极的第一接触孔。像素电极形成在该基板上并通过该第一接触孔与该漏极电连接。

在第二方面，一种用于制造液晶显示器件的方法包括在基板上形成栅极、栅线和虚拟图案。然后将第一绝缘膜形成在该基板上并将开关元件形成在该第一绝缘膜上，该第一绝缘膜由玻璃粉末形成。该开关元件包含源极、漏极和在该栅极的一部分处的有源层。将数据线形成在该虚拟图案的一部分处并且将第二绝缘膜形成在该基板上。通过将该第二绝缘膜移除而形成第一接触孔。该第一接触孔暴露部分漏极。形成通过该第一接触孔与该漏极电连接的像素电极。

在第三方面，一种液晶显示器件包括形成在基板上的栅极、栅线和虚拟图案。第一绝缘膜形成在该栅极和栅线上，该第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上并且该第一绝缘膜由玻璃粉末形成。开关元件形成在该栅极的一部分上并包括源极、漏极和有源层。数据线形成在该基板上与该栅线相交叉。该虚拟图案与该数据线的至少一侧相邻地形成。当在该数据线上发生断开缺陷时，连接线使该断开的数据线的断开部分与该虚拟图案电连接。第二绝缘膜形成在该基板上的该连接线上方。该第二绝缘膜具有暴露部分源极的第一接触孔。像素电极形成在该基板上并通过该第一接触孔与该漏极电连接。

当结合附图时，此处公开的内容的上述和其他实施方式、特征、方面和优点将通过对此处公开的内容的下面详细描述而变得更清楚。

附图说明

被包含进来以提供实施方式的进一步理解且被囊括并构成本发明的一部分的附图描绘了所公开的内容的实施方式并与该说明书一起用于解释这些实施方式的原理。

在图中：

图1是示出通常现有技术LCD器件结构的分解透视图；

图2是示出基于第一实施方式的LCD器件阵列基板的一部分的平面图；

图3A至3H是沿图2中阵列基板的线IIa-IIa′和IIb-IIb′提取的截面图，其依次示出了制造步骤；

图4A至4E依次示出了图2中阵列基板的制造步骤的平面图；

图5A是示出基于第二实施方式的LCD器件的阵列基板的一部分平面图；

图5B是示出沿图5A中的阵列基板的线Va-Va′和Vb-Vb′提取的截面图；

图6是示出基于第三实施方式的LCD器件的阵列基板的一部分平面图；

图7是示出基于第四实施方式的LCD器件的阵列基板的一部分平面图。

具体实施方式

现在将参考附图描述基于本发明实施方式的液晶显示(LCD)器件及其制造。

图2是示出基于第一实施方式的LCD器件的阵列基板的一部分平面图。可以有形成为彼此交叉的N条栅线和M条数据线(未示出)以在阵列基板10上限定M×N个像素。但是，在图2中，为了简洁起见，在图上仅示出了第(m，n)个像素。

如图所示，阵列基板110包括扫描信号从外部驱动电路(未示出)施加到其上的栅线116，图像信号施加到其上的数据线117，形成在该栅线116和该数据线117的交叉点处的薄膜晶体管(“TFT”)T，即开关元件，以及与该TFT相连的像素电极118。

TFT包括与该栅线116相连的栅极121，与该数据线117相连的源极122和与该像素电极118相连的漏极123。TFT还包括用于使该栅极121分别与该源极122和漏极123绝缘的第一绝缘膜115A，以及用于通过将栅电压提供到该栅极121而在该源极122和该漏极123之间形成导电沟道的有源层120′。在这种情况下，具有第一接触孔140A的第二绝缘膜(未示出)形成在该漏极123上，允许该漏极123和该像素电极118通过该第一接触孔140A彼此电连接。

第(m，n+1)个像素电极(118n+1)的一部分朝向相应像素的栅线116，即第n条栅线116延伸，以与形成为栅线116凸出的一部分的第一存储电极116′重叠。该重叠的第一存储电极116′和第(m，n+1)个像素电极(118n+1)的该部分形成具有插入在其间的第一绝缘膜115A的存储电容。

虚拟图案150形成在数据线117的特定左右区域，以便当在该数据线117处产生断开缺陷时修复该数据线117。在这种情况下，通过在形成栅引线，即栅极121和栅线116时使用栅引线导电材料并对该栅引线导电材料构图而形成虚拟图案150。在本实施方式中，虚拟图案150形成在数据线117的左右两侧，但是，在其他实施方式中，虚拟图案150可以仅形成在数据线117的一侧或者具有其他设置。虚拟图案150可以设置在数据线117和像素电极118之间并形成为不透明的栅引线以用作遮光膜，用于防止由于在数据线117和像素电极118之间产生的寄生电容而造成的漏光。

第二存储电极160″形成在第一存储电极116′的上部，并且第二存储电极160″可以通过形成在该第二绝缘膜上的第二接触孔140B与第(m，n+1)个像素电极(118n+1)电连接。在本实施方式中，第一绝缘膜115A为具有小介电常数(k)值的玻璃粉末。该玻璃粉末通过印刷或涂覆然后烧结而形成图案。对由玻璃粉末构成的第一绝缘膜115A构图以仅覆盖栅极121、栅线116和虚拟图案150的上部，但是其他实施方式并不限于此。

当虚拟图案150形成在数据线117的左右两侧并且然后使玻璃粉末在形成栅引线时在其上部形成，该玻璃粉末不仅能够修复数据线117而且用于防止光穿过虚拟图案150泄漏。另外，由于将具有较小介电常数值的玻璃粉末用于形成该第一绝缘膜115A，即栅绝缘膜，因此实质上可以提高该TFT的电特性。

关于该LCD器件的制造步骤，在包含TFT的阵列基板的制造中，可能需要多轮掩模步骤(即，光刻步骤)，因此，在生产率方面需要降低掩模步骤的数量。

图3A至3H是沿图2中阵列基板的线IIa-IIa′和IIb-IIb′提取的截面图，其示出了制造步骤，并且图4A至4E是示出图2中的阵列基板的制造步骤的平面图。

在本实施方式中，执行四轮掩模步骤(也就是四轮光刻步骤)以形成该阵列基板，但是并不局限于此，可以不考虑掩模步骤的数量来应用。

如图3A和4A所示，包含栅极121和存储电极116′的栅线116和虚拟图案150形成在由诸如玻璃的透明绝缘材料构成的基板110上。虚拟图案150可以形成在数据线的左右区域并用于修复该数据线并且避免该数据线和该像素电极之间漏光。

在将该第一导电材料沉积在基板110的整个表面上之后，通过光刻步骤(第一掩模步骤)进行构图来形成栅极121、栅线116、第一存储电极116′和虚拟图案150。作为第一导电材料，可以使用低电阻不透明的导电材料，诸如铝(Al)、Al合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)等。另外，可以将栅极121、栅线116、第一存储电极116′和虚拟图案150形成为多层结构，在该多层结构中堆叠两种和更多类型的低电阻导电材料。此外，基于本实施方式，可以通过构图具有栅极121、栅线116和第一存储电极116′的栅引线导电材料来形成虚拟图案150。因此，不必需要额外的掩模步骤。

如图3B和4B所示，形成第一绝缘膜115A以覆盖栅极121、栅线116、第一存储电极116′和虚拟图案150。如上所述，第一绝缘膜115A可以通过印刷、沉积或烧结玻璃粉末形成。通过印刷方法，混合入溶剂的玻璃粉末通过印刷形成图案，然后通过烧结使溶剂挥发。在烧结方法中，将粉末加压为适当的形式，然后对其加热使其紧密地结合并烧结。由于玻璃粉末具有相对低的介电常数，因此与其他诸如氮化硅膜的无机绝缘膜相比其可以有利地形成得薄。

然后，如图3C所示，由第二导电材料形成的无定形硅薄膜120、n+无定形硅薄膜130和导电膜160可以形成在其上形成有第一绝缘膜115A的基板110的表面上。

如图3D所示，由诸如光致抗蚀剂的光敏材料构成的光敏膜170形成在基板110的整个表面上，并且通过包括狭缝区域的狭缝(或衍射)掩模180使光照射到光敏膜170上。狭缝掩模180包括用于透射所有光的第一透射区域(I)，用于透射一部分光的第二透射区域(II)，以及用于遮挡所有照射光的遮挡区域(III)。仅仅透射穿过掩模180的光可以照射到光敏膜170上。

当在本实施方式中使用狭缝掩模180时，第二透射区域(II)具有狭缝结构，并且穿过该第二透射区域(II)照射的光量小于照射到第一透射区域(I)上的光量，该第一透射区域(I)实质上允许所有光透射穿过。因此，在涂覆光敏膜170后，利用具有局部狭缝区域(II)的掩模180使光敏膜170曝光并显影。在狭缝区域(II)残留的光敏膜的厚度与在第一透射区域(I)和遮挡区域(III)残留的光敏膜的厚度变得不同。

在一个实例中，通过使用正型光致抗蚀剂作为光敏膜170，可以使在狭缝区域(II)残留的光敏膜的厚度小于在遮挡区域(III)残留的光敏膜的厚度。可替换地，通过使用负型光致抗蚀剂作为光敏膜170，可以使在狭缝区域(II)残留的光敏膜的厚度小于在第一透射区域(I)残留的光敏膜的厚度。基于本实施方式，使用正型光致抗蚀剂，而可替换实施方式并不局限于此，并且也可以使用负型光致抗蚀剂。

随后，当使通过狭缝掩模180曝光的光敏膜170显影(第二掩模步骤)时，如图3E所示，各具有特定厚度的光敏图案170A~170D保留在光通过遮挡区域(III)和第二透射区域(II)被挡住或部分挡住的区域。在光穿过第一透射区域(I)完全照射的区域的光敏膜被移除以露出导电膜160的表面。在这种情况下，通过遮挡区域(III)形成的第一至第三光敏膜图案170A至170C比形成在第二透射区域(II)的第四光敏膜图案170D厚。

特别是，在本实施方式中，具有第一厚度的第一光敏膜图案170A保留在图的左部的源极/漏极区域(即，通过将要描述的刻蚀步骤要形成的源极和漏极的区域)的上部，具有第一厚度的第二光敏膜图案170B保留在图的中部的第一存储电极116′的上部特定区域，而具有第一厚度的第三光敏膜图案170C保留在图右部的一对虚拟图案150之间。另外，具有第二厚度的第四光敏膜图案170D保留在源极区域和漏极区域之间。

此后，通过使用光敏膜图案170A~170D可以选择性地移除导电膜160、n+无定形硅薄膜130和无定形硅薄膜120以在栅极121的上部形成由无定形硅薄膜构成的有源层120′。在存储电极116′的上部由导电膜形成第二存储电极160″，并且在虚拟图案150之间的上部由导电膜形成数据线117。

在这种情况下，由n+无定形硅薄膜形成的第一n+无定形硅薄膜图案130′和由导电膜形成的第一导电膜图案160′可以形成在有源层120′的上部。以相同形式形成图案的第二无定形硅薄膜图案120″和第二n+无定形硅薄膜图案130″可以形成在第二存储电极160″的下部。另外，以相同形式或形状形成图案的第三无定形硅薄膜图案120′″和第三n+无定形硅薄膜图案130′″可以形成在数据线117的下部。

在本实施方式中通过灰化步骤可以将第二透射区域(II)的第四光敏膜图案170D完全移除。如图3F和4C所示，使第一光敏膜图案170A、第二光敏膜图案170B和第三光敏膜图案170C尽可能地移除第二透射区域(II)的第四光敏膜图案170D的厚度那么多，由此留下具有第三厚度的第五光敏膜图案170A′、第六光敏膜图案170B′和第七光敏膜图案170C′。当通过将残留的光敏膜图案170A′~170C′用作掩模而对第一导电膜图案160′和第一n+无定形硅薄膜图案130′选择性地移除时，具有第一导电膜图案160′的源极122和漏极123可以形成在有源层120′的上部。

第一n+无定形硅薄膜图案130′也可以以相同的形式形成图案以形成用于允许源极和漏极122和123与有源层120′的特定区域彼此欧姆接触的欧姆接触层125。因此，可以通过一轮掩模步骤形成有源层120′、源极和漏极122和123以及数据线117，于是可以降低掩模的数量。然而，可替换的实施方式并不限于此，并且与用于有源层120′的掩模步骤不同，源极和漏极122和123可以通过独立的掩模步骤形成。也就是说，有源层120′和源极和漏极122和123以及数据线117可以通过两个独立的掩模步骤的实例形成。

在本实施方式中，当在数据线117的一部分上发生断开的线缺陷时，执行修复步骤以通过使用连接线(未示出)通过形成在数据线117左右侧的虚拟图案150而将断开的数据线117重新连接。可以执行修复程序以便通过使用激光使位于断开的数据线117上部和下部的上方的第一绝缘层115A熔化以暴露部分虚拟图案150。该暴露的虚拟图案150于数据线117的断开的上下部分可以通过焊接经由该连接线连接。

然后，如图3G和4D所示，第二绝缘膜115B形成在基板110的整个表面上。然后，通过使用光刻步骤(第三掩模步骤)选择性地对第二绝缘膜115B构图以形成暴露部分漏极123的第一接触孔140A，并同时形成暴露部分第二存储电极160″的第二接触孔140B。

如图3H和4E所示，使第三导电材料沉积在基板110的整个表面上，然后通过使用光刻步骤(第四掩模步骤)对其构图以形成通过第一接触孔140A与漏极123电连接的像素电极118和118n+1。在这种情况下，第(m，n+1)个像素电极118n+1的一部分延伸到相应像素的栅线116以与栅线116相重叠，并且通过第二接触孔1401B与下部第二存储电极160″电连接。

基于本实施方式的像素电极118和118n+1可以形成为与下部虚拟图案150局部重叠。像素电极118和118n+1可以由具有极好透射率的透明导电材料，诸如ITO或IZ0构成。在本实例中，由于通过对栅引线导电材料构图来形成虚拟图案150，因此不必需要额外的掩模步骤。另外，由于将虚拟图案150设置在数据线117的左右侧，因此其可以用作遮挡膜用于避免由于数据线117与像素电极118和118n+1之间产生的寄生电容引起的漏光。

在本实施方式中，通过使用四轮掩模步骤的实例来制造阵列基板，但是并不限于此，可替换的实例可以不考虑掩模步骤的数量来应用。另外，将使用无定形硅薄膜的无定形硅薄膜TFT作为用于有源层的一个实施方式的一个实例，但是并不限于此。基于可替换的实施方式也可以使用具有将多晶硅薄膜用作有源层的多晶硅TFT。

可以应用本发明的实施方式而不考虑LCD器件的模式，诸如扭转向列(TN)模式、共平面开关(IPS)模式和垂直对准(VA)模式。另外，本实施方式可以用于使用TFT制造的不同显示器件，例如OLED与驱动晶体管相连的有机发光二极管(OLED)显示器件。

在第一实施方式中，由玻璃粉末构成的第一绝缘膜115A形成为完全覆盖虚拟图案150，但是本实施方式并不限于此，并且第一绝缘膜115A可以仅覆盖虚拟图案150的一部分。这将在下面的第二实施方式中进行描述。

图5A是示出了基于第二实施方式的LCD器件的阵列基板的一部分平面图，其中示出了第(m，n)个像素的一个实例。图5B是示出沿图5A的阵列基板的线Va-Va′和Vb-Vb′提取的截面视图。

如图5A和5B所示，在第二实施方式中，阵列基板210包括扫描信号从外部驱动电路(未示出)施加到其上的栅线216，图像信号施加到其上的数据信号217，形成在栅线216和数据线217的交叉点处的TFT(或开关元件)。TFT包括与栅线216连接的栅极221，与数据线217连接的源极222和与像素电极218连接的漏极223。另外，TFT包括用于使栅极221与源极和漏极222和223绝缘的第一绝缘膜215A，以及用于通过施加到栅极221的栅电压在源极222和漏极223之间形成导电沟道的有源层220′。具有第一接触孔240A的第二绝缘膜215B设置在漏极223上，使得漏极223和像素电极218可以通过第一接触孔240A电连接。

第(m，n+1)个像素电极(218n+1)的一部分朝向相应像素的栅线，也就是第n条栅线216延伸，以与形成为栅线216凸出的一部分的第一存储电极216′重叠。该重叠的第一存储电极216′和第(m，n+1)个像素电极(218n+1)的该部分形成将第一绝缘膜215A插入在其间的存储电容。虚拟图案250可以形成在数据线217的特定左右区域以便当在数据线217上产生断开缺陷时修复该数据线217。如上所述，虚拟图案250可以形成在数据线的左右侧的特定部分。虚拟图案250可以设置在数据线217和像素电极218之间并且形成为不透明的栅引线，以用作遮挡膜用于避免由于数据线217和像素电极218之间产生的寄生电容引起的漏光。

第二存储电极260″可以形成在第一存储电极216′的上部，并且第二存储电极260″通过形成在第二绝缘膜215B上的第二接触孔240B与第(m，n+1)个像素电极(218n+1)电连接。如上所述，第一绝缘膜215A可以为具有小介电常数(k)值的玻璃粉末。由玻璃粉末形成的第一绝缘膜215A可以构图以便仅覆盖栅极221和栅线216的上部。

另外，可以对第一绝缘膜215A构图以便仅覆盖虚拟图案250的一部分。换句话说，虚拟图案250的局部上下部分并不被第一绝缘膜215A覆盖(参照图5B)。基于本实施方式，即使当数据线217断开时，也不需要焊接第一绝缘膜215A。

在基于第一和第二实施方式的LCD中，例如，第一绝缘膜可以形成在左右虚拟图案之间的数据线区域。然而，可替换实施方式可以包括第一绝缘膜不形成在数据线穿过其间的左右虚拟图案之间的区域的情况，这将参照本发明的第三实施方式进行更详细的描述。

图6是示出基于第三实施方式的LCD器件阵列基板的一部分平面图。如图6所示，在第三实施方式中，阵列基板310包括扫描信号从外部驱动电路(未示出)施加到其上的栅线316，图像信号施加到其上的数据线317，和形成在栅线316和数据线317的交叉点处的TFT，或开关元件。

TFT包括与栅线316连接的栅极321，与数据线317连接的源极322和与像素电极318连接的漏极323。另外，TFT包括用于使栅极321与源极和漏极322和323绝缘的第一绝缘膜315A，以及用于通过施加到栅极321的栅电压在源极322和漏极323之间形成导电沟道的有源层320′。具有第一接触孔340A的第二绝缘膜(未示出)设置在漏极323上，使得漏极323和像素电极318可以通过第一接触孔340A电连接。

第(m，n+1)个像素电极(318n+1)的一部分朝向相应像素的栅线，也就是第n条栅线316延伸，以与形成为栅线316凸出的一部分的第一存储电极316′重叠。该重叠的第一存储电极316′和第(m，n+1)个像素电极(318n+1)的一部分形成将第一绝缘膜315A插入在其间的存储电容。

虚拟图案350形成在数据线317的左右区域以便当在数据线317上产生断开缺陷时修复数据线317。虚拟图案350可以设置在数据线317和像素电极318之间并且形成为不透明的栅引线，以用作遮挡膜用于避免由于数据线317和像素电极318之间产生的寄生电容引起的漏光。

第二存储电极360″可以形成在第一存储电极316′的上部，并且第二存储电极通过形成在第二绝缘膜上的第二接触孔340B与第(m，n+1)个像素电极(318n+1)电连接。

如上所述，第一绝缘膜315A可以为具有小介电常数(k)值的玻璃粉末。由玻璃粉末形成的第一绝缘膜315A被构图以便仅覆盖栅极321和栅线316的上部。另外，对第一绝缘膜315A构图以便仅覆盖左右虚拟图案350的一部分。如在第二实施方式中那样，虚拟图案350的局部上下部分并不被第一绝缘膜315A覆盖。采用这种结构，即使当数据线317断开时，也不需要焊接第一绝缘膜315A。换句话说，由于第一绝缘膜315A并不形成在虚拟图案350的局部上下部分，因此可以容易地执行焊接步骤。另外，对第一绝缘膜315A构图以便仅覆盖左右虚拟图案350，于是第一绝缘膜315A并不形成在数据线317穿过的左右虚拟图案350之间的区域。结果，虚拟图案350和数据线317可以设置在实质上相同的层。

基于第一至第三实施方式，作为一个实例，第一绝缘膜可以形成在虚拟图案的上部。然而，可替换实施方式可以包括第一绝缘膜并不形成在虚拟图案的上部的情况，这将在第四实施方式中进行详细描述。

图7是示出基于第四实施方式的LCD器件阵列基板的一部分平面图。如图7所示，在第四实施方式中，阵列基板410包括扫描信号从外部驱动电路(未示出)施加到其上的栅线416，图像信号施加到其上的数据线417，和形成在栅线416和数据线417的交叉点处的TFT，即开关元件。

TFT包括与栅线416连接的栅极421，与数据线417连接的源极422和与像素电极418连接的漏极423。另外，TFT包括用于使栅极421与源极和漏极422和423绝缘的第一绝缘膜415A，以及用于通过施加到栅极421的栅电压在源极422和漏极423之间形成导电沟道的有源层420′。具有第一接触孔440A的第二绝缘膜(未示出)设置在漏极423上，使得漏极423和像素电极418可以通过第一接触孔440A电连接。

第(m，n+1)个像素电极(418n+1)的一部分朝向相应像素的栅线，也就是第n条栅线416延伸，以与形成为栅线416凸出的一部分的第一存储电极416′重叠。该重叠的第一存储电极416′和第(m，n+1)个像素电极(418n+1)的一部分形成将第一绝缘膜415A插入在其间的存储电容。

虚拟图案450形成在数据线417的特定左右区域以便当在数据线417上产生断开缺陷时修复数据线417。如上所述，虚拟图案450可以形成在数据线左右侧的特定部分。虚拟图案450可以设置在数据线417和像素电极418之间并且形成为不透明的栅引线，以用作遮挡膜用于避免由于数据线417和像素电极418之间产生的寄生电容引起的漏光。

第二存储电极460″可以形成在第一存储电极416′的上部，并且第二存储电极通过形成在第二绝缘膜上的第二接触孔440B与第(m，n+1)个像素电极(418n+1)电连接。

如上所述，第一绝缘膜415A可以为具有小介电常数(k)值的玻璃粉末。对由玻璃粉末形成的第一绝缘膜415A构图以便仅覆盖栅极421和栅线416的上部。

在本实施方式中，第一绝缘膜415A并不形成在虚拟图案450的上部，由此当数据线417断开时，并不需要焊接第一绝缘膜415A，于是可以容易地在数据线417上执行修复步骤。虚拟图案450和数据线417设置在实质上相同的层上。

由于在不脱离其精神或本质特征的情况下本实施例可以具体化为多种形式，因此应当理解，除非特别说明，否则上述实施方式并不局限于前面描述的细节，而是应当如附加的权利要求书中所限定的那样在其精神和范围内进行宽泛的解释，并因此打算使附加的权利要求书包含所有落入该权利要求书的边界和范围，或这些边界和范围的等效物之内的改变和改进。

Claims

1.一种用于制造液晶显示器件的方法，包含：

在基板上提供栅极、栅线和虚拟图案；

在该栅极和该栅线上形成第一绝缘膜，其中该第一绝缘膜由玻璃粉末形成；

在该栅极的一部分处提供开关元件，该开关元件包含源极、漏极和有源层；

在该基板上提供与该栅线相交叉的数据线；

在该基板上形成第二绝缘膜；

将该第二绝缘膜的一部分移除以形成暴露部分漏极的第一接触孔；以及

形成通过该第一接触孔与漏极电连接的像素电极；

其中该虚拟图案与该数据线的至少一侧相邻地形成。

2.如权利要求1的方法，其特征在于，所述数据线的一部分形成在该第一绝缘膜上。

3.如权利要求2的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案上。

4.如权利要求2的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上。

5.如权利要求1的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上。

6.如权利要求1的方法，其特征在于，所述虚拟图案形成在该数据线的左侧和右侧之一，或者同时形成在左右两侧。

7.如权利要求1的方法，其特征在于，所述虚拟图案通过与该栅极和该栅线的制造步骤相同的制造步骤形成。

8.如权利要求1的方法，其特征在于，当在该数据线上发生断开缺陷时，使用激光的修复步骤，通过该虚拟图案使该断开的数据线的上下部分电连接。

9.如权利要求8的方法，其特征在于，所述断开的数据线的上下部分通过焊接与该虚拟图案电连接。

10.如权利要求1的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过印刷和烧结步骤形成。

11.如权利要求1的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过涂覆和烧结步骤形成。

12.一种用于修复液晶显示器件的方法，包含：

在基板上提供栅极、栅线和虚拟图案；

在该栅极和栅线上形成第一绝缘膜，其中该第一绝缘膜由玻璃粉末形成；

在该基板上提供与该栅线相交叉的数据线；

通过与虚拟图案连接而修复该数据线；

在该基板上形成第二绝缘膜；

形成通过该第一接触孔与该漏极电连接的像素电极；

其中该虚拟图案与该数据线的至少一侧相邻地形成。

13.如权利要求12的方法，其特征在于，所述数据线的一部分形成在该第一绝缘膜上。

14.如权利要求13的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案上。

15.如权利要求13的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上。

16.如权利要求12的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上。

17.如权利要求12的方法，其特征在于，所述虚拟图案形成在该数据线的左侧和右侧之一，或者同时形成在左右两侧。

18.如权利要求12的方法，其特征在于，所述虚拟图案通过与该栅极和该栅线的制造步骤相同的制造步骤形成。

19.如权利要求12的方法，其特征在于，所述修复的步骤包括使该虚拟图案与断开的数据线的上下部分电连接。

20.如权利要求19的方法，其特征在于，所述断开的数据线的该上下部分通过使用激光焊接与该虚拟图案电连接。

21.如权利要求12的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过印刷和烧结步骤形成。

22.如权利要求12的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过涂覆和烧结步骤形成。

23.一种液晶显示器件，包含：

形成在基板上的栅极、栅线和虚拟图案；

形成在该栅极和栅线上的第一绝缘膜，其中该第一绝缘膜形成在该虚拟图案的一部分上并且该第一绝缘膜由玻璃粉末形成；

形成在该栅极的一部分上并包含源极、漏极和有源层的开关元件；

形成在该基板上与该栅线相交叉以限定出像素区域的数据线，其中该虚拟图案与该数据线的至少一侧相邻形成；

当在该数据线上发生断开缺陷时，使该断开的数据线的断开部分与该虚拟图案电连接的连接线；

形成在该基板上位于该连接线上方的第二绝缘膜，该第二绝缘膜具有暴露部分漏极的第一接触孔；以及

形成在该基板上并通过该第一接触孔与该漏极电连接的像素电极。

24.如权利要求23的器件，其特征在于，所述数据线的一部分形成在该第一绝缘膜上。

25.如权利要求23的器件，其特征在于，所述虚拟图案设置在该数据线的左侧和右侧之一，或者同时设置在左右两侧。

26.如权利要求23的器件，其特征在于，所述虚拟图案由与该栅极和该栅线相同的导电材料构成。

27.如权利要求23的器件，其特征在于，通过利用激光进行焊接，该连接线使该数据线的该断开部分与该虚拟图案连接。