CN100540326C - 有机发光显示器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。通过形成在LITI装置的彼此分隔的两个组件中的磁性材料产生磁力，可转印层和中间器件表面置于这两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI装置的两个下面的组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；或4)基底支撑件和晒版器件。

Description

有机发光显示器件的制造方法

技术领域

本发明涉及电子器件的生产，更具体地讲，涉及利用激光诱导热成像(LITI)技术在电子器件中形成有机材料层。

背景技术

某些电子器件包括有机层。例如，有机发光器件(OLED)包括各种有机层。已经采用各种方法来形成这些有机层。例如，这些方法包括沉积法、喷墨法和激光诱导热成像(LITI)法。

在LITI法中，膜供体(film donor)器件用来提供可转印层。膜供体器件放置在已经部分制造好的电子器件(中间器件)上，使得可转印层接触中间器件的将被转印上可转印层的表面(接收表面)。然后，对供体器件的选择的区域施加激光束，这使得在所选择的区域中在供体器件中产生热。这种热量导致可转印层的期望的部分剥离。当移走供体器件时，可转印层的剥离的部分留在中间器件的表面上。

在这个工艺中，通常的LITI装置利用抽气来使得可转印层接触中间器件的表面并保持这种状态。图1是LITI装置100的剖视图。LITI装置100包括腔体110、基底支撑件120和激光源或振荡器130。基底支撑件120包括：中间器件容纳凹槽121，用以在其中容纳中间电子器件140；供体器件容纳凹槽123，用以在其中容纳膜供体器件150。

为了以高精确度和较少的缺陷将有机材料部分转印到中间器件，需要可转印层和接收表面之间紧密接触。LITI装置100包括用于形成这样的紧密接触的抽气机械装置。该抽气机械装置包括管161、163和真空泵P。通过管161的抽气使得放置在凹槽121中的中间器件(未示出)向下并且保持这种状态。通过管163的抽气使得放置在凹槽123中的供体器件(未示出)向下且与中间器件接触，并保持这种状态。为了执行这些抽气过程，在腔体内需要空气或其它气体介质。

然而，在LITI工艺之前或之后执行的工艺通常在真空气氛下进行。因此，利用上述抽气的LITI工艺需要破坏前面工艺和后续工艺之间的真空。

在该部分中的讨论在于提供相关技术的背景信息，而不构成对现有技术的陈述。

发明内容

本发明的一方面提供了一种利用激光诱导热成像来制造电子器件的方法，所述方法包括：提供包括中间产品和支撑装置的接收装置，所述中间产品包括接收表面，所述支撑装置被制造成支撑所述中间产品，所述接收装置包括第一磁性层；提供包括第二磁性层和可转印膜层的膜供体装置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的每个包括磁体或磁性可吸引材料，从而当紧密布置时，在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间产生磁致引力；布置所述接收装置和所述膜供体装置，使得所述可转印膜层面对所述接收表面，并且使得所述可转印膜层和所述接收表面位于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间；使所述膜供体装置接近所述接收装置，从而在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间产生足以使所述可转印膜层接触所述接收表面的引力。

所述方法还可包括将所述可转印膜层的至少一部分转印到所述接收表面上。所述方法还可包括将所述膜供体装置与所述接收装置分离，所述可转印膜层的转印到所述接收表面上去的所述至少一部分可保留在所述接收表面上。

所述膜供体装置还可包括底基板和光热转化层，所述光热转化层位于所述可转印膜层和所述底基板之间，所述方法还可包括将光施加到所述光热转化层上，从而在所述光热转化层中产生热并将热传递到所述可转印膜层。在将光施加到所述光热转化层期间，所述引力可使得所述可转印膜层与所述接收表面在其间基本没有气泡地保持接触。所述磁体可包括电磁体，所述方法还可包括：在施加光期间，将电能施加到所述电磁体。

所述电子器件可包括有机发光显示器。所述可转印膜层可包含有机材料，用来形成从由发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层组成的组中选择的有机发光显示器的层。在布置步骤和接近步骤中，所述方法可在基本上真空气氛中执行，而不破坏基本上真空气氛。

所述磁体可包括从由永磁体和电磁体组成的组中选择的至少一种。所述磁体或磁性可吸引材料可包括从由板、片、屑、棒和颗粒组成的组中选择的一种或多种形式。

所述磁性可吸引材料可包括从由Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄以及上述材料中的两种或更多种的合金组成的组中选择的一种或多种材料。所述第一磁性层和所述第二磁性层包含的所述磁体或所述磁性可吸引材料的量可足以产生大约5mG(高斯)至大约50mG(高斯)的磁场。所述中间产品可包括所述第一磁性层。所述支撑装置可包括所述第一磁性层。

所述膜供体装置可包括单个集成器件，所述单个集成器件包括所述可转印膜层和所述第二磁性层。所述膜供体装置可包括单个集成的膜供体器件，所述单个集成的膜供体器件包括底基板和所述可转印膜层，所述膜供体装置还可包括晒版器件，所述晒版器件被制造成将重力提供到所述膜供体器件上，使得所述膜供体器件挤压所述中间产品的所述接收表面。所述晒版器件可包括所述第二磁性层。所述第一磁性层和所述第二磁性层中的一个可包含所述磁体，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的另一个可包含所述磁性可吸引材料。所述磁体或所述磁性可吸引材料可基本上分布在整个所述第一磁性层和所述第二磁性层中。

附图说明

从以下结合附图的描述中，本发明的各方面和优点将变得清楚并更易于理解。

图1示出了激光诱导热成像装置的示意性剖视图。

图2示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像装置的示意性剖视图。

图3示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像装置的示意性分解透视图。

图4A和图4B示出了根据本发明实施例的部分制造好的电子器件的示意性剖视图。

图4C示出了根据本发明一个实施例的部分制造好的电子器件的示意性俯视平面图。

图5A示出了根据本发明一个实施例的基底支撑件的示意性透视图。

图5B示出了沿着线I-I’截取的图5A中的基底支撑件的示意性剖视图。

图6A-图6C示出了根据本发明实施例的供体器件的示意性局部剖视图。

图7示出了根据本发明一个实施例的晒版器件(contanct frame)的示意性透视图。

图8是根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法的流程图。

图9A-9F示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法。

图10A-10D示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法。

图11示出了根据本发明一个实施例的激光振荡器的示意性透视图。

具体实施方式

将参照附图来详细描述本发明的多个实施例。在附图中，相同的标号表示相同或功能相似的部件或元件。

激光诱导热成像装置

在实施例中，LITI装置利用磁力来提供膜供体器件和中间器件之间的紧密接触。与图1中的LITI装置的抽气不同，磁力不需要腔体内部的空气或流体。在实施例中，利用磁力使膜供体器件和中间器件接触既可以在真空条件下进行也可以在非真空条件下进行。

图2示出了根据一个实施例的LITI装置200。示出的LITI装置包括：腔体210、基底支撑件260、晒版器件230、激光源或振荡器220。腔体210提供了用膜供体器件241来加工中间(或部分制造的)电子器件250的空间。基底支撑件260被制造成支撑中间器件250和膜供体器件241。晒版器件230可移动地连接到腔体210，用于在膜供体器件241上方提供向下的重力。在一些实施例中，晒版器件230可以省略。膜供体器件241包括可转印层(未示出)。可转印层将通过激光转印到中间器件上。激光振荡器220位于晒版器件230的上方。激光振荡器220被制造成通过晒版器件230将激光照射到膜供体器件241上。

在一个实施例中，LITI装置200的操作如下。首先，将中间器件250引入腔体210中，并放置在基底支撑件260上。然后，将膜供体器件241放置在中间器件250的上方。膜供体器件241至少部分接触中间器件250。利用磁力将膜供体器件241压向中间器件250。在这个步骤中，可转印层与中间器件紧密地接触。激活激光振荡器220，以将激光照射到膜供体器件241上。然后，可转印层从膜供体器件241转印到中间器件250上。

图3示出了LITI装置200的示意性分解图。用虚线示出的是腔体210。在所示的实施例中，激光振荡器220、晒版器件230和基底支撑件260在垂直方向上彼此对准。在LITI工艺中，将中间器件250放置在基底支撑件260上，将膜供体器件241放置在中间器件250的上方。在另一实施例中，前述的组件可以具有不同的布置，例如相反地制造。在一些实施例中，基底支撑件可以被制造为从顶部固定中间器件。这种基底支撑件可以称作基底固定件。

腔体210提供了用于LITI工艺的反应空间。腔体210可以是任何合适的可以执行LITI工艺的密闭空间。腔体210容纳晒版器件230和基底支撑件260。腔体还包括出入口，用于引入或移去中间器件250和膜供体器件241。在一个实施例中，腔体210可以被制造为提供真空气氛。

在示出的实施例中，激光振荡器220在晒版器件230的上方，位于腔体210的顶部中心部分，但是不限于此。激光振荡器220被制造成将激光束照射到膜供体器件241上。图11示出了激光振荡器220的一个实施例。示出的激光振荡器220可以是CWND:YAG激光器(1604nm)。激光振荡器220具有两个检流扫描仪(galvanometer scanner)221、222。激光振荡器220还具有扫描透镜223和柱面透镜224。本领域技术人员将理解，各种类型的激光振荡器可以用来提供用于膜供体器件的激光。

在示出的实施例中，晒版器件230位于基底支撑件260的上方，但不限于此。晒版器件230通过传动单元231可移动地连接到腔体210的顶部中心部分。晒版器件230具有接触板232，接触板232被制造成在膜供体器件241上方提供重力。接触板232被图案化为暴露下面的膜供体器件241的部分而阻挡其它部分。为了暴露部分膜供体器件241，接触板232包括多个开口233。开口233使得激光束能够指向部分膜供体器件241。这种制造使得能够将可转印层的部分转印到中间器件250上，这将在下面详细描述。在一些实施例中，LITI装置可以没有晒版器件。

在示出的实施例中，基底支撑件260位于反应腔体210的底部，但是不限于此。示出的基底支撑件260具有凹陷263，用于容纳中间器件250。基底支撑件260也支撑膜供体器件241。此外，基底支撑件260容纳下面的基底顶杆265和膜供体器件顶杆266。基底支撑件260具有通孔261和262，基底顶杆265和膜供体器件顶杆266通过通孔261和262在垂直方向上移动。

在LITI工艺中，将中间器件250放置在基底支撑件260上。术语“中间器件”指任何具有利用LITI工艺来形成有机材料的表面的器件。通常，这种器件是部分制造好的电子器件。在一个实施例中，中间器件250是部分制造好的有机发光器件。中间器件250包括将被转印上可转印层的表面。

在LITI工艺中，将膜供体器件241放置在中间器件250的上方。在一个实施例中，膜供体器件241包括底基板、光热转化层、可转印层，这些将在随后进一步描述。示出的膜供体器件241还包括环绕膜供体器件241的膜供体器件座240。膜供体器件座240用作保持膜供体器件241的形状的框架。在LITI工艺中，可转印层被布置成面向中间层的表面。

图3中的LITI装置200用磁力来提供膜供体器件241和中间器件250之间的紧密接触。磁力保持器件241和250紧密接触，基本上在器件241和250之间没有气隙或者气泡。

在一个实施例中，可通过两个或多个彼此分隔的磁性材料来产生磁力。在实施例中，在LITI装置的两个组件中形成磁性材料，这两个组件彼此分隔且可转印层和将被转印上可转印层的表面置于这两个组件之间，也就是说，一个组件位于可转印层的上方，另一个组件位于所述表面的下方。这里，术语“组件”指在LITI工艺中使用的部件和器件，包括中间器件250、膜供体器件241、晒版器件230和基底支撑件260。在实施例中，磁体或磁性材料形成在LITI装置的两个下面的组件中，但是不限于此：1)中间器件250和膜供体器件241；2)中间器件250和晒版器件230；3)基底支撑件260和膜供体器件241；或4)基底支撑件260和晒版器件230。

可选地，磁性材料可以设置在LITI系统的组件的下面的组合中的一个组合中：5)基底支撑件260、中间器件250和晒版器件230；6)基底支撑件260、中间器件250和膜供体器件241；7)基底支撑件260、膜供体器件241和晒版器件230；或8)中间器件250、膜供体器件241和晒版器件230。在另一实施例中，磁性材料可以设置在9)基底支撑件260、中间器件250、膜供体器件241和晒版器件230中。本领域技术人员应该理解，根据LITI装置的设计，磁性材料可以设置在特定的其它组件中。

在成对的组件中的磁性材料被制造成相互吸引，使得膜供体器件241和中间器件250在可转印层和将被转印上该可转印层的表面之间形成紧密接触。术语“磁性材料”，如这里所使用的，表示磁体或磁性可吸引材料。除非另外指出，否则“磁体”通常可指永磁体或电磁体。术语“磁性可吸引材料”，如这里所使用的，指不是磁体但是可以被磁体吸引的材料。在一些实施例中，两个LITI组件中的一个可以包含磁体，而另一个可以包含不是磁体的磁性可吸引材料。在其它实施例中，两个LITI组件都可以包含磁体。在某些实施例中，包含磁体的组件还可以包含磁性可吸引材料。在所有的实施例中，组件包含磁性材料的量可以产生足够的磁力来提供膜供体器件241和中间器件250之间的紧密接触。

与抽气不同，磁力可以在真空气氛中产生。因此，在一些实施例中，LITI工艺可以利用膜供体器件241和中间器件250之间的磁感应接触在真空中进行，而不破坏真空。此外，在其它实施例中，磁力系统也可以与抽气装置一起使用，以改进LITI工艺。将在下面详细描述各组件中的磁体或磁性可吸引材料的位置和制造。

在一个实施例中，在可转印层下面的磁性材料位于中间器件250中。图4A和图4B示出了中间器件400A和400B的实施例的剖视图。示出的中间器件400A和400B是部分制造好的有机发光器件(OLED)。中间器件400A和400B中的每个包括基底401、缓冲层402、薄膜晶体管440、钝化层409、电极420和像素隔墙430。薄膜晶体管440包括绝缘层403和404、半导体层405、源电极406、漏电极407和栅电极408。像素隔墙430形成在钝化层409和电极420的部分的上方，暴露了电极420的顶面的相当大的部分。电极420将用作有机发光二极管的阴极或阳极。可转印层将形成在电极420的暴露的顶表面的上方。

在图4A中，磁性层410a附于基底401的底表面。在图4B示出的另一实施例中，磁性层410b位于基底401和缓冲层402之间。磁性层410a、410b包含磁性材料，将在下面详细描述这些磁性材料。在一个实施例中，磁性层410a或410b的厚度在大约

和大约

之间。

在某些实施例中，根据器件的设计，中间器件可以包含埋在电极420下面的任何组件中的磁性材料，所述任何组件例如基底401、缓冲层402、绝缘层403、404和/或钝化层409。在任何情况下，中间器件包含的磁性材料的量足以使得膜供体器件和中间器件之间紧密接触。

在又一实施例中，中间器件可包含在中间器件的特定区域中的磁性材料带。图4C示出了中间器件400C的一个实施例的俯视平面图。示出的器件是部分制造好的有机发光器件400C。器件400C包括显示区460、数据驱动器430、扫描驱动器440和电源连接器415和420。显示区460包括成矩阵形式的多个像素470。示出的器件400C包含磁性材料带450a和450b。在示出的实施例中，带450a位于显示区460外部的外围区中。此外，带450b形成在显示区460中。示出的带450b基本上相互平行。在其它实施例中，磁性材料带形成在像素区中，而不形成在外围区中。本领域技术人员应该理解，带的各种不同制造可以用于提供磁力。

在一个实施例中，磁性材料可以是包括永磁体或电磁体的磁体。永磁体可以是铝镍钴合金(alnico)磁体、铁氧体磁体、稀土磁体、橡胶磁体或塑料磁体。永磁体可以采用从板、片、屑、棒和颗粒中选择的至少一种形式。在一个实施例中，永磁体可以是纳米级的磁性颗粒、板、片、屑或棒。利用旋涂、电子束沉积或喷墨沉积，这种纳米级的颗粒可以沉积在中间器件的组件的表面上。在其它实施例中，板、片、屑、棒和颗粒可以大于纳米级尺寸。

永磁体可以大致均匀地分布在磁性层410a或410b中。在另一实施例中，磁性层410a或410b可以只在在其上方将被转印有可转印层的区域中具有永磁体部分。在又一实施例中，磁性层可以是由永磁体形成的单板。

在又一实施例中，磁性材料可以是电磁体。电磁体可以具有从螺线管或环状线圈中选择的至少一种形式。螺线管指形成直管形状的线圈。环状线圈指形成圆环形状的线圈。通常，环状线圈是弯曲成端部相连的螺线管。在一些实施例中，螺线管或环状线圈可以包括在线圈内部的顺磁体或铁磁体材料(例如铁)的磁芯。因为电磁体需要电流来磁化，所以电磁体通过导线连接到外部电源。在一个实施例中，中间器件的非显示区可包括电连接成指派给电磁体的一个或多个电极。电极被制造成从外部电源接收电能。此外，电极通过导线与电磁体连接。在实施例中，电极可以形成在结合有电磁体的器件或本体的外表面上，以形成与外部电源的电连接。在其它实施例中，电极可以突出到结合有电磁体的器件或本体的外部。在由中间器件形成的成品电子器件中，电极可以是无源的且被埋入介电材料中。与永磁体类似，根据中间器件的设计，电磁体可以基本均匀或不均匀地分布。

在又一实施例中，磁性材料可以是磁性可吸引材料而不是磁体。磁性可吸引材料的示例包括，但不限于：Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、MnFeO₄、它们的合金以及上述材料中的两种或更多种的混合物。磁性可吸引材料的其它示例还可包含塑料和陶瓷磁性材料。与永磁体类似，磁性可吸引材料可以是从板、片、屑、棒和颗粒中选择的至少一种形式。这些可以是纳米尺寸的颗粒或者更大的颗粒。磁性可吸引材料可以均匀分布在磁性层410中。在另一实施例中，磁性层410可以仅在在其上方将被转印有可转印层的区域中具有磁性可吸引材料。在又一实施例中，磁性层可以是由磁性可吸引材料形成的单板。

在又一实施例中，可转印层下面的磁性材料可以位于基底支撑件中。图5A和图5B示出了包含磁性材料的基底支撑件260的一个实施例。示出的基底支撑件260包括在用于容纳中间器件的凹陷的下方的区域263(用虚线表示)中的电磁体264。示出的电磁体264在垂直方向上对齐。然而，根据基底支撑件的设计，电磁体可以布置成各种不同的制造。电磁体还可以具有如上对于中间器件所述的各种形状和制造。在某些实施例中，磁性材料可以是如上对于中间器件所述的永磁体或磁性可吸引材料。

在一个实施例中，可转印层上方的磁性材料可以位于膜供体器件中。图6A至图6C是根据实施例的膜供体器件600A～600C的局部剖视图。膜供体器件600A～600C中的每个包括：底基板601；光热转化层602，在底基板601上面；中间层603，在光热转化层602上面；可转印层604，在中间层603上面。可选地，膜供体器件可以包括缓冲层(未示出)，缓冲层在中间层603和可转印层604之间。

底基板601用于提供具有膜结构的膜供体器件。底基板601可以由透明聚合物制成。透明聚合物的示例包括，但是不限于：聚乙烯、聚酯、teleptalrate、聚丙烯酰化合物(polyacryl)、聚环氧树脂和聚苯乙烯。底基板601的厚度在大约10μm和大约500μm之间，可选地在大约100μm和大约400μm之间。

将光热转化层602制造成吸收激光并且将激光转换为热。转化层602包含吸光材料。吸光材料可以具有大于0.1至大约0.4的光密度。吸光材料可包括金属、金属氧化物和/或有机材料。金属/金属氧化物的示例包括，但是不限于：铝、银、铬、钨、锡、镍、钛、钴、锌、金、铜、钼、铅和前述金属的氧化物。有机材料可包括光合材料。有机材料的示例包括由(甲基)丙烯酸酯单体或者低聚物制成的聚合物，例如，由丙烯醛基(甲基)丙烯酸酯低聚物(acryl(metha)acrylate oligomer)、酯(甲基)丙烯酸酯低聚物(ester(metha)acrylate oligomer)、环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物(epoxy(metha)acrylateoligomer)、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯低聚物(urethane(metha)acrylateoligomer)等制成的聚合物，或者由两种或者两种以上上述物质的混合物制成的聚合物。另外，转化层602还可包含其它添加剂比如碳黑、石墨或者红外染料。

光热转化层602的厚度可根据吸光材料和制造方法而改变。例如，当采用真空沉积法、激光束沉积法或者溅射法时，转化层可具有大约

至大约

的厚度。在另一实施例中，当采用挤压涂覆法、照相凹板式涂敷法、旋涂法和刮涂法时，转化层可具有大约0.1μm至大约2μm的厚度。

中间层603起到保护光热转化层602的作用。在一个实施例中，中间层603具有高的耐热性。中间层603可由有机材料或者无机材料例如聚酰亚胺制成。中间层603的厚度在大约1μm和大约1.5μm之间。在某些实施例中，可省略中间器件。

可转印层604是将被转印到中间器件上的层。可转印层604可由有机材料形成。在电子器件为有机发光器件的一个实施例中，所述材料可为有机发光材料。然而，所述材料也可为用于形成有机发光器件的其它有机元件的其它有机材料。这样的其它元件包括但是不限于：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)。在其它电子器件中，适于形成目标组件的任何材料都可用作可转印层的材料。可转印层604的厚度在大约

和大约

之间。可采用任何合适的方法，例如挤压涂覆法、照相凹板式涂敷法、旋涂法、刮涂法、真空沉积或者化学气相沉积(CVD)来形成可转印层604。

缓冲层(未示出)用来改进可转印层604的转印特性。缓冲层可包含金属氧化物、金属硫化物、非金属无机化合物和有机材料中的一种或者多种。无机化合物的示例包括Al和Au。有机材料的示例包括聚酰亚胺。

参照图6A，光热转化层602包含磁性材料。例如，光热转化层602可包含永磁体和/或电磁体。在其它实施例中，转化层602可包含磁性可吸引材料。磁性材料可具有如上对于中间器件所述的各种结构。在其它实施例中，磁性材料可被埋入底基板601或者中间层603中。在某些实施例中，磁性材料可被埋入底基板601、光热转化层602和中间层603中的至少两个中。在其它实施例中，磁性材料可仅被埋入层601至603中的一个或多个中的特定部分中，而不是埋入整个层中。例如，层601至603中的一个或多个可仅在可转印层将被转印到中间器件的部分下面包含磁性材料。

参照图6B和图6C，膜供体器件600B和600C包括磁性层605。磁性层605包含磁性材料例如永磁体、电磁体和/或磁性可吸引材料。磁性材料可具有如上对于中间器件所述的各种结构。

在图6B中，膜供体器件600B包括位于底基板601和光热转化层602之间的磁性层605。在图6C中，膜供体器件600C包括位于光热转化层602和中间层603之间的磁性层605。在另一实施例中，膜供体器件可包括位于中间层603和可转印层604之间的磁性层。在又一实施例中，膜供体器件可包括在底基板601的背离光热转化层602的底表面上的磁性层。在某些实施例中，膜供体器件可具有位于层601至604中的两个连续层之间的两个或多个磁性层。在这种实施例中，磁性材料还可埋入底基板601、光热转化层602和中间层603中的至少一个中。本领域技术人员应该理解，磁性层的制造和组合可根据膜供体器件的设计而改变。

在另一实施例中，可转印层上方的磁性材料可位于晒版器件中。图7示出了晒版器件230的一个实施例。示出的晒版器件230包含埋入晒版器件中的磁性材料。磁性材料可为如上对于中间器件所述的永磁体或者电磁体。在其它实施例中，如上所述，磁性材料可为磁性可吸引材料。

在某些实施例中，晒版器件230可包括单独的的磁性层。磁性层包含如上对于中间器件所述的磁性材料。磁性层可附于晒版器件230的顶面和底面中的至少一个上。在另一实施例中，磁性层可被埋入晒版器件230中。在这些实施例中，所述磁性层被图案化，以具有与晒版器件的开口对应的开口。晒版器件和磁性层的开口使得激光束能够被引导至膜供体器件241的部分上。这种制造将可转印膜选择性地转印到中间器件250上。在另一实施例中，晒版器件本身可由磁性材料形成。在所有的前述实施例中，晒版器件包含的磁性材料的量足以提供用来将膜供体器件压向中间器件的磁力。在所有的前述实施例中，所包含的磁性可吸引材料的量可足以产生大约5mG(高斯)至大约50mG(高斯)的磁场。

激光诱导热成像工艺

根据实施例的激光诱导热成像(LITI)工艺采用磁力来提供膜供体器件和中间器件之间的紧密接触。图8是示出LITI工艺的一个实施例的流程图。

首先，在步骤810中，将中间器件250放置在基底支撑件260上。在该步骤中，中间器件250可通过任何适合的移动装置(例如机器人装置)移动。接着，在步骤820中，将膜供体器件241放置在中间器件250上方。首先，膜供体器件241以其可转印层朝下的方式与中间器件250在垂直方向上对齐。接着，膜供体器件241向下移动到中间器件250上。可转印层的至少一部分接触中间器件250。与步骤810相似，可通过移动装置来移动膜供体器件241。

在步骤830中，提供磁力以将膜供体器件241压向中间器件250。可通过如上所述的位于LITI组件中的两个组件中的磁性材料来产生磁力，在这两个组件中，一个位于可转印层上方，另一个位于可转印层将要转印到其上的表面的下面。在一些实施例中，两个LITI组件中的一个可包含磁体，而另一个可包含不是磁体的磁性可吸引材料。在其它实施例中，两个LITI组件均可包含磁体。磁体可包括永磁体和/或电磁体。在磁体包括电磁体的一个实施例中，可根据LITI工艺的需要选择时间来产生磁力。在某些实施例中，包含磁体的组件也可包含磁性可吸引材料。

在该步骤中，磁力使得膜供体器件241推向中间器件250，这使得可转印层更紧密地接触将被转印可转印层的表面。在该工艺中，可去除膜供体器件241和中间器件250之间所有的或者至少一些气隙或者气泡。该步骤便于将可转印层转印到中间器件250上。

在步骤840中，激光照射到膜供体器件241上。激光提供将可转印层转印到中间器件250上所需的热能。在该步骤中，激光振荡器220被激活，以将激光照射到膜供体器件241的顶面上。在采用具有开口的晒版器件230的一个实施例中，激光穿过开口，到达膜供体器件241的顶面。在这个工艺中，激光被导向膜供体器件241的选择区域。激光穿过底基板到达膜供体器件241的光热转化层。光热转化层将光能转化为热能，产生热。所述热被传递到可转印层的选择部分。采用这种工艺，从膜供体器件241释放了部分可转印层，并且这部分可转印层被转印到中间器件250。在不采用晒版器件的另一实施例中，激光选择性地照射在膜供体器件241的顶面的特定部分上。

随后，在步骤850中，从中间器件250上方去除膜供体器件241，将部分可转印层留在中间器件250的顶面上。可利用与在步骤820中使用的移动装置相同的装置来移走膜供体器件241。

参照图9A至图9F，中间器件250被引入到转移腔体900中。将中间器件250放置在转移腔体900中的机器臂920的末端执行器910上。随后，如图9B中所示，中间器件250被传输到LITI腔体210中。接着，如图9C中所示，将中间器件250放置在基底支撑件260上。

接着，如图9C中所示，将膜供体器件241放置在末端执行器910上。随后，如图9D中所示，将膜供体器件241引入LITI腔体210中。膜供体器件241与中间器件250在垂直方向上对齐。接着，如图9E中所示，将膜供体器件241向下移动到中间器件250上。然后从LITI腔体210收回末端执行器910。随后，关闭闸阀930，以提供密闭的反应室。在一个实施例中，在这些步骤中，在整个转移腔体和LITI腔体中，可保持真空气氛。

可选地，晒版器件可设置在膜供体器件上方。在图9F中，晒版器件230向下移动到膜供体器件241上方。晒版器件230在膜供体器件241上方提供重力。晒版器件230可有助于膜供体器件241和中间器件250之间的紧密接触。在其它实施例中，可省略晒版器件。

接着，提供磁力，以使中间器件和膜供体器件之间紧密接触。可通过位于LITI装置组件中的两个组件中的磁性材料来产生磁力，在两个组件中，如上所述，一个位于可转印层下面，另一个位于可转印层上方。本领域技术人员应该理解，可根据LITI装置的设计来在一些其它组件中设置磁性材料。在所有的前述实施例中，在中间器件和膜供体器件之间施加足够强度的磁力，以使在中间器件和膜供体器件之间的接触没有气隙或气泡。磁性材料的位置和制造的细节如上对于LITI装置所述。

图10A至图10D是示出可转印层是如何转印到中间器件上的剖视图。示出的中间器件是部分制造好的有机发光器件400。在示出的实施例中，磁性材料位于中间器件和膜供体器件中。在其它实施例中，如上所述，磁性材料可设置在LITI装置的其它组件中。

参照图10A，中间器件400包括薄膜晶体管(TFT)结构411、磁性层410、电极420和像素分隔层430。电极420的一部分412通过像素分隔层430暴露。有机层将形成在暴露部分412上，从后面的描述中将更好地理解。

接着，如图10B中所示，将膜供体器件600放置在中间器件400上方。膜供体器件600包括如相对于图6B所述的底基板601、磁性层605、光热转化层602、中间层603和可转印层604。可转印层604至少部分地接触像素分隔层430的顶面，如图10B中所示。在这个步骤中，在膜供体器件600和中间器件400之间施加磁力。

接着，激光照射到膜供体器件600的选择部分上。选择部分位于电极420的暴露部分412上方。激光穿过底基板和磁性层605，到达光热转化层602。光热转化层602将光能转化为热能，产生热。所述热通过中间层603被传递到可转印层604。

接着，基于接收的热，可转印层604的一部分从膜供体器件600剥离，并开始接触电极420的暴露部分412，如图10C中所示。在示出的实施例中，转化层602、中间层603和可转印层604的一部分与磁性层605分开。在其它实施例中，可以仅仅可转印层604与膜供体器件600分开。

随后，如图10D中所示，从中间器件400上方去除膜供体器件600。这个步骤之后，仅可转印层的一部分604a留在中间器件400上。

在上述实施例中，利用磁力来提供膜供体器件和中间器件之间的紧密接触。与抽气不同，这种结构不需要LITI腔体中的气压。因此，可以在真空气氛中执行LITI工艺。由于LITI工艺之前进行或随后进行的工艺通常也在真空气氛中进行，所以可以在整个工艺中不破坏真空地执行LITI工艺。可以从沉积空穴注入层(HIL)的工艺到沉积第二电极层(阴极层)的工艺中保持真空氛围。另外，LITI工艺减少了供体膜和中间器件之间的杂质或间隙的出现。这提高了所得电子器件的寿命、成品率和可靠性。

尽管已经示出和描述了本发明的各种实施例，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对这些实施例作改变，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (19)

1、一种利用激光诱导热成像来制造电子器件的方法，所述方法包括：

提供包括中间产品和支撑装置的接收装置，所述中间产品包括接收表面，所述支撑装置被制造成支撑所述中间产品，所述接收装置包括第一磁性层；

提供包括第二磁性层和可转印膜层的膜供体装置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的每个包括磁体或磁性可吸引材料，从而当紧密布置时，在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间产生磁致引力；

布置所述接收装置和所述膜供体装置，使得所述可转印膜层面对所述接收表面，并且使得所述可转印膜层和所述接收表面位于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间；

使所述膜供体装置接近所述接收装置，从而在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间产生足以使所述可转印膜层接触所述接收表面的引力，

其中，在布置步骤和接近步骤中，所述方法在基本上真空气氛中执行，而不破坏基本上真空气氛。

2、如权利要求1所述的方法，还包括将所述可转印膜层的至少一部分转印到所述接收表面上。

3、如权利要求2所述的方法，还包括将所述膜供体装置与所述接收装置分离，其中，所述可转印膜层的转印到所述接收表面上去的所述至少一部分保留在所述接收表面上。

4、如权利要求1所述的方法，其中，所述膜供体装置还包括底基板和光热转化层，所述光热转化层位于所述可转印膜层和所述底基板之间，其中，所述方法还包括将光施加到所述光热转化层上，从而在所述光热转化层中产生热并将热传递到所述可转印膜层。

5、如权利要求4所述的方法，其中，在将光施加到所述光热转化层期间，所述引力使得所述可转印膜层与所述接收表面在其间基本没有气泡地保持接触。

6、如权利要求4所述的方法，其中，所述磁体包括电磁体，其中，所述方法还包括：在施加光期间，将电能施加到所述电磁体。

7、如权利要求1所述的方法，其中，所述电子器件包括有机发光显示器。

8、如权利要求7所述的方法，其中，所述可转印膜层包含用来形成有机发光显示器的层的有机材料，有机发光显示器的层是从由发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层组成的组中选择的。

9、如权利要求1所述的方法，其中，所述磁体包括从由永磁体和电磁体组成的组中选择的至少一种。

10、如权利要求1所述的方法，其中，所述磁体或磁性可吸引材料包括从由板、片、屑、棒和颗粒组成的组中选择的一种或多种形式。

11、如权利要求1所述的方法，其中，所述磁性可吸引材料包括从由Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄以及上述材料中的两种或更多种的合金组成的组中选择的一种或多种材料。

12、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层包含的所述磁体或所述磁性可吸引材料的量足以产生5mG至50mG的磁场。

13、如权利要求1所述的方法，其中，所述中间产品包括所述第一磁性层。

14、如权利要求1所述的方法，其中，所述支撑装置包括所述第一磁性层。

15、如权利要求1所述的方法，其中，所述膜供体装置包括单个集成器件，所述单个集成器件包括所述可转印膜层和所述第二磁性层。

16、如权利要求1所述的方法，其中，所述膜供体装置包括单个集成的膜供体器件，所述单个集成的膜供体器件包括底基板和所述可转印膜层，其中，所述膜供体装置还包括晒版器件，所述晒版器件被制造成将重力提供到所述膜供体器件上，使得所述膜供体器件挤压所述中间产品的所述接收表面。

17、如权利要求16所述的方法，其中，所述晒版器件包括所述第二磁性层。

18、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的一个包含所述磁体，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的另一个包含所述磁性可吸引材料。

19、如权利要求1所述的方法，其中，所述磁体或所述磁性可吸引材料分布在整个所述第一磁性层和所述第二磁性层中。

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