CN100524547C - 电流感应晶片电阻器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电流感应晶片电阻器的制造方法，属于机电类。它包含有前制程及后制程两步骤，其中，前制程步骤包含有氮化铝(AlN)基板进行电阻遮罩层涂布、电阻层真空镀膜、去除电阻遮罩层、电阻保护层涂布、导电层电镀及激光晶粒分离切割；后制程步骤包含有激光电阻值切割调整、电阻保护层印刷、字码印刷、电阻保护层烤干硬化、第一次断线、侧面导体真空镀膜、第二次断线、电镀镍层、电镀锡层以及电阻器成品包装。其优点在于：使用氮化铝(AlN)基板、薄膜制程以及单面制程的覆晶(Flip Chip)结构，可达到功率高、精密度高、热传导系数高，及节省印刷电路板的使用空间，实用性强。
Description
技术领域
本发明涉及机电类，特别涉及一种电流感应晶片电阻器的制造方法。
背景技术
众所周知，一般常用的电阻器制造流程A，其包含有氧化铝(Al2O3)基板Al进行背面导体印刷A2、正面电阻印刷A3、正面导体印刷A4、高温焙烧A5、玻璃保护层印刷A6及玻璃保护层焙烧A7，然而因该前制程Al使用氧化铝(Al2O3)基板Al，电阻器制造流程A仅使用厚膜制程，造成功率低(1W)、精密度低(1％)、传导系数低(15～20mW)、温度系数高及杂讯高，且因其电阻器制造流程A无使用单面制程的覆晶(Flip Chip)结构技术，藉此，便增加印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)使用空间的问题，需要加以改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电流感应晶片电阻器的制造方法，解决了常用电阻器制造流程存的功率低、精密度低及传导系数低等问题。
本发明的技术方案是：电阻器制造流程包含有前制程及后制程两步骤，其中，前制程步骤是先将氮化铝(AlN)基板进行电阻遮罩层涂布，在电阻遮罩层涂布后，将其进行电阻层真空镀膜，再将氮化铝(AlN)基板去除电阻遮罩层，且在去除电阻遮罩层后，再将其进行电阻保护层涂布，并在涂布后，将在氮化铝(AlN)基板进行导电层电镀，再进行激光晶粒分离切割，在激光晶粒分离切割后进入后制程的步骤；
后制程步骤是将氮化铝(AlN)基板进行激光电阻值切割调整以调整电阻值的准确性，再进行电阻保护层印刷，在电阻保护层印刷后，将氮化铝(AlN)基板进行字码印刷，字码印刷完成后，将进入电阻保护层烤干硬化，再进行氮化铝(AlN)基板的第一次断线，再在氮化铝(AlN)基板的侧面进行侧面导体真空镀膜，且在侧面导体真空镀膜后，再将其进行第二次断线，在第二次断线后，将其氮化铝(AlN)基板的表面先行进行电镀镍层，再进行电镀锡层，在电镀锡层后，为电阻器的成品，再将其成品进行电阻器成品包装。其中，该电阻器制造流程使用薄膜制程，且其在薄膜制程时，使用氮化铝(AlN)基板，并且藉由单面制程的覆晶(FIip Chip)结构技术，使电阻器达到高功率、高精密度、高热传导系数及节省印刷电路板(PCB，Printed CircuitBoard)的使用空间；其中，氮化铝(AlN)基板的高功率最佳值可达>2W的效能；薄膜制程的技术可达到高精密度，其最佳数值为≦0.5％的效能；该薄膜制程的传导系数最佳可达到数值为150～230mW的效能；覆晶(FIip Chip)结构的技术可达到电阻器焊接在印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)上时，节省印刷电路板(PCB，PrintedCircuit Board)30％的使用空间。
本发明的优点在于：使用氮化铝(AlN)基板、薄膜制程以及单面制程的覆晶(Flip Chip)结构，可达到功率高、精密度高、热传导系数高，及节省印刷电路板的使用空间，实用性强。
附图说明：
图1为常用电阻器制程流程的方块图；
图2、图3为本发明的方块图；
图4至图11为本发明的实施例示意图。
具体实施方式：
如附图2及附图3所示，本发明电阻器制造流程B包含有前制程C及后制程D，其中，前制程C是先将氮化铝(AlN)基板C1进行电阻遮罩层涂布C2，在电阻遮罩层涂布C2后，将其进行电阻层真空镀膜C3，再将氮化铝(AlN)基板C1去除电阻遮罩层C4，且在除电阻遮罩层C4后，再将其进行电阻保护层涂布C5，并在涂布后，将在氮化铝(AlN)基板C1进行导电层电镀C6，再进行激光晶粒分离切割C7，在激光晶粒分离切割C7后进入后制程D的步骤；
后制程D将氮化铝(AlN)基板C1进行激光电阻值切割调整D1以调整电阻值的准确性，再进行电阻保护层印刷D2，在电阻保护层印刷D2后，将氮化铝(AlN)基板C1进行字码印刷D3，字码印刷D3完成后，将进入电阻保护层烤干硬化D4，再进行氮化铝(AlN)基板C1的第一次断线D5，再在氮化铝(AlN)基板C1的侧面进行侧面导体真空镀膜D6，且在侧面导体真空镀膜D6后，再将其进行第二次断线D7，在第二次断线D7后，将其氮化铝(AlN)基板C1的表面先行进行电镀镍层D8，再进行电镀锡层D9，在电镀锡层D9后，为电阻器的成品，再将其成品进行电阻器成品包装D10。
如附图3至附图5电阻器制造流程B分为前制程C及后制程D，在制造电阻器所需的基板材质为氮化铝(AlN)基板E，电阻器制造流程B使用薄膜制程，结合单面制程的覆晶(Flip Chip)结构技术，藉此，先将氮化铝(AlN)基板E进行电阻遮罩层涂布C2，该电阻遮罩层涂布C2将氮化铝(AlN)基板E上的基底E2涂布有数条遮罩层E1，该基底E2的遮罩层E1因在不予使其导通的部位，再将氮化铝(AlN)基板E进行电阻层真空镀膜C3，该电阻层真空镀膜C3使氮化铝(AlN)基板E的基底E2真空镀膜一层镀膜后，氮化铝(AlN)基板E本身的基底E2设有电阻层E3，再将进行去除电阻遮罩层C4的步骤，遮罩层E1除去后便为氮化铝(AlN)基板E的基底E2。
如附图3、附图6及附图7所示，氮化铝(AlN)基板E在去除电阻遮罩层C4后，接续电阻保护层涂布C5的步骤，将氮化铝(AlN)基板E涂布数条保护层E4，并使保护层E4与电阻层E3在氮化铝(AlN)基板E上呈现网状的样式，在电阻保护层涂布C5后，进行导电层电镀C6，导电层电镀C6将导电层E5电镀于氮化铝(AlN)基板E未有印制保护层E4的位置。
如附图3、附图8及附图9所示，氮化铝(AlN)基板E在导电层电镀C6后，接续激光晶粒分离切割C7的步骤，该激光晶粒分离切割C7使用激光在氮化铝(AlN)基板E上切割，使氮化铝(AlN)基板E有网状样式的切割线E6，藉此，以进入后制程D，在完成激光晶粒分离切割C7时，并接续激光电阻值切割调整D1的动作，藉由激光电阻值切割调整D1可将电阻值调整至精确的数值，在激光电阻值切割调整D1后，进行电阻保护层印刷D2的动作，在电阻保护层印刷D2后，接续字码印刷D3，该字码印刷D3将字码E7印制在氮化铝(AlN)基板E的保护层E4上，藉此，可让使用者了解此电阻器的电阻值，在字码印刷D3后，进行电阻保护层烤干硬化D4的步骤，该电阻保护层烤干硬化D4是将氮化铝(AlN)基板E的保护层E4在220±10℃烤干。
如附图3、及附图10及附图11所示，在电阻保护层烤干硬化D4后，将氮化铝(AlN)基板E进行第一次断线D5，该第一次断线D5将氮化铝(AlN)基板E延伸其一方向的切割线E6并予以分离，使其成为半成品E8，且在第一次断线D5后，进行侧面导体真空镀膜D6的步骤，侧面导体真空镀膜D6将导电层E5真空镀膜在半成品E8的侧面，藉由侧面导体真空镀膜D6便可方便使用者易于焊接印刷电路板(PCB，Printde Circuit Board)并导通所用，其侧面导体真空镀膜D6后，便进行第二次断线D7，在进行第二次断线D7后，使半成品E8延续另一方向的切割线E6将其分离，使其成为电阻器E10，在进行第二次断线D7后，接续电镀镍层D8及电镀锡层D9的动作，在电镀镍层D8及电镀锡层D9时，将镍及锡电镀在电阻器E10的表面E9上，藉此，便完成电阻器E10的制造，且可进行电阻器成品包装置D10的动作。
如附图3及附图11所示，当制造电阻器E10时，使用薄膜制程，且在薄膜制程中使用氮化铝(AlN)基板C1以及单面制程的覆晶(FlipChip)结构技术，其中薄膜制程为真空镀膜的方式，其覆晶结构的技术为电阻器使用单面制程的方法，使其达到可产生高功率(>2W)、高精密度(≦0.5％)、高热传导系数(150～230mW)及节省印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)使用空间(30％)的效能。
Claims (1)
1、一种电流感应晶片电阻器的制造方法，其特征在于：电阻器制造流程包含有前制程及后制程两步骤，其中，前制程步骤是先将氮化铝基板进行电阻遮罩层涂布，在电阻遮罩层涂布后，将其进行电阻层真空镀膜，再将氮化铝基板去除电阻遮罩层，且在去除电阻遮罩层后，再将其进行电阻保护层涂布，并在涂布后，将在氮化铝基板进行导电层电镀，再进行激光晶粒分离切割，在激光晶粒分离切割后进入后制程的步骤：
后制程步骤是将氮化铝基板进行激光电阻值切割调整以调整电阻值的准确性，再进行电阻保护层印刷，在电阻保护层印刷后，将氮化铝基板进行字码印刷，字码印刷完成后，将进行电阻保护层烤干硬化，再进行氮化铝基板的第一次断线，再在氮化铝基板的侧面进行侧面导体真空镀膜，且在侧面导体真空镀膜后，再将其进行第二次断线，在第二次断线后，将其氮化铝基板的表面先行进行电镀镍层，再进行电镀锡层，在电镀锡层后，为电阻器的成品，再将其成品进行电阻器成品包装。
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