CN100521266C - Led灯系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种LED灯系统，其包括：至少一个用于发射光的LED元件(4)；腔室(1)，其具有内部侧壁面(2)，所述内部侧壁面被设计为至少部分地是高度反射的；用于所发射光的光入射面(3)；和用于辐射到腔室(1)中并且由内部侧壁面(2)反射的光的出射开口(6)；和准直器(7)，其配置在腔室(1)的出射开口(6)处，并且其具有面对所述出射开口的外耦合开口(9)。

Description

LED灯系统
技术领域
本发明涉及一种LED灯系统，其包括至少一个用于发射光的LED，并且涉及一种LED灯阵列，其具有多个该LED灯系统。
背景技术
近年来，关于设计和制造无机固体LED的技术被迅速地改进，达到可以制造效率高于40lm/Watt的无机白光发射LED的发展阶段。该效率明显超过传统的白炽灯的效率(16lm/Watt)，并且超过大部分卤素灯的效率(30～35lm/Watt)。同时，单个LED元件的效率增长到大大高于100lm/Watt的水平。
现在和将来将影响LED用于照明目的的广泛可用性的问题是，每个LED元件的仍然相对有限的光量。对于该LED灯系统，仅当能够组合多个LED元件的光量时，才可实现性能的增加。尽管这在原理上是可行的，但是例如，在由于发射光须聚焦在小尺寸的反射器中所以需要具有特别高的亮度的光源的情况下，仍存在问题。
为了使用LED生成白光，利用所谓的磷光体涂覆LED(PC-LED)。该磷光体涂覆LED是在其辐射表面上具有所谓的磷光体涂层的LED。磷光体不应被专门理解为化学元素，而是应更一般地理解为荧光材料，其在特定波长的辐射的作用下，发射具有另一波长的光。存在在受到蓝光的照射时辐射黄光的荧光材料。与发射光的颜色一致，它们被称为黄色磷光体。通过使用该LED，通过将黄色磷光体层施加到辐射蓝光的LED，获得了白光。所述磷光体层的尺寸被确定为，来自LED的一部分蓝光不受阻碍地通过该磷光体层，而另一部分磷光体层被转换为黄光。蓝光和黄光的同时辐射被用户感觉为白光。可替换地，存在辐射UV光并且涂覆有白色磷光体层的LED元件。通过适当地选择磷光体层的类型和厚度，可以制造辐射其他颜色光的PC LED。
由US 6 547 400 B1了解了一种光源设备，其包括中空体块形式的光导块，其具有反射内壁和点光源(诸如LED元件)的矩阵状配置。点光源辐射的光束的主要部分被引入到光导块中并且在其中准直。然而，点光源辐射的光束的相当大的部分未由光导块收集。这相当大地减少了设备的光输出。
US 6,402,347描述了一种设备，其中独立的LED元件配置在公共板上，并且每个元件配备有准直附件。连接到各个LED元件的菲涅耳透镜允许将来自每个LED的辐射光束引入到公共次级光学系统中。该系统的缺点是在不同的光学界面处的反射引起的高的损耗，约等于60％。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种设备，借助于该设备可以提高每个LED的光输出。
该目的是通过一种所提出的LED灯系统实现的，其具有至少一个用于发射光的LED元件、腔室和准直器。在下文中假设LED是无机固体块体，这是因为目前能够获得具有足够的强度的这种LED。当然，它们也可以是其他的电致发光元件，例如激光二极管，或者其他的光发射半导体元件或有机LED，只要它们具有足够高的性能值。因此，在本文中术语“LED”或“LED元件”应被理解为各种相应的电致发光元件的同义词。除了可见光以外，该光还可以是IR或UV光。
根据本发明的LED灯系统的腔室包括：内部侧壁面，其被设计为至少部分地是高度反射的；光入射面，用于LED元件发射的光进入到腔室中；和用于辐射到腔室中并且可能由内部侧壁面反射的光的出射开口。准直器被配置在腔室的出射开口处，并且具有面对所述出射开口的外耦合(outcoupling)开口。LED元件辐射的光以漫射的形式在入射开口处辐射到腔室中。因此本发明遵循这样的原理，即尽可能完全地捕获LED元件辐射的光，并且以准直的形式将其引入到准直器中，以便于通过使用准直器将辐射以正确定向的方式耦合到次级光学系统中。因此腔室用于捕获漫射辐射的光，并且基本上无损耗地在出射开口处将其发射。因此腔室的出射开口通常将被安置为面对光入射面，由此大部分发射光可以无反射地直接辐射出腔室。
腔室的光入射面可由光发射表面形成，其可以是LED元件的出射面或者是由来自LED的光发射激励的荧光材料层。根据本发明的有利的实施例，腔室的光入射面由LED元件的辐射表面形成。因此LED元件发射的光无损耗地直接耦合到腔室中。显然，腔室的光入射面还可以由并排放置的多个LED元件的辐射表面形成。
然而，可替换地，同样有利的是，腔室的光入射面与LED辐射表面空间分隔开。这在必须提供荧光材料用于生成某一光颜色时是特别有利的。这样，荧光材料可以形成光入射面，其由至少一个LED元件自背离腔室的其后侧照射。
LED元件的光感依赖于施加的荧光材料的层厚度和均匀性。荧光材料的所需的层厚度越均匀，LED元件发射的光的效果就越均匀。本发明的另一有利的实施例提出了，在腔室的光入射面和LED辐射表面之间的空间中安置载体，该载体包括在其上和/或其中提供的荧光材料，和/或波长滤光器，特别是二色性滤光器。在载体上提供荧光材料使得LED的制造独立于荧光材料的施加，或者使LED元件的制造工艺与荧光材料的涂覆没有关联。在分立的载体上可以更加均匀地施加荧光材料并且层厚度更加准确。这对于LED元件的光感是有利的。此外，具有荧光材料的载体可以设置在腔室中任何所需的位置。这可以是LED辐射表面和腔室的辐射开口之间的某个位置。
如果LED元件辐射的光，例如蓝光，进入荧光材料层，并且在该处转换为黄光，则其还象Lambert辐射一样以无方向性散射的方式从所述层辐射。不可能避免黄光也逆着LED灯系统的所需辐射方向向后辐射到LED元件的方向中，随后在LED元件中被吸收。这引起了光输出损耗。因此，有利的是，将波长滤光器，优选地是二色性滤光器，配置在LED辐射表面和荧光材料之间。例如，该滤光器对于自LED元件辐射的蓝光是可穿透的，但是对于黄光则不行。现在，如果从LED元件发射蓝光并且其进入磷光体层并且遇到荧光材料体(其将该蓝光转换为黄光并且在LED元件的方向上将其反射)，则在LED元件处被吸收之前，其再一次由波长滤光器反射并且在穿透荧光材料层之后通过腔室的辐射开口出射。这防止了在腔室中吸收已被转换为黄光的蓝光辐射，并因此防止了光损耗。有利地，波长滤光器可以同时用作载体，在其上面提供荧光材料。这使得可以实现腔室的非常紧凑的设计。
准直器和腔室原则上可以具有任何形状和尺寸，只要它们有助于实现LED发射的辐射的高的光输出。所述高的光输出是通过在入射开口处直接使进入腔室的辐射准直实现的，随后其作为高亮度的辐射在出射开口处发射。因此，在本发明的有利的实施例中，腔室的光入射面被设计为大于出射开口。腔室的光入射面和出射开口之间的该尺寸比有助于实现高的亮度，这是因为，入射开口的几乎全部发光功率以集中的形式在出射开口的较小区域重新发射。
腔室用于在其出射开口处产生尽可能高的亮度。为此，一方面，不应例如由于吸收而损耗从光入射面辐射的光，另一方面，也不应过于频繁地反射光，这是因为每次反射同样带来光输出的损耗。因此，根据本发明的有利的实施例，内部侧壁面被设置为朝向光入射面倾斜。实验表明，在内部侧壁面倾斜约30°时获得了最大的光输出。该倾斜允许将辐射光反射回光入射面，并且通过至少部分进一步的反射，自该处通过出射开口发射。因此，腔室中的光在离开腔室之前经历多次反射。因此该概念需要腔室的所有部件具有高反射率。
如果生成的光不能首先离开LED块体，则在LED元件自身中可能引起LED元件的光输出损耗，这是因为，由于从厚的材料到薄的材料的不利的折射率，所生成的光在LED元件的块体边缘处全反射。因此，有利的是，在辐射表面和荧光材料之间安置主要透明的材料，该透明材料减少或者调节LED元件的折射率和荧光材料层的折射率之间的差异。这种所谓的光学胶可由硅树脂形成，并且可以使得可能完全将LED元件中生成的光耦合出来。可以使该透明材料的边缘是反射的，以增加效率。
此外，荧光材料可包含于或者散布在该透明材料中，这将允许更加紧凑的腔室结构。而且，有利的是，透明材料至少部分地填充腔室或者准直器。因此该透明材料向腔室提供更高的稳定性。
根据本发明的LED灯系统不仅适用于其中通过来自LED元件的辐射激励荧光材料的配置。而且，在所描述的LED灯系统中还可以使用已辐射具有所需的颜色的光的LED元件。然而，为了产生对于观察者更加舒适的光感，理想的是，使自LED辐射的光散射。因此，有利地使用高度透明的不发光粉末，而非使用荧光材料，来使LED辐射的光分散。在不需要荧光材料也可工作的LED元件的情况中，例如用于红色或者棕黄色光的AlInGaP元件，或者在裸露的InGaN-LED元件的情况中，高度透明的不发光粉末，诸如TiO2，提供了(该情况中)过多的荧光物质的散射效果，并且因此提供了更加均匀的光感。
根据本发明的另一有利的实施例，多个LED灯系统被并排排列为LED灯阵列。它们可以排列成行，即一维排列，或者可以二维排列，由此它们的排列形成了矩阵或者蜂巢图样。这可以通过实现特定的发光图案的方式完成。可针对如下目的选择一排列，其中准直器的所有的外耦合开口聚焦在公共点上，例如透镜的耦合开口。为此，准直器的长轴可被设置为相对于相关联腔室的光入射面的法线倾斜，或者可以通过这样的方式并排设置多个LED灯系统，即它们的光入射面，或者至少它们的外耦合开口，形成曲面。
由并排的多个灯系统的矩阵或者蜂巢图案的排列还得到了机械优点。例如，有利的是，数个LED灯系统具有公共的连续的荧光材料载体和/或波长滤光器。这不仅简化了LED灯阵列的设计和制造，而且提供了更高的稳定性。
根据本发明的另一有利的实施例，数个灯系统的LED元件在该公共基板上排成阵列。例如，这实现了用于对LED元件供电的电连接的更加合理的使用，须确保LED工作过程中生成的热被散发掉的冷却元件的更加经济的配置，并且还增加了LED灯阵列的稳定性。
本发明的另一有利的实施例涉及外耦合开口和光入射面的尺寸比。因此，有利的是，将外耦合开口的表面设置为比光入射面大或小特定的因子。如果外耦合开口大于光入射面，则可以补偿LED元件之间的较大的距离，如果在并列的LED元件的周期性排列中，公共基板上单位面积的热负载变得过高，则需要该补偿。对于显示应用，小于光入射面的外耦合开口可以是有利的。外耦合开口之间的距离未被照亮，并且对于观察者呈现为外耦合开口周围的黑色框架。通过每个LED灯系统的出射开口的这种分段，可以产生显示的可见光栅化。
根据本发明的另一有利的实施例，在不同的LED灯系统中使用了具有不同的波长特性的LED元件。这允许在灯阵列中产生特定颜色的感觉，例如，通过红色、蓝色和绿色LED元件组合的白光。可替换地，如果各个LED灯系统中的每一个具有独立的颜色，则可以在灯阵列中产生不同颜色的感觉。在显示应用中可能需要这样。另一方面，还可以在灯阵列中产生两个或更多个颜色之间的平缓过渡，例如从蓝色过渡到黄色。
根据本发明的灯阵列还可以有利地用于汽车应用中。例如在头灯的领域中，至少LED灯阵列的独立LED灯系统可以具有发射IR辐射的LED元件，例如，用于支持夜视设备。
附图说明
借助于非限制性的示例，通过参考下面描述的实施例，本发明的这些和其他的方面是显而易见的，并且将得到说明。在附图中，
图1是根据本发明的灯系统的透视图，
图2是图1所示的灯系统的截面视图，
图3是一组灯系统的截面视图，
图4是如图3所示的组的透视图。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的灯系统，其由例如，腔室-准直器的组合形成，该组合包括具有四个高度反射的侧壁2的腔室1，所述侧壁2相对基底表面成一定的角度。基底表面由配置在基板5上的LED元件4的辐射表面3形成。辐射表面3代表腔室1的光入射面。腔室1的上边界表面形成了面对辐射表面3的辐射开口6。因此，腔室1具有截顶棱锥的形状。辐射开口6又是准直器7的基底表面，准直器7也具有截顶棱锥的形状，但是倒置的：其四个高度反射的侧壁8向上张开到外耦合开口9，该外耦合开口9具有对应于辐射表面3的尺寸。因此腔室-准直器的组合由一个设置在另一个顶上的两个不同截顶棱锥形成，并且可内切长方体(以虚线示出)。其矩形侧面的较大长度对应于腔室1和准直器7的总高度，并且其正方形端面的尺寸是辐射表面3的或者外耦合开口9的尺寸。
将荧光层10施加到LED元件4的辐射表面3。由于辐射表面形成了腔室1的基底区域3，因此荧光层10也位于腔室1中。
图2示出了腔室1和准直器7的相互作用。LED元件4发射的辐射穿透荧光层10，并且由所述荧光层10无方向性地辐射到腔室1中。由于来自LED元件4的光的所述无方向性辐射，来自LED元件4的辐射不仅可以辐射到分配给其的腔室1中，而且非常可能辐射到相邻的腔室1中。在腔室1中，其直接通过辐射开口6辐射到准直器7中，或者由反射侧壁2和荧光层10反射，直至其通过辐射开口6离开腔室1。由于辐射开口6小于LED元件4的辐射表面3，然而该辐射开口必须使在辐射表面3处发射的全部发光功率通过，因此在辐射开口6处，比在LED元件4的辐射表面3处，存在更高的亮度。同时，自辐射开口6发出的光，相比于自辐射表面3发射的光，更加定向。因此该腔室-准直器组合的散射损耗是非常低的。
本发明的腔室-准直器的组合本质上不限于图1和2中示出的形状和尺寸。特别有利的是，将许多个腔室-准直器组合一起形成组。形成这种组的腔室-准直器组合可以如图3和4中示出的以矩阵方式排列，不存在死区，并且在接触线11上具有高效的空间利用。其先决条件是，辐射表面3和外耦合开口9的尺寸相互对应。
多个LED元件4在基板5上排列，该基板5除了容纳LED元件4之外，还负责将LED元件工作过程中产生的热散发掉。出于对基板5上的单位面积建立的热性能的考虑，可取的是，将LED元件4排列成，使得存在中间距离12。在所有LED元件上延伸的载体13，配置在背离基板5的LED元件4的辐射表面3上。为了使其更加清晰，图3和4中示出了主要的厚度，其不必反映载体13的必要尺寸。荧光层10施加在所述载体上，并且因此不再需要施加在各个LED元件4上。其可被设置为连续的层，或者如所示出的，可被设置为分配给LED元件4的独立的片段。此外，波长滤光器(未示出)可以配置在载体13中或者载体13上。图3和4中的载体13的尺寸被确定为使得其还可以支撑腔室-准直器组合。此外，LED元件4可以设置在面对腔室-准直器组合的载体13的那侧上。
另一方面，如果外耦合开口9具有更大的尺寸，同时辐射开口6和辐射表面3的尺寸保持不变，则LED元件4之间存在更大的相互距离。
这两个部件的基底表面的不同的形状，例如六边形形状，允许产生蜂巢形状的排列，而非矩阵排列。
总而言之，应当再一次指出，附图和描述中说明的这些系统和方法仅是实施例的示例，在不偏离本发明的构架的前提下，其在很大程度上可由本领域的技术人员修改。
而且，应当指出，出于完整性的目的，不定冠词“一个”的使用并未排除多个相关项的存在。

Claims (11)

1.一种LED灯系统，包括
至少一个用于发射光的LED元件(4)，
腔室(1)，其具有：内部侧壁面(2)，所述内部侧壁面被设计为至少部分地是高度反射的；用于所发射光的光入射面(3)；和用于辐射到腔室(1)中并且从内部侧壁面(2)反射的光的出射开口(6)，和
准直器(7)，其设置在腔室(1)的出射开口(6)处，并且其具有面对所述出射开口的外耦合开口(9)。
2.权利要求1的LED灯系统，其特征在于，腔室(1)的光入射面由LED辐射表面(3)形成。
3.权利要求1的LED灯系统，其特征在于，腔室(1)的光入射面离开LED辐射表面一距离。
4.权利要求3的LED灯系统，其特征在于，在离开辐射表面(3)一距离处设置载体(13)和/或波长滤光器，该载体具有在其上和/或其中提供的荧光物质(10)。
5.前面任何一个权利要求的LED灯系统，其特征在于，光入射面(3)大于腔室的出射开口(6)。
6.权利要求1-4中任一所述的LED灯系统，其特征在于，腔室(1)的内部侧壁面(2)朝向光入射面(3)倾斜。
7.一种LED灯阵列，其具有多个如权利要求1-4任一所述的LED灯系统。
8.权利要求7的LED灯阵列，其特征在于，多个LED灯系统具有公共的连续载体(13)。
9.权利要求7的LED灯阵列，其特征在于，用于多个LED灯系统的LED元件(4)设置在公共基板(5)上。
10.权利要求7的LED灯阵列，其特征在于，外耦合开口(9)的面积大于或者小于光入射面(3)。
11.权利要求7的LED灯阵列，其特征在于，在LED灯阵列的不同LED灯系统中使用具有不同波长特性的LED元件(4)。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7330319B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
JP2009540615A (ja) * 2006-06-12 2009-11-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 再発光半導体構造体及び光学素子を有するｌｅｄ装置
CN101467271B (zh) * 2006-06-12 2012-04-25 3M创新有限公司 具有再发光半导体构造和会聚光学元件的led装置
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR100904178B1 (ko) * 2007-07-27 2009-06-23 삼성전기주식회사 조명 기구
KR101490127B1 (ko) 2007-08-01 2015-02-10 코닌클리케 필립스 엔.브이. 빔 폭 제어를 갖는 제로 오버필 조명 응용을 위한 시준 모듈 및 장치
JP2010541198A (ja) * 2007-09-20 2010-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ コリメータ
US20090154137A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination Device Including Collimating Optics
JP5105165B2 (ja) * 2007-12-18 2012-12-19 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP5348455B2 (ja) * 2008-04-09 2013-11-20 カシオ計算機株式会社 光源装置、プロジェクタ、及び光源装置の製造方法
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8585240B2 (en) * 2008-12-12 2013-11-19 Bridgelux, Inc. Light emitting diode luminaire
US8585251B2 (en) * 2008-12-12 2013-11-19 Bridgelux, Inc. Light emitting diode lamp
WO2010076741A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting assembly and automotive headlamp arrangement
JP2011224042A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Fujifilm Corp 光源装置及びこれを用いた内視鏡装置
US8269235B2 (en) * 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
JP5759198B2 (ja) * 2011-02-10 2015-08-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、光源装置及びプロジェクター
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011112222A1 (de) * 2011-09-02 2013-03-07 Osram Ag Beleuchtungseinheit mit optischen System
ITTO20120988A1 (it) * 2012-11-14 2014-05-15 Light In Light S R L Sistema di illuminazione artificiale per simulare un'illuminazione naturale
JP6234157B2 (ja) * 2013-10-17 2017-11-22 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP2015026851A (ja) * 2014-09-16 2015-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュール
WO2018091433A1 (en) * 2016-11-17 2018-05-24 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device with uv led
DE102017129623B4 (de) * 2017-12-12 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes Halbleiterbauelement
WO2020212111A1 (en) * 2019-04-18 2020-10-22 Lumileds Holding B.V. Lighting device
CA3130367A1 (en) 2020-09-10 2022-03-10 Saco Technologies Inc. Lens and prism combination for directing light toward a projector lens

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3769503A (en) * 1972-06-23 1973-10-30 Gen Electric Lamp fixture having dichoric filter arrangement for selectively directing heat and light
DE2356573C2 (de) * 1973-11-13 1982-04-01 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Beleuchtungseinrichtung für ein Negativ in einem fotografischen Kopiergerät
CA1274613A (en) * 1986-12-24 1990-09-25 Leendert Vriens Projection device and associated display device
JPH0964420A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Transport Eng Kk フルカラー発光ダイオード装置
JP3585097B2 (ja) * 1998-06-04 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 光源装置，光学装置および液晶表示装置
JP2002532893A (ja) * 1998-12-17 2002-10-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光エンジン
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
JP2000231344A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp 投写型表示装置の照明装置
JP2001085745A (ja) * 1999-09-14 2001-03-30 Toshiba Corp 発光装置
US6676279B1 (en) * 1999-10-04 2004-01-13 David A. Hubbell Area lighting device using discrete light sources, such as LEDs
US6272269B1 (en) * 1999-11-16 2001-08-07 Dn Labs Inc. Optical fiber/waveguide illumination system
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
GB0105439D0 (en) * 2001-03-06 2001-04-25 Stephens Noel W F Fluorescent screen illuminator
US20030076034A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Marshall Thomas M. Led chip package with four led chips and intergrated optics for collimating and mixing the light
US7153015B2 (en) * 2001-12-31 2006-12-26 Innovations In Optics, Inc. Led white light optical system
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US7112916B2 (en) * 2002-10-09 2006-09-26 Kee Siang Goh Light emitting diode based light source emitting collimated light
EP1420462A1 (en) 2002-11-13 2004-05-19 Heptagon Oy Light emitting device
JP2004335992A (ja) * 2003-04-18 2004-11-25 Victor Co Of Japan Ltd 光源装置及びこの光源装置を適用した投射型表示装置
ATE383661T1 (de) * 2004-08-06 2008-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Hochleistungs-led-lampen-system
CN1993826B (zh) * 2004-08-06 2010-06-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led灯系统

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