CN100517779C - 使用电路化条带的照明组件 - Google Patents
使用电路化条带的照明组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100517779C CN100517779C CNB2005800416800A CN200580041680A CN100517779C CN 100517779 C CN100517779 C CN 100517779C CN B2005800416800 A CNB2005800416800 A CN B2005800416800A CN 200580041680 A CN200580041680 A CN 200580041680A CN 100517779 C CN100517779 C CN 100517779C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- insulating substrate
- electrical insulating
- heat
- assembly according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 aluminium or copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005662 electromechanics Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010237 hybrid technique Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the printed circuit board [PCB]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S362/00—Illumination
- Y10S362/80—Light emitting diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种照明组件,该照明组件包括散热部件(30),该散热部件(30)具有以间隔的关系设置于其上的多个电路化条带(22)。各电路化条带包括电绝缘基底(32),在该电绝缘基底的第一面(36)上具有至少一个电路迹线(34),以及在该电绝缘基底的第二面(40)上具有导电导热层(38),以使该至少一个电路化条带与电绝缘基底的第二面电绝缘。电路化条带具有从电绝缘基底的第一面延伸至第二面的多个导通孔。在多个导通孔中设置有多个LED(24),以使各LED设置于电绝缘基底的第二面上的导电导热层上,并且与电绝缘基底的第一面上的至少一个电路迹线电连接。
Description
技术领域
本发明一般涉及发光或者照明组件。更具体地说,本发明涉及使用发光二极管(LED)阵列的发光或者照明组件。
背景技术
照明系统用于各种不同的应用。传统的照明系统使用诸如白炽灯或者荧光灯等光源。最近,其它类型的发光元件,特别是发光二极管(LED),已经用于照明系统。LED具有尺寸小、寿命长和耗电量低等优点。LED的这些优点使其可用于多种不同的应用,并且LED常常用于替换其它光源。
对于许多照明应用,需要或期望用多个LED提供所需的光强度和/或光分布。例如,可以将多个LED组装成具有小尺寸的阵列,以在小区域中提供高光照度,或者将多个LED分布于较大的区域以提供更宽阔的和更均匀的光照度。
阵列中的LED通常通过安装于印刷电路板上而彼此连接和连接于其它电气系统。但是,当LED需要分布于较大的区域(例如,当为高性能显示装置提供背光)时,由于一些原因,使用印刷电路板将导致问题。例如,印刷电路板可能难以制造和/或处理成某些显示装置所需的尺寸和形状(例如,很长和很窄的条带)。印刷电路板材料的刚度可能会使得制造和组装很困难,尤其在印刷电路板必须顺应非平坦的形状的情况下。另外,常规印刷电路板的构造可能达不到LED的散热要求。因此,需要一种能够解决这些问题的照明组件。
发明内容
本发明公开一种使用LED阵列的照明组件。在一些实施例中,该照明组件包括散热部件,在该散热部件上以间隔的关系设置有多个电路化条带(circuitized strip)。各电路化条带包括电绝缘基底,在该电绝缘基底的第一面上具有至少一个电路迹线,以及在该电绝缘基底的第二面上具有导电导热层,以使该至少一个电路化条带与电绝缘基底的第二面电绝缘。电路化条带还具有从电绝缘基底的第一面延伸至第二面的多个导通孔。在多个导通孔中设置有多个LED。各LED位于电绝缘基底的第二面上的导电导热层上,并且与电绝缘基底的第一面上的至少一个电路迹线电连接。
在一些实施例中,照明组件包括柔性电路,该柔性电路具有:电绝缘基底,在其第一面上具有至少一个电路迹线;以及多个导通孔,其从电绝缘基底的第一面向第二面延伸并穿过电绝缘基底。在多个导通孔中的至少一个导通孔中设置有LED,并且在紧邻柔性电路的第二面设置有导电散热部件。LED与导电散热部件和至少一个电路迹线电连接。
本发明还公开了一种制造照明组件的方法。在一些实施例中,该方法包括:提供电绝缘基底;在电绝缘基底上提供多个电路迹线;在电绝缘基底中提供多排导通孔,每一排导通孔具有至少一个相关联的电路迹线;将基底分隔成多个条带,各条带包括多排导通孔中的一排导通孔和与之相关联的电路迹线;用LED占据导各条带的至少一个导通孔,LED与相关联的电路迹线电连接;以及在吸热器上设置多个条带中的至少两个条带,以形成LED的阵列,其中,各条带的LED与吸热器电连接。
附图说明
图1为示例性照明组件的透视图。
图2为沿图1的线2-2截取的示意性横截面图。
图3为另一种照明组件的示意性横截面图。
图4为图2中的实施例使用不同类型的LED的示意性横截面图。
图5为图3中的实施例使用不同类型的LED的示意性横截面图。
图6为另一种示例性照明组件的透视图。
图7为沿图6的线7-7截取的示意性横截面图。
图8为具有复杂侧边形状的电路化条带的示意性平面图。
图9为分隔成单独的电路化条带之前的织物基底薄片(substrateweb)的示意性平面图。
具体实施方式
下面参考附图进行描述。读者应该理解,也可以利用其它实施例,并且也可以作出结构的或逻辑的修改。因此,下列详细描述并不是限制性的,本发明的范围由所附的权利要求书来限定。
如在本文中所使用的,术语“LED”和“发光二极管”通常用于表示具有为二极管提供能量的接触区的发光半导体元件。可以由例如一个或多个III族元素和一个或者多个V族元素的结合(III-V族半导体),来形成不同形式的无机半导体发光二极管。可以用于LED的III-V族半导体材料包括氮化物(例如氮化镓或者氮化镓铟)和磷化物(例如磷化镓铟)。也可以使用其它类型的III-V族材料,以及周期表中其它族的无机材料。
LED可以为封装或者非封装的形式,包括例如:LED管芯(LEDdies),表面安装LED,板上芯片LED(chip-on-board LED)以及其它构造的LED。板上芯片(COB)指的是一种混合工艺,其采用通过传统方式(例如使用引线接合法)与基板相互连接的面朝上结合的(face-up-bonded)芯片器件。术语LED还包括用荧光物质封装的LED或者与荧光物质相关的LED,其中,荧光物质将LED发出的光转化为不同波长的光。与LED的电连接可以用引线接合法、卷带式自动焊接(TAB)、或倒装芯片连接法实现。在图中示意性地示出了LED,并且如本文所述,LED可以是未封装LED管芯或者封装LED。
可以选择LED以发出任意所需波长的光,诸如红、绿、蓝、紫外或者红外光谱区。在LED阵列中,LED可以都发出同一光谱区的光,或者可以发出不同光谱区的光。可以用不同的LED产生不同的颜色,其中从发光元件发出的光是可以选择的。
图1示出了照明组件20的一部分的透视图。照明组件20包括一个或多个纵向电路化条带22。各纵向电路化条带22承载多个LED24,并且安装于散热装置30上。如本文所使用的,术语“散热装置”通常用于指促进将热从热位置(例如发热LED的表面)传递到较冷热质量的任意装置或者元件。较冷热质量可以是流体(例如周围的空气或者液体冷却剂),或者固体(例如大金属块)。散热装置可以是无源的或者有源的,并且可以单独利用固体或者流体热质量,或者组合利用固体和流体热质量。散热装置包括,例如,吸热器、散热器、热导管以及热交换器。散热装置可以包括散热片或者其他用于促进热传递的表面。
散热装置30用导热和导电的材料制成。适于散热装置30的材料包括诸如铝或者铜等金属,或者诸如铜钼合金等金属合金。在可选实施例中,可以使用非金属导热材料。示例性非金属材料为石墨和硅酮合成材料,该合成材料可以从明尼苏达州圣保罗市的3M公司获得,其品名为“3M Flexible Heat Sink”。优选地,散热装置30具有低热阻和低电阻率。在一些实施例中,散热装置30的热阻为大约15到20℃/W,电阻率在大约1.7×10-8欧姆米或者更小的范围。
如在图2中可以更好地看到的,各电路化条带22包括电绝缘介电基底32,该电绝缘介电基底至少在其第一面36上具有导电层34,在其第二面40上具有导热导电层38。如图1和图2所示,基底32的第一面36上的导电层34被图案化,以形成至少一个电路迹线42,而基底32的第二面40上的导热导电层38可以保持不被图案化。导电层34也可以可选地被图案化,以在基底32的第一面36上形成多个电路迹线,包括与LED 24操作电连接的电力迹线和信号迹线。
电绝缘介电基底32可以由多种适合的材料构成,这些材料例如包括:聚酰亚胺(例如Wilmington,Delaware的Du Pont制造的Kapton牌聚酰亚胺),聚脂,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),多层光学薄膜(如Jonza等人的美国专利No.5,882,774和Weber等人的美国专利No.5,808,794中所公开的),聚碳酸酯,聚砜或者FR4环氧化合物。在一些实施例中,基底32可以是柔性的。基底32的第一面36上的导电层34和第二面40上的导热导电层38可以由多种适合的材料构成,这些材料优选的为金属,这些金属包括但不限于:例如铜、镍、金、铝、锡、铅、铬及其组合。在基底32是柔性的实施例中,优选地,导电层34和导热导电层38也是柔性的。具有其上带有铜导电层的聚酰亚胺绝缘基底的适合的柔性材料为3MTM FlexibleCircuitry,该材料可以从明尼苏达州圣保罗市的3M公司获得。
上述多层光学薄膜可以通过共挤出交替的聚合物层制成。在这种聚合物多层光学薄膜中,主要地或者专门地使用聚合物材料来构造单独的各层。这种薄膜适于批量制造工序,并且可以制成大的片材和成卷制品。这些薄膜包括单独的微层,微层具有不同的折射率特性,以使一些光在相邻的微层之间的界面处发生反射。微层足够薄,以使在多个界面处被反射的光经过相加干涉和相消干涉,从而使薄膜具有所需的反射或者透射特性。对于设计成反射紫外光区、可见光区或者近红外光区波长的光的光学薄膜,各微层通常具有小于大约1μm的光学厚度(即,物理厚度乘以折射率)。但是,还可以包括更厚的层,例如在薄膜的外表面处的表层,或者设置于薄膜内用于分隔多捆微层的保护边界层。
多层光学薄膜的反射和透射特性取决于各微层的折射率。各微层至少在薄膜中的局部位置可以通过面内折射率nx、ny以及与薄膜的厚度轴线相关联的折射率nz来表征。这些折射率分别代表试验材料对于沿着相互垂直的x轴、y轴和z轴偏振的光的折射率。在实际应用中,折射率可以通过适当的材料选择和处理条件来控制。多层光学薄膜可以这样制成,即:共挤出一般为几十或者几百层的两个交替聚合物层A、B,随后可选地将多层挤出物传送通过一个或多个倍增模具(multiplication die),然后,拉伸或者用其它方式定向挤出物以形成最终的薄膜。最终的薄膜一般由几十个或者几百个单独的微层构成,调整这些微层的厚度和折射率以在所需的一个或多个光谱区域(例如可见光区或者近红外光区)中提供一个或多个反射带。为了用适当的层数获得高反射率,相邻的微层对于沿x轴偏振的光优选地表现出至少为0.05的折射率差(Δnx)。如果需要在两个相互垂直的偏振上具有高反射率,那么相邻的微层还对于沿y轴偏振的光优选地表现出至少为0.05的折射率差(Δny)。
如果需要,也可以对相邻的微层之间对于沿z轴偏振的光的折射率差(Δnz)进行调整以获得对于斜入射光的p偏振分量的所需的反射率特性。为便于说明,对于多层光学薄膜上所关注的任意点,均认为x轴定位于薄膜的平面之内,这样Δnx的值为最大。因此,Δny的值等于或者小于(但不大于)Δnx的值。而且,通过要求Δnx为非负值来规定从哪个材料层开始计算折射率差nx、ny、nz。换句话说,形成界面的两层之间的折射率差为Δnj=n1j-n2j,其中j=x,y或者z,并且层的标号1、2这样选择,即:n1x≥n2x,即,Δnx≥0。
为保持以倾斜角入射的p偏振光的高反射率,可以将微层之间的z折射率差(折射率失配量)Δnz控制为远远小于面内折射率差Δnx的最大值,使得Δnz≤0.5*nx。更优选的是,Δnz≤0.25*nx。零或者接近零值的z折射率差产生这样的微层之间的界面,即:该界面对于p偏振光的反射率为常数或者接近常数,随入射角的变化而变化。而且,可以控制z折射率差Δnz以具有相对于面内折射率差Δnx相反的偏振性,即,Δnz<0。该条件产生这样的界面,即:该界面对于p偏振光的反射率随着入射角的增加而增加,对于s偏振光也是如此。
作为另外一种选择,多层光学薄膜可以具有更简单的构造,该构造中,所有的聚合物微层发生上为各向同性的,即:每层的nx=ny=nz。而且,诸如胆甾型反射偏振器和某些嵌段共聚物等已知的自组装周期性结构,可以认为是用于本申请的目的的多层光学薄膜。可以用左手性和右手性螺距元件(pitch element)的组合来制造胆甾型反射镜。
再次参考图2,基底32还具有多个通孔或者导通孔50,该通孔或者导通孔从基底32的第一面36向第二面40延伸贯穿基底32。各导通孔50构造为在其中接纳LED 24。根据制造工艺和所使用的材料,导通孔50可以用技术领域中已知的化学蚀刻、等离子蚀刻、激光铣削或者冲压的方法穿过绝缘基底32。
在图中,电路化条带22具有足够容纳单排导通孔的宽度W。在其它实施例中,电路化条带22的宽度W可以容纳两排或者更多排的导通孔。根据特定的照明应用及其相关联的所需的亮度和分辨率,LED 24可以沿着给定的电路化条带22布置,其中,LED到LED之间的间隔(间距)在3mm到15mm的范围内。在一些应用中,诸如需要非常高的分辨率和/或亮度的应用中,可取的间距可能小于3mm。在其它的所需分辨率和/或亮度较低的应用中,所需的间距可能大于15mm。
在组装中,导通孔50提供了便于放置LED 24的对准点的优点。优选地,导通孔50不贯穿设置于基底32的第二面40上的导电导热层38,使得放置于导通孔50中的LED 24可以在制造过程中安装于导电导热层38上。导电导热层38可以用作多种目的的组合,这些目的例如包括:实现与LED 24的电连接,提供从LED 24到位于其下方的散热装置30的直接散热通道,提供远离LED 24的横向热扩散,以及提供与其它系统的电连接。在如图1和图2所示的照明组件20中,所示出的LED 24为这样的类型:即,在LED 24的底部52具有一个电触点,并且在LED 24的相反表面(顶部)具有另一个电触点。在各LED 24底部52上的电触点与基底32的第二面40上的导电导热层38电连接并且热连接,同时,各LED 24顶部的电触点通过接合引线54与基底32的第一面36上的电路迹线42电连接,该接合引线54从LED 24延伸到电路迹线42上的接合焊盘56。
在各种安装方法中,导热和导电粘结、回流焊、热超声焊(如果LED管芯具有合适的背面金属喷镀)以及金锡共晶结合是可以用于将LED 24安装于基底32的第二面40上的导电导热层38上的方法。一般而言,焊料的热阻要低于粘结剂的热阻,但并不是所有的LED 24都具有可焊接的底部金属喷镀。由于在处理过程中使LED 24对准的熔化焊料的表面张力,焊接安装也具有LED 24自对准的优点。但是,一些LED可能对回流焊的温度很敏感,这使得使用粘结的方法更为合适。
LED 24设置于至少一些导通孔50中。一些导通孔50可选地没有被LED 24占据。例如,在一些实施例中,每隔一个的导通孔可以是未占据的。未占据的导通孔50可以用于多种目的。在用LED占据了一些电路化条带中的导通孔后,如果在测试中发现LED有缺陷,那么替换的LED可以安装于紧接有缺陷LED的未占据导通孔中。未占据导通孔还可以用作与电路化条带22的电力连接和信号连接,或者用作与组件的其它元件对准的对准点。
安装有LED 24的电路化条带22设置于散热装置30上,使得第一面36背向散热装置30,并且导电导热层38与散热装置30相邻。从而,使基底32的第一面36上的电路迹线42通过基底32与导电导热层38和散热装置30电绝缘。基底32的第二面40上的导电导热层38优选地使用导电和导热粘结剂(如图1和图2所示的粘结层(导热层)60)安装于散热装置30上。在各种安装方法中,导热和导电粘结或者焊接是可以用于将导电导热层38安装于散热装置30上的安装方法。这样,除了可以作为照明组件20的热控制系统的有源元件,散热装置30还可以作为照明组件20的电路的有源元件。例如,散热装置30可以为电路化条带22中的各LED 24提供公共电气接地。另外,当散热装置30由具有良好导电率的材料构成时,其还有利地提供包括低电压降的均匀电流分布、以及EMI(电磁干扰)屏蔽等附加的优点。
基底32的第二面40上的导电导热层38和散热装置30可以都是金属的,并且电路化条带22可以通过下述方式安装在散热装置30上:即,在至少一个待结合的金属表面上施加焊料,随后使导电导热层38和散热装置30的金属表面彼此焊接在一起。适合的焊接方法包括回流焊和波动焊接。也可以使用焊膏并利用加热的夹子或者压印器将电路化条带22层压至散热装置30上来进行焊接。电路化条带22和散热装置30之间的结合可以在电路化条带22的整个区域上延伸,或者只覆盖电路化条带的一部分。在一些情况下,需要位于LED和散热装置之间的照明组件的层或者部件提供LED 24和散热装置30之间的直接散热通道。在一些情况下,可以在用LED 24占据(安装于)电路化条带22之前将电路化条带22安装于散热装置30上。
对于用未封装LED管芯占据导通孔的情况,LED 24一般名义上为250微米高,绝缘基底32的厚度在25到50微米的范围,导电层34、36的厚度在17到34微米的范围,但是,可以基于LED 24的电力需求而高于或者低于上述范围。为便于在接合焊盘56处获得良好的引线接合,接合焊盘56可以包括镍和金的表面金属喷镀。和一般的化学蚀刻导通孔一样,导通孔50示为具有倾斜侧壁62。但是,等离子蚀刻或者激光铣削的导通孔可以具有基本上竖直的侧壁。
图3为示出了与照明组件20相似的照明组件20a的示意性横截面图,只是用电路化条带22a替换了电路化条带22。图3所示的电路化条带22a与图2所示的电路化条带22的区别在于,去掉了基底32的第二面40上的导电导热层38已被省略。在图3的实施例中,在LED 24占据了所有或者部分导通孔50之前,将电路化条带22a安装于散热装置30上。当用LED 24占据导通孔50时,各LED 24的底部52直接与散热装置30电连接和热连接,同时,各LED 24顶部的电触点通过接合引线54电连接于电路迹线42,该接合引线54从LED 24延伸至电路迹线42上的接合焊盘56。在基底的第二面40上没有金属层的情况下,电路化条带22a可以用任何适当的方法安装,包括导热和导电粘结或者焊接。甚至在使用粘结的方法将基底32安装于散热装置30的情况下,也可以在LED 24和散热装置30之间形成焊接连接,以促进LED 24和散热装置30之间的热传导。从而散热装置30是照明组件20的有源热元件和有源电气元件。
图4和图5分别为利用其它可用的电路化条带22b、22c的另外的照明组件20b、20c的示意性横截面图。在图4和图5中,所示的引线接合的LED 24a的两个电触点都位于LED的同一侧上,而不是如图1至图3中所示位于引线接合的LED 24的二极管的相对侧上。图4中所示的电路化条带22b的构造类似于图2中所示的电路化条带22,其中LED 24a设置于导通孔50内,并且通过导热层60热连接于散热装置30。导热层60可以包括例如粘结剂、焊料、热超声粘合剂或者金锡共晶粘合剂。图5中所示的电路化条带22c的结构类似于图3中所示的电路化条带22a,其中LED 24a设置在导通孔50之内,并且通过导热层(或导热粘结层或者焊接层)60热连接于散热装置30。在图4和图5所示的照明组件中,为LED 24a设置有直接通向散热装置30的散热路径,但是散热装置30不是照明组件20的有源电气元件。
图6和图7示出了另外的照明组件20d,该另外的照明组件利用设置于散热装置30a、30b的组合上的另一种可用电路化条带22d。各电路化条带22d包括绝缘电介质基底32,该绝缘电介质基底具有多个通孔或者导通孔50,该通孔或者导通孔从基底32的第一面36向第二面40延伸穿过基底32。各导通孔50构造为在其中接纳LED24。导电导热层38d设置在第二面40上并延伸跨过导通孔50。导电导热层38d被图案化,以形成多个离散区段64,各导通孔50与离散区段64中的一个相关联。
导电导热层38d的区段64可以用作多种目的的组合,这些目的包括例如:实现与LED的电连接,提供从LED到在位于其下方的散热装置30a,30b的直接散热通道,提供从LED的横向热扩散,以及提供与其它系统的电连接。在图6和图7所示的照明组件20d中,示出的LED 24b为这样的类型:即,在LED的底部52上具有一个电触点,在LED的相反的表面(顶部)上具有另一个电触点。各LED的基底52上的电触点与导电导热层38d的相应区段64电连接和热连接,同时各LED顶部的电触点通过接合引线54与相邻的区段64电连接,该接合引线从LED 24b延伸到贯穿基底32的已被填充的导通孔66。在其它实施例中,可以不填充导通孔66,接合引线54可以直接连接于相邻的区段64。导电导热层38的离散区段64允许LED串联地连接,该连接方式在某些应用中是需要的。关于上述的其它实施例,导电导热层38d可以是金属的,并且可以通过包括导热和导电粘结、回流焊、热超声焊(如果LED管芯具有合适的背面金属喷镀)以及金锡共晶结合的方法安装于LED 24b。
对于各电路化条带22d,导电导热层38d的区段64各自地直接与到相关的一个第一散热装置30a结合。第一散热装置30a的宽度W1大于电路化条带22d的宽度W2,并且第一散热装置30a用作散热器以助于将相关LED所产生的热量传递至第二散热装置30b。第二散热装置30b可以包括诸如散热片68等的特征,以助于从照明组件20d散热。
在示出的实施例中,各第一散热装置30a电连接和热连接于导电导热层38上的相关的区段64,但是与第二散热装置30b电绝缘。当导电导热层38d和第一散热装置30a是金属时,各区段64和相关的第一散热装置30a可以通过下述方式热结合和电结合:即,在至少一个待结合的金属表面上施加焊料,随后使导电导热层38d和第一散热装置30a的金属表面彼此焊接在一起。也可以使用焊膏并利用加热的夹子或者压印器将电路化条带22d的区段64层压至第一散热装置30a上来进行焊接。第一散热装置30a与第二散热装置30b通过导热电绝缘层69而电隔离。导热电绝缘层69的材料可以为例如导热粘结剂(诸如氮化硼填充聚合物等),如可以从明尼苏达州圣保罗市的3M公司获得的品名为“3M 2810”的产品。
图1和图6中示出的电路化条带具有直的侧边70,这些侧边70是通过例如切割基底而形成的。在其它的实施例中,电路化条带可能具有通过例如冲切或者蚀刻工序而形成的复杂侧边。在图8中,示出了具有复杂侧边70a的示例性电路化条带22e的顶视图或者平面图。电路化条带22e包括多个相对宽大的区域72,这些相对宽大的区域由多个相对窄的颈缩区域74分隔。在基底32的第一表面上设置有多个电力和信号传导迹线42a。宽大区域72各自包括接纳LED(未示出)的导通孔50以及用于实现与LED和其它电气系统的电连接的接合焊盘56。
图1至图8中的电路化条带可以由绝缘介电基底片材或者织物来制造。图9示出了一种制造图8中所示的电路化条带22e的方法。绝缘电介质基底32的织物或者片材80被金属化和图案化,以使其具有多个传导迹线42a。随后将织物或者片材80切开、冲切,为其提供锯齿型孔或者裂口,或者蚀刻以分隔出单独的电路化条带22e。在图9中,可以看出复杂侧边70a的形状如何有利地使基底32的未使用面积最小化。在电路化条带22e分离之后,如上所述,LED可以通过安装于部分或者所有的导通孔中,从而安装于电路化条带22e上,并且电路化条带22e以所需的布置和间隔安装于散热装置上。
在所有的照明组件实施例中,所公开的电路化条带或者LED或者这两者都可以与照明组件上的其它光学装置、薄膜或者其它元件结合。这些装置、薄膜或者其它元件可以包括,例如,光吸收遮挡部件、高反射率材料以及密封剂和荧光物质。
在电路化条带从织物80分离之前或者之后,可以将密封剂直接地施加于所有或者部分LED。密封剂可以一个一个地覆盖LED,或者覆盖两个或者更多个LED的组。密封剂的形状和位置可以提供所需的光导或者光提取效应。密封剂可以形成最终所需的LED的形状,或者可以随后被另一层密封剂覆盖。用另一层密封剂覆盖初始的密封剂允许在使LED所占据的电路化条带更容易处理的同时,得到更加昂贵、更高折射率、固化更慢的密封剂,以及生成一般的密封剂形状,,并且允许以后施加更复杂的密封剂形状。密封剂的形状可以通过折射和反射的组合而对光进行分布。密封剂还可以与其它光学部件组合产生所需的光输出轮廓。其它光学元件可以应用于电路化条带之间、LED之上或者LED之间,这取决于照明组件所需的光学特性。
图6中的照明组件20d示出了设置于相邻的电路化条带22d的第一散热装置30a之间的光学薄膜层82。在可选实施例中,光学薄膜层82可以遍布第一散热装置30a,或者遍布电路化条带(如果光学薄膜层82在LED的位置处设置有孔)。在图7中,示出的可选密封剂84遍布基底32的第一面36。光学薄膜层82和密封剂84可以与本文所述的任意照明组件一起使用。
尽管本文出于描述优选实施例的目的示出和描述了具体实施例,本领域的普通技术人员应该可以理解,在不背离本发明的范围的情况下,可以用为达到同样目的而进行的各种替代和/或等同实施方案代替所示出和描述的具体实施例。化学、机械、机电以及电气领域的技术人员可以容易地理解本发明可以用各种实施例实现。本申请旨在覆盖本文所讨论的优选实施例的任何改变或者变型。因此,显然的是,本发明仅由权利要求书及其等同内容所限定。
Claims (21)
1.一种照明组件,包括:
散热部件;
多个电路化条带,其以间隔的关系设置于所述散热部件上,各所述电路化条带包括电绝缘基底,在所述电绝缘基底的第一面上具有至少一个电路迹线,以及在所述电绝缘基底的第二面上具有导电导热层,所述至少一个电路迹线与所述电绝缘基底的第二面电绝缘,所述电路化条带还具有从所述电绝缘基底的第一面延伸至第二面的多个导通孔;以及
多个LED,其设置于所述多个导通孔中,各所述LED位于所述电绝缘基底的第二面上的导电导热层上,并且与所述电绝缘基底的第一面上的至少一个电路迹线电连接。
2.根据权利要求1所述的组件,其中,
所述LED与所述电绝缘基底的第二面上的导电导热层电连接。
3.根据权利要求2所述的组件,其中,
所述散热部件是导电的,并且所述电绝缘基底的第二面上的导电导热层与所述散热部件电连接。
4.根据权利要求1所述的组件,其中,
各所述电路化条带的多个导通孔布置成一条直线。
5.根据权利要求1所述的组件,还包括:
设置于至少两个相邻的所述电路化条带之间的光学薄膜。
6.根据权利要求1所述的组件,其中,
所述电路化条带是柔性的。
7.根据权利要求1所述的组件,其中,
所述电绝缘基底由选自于下述群组的材料构成,所述群组包括:聚酰亚胺,聚脂,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),光学反射绝缘聚合物,多层光学薄膜(MOF),聚碳酸酯,聚砜,FR4环氧化合物及其组合。
8.根据权利要求7所述的组件,其中,
所述电绝缘基底主要由多层光学薄膜(MOF)构成。
9.根据权利要求6所述的组件,其中,
所述电绝缘基底的第二面上的导电导热层由选自于下述群组的材料构成,所述群组包括:铜,镍,金,铝,锡,铅及其组合。
10.根据权利要求1所述的组件,其中,
在所述多个导通孔中的每一个导通孔中设置有单个所述LED。
11.根据权利要求1所述的组件,其中,
在所述多个导通孔中的至少一个导通孔中不设置任何所述LED。
12.根据权利要求1所述的组件,其中,
各所述LED通过接合引线与所述至少一个电路迹线电连接。
13.根据权利要求1所述的组件,其中,
各所述LED设置在各自的导通孔中,并与所述电绝缘基底的第二面上的导电导热层电接触。
14.一种照明组件,包括:
柔性电路,其包括:电绝缘基底,在其第一面上具有至少一个电路迹线;以及多个导通孔,其从所述电绝缘基底的第一面向第二面延伸并穿过所述电绝缘基底;
LED,其设置于所述多个导通孔中的至少一个导通孔中;以及
导电散热部件,其紧邻所述柔性电路的第二面而设置;
其中,所述LED既与所述导电散热部件电连接,也与所述至少一个电路迹线电连接。
15.根据权利要求14所述的组件,其中,
所述LED为设置于所述导通孔中的多个LED中的一个LED,所述多个LED中的每一个LED既与所述导电散热部件电连接,也与所述至少一个电路迹线电连接。
16.根据权利要求14所述的组件,其中,
所述柔性电路是以间隔的关系设置于所述导电散热部件上的多个柔性电路中的一个柔性电路。
17.一种制造照明组件的方法,包括:
提供电绝缘基底;
在所述电绝缘基底上提供多个电路迹线;
在所述电绝缘基底中提供多排导通孔,每一排导通孔具有至少一个相关联的电路迹线;
将所述电绝缘基底分隔成多个条带,各所述条带包括所述多排导通孔中的一排导通孔和与之相关联的电路迹线;
用LED占据各所述条带的至少一个导通孔,所述LED与相关联的电路迹线电连接;以及
在吸热器上设置所述多个条带中的至少两个条带,以形成LED的阵列,其中,各所述条带的LED与所述吸热器电连接。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,
在将所述电绝缘基底分隔成多个所述条带之前,所述多排导通孔彼此间隔第一距离,在安装于印刷电路板之后,所述多排导通孔彼此间隔第二距离。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,
所述第一距离小于所述第二距离。
20.根据权利要求17所述的方法,其中
所述电绝缘基底由选自于下述群组的材料构成,所述群组包括:聚酰亚胺,聚脂,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),光学反射绝缘聚合物,多层光学薄膜(MOF),聚碳酸酯,聚砜,FR4环氧化合物及其组合。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,
所述电绝缘基底主要由多层光学薄膜(MOF)构成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/982,651 US7303315B2 (en) | 2004-11-05 | 2004-11-05 | Illumination assembly using circuitized strips |
US10/982,651 | 2004-11-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101073158A CN101073158A (zh) | 2007-11-14 |
CN100517779C true CN100517779C (zh) | 2009-07-22 |
Family
ID=36118083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005800416800A Expired - Fee Related CN100517779C (zh) | 2004-11-05 | 2005-09-27 | 使用电路化条带的照明组件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7303315B2 (zh) |
JP (1) | JP4763709B2 (zh) |
KR (1) | KR101206209B1 (zh) |
CN (1) | CN100517779C (zh) |
TW (1) | TW200628725A (zh) |
WO (1) | WO2006052330A2 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104024722A (zh) * | 2012-01-03 | 2014-09-03 | 皇家飞利浦有限公司 | 照明组件、光源和灯具 |
Families Citing this family (121)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
US7145125B2 (en) | 2003-06-23 | 2006-12-05 | Advanced Optical Technologies, Llc | Integrating chamber cone light using LED sources |
US7521667B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-04-21 | Advanced Optical Technologies, Llc | Intelligent solid state lighting |
US7341199B2 (en) * | 2003-11-12 | 2008-03-11 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Material handling system with dynamic source tagging |
WO2005060309A2 (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Color Kinetics Incorporated | Thermal management methods and apparatus for lighting devices |
CN100483024C (zh) * | 2004-11-09 | 2009-04-29 | 李学霖 | 发光二极管灯散热结构 |
US7285802B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
GB2422249A (en) * | 2005-01-15 | 2006-07-19 | Robert John Morse | Power substrate |
US7121687B2 (en) * | 2005-01-25 | 2006-10-17 | Osram Sylvania Inc. | Automotive LED bulb |
JP4241658B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2009-03-18 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源 |
JP4410721B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2010-02-03 | シチズン電子株式会社 | バルブ型led光源 |
US7703951B2 (en) * | 2005-05-23 | 2010-04-27 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Modular LED-based lighting fixtures having socket engagement features |
US7766518B2 (en) * | 2005-05-23 | 2010-08-03 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | LED-based light-generating modules for socket engagement, and methods of assembling, installing and removing same |
AU2006249979B2 (en) * | 2005-05-23 | 2011-08-25 | Signify North America Corporation | Modular led lighting apparatus for socket engagement |
KR100764380B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 슬림형 백라이트유닛 |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
JP4997584B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2012-08-08 | Nltテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2009525614A (ja) * | 2006-01-31 | 2009-07-09 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | コンプライアントなフォイル構造を有するled照明アセンブリ |
WO2007097281A1 (ja) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | 照明装置 |
US20070211492A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Gigno Technology Co., Ltd. | Backlight module and driving circuit board of light emitting diodes |
TWI289947B (en) * | 2006-03-17 | 2007-11-11 | Ind Tech Res Inst | Bendable solid state planar light source, a flexible substrate therefor, and a manufacturing method therewith |
US7710045B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-05-04 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly with enhanced thermal conductivity |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US20070252161A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Led mounting structures |
US7806574B2 (en) * | 2006-04-16 | 2010-10-05 | Albeo Technologies, Inc. | Thermal management of LED-based lighting systems |
US20070247851A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Villard Russel G | Light Emitting Diode Lighting Package With Improved Heat Sink |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
JP4944948B2 (ja) * | 2006-05-05 | 2012-06-06 | クリー インコーポレイテッド | 照明装置 |
US20080012035A1 (en) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Bily Wang | LED chip package structure and method for manufacturing the same |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
KR101318372B1 (ko) * | 2006-08-03 | 2013-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 유닛, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 표시장치 |
DE102007004303A1 (de) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund |
TWI340010B (en) * | 2006-08-04 | 2011-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Circuit board with cooling functionality |
US8367945B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
JP2008053380A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ装置 |
US8362603B2 (en) * | 2006-09-14 | 2013-01-29 | Luminus Devices, Inc. | Flexible circuit light-emitting structures |
US8581393B2 (en) * | 2006-09-21 | 2013-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Thermally conductive LED assembly |
US20080074881A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-03-27 | Been-Yu Liaw | Backlight module |
US7794114B2 (en) * | 2006-10-11 | 2010-09-14 | Cree, Inc. | Methods and apparatus for improved heat spreading in solid state lighting systems |
US20080112162A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Topson Optoelectronics Semi-Conductor Co., Ltd. | Backlight Structure Having Embedded LEDs and Fabrication Method Thereof |
CN100423257C (zh) * | 2006-12-20 | 2008-10-01 | 黄虎钧 | 具有发光二极管晶片的发光棒 |
DE102007004304A1 (de) | 2007-01-29 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips |
US7806560B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-10-05 | 3M Innovative Properties Company | LED illumination assembly with compliant foil construction |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
EP2127486B1 (en) * | 2007-02-26 | 2012-06-06 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Driving a lighting device |
US7841741B2 (en) * | 2007-04-02 | 2010-11-30 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | LED lighting assembly and lamp utilizing same |
US7898811B2 (en) * | 2007-04-10 | 2011-03-01 | Raled, Inc. | Thermal management of LEDs on a printed circuit board and associated methods |
US7535030B2 (en) * | 2007-05-22 | 2009-05-19 | Hsiang-Chou Lin | LED lamp with exposed heat-conductive fins |
EP1998101B2 (en) | 2007-05-30 | 2019-09-25 | OSRAM GmbH | Lighting device |
WO2009000282A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Lioris B.V. | High voltage led lighting system |
JP5431688B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2014-03-05 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチledパッケージ |
US7922354B2 (en) * | 2007-08-13 | 2011-04-12 | Everhart Robert L | Solid-state lighting fixtures |
US20090096347A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Xu Chao-Feng | LED Flat Light and A Manufacturing Method Thereof |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
DE102007055133A1 (de) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit einem Kühlkörper |
KR101015818B1 (ko) * | 2007-11-21 | 2011-02-22 | 크루셜텍 (주) | 카메라 플래시 모듈 및 카메라 플래시 모듈이 구비된 휴대 단말기 |
US20090218588A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-09-03 | Paul Panaccione | Chip-scale packaged light-emitting devices |
CN101451696A (zh) * | 2007-12-07 | 2009-06-10 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管灯具 |
CN101556032B (zh) * | 2008-04-09 | 2010-09-29 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管灯具 |
CN101572990B (zh) * | 2008-04-28 | 2012-12-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电路板原板 |
US7845829B2 (en) * | 2008-05-20 | 2010-12-07 | Abl Ip Holding Llc | Enclosures for LED circuit boards |
US8177392B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-05-15 | Norm Tarko | Light strip including a core layer of insulating material receiving spaced apart light emitting diodes |
JP5236366B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-07-17 | ミネベア株式会社 | 線状光源装置、および面状照明装置 |
US9022612B2 (en) * | 2008-08-07 | 2015-05-05 | Mag Instrument, Inc. | LED module |
US20100038670A1 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-18 | Luminus Devices, Inc. | Illumination assembly including chip-scale packaged light-emitting device |
US9076951B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-07-07 | Albeo Technologies, Inc. | Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby |
US8058659B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-11-15 | Albeo Technologies, Inc. | LED chip-based lighting products and methods of building |
US8981629B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-03-17 | Albeo Technologies, Inc. | Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby |
GB2464668A (en) * | 2008-10-20 | 2010-04-28 | Sensitive Electronic Co Ltd | Thin light emitting diode circuit substrate and lamp strip |
KR100902631B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2009-06-12 | 현대통신 주식회사 | 나노스프레더를 이용한 원형구조의 led 발광 조명등 |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
DE102008056923A1 (de) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit zwei Leiterplatten |
US20100149805A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-17 | Fridy Joseph | Led lighting laminate with integrated cooling |
TW201025675A (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Jess Link Products Co Ltd | Light emitting diode light strip and method of making the same |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20100188860A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Been-Yu Liaw | Lotus blossom heat dissipating device |
JP2011009298A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード光源装置 |
KR20110003792A (ko) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | 주식회사 디지아이 | 칼라 인쇄회로기판의 제조방법 |
TW201103170A (en) * | 2009-07-08 | 2011-01-16 | Paragon Sc Lighting Tech Co | LED package structure with concave area for positioning heat-conducting substance and method for manufacturing the same |
JP4746692B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2011-08-10 | 株式会社タムラ製作所 | 可視光通信用led照明装置 |
US20110054263A1 (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | Jim-Son Chou | Replaceable LED illumination assembly for medical instruments |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
TWM379006U (en) * | 2009-10-22 | 2010-04-21 | Jia-hao ZHANG | LED light bar |
US8408627B2 (en) * | 2009-12-15 | 2013-04-02 | 3M Innovative Properties Company | Pick up truck, rail cap assembly with lighting system and method of use |
US10240772B2 (en) * | 2010-04-02 | 2019-03-26 | GE Lighting Solutions, LLC | Lightweight heat sinks and LED lamps employing same |
JP5920213B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2016-05-18 | 宇部興産株式会社 | Led用放熱基板 |
EP2561265A4 (en) * | 2010-04-21 | 2015-03-11 | Cooper Technologies Co | REMOVABLE LED PLATE ARCHITECTURE |
JP5537295B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 発光素子実装用配線パターン、発光素子実装用配線パターンを有する発光素子実装用配線基板および発光素子実装用配線基板を用いた発光モジュールならびに発光モジュールを装備した照明器具 |
US9548286B2 (en) | 2010-08-09 | 2017-01-17 | Micron Technology, Inc. | Solid state lights with thermal control elements |
US9035329B2 (en) * | 2010-09-13 | 2015-05-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
AT12736U1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-10-15 | Austria Tech & System Tech | Leiterplatte sowie verfahren zur herstellung einer leiterplatte |
WO2012058180A2 (en) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | Air Motion Systems, Inc. | Large single chip led device for high intensity packing |
WO2012061183A2 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Flexible led device for thermal management and method of making |
US8912562B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-12-16 | 3M Innovative Properties Company | Remote phosphor LED constructions |
KR20140004695A (ko) | 2010-12-29 | 2014-01-13 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Led 색상 조합기 |
JP5740981B2 (ja) * | 2011-01-05 | 2015-07-01 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
TWI589021B (zh) * | 2011-02-07 | 2017-06-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製法 |
CN102130283B (zh) * | 2011-02-22 | 2012-07-18 | 史杰 | Led芯片封装支架 |
US8888331B2 (en) * | 2011-05-09 | 2014-11-18 | Microsoft Corporation | Low inductance light source module |
US20140326495A1 (en) * | 2011-08-25 | 2014-11-06 | Amphenol Corporation | High performance printed circuit board |
CN102983244A (zh) * | 2011-09-05 | 2013-03-20 | 欧司朗股份有限公司 | Led发光组件以及具有该led发光组件的照明装置 |
TWI481071B (zh) * | 2012-01-12 | 2015-04-11 | Light-emitting device LED 3D surface lead frame | |
TWI496323B (zh) * | 2012-04-09 | 2015-08-11 | Delta Electronics Inc | 發光模組 |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
CN103426993A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 欧司朗股份有限公司 | 电子模块、照明装置和制造该电子模块的方法 |
TWI437727B (zh) * | 2012-05-31 | 2014-05-11 | 玉晶光電股份有限公司 | LED lighting |
DE102013201327A1 (de) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Osram Gmbh | Leiterplatte, optoelektronisches Bauteil und Anordnung optoelektronischer Bauteile |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
US9989223B1 (en) * | 2015-03-09 | 2018-06-05 | Automated Assembly Corporation | LED lighting apparatus with LEDs and wires attached to metal sheet member by adhesive |
US10337717B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-07-02 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light source unit, method of manufacturing the same, and vehicle lamp |
US10257932B2 (en) * | 2016-02-16 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc. | Laser diode chip on printed circuit board |
DE102016115224A1 (de) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronische Vorrichtung |
KR102006188B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2019-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 및 그 제어방법 |
JP7260734B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-04-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN110864268A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-06 | 深圳市库莱特光电科技有限公司 | 一种cob灯条及其制作方法 |
US11047561B1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-06-29 | Excellence Optoelectronics Inc. | Heat sink structure and flexible light-emitting device having heat sink structure |
CN111477649A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED显示面板及其制备方法与邦定材料 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62196878A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Koito Mfg Co Ltd | 照明装置 |
US5882774A (en) | 1993-12-21 | 1999-03-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Optical film |
US5808794A (en) | 1996-07-31 | 1998-09-15 | Weber; Michael F. | Reflective polarizers having extended red band edge for controlled off axis color |
US6412971B1 (en) | 1998-01-02 | 2002-07-02 | General Electric Company | Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method |
DE19922176C2 (de) | 1999-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung |
EP1387412B1 (en) * | 2001-04-12 | 2009-03-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
WO2003012884A1 (en) | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Nam-Young Kim | Display system |
US7105931B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-09-12 | Abbas Ismail Attarwala | Electronic package and method |
JP4393080B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2010-01-06 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 平面表示装置および液晶表示装置 |
JP2005056653A (ja) | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光源装置 |
US20050116235A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Schultz John C. | Illumination assembly |
EP1700344B1 (en) | 2003-12-24 | 2016-03-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and lighting module |
-
2004
- 2004-11-05 US US10/982,651 patent/US7303315B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-09-27 WO PCT/US2005/034501 patent/WO2006052330A2/en active Application Filing
- 2005-09-27 KR KR1020077012559A patent/KR101206209B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-27 JP JP2007540306A patent/JP4763709B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-27 CN CNB2005800416800A patent/CN100517779C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-14 TW TW094135798A patent/TW200628725A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104024722A (zh) * | 2012-01-03 | 2014-09-03 | 皇家飞利浦有限公司 | 照明组件、光源和灯具 |
CN104024722B (zh) * | 2012-01-03 | 2018-03-06 | 飞利浦照明控股有限公司 | 照明组件、光源和灯具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060098438A1 (en) | 2006-05-11 |
US7303315B2 (en) | 2007-12-04 |
KR101206209B1 (ko) | 2012-11-28 |
WO2006052330A3 (en) | 2006-11-02 |
TW200628725A (en) | 2006-08-16 |
WO2006052330A2 (en) | 2006-05-18 |
JP2008519419A (ja) | 2008-06-05 |
CN101073158A (zh) | 2007-11-14 |
JP4763709B2 (ja) | 2011-08-31 |
KR20070074658A (ko) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100517779C (zh) | 使用电路化条带的照明组件 | |
US9445490B2 (en) | Film system for LED applications | |
US7863639B2 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
CN203300693U (zh) | 多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置 | |
US7586126B2 (en) | Light emitting diode lighting module with improved heat dissipation structure | |
CN103824923B (zh) | 一种半导体发光芯片、半导体照明灯具及其制造方法 | |
US20070063213A1 (en) | LED package | |
CN101592322A (zh) | 大功率led照明灯具的led封装方法 | |
WO2013040506A1 (en) | Led packages for an led bulb | |
US20070085082A1 (en) | Light-emitting devices and related systems | |
EP1692722A2 (en) | Light emitting diode based illumination assembly | |
JP2007142173A (ja) | 照明装置 | |
US8441028B2 (en) | Light emitting device including a lighting emitting chip attached on a heat conductive layer via an undercoating and method of manufacturing the light emitting device | |
US20120132952A1 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
CN101126863A (zh) | 具有散热结构的发光二极管光源模块 | |
KR101051488B1 (ko) | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 | |
CN102593317B (zh) | 一种高功率高亮度led光源封装结构及其封装方法 | |
US20110156083A1 (en) | Light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof | |
WO2021114550A1 (zh) | 一种发光装置 | |
CN103474565A (zh) | 发光二极管单元与绝缘导热基板的连接 | |
KR100998151B1 (ko) | 발광다이오드 모듈 및 그 제조방법 | |
CN101783341A (zh) | 具有散热结构的发光二极管光源模块 | |
CN109524374A (zh) | 一种led发光模块 | |
KR20130007473A (ko) | 엘이디용 회로기판원판, 회로기판, 엘이디유닛, 조명기구 및 제조방법 | |
JP2010087331A (ja) | Led実装済基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090722 Termination date: 20190927 |