CN100516886C - 探针卡的探针及其制法 - Google Patents

Abstract

本发明是一种探针卡的探针及其制法，可较为容易地控制各探针的尺寸精度与刚性，使各探针的强度、刚性与电性品质皆较佳；探针包含有一本体，本体具有一悬臂梁，至少一导电层迭设于悬臂梁的表面，导电层及悬臂梁之间具有一介电层；各导电层是先以电铸方式堆栈于本体的悬臂梁上，再以研磨加工方式控制其设于悬臂梁的厚度。

Description

探针卡的探针及其制法

技术领域

本发明是与探针卡有关，特别是指一种探针卡的探针及其制法。

背景技术

一般用于探针卡的探针是以金属材质制成，随着半导体晶圆、封装或者面板的测试垫间距(pad pitch)规格不断缩小，探针的结构尺寸也必须随之的缩小，但是当探针的结构尺寸缩小时，探针会因抵接于半导体晶圆的接点所产生的结构应力相对增加，而在进行长时间测试之后，探针的结构容易产生变形，或是结构破坏的状况，不但会影响到各探针之间的平面度，也会使探针卡无法正常进行测试工作，因此，如何能缩小探针的结构尺寸，又能增加探针的机械性能，是设计探针卡的重要课题。

如美国公告第6414501、6507204与6864695等专利案所述，其探针的整体结构是以硅为材料制成，并且于探针外周镀上一金属层，利用硅材料具有抗疲劳的特点，金属层又包覆于探针，使整体探针呈复合式结构，金属层可改善硅材容易脆裂的缺点，亦可提供较佳电性品质；然而，在上述美国专利案中，由于金属层是以电镀方式外敷于探针表面，整体探针的金属层厚度不易控制均匀，使得每个探针的刚性无法一致，当要进行晶圆的测试时，无法让各探针与待测接点之间的接触阻抗一致，进而影响晶圆测试的正确性。

另如美国公告第6359454号专利案，其同样是把硅与金属结合在一起，进而制作出机械性能较佳的探针，同时探针的金属部分可利用半导体制程，以及研磨的方式控制探针的尺寸精度；但是，由于该专利案的各探针是呈斜向地装设于基板，使得各探针的位置精度不易控制，随着探针数量增加，探针之间的定位精度亦随之恶化，此外，各探针的尖端无法依需求而设计出不同外形，在长时间测试之后容易因磨耗而造成损坏。另一方面，探针下方的悬空部分乃是以非等向性化学蚀刻所制成，在进行蚀刻的时候较不易控制整体探针的蚀刻均匀性，造成每根探针的悬空距离长短不一，各探针之间的刚性变异较大，于测试时各探针与待测物之间的接触阻抗不一致，对整体测试结果的精确度产生影响。

综上所述，目前已知的各种复合式探针结构，皆具有探针的刚性不一致、阻抗与电性品质不佳，或是受限于制造过程无法提供良好探针定位精度、细微间距(fine pitch)与稳定电性品质的缺点。

发明内容

因此，本发明的主要目的乃在于提供一种探针卡的探针，各探针具有较佳的强度且刚性一致，各探针的电性品质也较佳。

本发明的另一目的是在于提供一种探针卡的探针的制造方法，通过由该方法所制成的探针，可较为容易地控制各探针的刚性，以及各探针的电性品质。

为达成前揭目的，本发明所提供探针卡的探针包含有一本体、至少一导电层，以及一针尖部，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面，各该导电层是迭设于该悬臂梁的表面，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；而在制造该探针时，首先是制备该本体，然后在该本体设置一介电层，接着于该介电层电铸各该导电层之后，利用研磨加工方式研磨各该导电层，最后加工该本体，以成形出该探针的结构；本发明的另一制造方式可于另一基板上整体地以电铸与研磨方式制作各该导电层之后，再与前述的本体接合本体与探针相互接合之间同样具备介电层后形成出该探针；通过此，本发明即可较为容易地控制各探针的尺寸精度与刚性，使各探针具有较佳的强度且刚性与电性品质较佳。

以下，兹配合图式列举若干较佳实施例，用以对本发明的制法、结构与功效做详细说明，其中所用各图式的简要说明如下：

附图说明

图1是本发明第一较佳实施例的制法示意图，其中本体成形出一开口；

图2是本发明第一较佳实施例的制法示意图，其中一介电层设于本体表面及开口内壁；

图3是本发明第一较佳实施例的制法示意图，其中一经研磨的导电层设于本体的开口内；

图4是本发明第一较佳实施例的制法示意图，其中本体设有一用以成形针尖部的光阻层；

图5及图6是本发明第一较佳实施例的制法示意图，主要显示蚀刻本体而成形出悬臂梁的状态；

图7是本发明第一较佳实施例的应用示意图，其中探针的导电层电性连接于本体的一电路；

图8是本发明第二较佳实施例的应用示意图，其中探针一端概呈直立状地设于本体，另一端则延伸于本体上方；

图9是本发明第三较佳实施例的结构示意图，其中本体具有多数探针；

图10是本发明第四较佳实施例的制法示意图，其中各探针的导电层预先成形于一暂时基板；

图11是本发明第四较佳实施例的制法示意图，主要显示暂时基板设有种子层牺牲层的状态；

图12是本发明第四较佳实施例的制法示意图，其中光阻设于基板，而且成形出一开口；

图13是本发明第四较佳实施例的制法示意图，主要显示一导电层填满于开口；

图14是本发明第四较佳实施例的制法示意图，主要显示导电层设于基板的状态；

图15是本发明第四较佳实施例的制法示意图，主要显示基板迭合于本体的状态；

图16是本发明第四较佳实施例的制法示意图，主要显示出探针的结构；

图17是本发明第四较佳实施例的应用示意图，主要显示探针以打线方式电性连接于一电路板；

图18是本发明第四较佳实施例的另一实施态样，其中各探针的导电层凸出于本体表面；

图19是本发明第五较佳实施例的剖面示意图，其中各探针的悬臂梁设有若干导电层与结构层；

图20是本发明第六较佳实施例的立体图，主要显示探针的导电层为概呈垂直状地设于本体；

图21是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中本体成形出一开口；

图22是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中本体具有一介电层；

图23是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中导电层设于开口内；

图24是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中显示本体与导电层经研磨后的状态；

图25是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中光阻设于本体表面；

图26是本发明第六较佳实施例的制法示意图，其中本体经蚀刻后成形出探针结构；

图27是本发明第七较佳实施例的剖视图；

图28是本发明第八较佳实施例的剖视图；

图29是本发明第九较佳实施例的剖视图；

图30是本发明第十较佳实施例的剖视图；

图31是本发明第十较佳实施例的另一实施态样；

图32是本发明第十一较佳实施例的剖视图；

图33是本发明第十一较佳实施例的另一实施态样；

图34是本发明第十二较佳实施例的剖视图；

图35是本发明第十二较佳实施例的另一实施态样；

图36是本发明第十二较佳实施例的又一实施态样；以及

图37是本发明第十二较佳实施例的再一实施态样。

具体实施方式

请参阅图1所示，本发明第一较佳实施例所提供探针卡的探针的制造方法，包含有下列步骤：

步骤一、如图1所示，制备一SOI(Silicon-on-insulator)本体10，本体10包括一硅基材13，以及一夹层于硅基材13内部的绝缘层11；接着，利用半导体微影蚀刻制程加工本体10，使本体10表面成形出一开口12，开口12可作为后续电铸探针与导线之用。

步骤二、如图2所示，以高温炉管生成薄膜，或是薄膜沉积法等方式加工本体10，使本体10及对应于开口12表面形成出一介电层14。

步骤三、如图3所示，以电铸制程加工本体10，使开口12内填满一导电层16，接着再以研磨加工方式研磨本体10及导电层16表面，使本体10与导电层16相互之间呈齐平状，或者也可再将导电层16同样以微影及电铸、研磨的方式继续迭层，使导电层16高出本体10表面；若制程需要，可在电铸本体10之前，先于开口12的表面铺设导电种子层以便于电铸。

步骤四、如图4所示，以多次微影成形方式于导电层16涂布出一光阻层17，且光阻层17具有一开口18，再利用电铸填孔方式于开口18内成形出一针尖部19，针尖部19可应用不同电铸材质连续电铸，使其具备低沾粘性以及耐磨的特性，最后更可以干蚀刻或湿蚀刻方式使针尖部19顶端呈圆滑或者锥形，或者利用控制光阻曝光显影程度，使光阻层17的开口18呈锥状，进而使针尖部19直接电铸为锥状，另外，针尖部19亦可利用电铸研磨、蚀刻，或是精密机械加工等方式制成。

步骤五、如图5所示，利用微影及蚀刻制程于本体10正面定义出位于导电层16下方的悬臂梁20，并以蚀刻制程形成一位于悬臂梁20下方的凹槽21，最后如图6所示，利用湿蚀刻方式除去悬臂梁20下方的绝缘层11及本体10，或是可利用微影蚀刻方式直接将悬臂梁20下方的绝缘层11及本体10除去，成形出悬臂梁20与导电层16相互结合的一探针22。

如图6所示，上述制法所制成的探针22，包含有一自本体10延伸而出的悬臂梁20，以及一设于悬臂梁20表面的导电层16，导电层16对应于悬臂梁20外端处设有一针尖部19，且导电层16及悬臂梁20之间具有一介电层14作为电性隔绝；本体10及悬臂梁20是以硅为材料而制成，导电层16及针尖部19则可由具导电性、耐磨耗以及低沾粘性的材料制成。

经由上述制法与结构的说明，因为探针22的导电层16是先以电铸成形之后，再通过由研磨加工使导电层16呈平坦状，导电层16在研磨的过程中，可较为精密地控制其整体厚度具有一致性，各探针22的整体刚性更为一致，使针尖部19与待测接点之间的接触阻抗一致，可提供更可靠的测试环境；由于悬臂梁20是以硅为材料，在一般测试环境温度下单晶硅不会有材料疲劳的状况，因此应用于探针22可提升整体机械特性，当探针22在经过长期测试后仍具有符合规格的平面度，而导电层16所具有的延性则可补强硅材质的易脆性。

通过此，本发明所提供的探针结构，即可达到各探针具有较佳的强度且刚性一致，各探针的电性品质较佳的目的；同时各探针在制造时也可较为容易地控制各探针的尺寸精度与刚性。

上述探针的本体的材质可相同或不相同于悬臂梁的材质。而如图7所示，本体10内可增设至少一电路23，导电部16与电路23电性相连电路23与本体10绝缘，电路23可部分埋设于本体10内，或仅铺设于本体10表面，电路23可进一步与外部电子组件电性连接。亦可再如图8所示，是为本发明第二较佳实施例所提供探针卡的探针30，其结构概同于第一较佳实施例，特点在于各探针30的一端是概呈垂直状设于本体31，另一端则概呈水平状地延伸于本体31上方。

如图9所示，是为本发明第三较佳实施例所提供探针卡的探针35，其是预先于本体36设置多数悬臂梁37以及多数电路38，各电路38可呈垂直状，再应用上述第一较佳实施例的制法直接于本体36制作出各探针35结构，使各探针35的导电层39直接与各电路38电性连接，或亦可以打线、回焊、低温共晶接合、导电胶接合等方式连接各探针35的导电层39与各电路38。

如图10所示，是为本发明第四较佳实施例所提供探针卡的探针40，其结构与第三较佳实施例大致相同，特点在于各探针40的导电层41及针尖部42亦可整体地以黄光、电铸，以及研磨的方式制作于另一暂时基板43上，然后再将暂时基板43反扣迭合于本体44，施以晶圆级接合或覆晶接合等方式使各导电层41与本体44相互衔接之后，再将基板43移除，继续加工本体44，通过此，各探针40的结构定位仍维持微影制程的精度，以下详细说明第四较佳实施例的制法：

步骤一、如图11所示，制备暂时基板43，在基板43蚀刻出一凹槽45；若此基板43为非导体，则必须在基板43表面沉积一层导电种子层46同时作为牺牲层的功能，种子层46可利用蒸镀、溅镀或电镀方式制作，以便进行下一步骤的电铸，而基板43若为导体，则不需种子层，但可视需要铺设一层牺牲层以便于移除基板43。

步骤二、如图12所示，以一光阻47于基板43表面成形出一具有预定外形的开口48。

步骤三、如图13所示，以电铸方式填满开口48，接着以研磨方式平坦化基板43表面，即可成形出导电层41以及针尖部42。若接下来的制程有接着上的考量，可利用沉积或电镀方式进一步于导电层41表面铺设一接着层49。

步骤四、如图14所示，去除光阻47。

步骤五、如图15所示，取本身包含垂直导线51，并且具有接点于表面的SOI本体44，再将基板43覆设于本体44，各导电层41接合于本体44表面。

步骤六、如图16所示，通过由蚀刻种子层46或牺牲层移去暂时基板43，再利用半导体微影蚀刻制程在本体44正面定义出悬臂梁52轮廓及背面蚀刻口，最后移除用以定义的光阻，即可完成探针40结构。

如图17所示，亦可在本体44表层定义一电性连通于导电层41的电路53，在进行完上述第四较佳实施例的制法步骤六以后，再使整组探针40接合于一电路板54，各探针40的导电层41可通过由电路53另以打线或焊线方式电性连接于电路板54。

如图18所示，各探针40也可使导电层41部分或全部凸出于本体44表面；图18的结构可用第一较佳实施例的制法直接于本体44上制作探针，或是类似第四较佳实施例的制法，将探针40的导电层41以及针尖部42独立地制作于暂时基板，再与设置在本体44的悬臂梁52相互接合，最后移去暂时基板并完成探针40的结构。

应用本发明所提供的制法，探针的悬臂梁结构可具有许多其它不同形式，其目的皆在利用硅与金属材质相互堆栈，并以电铸与研磨等方式，达到调整导电层的厚度的目的，通过以更有效地控制各探针的刚性与电性的一致性；如图19所示，是为本发明第五较佳实施例所提供用于探针卡的探针55，特点在于探针55具有二交互迭设于悬臂梁57的导电层56以及二结构层59，且各结构层59与各导电层56之间通过由一介电层58而呈电性隔绝的状态，其整体制程类似CMOS制程，悬臂梁57的材质可为单晶硅或多晶硅。各导电层56可进一步分别作为传输信号或是接地的用途，进而改善探针55的阻抗匹配，以因应高频测试使用。

如图20及图21所示，是为本发明第六较佳实施例所提供探针卡的探针60，其结构同样具有一本体61、一导电层62、一针尖部63，以及一介电层64图中针尖部63仅以透视轮廓标明其位置；特点在于：本体61的悬臂梁67中央具有一概呈垂直地贯通于顶面及底面的嵌槽65，导电层62是设于嵌槽65内，介电层64则介于导电层62及悬臂梁67之间；探针60的制法包含有下列步骤：

步骤一、如图21所示，在一设有电路的SOI本体61以干蚀刻或湿蚀刻方式蚀刻出一嵌槽65。

步骤二、如图22所示，以化学气相沉积或高温炉管制程于本体61表面以及嵌槽65壁面设介电层64，介电层64的材质可为二氧化硅或氮化硅。

步骤三、如图23所示，先于嵌槽65的介电层64表面铺设导电种子层后(图中未示)，再以电铸方式于嵌槽65内填入导电层62，种子层可透过设于本体61内的电路或直接与电铸设备连接。

步骤四、如图24所示，研磨本体61及导电层62，使本体61与导电层62之间呈齐平状。

步骤五、如图25所示，于本体61及导电层62表面设一光阻66，光阻66所覆盖的区域是为探针外形区域。

步骤六、如图26所示，蚀刻本体61，通过由光阻66成形出位于导电层62两侧的悬臂梁67结构，即可成形探针60。

步骤七、再依照第一较佳实施例的步骤四至步骤六，即可完成针尖部63。

如图27所示，是为本发明第七较佳实施例所题供探针卡的探针70，其结构与第六较佳实施例大致相同，特点在于介电层71及导电层72结合于本体73的区域是呈波浪状，该波浪状区域是以化学干蚀刻例如电感耦合电浆干蚀刻ICP-RIE方式完成，波浪状区域可使本体73、介电层71与导电层72之间更为稳固地相互嵌合。本专利中所有的探针结构，皆可运用上述波浪状区域来强化各构件之间的结合强度。

上述第六与第七较佳实施例的探针，可进一步应用前揭制法衍生出多种不同形式的探针结构，如图28所示，是为本发明第八较佳实施例所提供的探针74，其特点在于：本体75二侧分别具有一介电层76与一导电层77；如图29所示，是为本发明第九较佳实施例所提供的探针78，其结构类同于第六较佳实施例，特点在于探针78是以电铸制程形成一覆设于探针78的导电层79，使探针78截面形状概呈T形，可利用此T形梁结构增加探针78的刚性。

如图30所示，是为本发明第十较佳实施例所提供的探针80，其结构类同于第六较佳实施例，其特点在于探针80的上方沉积一类同于本体81的结构层82，结构层82的材质如多晶硅，但是探针80的针尖部仍必须使用电铸金属制作，且与包含于本体81内的导电层83电性导通，在铺设结构层82的前，为了确保与导电层83绝缘，可先铺设一层如二氧化硅材质的绝缘层。本体81及结构层82所构成的结构同样可增加探针的刚性，或者可通过由侧边最外层的介电层84作为避免探针80因意外接触造成断路烧毁，同理，结构层82可略短于探针80的宽度，通过以避免与相邻的探针80因意外接触造成断路烧毁。

如图31所示，类似于前述的本体81结构可将本体81与导电层83的材质互换，一样可达成第十较佳实施例的设计目的。

如图32与图33所示，是为本发明第十一较佳实施例所提供的探针，亦为第六较佳实施例的延伸实施方式，利用类似制法可使探针具有更多垂直导电层85，各导电层85分别应用于信号线与接地线的分配，以达成减少噪声干扰、改善阻抗匹配、提升传输频宽的功能。本体86与导电层85之间同样具备介电层87，相同的介电层87也可铺设于本体86的两外侧，避免探针因意外接触造成断路烧毁。

如图34所示，是为本发明第十二较佳实施例所提供的探针90，其结构概同于第十一较佳实施例，特点在于探针90顶部铺设一导电层91，或是如图35所示探针90的顶部亦可改为铺设一结构层92；而如图36所示，探针90的各导电层91是嵌设于悬臂梁93之间，且探针90顶部亦覆设一导电层94，另如图37所示，探针90的顶部则设有一介电层96与一结构层97，结构层97的材质特性类似悬臂梁93的材质，若是悬臂梁93的材质为硅，则结构层97可为多晶硅材质。上述探针的目的均在于利用多组类似T型梁或ㄇ型梁的结构，视产品需要而提高探针的刚性；通过此，上揭的各较佳实施例皆可达成本发明的发明目的。

Claims (24)

1.一种探针卡的探针，其特征在于，包含有：

一本体，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面；

至少一导电层，各该导电层迭设于该悬臂梁的表面，该悬臂梁的材质为硅；

一针尖部，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；以及

至少一电路，这些电路是设于该本体，各该电路电性连接于各该导电层，且可进一步地与外部电子组件电性连接。

2.依权利要求1所述的探针，其特征在于，所述该本体的材质为硅。

3.依权利要求1所述的探针，其特征在于，所述该本体的材质与该悬臂梁的材质不同。

4.依权利要求1所述的探针，其特征在于，所述探针一端是概呈垂直状设于该本体，另一端则呈水平状地延伸于该本体上方。

5.一种探针卡的探针，其特征在于，包含有：

一本体，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面；

至少一导电层，各该导电层迭设于该悬臂梁的表面；

该本体的悬臂梁具有一呈垂直状的嵌槽，该导电层设于该嵌槽内；

一针尖部，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；以及

至少一电路，这些电路是设于该本体，各该电路电性连接于各该导电层，且可进一步地与外部电子组件电性连接。

6.依权利要求5所述的探针，其特征在于，还设有另一导电层，所述另一该导电层是覆设于该悬臂梁与其它导电层。

7.依权利要求5所述的探针，其特征在于，所述该导电层的截面概呈T形。

8.一种探针卡的探针，其特征在于，包含有：

一本体，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面；

至少一导电层，各该导电层迭设于该悬臂梁的表面；

一针尖部，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；以及

该探针外侧另设一介电层，用以避免该探针发生短路现象；

至少一电路，这些电路设于该本体，各该电路电性连接于各该导电层，且可进一步地与外部电子组件电性连接。

9.一种探针卡的探针，其特征在于，包含有：

一本体，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面；

至少一导电层，各该导电层迭设于该悬臂梁的表面；

一针尖部，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；

各该导电层与该悬臂梁之间具有一介电层；以及

至少一电路，这些电路是设于该本体，各该电路电性连接于各该导电层，且可进一步地与外部电子组件电性连接。

10.一种探针卡的探针，其特征在于，包含有：

一本体，该本体具有一悬臂梁，该悬臂梁具有一表面；

至多层导电层，各该导电层迭设于该悬臂梁的表面；

一针尖部，该针尖部是设于其中一该导电层，且与该导电层相互电性连接；

该本体的各该导电层之间设有一与这些导电层绝缘的结构层；以及

至少一电路，这些电路是设于该本体，各该电路电性连接于各该导电层，且可进一步地与外部电子组件电性连接。

11.依权利要求10所述的探针，其特征在于，所述各该结构层为表面具有介电层的多晶硅材质。

12.依权利要求10所述的探针，其特征在于，所述各该导电层相互电性导通。

13.依权利要求10所述的探针，其特征在于，所述各该导电层相互之间不电性导通。

14.一种用以制造如权利要求1所述探针的制法，其特征在于，包含有下列步骤：

a.制备该本体；

b.于该本体设一介电层；

c.以电铸与研磨平坦化的方式将这些导电层设于该介电层；

d.以定义光阻、电铸、平坦化制程，于其中一该导电层制作出该针尖部；以及

e.以蚀刻制程加工该本体，通过以成形出位于这些导电层下方的该悬臂梁。

15.依权利要求14所述的制法，其特征在于，所述该针尖部是以蚀刻制程成形出所需的形状。

16.依权利要求14所述的制法，其特征在于，所述该针尖部是通过由微影制程成形出呈锥状的一开口，并以电铸方式成形所需的形状。

17.依权利要求14所述的制法，其特征在于，于该步骤c之后，可进一步以定义光阻、电铸与平坦化等方式于该悬臂梁设另一该导电层。

18.依权利要求14所述的制法，其特征在于，于该步骤c之后，可进一步以定义光阻、化学气相沉积薄膜、蚀刻、与平坦化方式于该悬臂梁设至少一结构层。

19.依权利要求14所述的制法，其特征在于，所述该本体的材质为多晶硅。

20.依权利要求18所述的制法，其特征在于，可与该步骤c反复循环施作，用以构成各该结构层与各该导电层相互层迭的结构。

21.依权利要求18所述的制法，其特征在于，当各该结构层为非绝缘材质时，可在各该结构层与各该导电层之间设一介电层。

22.一种用以制造如权利要求1所述探针的制法，其特征在于，包含有下列步骤：

a.制备一暂时基板；

b.于该暂时基板上蚀刻出一开口；

c.以微影、电铸与平坦化等制程在该暂时基板制作这些导电层及该针尖部；

d.制备该本体，再将该暂时基板的各该导电层与该本体相互接合，各该导电层与该本体之间具有一介电层；

e.移去该暂时基板；以及

f.以半导体蚀刻制程加工该本体，通过以成形出该悬臂梁。

23.依权利要求22所述的制法，其特征在于，所述该暂时基板为非导体材质，于电铸该暂时基板的前先于该暂时基板沉积一导电种子层。

24.依权利要求22所述的制法，其特征在于，于该步骤b之后可进一步铺设一牺牲层再接续该步骤c，当进行至该步骤e时，可利用蚀刻该牺牲层通过以移去该暂时基板。

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