CN100508371C - 功率放大器电路及其偏置电路及信号放大方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一个功率放大器电路,包含了一个第一放大级及第二放大级。所述第一放大级是利用一个提供可变性偏置电流的可控电流源而被偏倚。一个控制电路被提供以控制可变性偏置电流,依据电压供应和功率放大器电路的温度。所述控制信号依据介于第一和第二电位的电压供应变化而改变可变性偏置电流,而每一个电位供应足够的电位以操作功率放大器电路。
Description
技术领域
本发明涉及功率放大器电路的领域,尤其涉及控制放大级以形成一个功率放大器以达到预定的输出信号功率的范围。
背景技术
对许多应用程序而言,射频(RF)功率放大器(PAS)必须具备一个独立于功率放大器电路(PA)的电源电压和操作温度的输出信号功率。
在现有技术中,PA电路通常具备一个被提供以倾斜电源电压的第一单元,这用来在可控制的范围内控制第一单元的输出信号。不幸的是,吸纳有技术的一个缺点是,控制输出信号的振幅的精密控制并不容易达到。第一单元RF晶体管或多数晶体管的一个集电极发射极的饱和电压限制了第一单元的输出信号。在饱和状态,输出信号的振幅是难以准确预测。因此,这不能准确地提供完整的PA输出信号振幅。这形成了一个问题,当电源电压电位非常低时,PA放大级的饱和变化明显地改变了功率输出能力。因此,一个严密控制的PA输出信号电平并不容易达到。传统上,PA的最高输出信号功率是与电源电压或所承受的明显效率损失成比例。拥有这类因功率供应变化而改变的输出信号功率是不能被许多应用接受。
在手机和其他无线应用,基于电池功率是以特别宽的电源电压范围被提供到电路,因此,当手机电池是完全充电和明显放电时,PA电源电压会有相当大的差别。
因此,有必要提供一个操作时的电路以提供一个RF输出信号,并能与实际电源电压电位独立。因此,本发明的宗旨在于提供一个比先前发明更精确控制输出信号功率的一个输入阶段予集成PA。
发明内容
根据本发明提供的一种功率放大器电路,包含了:一个输入端口以接收RF输入信号;一个输出端口以提供RF输出信号;所述RF输出信号是RF输入信号的放大版本,一个电源电压输入端口以接收电源电压;一个设有一个输入端口以接收控制信号和一个输出端口以提供可变性偏置电流的可控电流源,所述可变性偏置电流以控制信号为基础;一个第一放大级具备一个第一可变性增益以接收RF输入信号及提供一个第一已放大RF信号,所述第一放大级耦合到可控电流源以接收可变性偏置电流及所述第一可变性增益以可变性偏置电流成比例而改变;一个第二放大级具有第二增益及耦合到第一放大级以接收第一已放大RF信号及耦合到所述输出端口以提供输出信号;以及一个控制电路以产生控制信号以提供到可控电流源,所述控制信号依据电源电压产生,对于拥有一个第一电位电源电压,提供至第一放大级的所述可变性偏置电流是小过拥有第二电位的电源电压提供至第一放大级的可变性偏置电流,所述第二电位低于第一电位。
本发明提供了一个电路以偏置一个功率放大器电路,包含了一个第一放大级及第二放大级,所述电路包含:电流源、电流源控制电路,所述电流源包括:一个电流源输入端口以接收控制信号,一个输出端口依据控制信号提供可变性偏置电流,所述电流源控制电路包含:一个电源电压输入端口以接收电源电压,一个控制信号输出端口耦合到电流源输入端口以提供控制信号至电流源,以及电流控制电路以感应在电源电压输入端口的电源电压电位以产生控制信号,而控制信号是用以造成可变性偏置电流的增加,与电源电压输入端口感应到的电源电压的降低,并造成第二放大级从线性运作模式转换成饱和运作模式。
本发明提供了一种放大RF输入信号以形成一个RF输出信号的方法,包括:感应电源电压电位;判断所感应的电源电压电位是高于第一预定电位,还是介于第一及第二预定电位之间,还是低于第二预定电位;以拥有第一可变性增益的第一放大级放大RF输入信号以形成第一已放大信号,第一可变性增益取决于所感应到的电源电压电位,以拥有第二增益的第二放大级来放大第一已放大信号以形成RF输出信号;调整提供到第一放大级的偏置电流以改变第一可变性增益,通过这样的方法;在第一预定电位,偏置电流被提供至第一放大级的偏置电流低于在第二预定电位被提供至第一放大级的偏置电流,较低偏置电流使第二放大级以线性运作模式操作、以及较高偏置电流使第二放大级以饱和运作模式操作。
附图说明
本发明的具体实施例将由以下附图加以说明,其中:
图1a显示按照本发明的第一具体实施例的一个功率放大器电路具有一个输入放大级和一个输出放大级;
图1b是图1a所示的放大器电路的操作流程示意图;
图2a显示根据本发明的第二具体实施例的控制电路,以控制一个可控电流源以提供偏置电流至第一放大级;
图2b显示根据本发明的第三具体实施例的控制电路,利用电荷泵和倾斜控制电路及第二乘法器电路以控制一个可控电流源以提供偏置电流至第一放大级;
图3a显示电源电压电位(Vcc)、感应信号(Isense),第一放大级的输出功率(Pout1),第二放大级的输出功率(Pout2)以及从如图2a或图2b显示的控制电路所提供的控制信号(Icontrol)的关系;
图3b是如图2b所示的控制电路应用在其使能信号使能端口的使能信号的波形;
图3c是如图2b所示的控制电路提供的延迟启动及延迟关闭控制信号;
图3d显示提供给可控电流源的用于控制第一放大级增益的可编程控制信号放大级;以及,
图4显示本发明的第四具体实施例,一个功率放大器电路依照两种不同的RF传输标准操作。
具体实施方式
图1显示根据本发明的第一具体实施例的一个功率放大器电路100,具有一个第一放大级101及一个第二放大级102。一个第一级间匹配电路103,安置在两个放大级101及102之间以匹配连接端口之间的电阻抗。第二放大级102的第一输出端口100c和第二输出端口100d分别提供第一及第二RF输出信号。所述第一放大级101是以第一晶体管111及第二晶体管112组成,而第一晶体管111的基极引出端作为一个第一输入端口100a及第二晶体管112的基极引出端作为一个第二输入端口100b。每个晶体管111及112是位于可控电流源104及相关电抗元件105a及105b之间。而第一及第二电抗元件105a及105b,是连接到第一及第二晶体管111及112的集电极引线以及第一电源电压输入端口100e之间。可控电流源104是安置在第二电源电压输入端口100f及两个晶体管111及112的发射极端子之间。根据本发明的第二及第三具体实施例,可控电流源104提供一个控制端口104a用于从控制电路200(图2a及图2b)的输出端口200c接收控制电流(Icontrol)。所述控制电路200是被安置在第一电源及第二电源的电压输入端口之间,并选择性地提供一个使能端口200e(图2b)用于使外部源(图中未示出)对控制电路200进行启动和停止。
本发明的关键是控制电路200(图2a)及控制电路220(图2b)及其使用在控制可控电流源104上。图2a显示控制电路200按照本发明的第二具体实施例。所述控制电路200由以下电路块组成,一个电源电压感应电路201,一个第一乘法器电路202,一个带隙电流参考电路203及一个电流求和电路204。
所述电源电压感应电路201设有一个第一输入端口,所述第一输入端口连接至第一电源电压输入端口100e,以感应第一电源电压的电位(Vcc);还设有第二输入端口,接有来自参考源(图中未显示)的参考电压。电源电压感应电路201的一个输出端口是用来提供感应信号(Isense)302(图3a中)至第一乘法器电路202(M1)的第一输入端口。优选地,第一乘法器电路202(M1)是吉尔伯特单元(gilbertcell)乘法器的形式。第一乘法器电路202(M1)还包括一个第二输入端口及一个输出端口。所述第二输入端口是用来接收第一参考电流If(θ),所述输出端口提供第一电流到电流求和电路204的第一输入端口。在电流求和电路204内,第二参考电流是与第一参考电流的一部分相加以形成一个总和电流并从一个输出端口输出。形成总和电流的一部分第一参考电流依据感应信号(Isense)302而定。在本发明的第二具体实施例,电流求和电路204的输出端口是直接连接到控制电路的输出端口200c。
所述带隙电流参考电路203是被安置以提供第一参考电流(If(θ))至第一乘法器电路202的第二输入端口,并提供一个第二参考电流if(θ)至电流求和电路204的第二输入端口。第一和第二参考电流是由带隙电流参考电路203提供并优选地以大约20%与绝对温度成比例(Proportion To Absolute Temperature,简称PTAT)的温度控制系数来控制温度。
如同图1b所示,图1a所示的放大器电路大概按照下列步骤操作。第一步骤,电源电压感应电路201进行电源电压的电位感应。一项判断被进行,以判断所感应电源电压电位是高于第一预定电位,还是介于第一和第二预定电位之间,或是低于第二预定电位。依据上述判断,RF输入信号是使用具有第一可变增益的第一放大级101放大,以形成第一已放大信号。所述第一可变增益是依据所感应的电源电压电位而定的。这第一已放大信号是会再进一步利用设有第二增益的第二放大级102放大以形成RF输出信号。在功率放大器电路100的操作过程中,当电源电压电位改变时,偏置电流提供至第一放大级101以改变第一可变增益,通过这样的方法,在第一预定电位,被提供至第一放大级101的偏置电流低于在第二预定电位被提供至第一放大级101的偏置电流,较低的偏置电流使第二放大级102以线性运作模式操作,较高偏置电流使第二放大级102以饱和运作模式操作。
图3a显示一个电源电压电位(Vcc)301从最大电压电位301a下降至最小电压电位301b,以及由此产生的信号功率级和电流级。电源电压电位下降可仿效电池电压下降。电源电压电位(Vcc)301包括两个中间电源电压电位,Vcc1及Vcc2。例如一个电池,在Vcc1以上,提供电源电压至功率放大器电路100是完全充电,并拥有大约超过2.5V的电位。介于Vcc1和Vcc2之间,电源电压的电位下降至大约2V。Vcc2以下,电源电压电位下降到大约低于为2V。
对于电源电压电位高过在Vcc1的电位,提供至第一乘法器电路202的感应信号(Isense)302是在最低级及造成最少部分的第一参考电流(If(θ))和第二参考电流(if(θ))在电流求和电路204内被相加以形成总和电流。从第一放大级101的输出功率(Pout1)是在最低级并造成第二放大级以第一模式操作,即线性运作模式。从第二放大级102的输出功率(Pout2)是显示在图3a中的303,它是充分地恒定直到电源电压达到Vcc2电位。
介于Vcc1和Vcc2之间,第一参考电流(If(θ))的可控制部分是先透过第一乘法器电路202传播再与第二参考电流(if(θ))求和。由于电源电压电位301从Vcc1下降至Vcc2,感应信号(Isense)302以幅度增加,第一参考电流(If(θ))的值,即用于和第二参考电流(if(θ))求和的,增加。结果,从第一放大级101的输出功率304(Pout1)因感应信号(Isense)302的增加而增加。这Pout1304的增加弥补了电源电压电位(Vcc)301的下降以维持第二放大级的输出功率303(Pout2)在充分恒定的功率级。由于Vcc1与Vcc2之间的电源电压下降,第二放大级102顺利地从第一运作模式转换成第二运作模式,而在Vcc2,第二放大级102只以第二运作模式操作。第二放大级102的第二运作模式是饱和式,由Pout1304处于最高造成。当电位持续下降,第二放大级102继续以饱和运作模式操作,虽然如此,由于电源电压电位(Vcc)301下降低于Vcc2的电位,从第二放大级102提供的输出功率303(Pout2)的强度下降。在电源电压电位(Vcc)301低于Vcc2的范围,输入和输出放大单元,101及102,运行至电源电压电位(Vcc)301是在功率放大器电路100不再工作的水平。
在功率放大器电路100的运行过程,第二放大级102通常不会运行在完全A级'的适应性,但当从它的电流源(未示出)偏置时,并优选提供偏置电流至与绝对温度成比例(PTAT)时,第二放大级102运行到提供一个接近固定功率。提供感应信号(Isense)302至可控电流源104,一个相应的偏置电流被提供至晶体管,Q1111及Q2112这有利地允许一个接近固定输出功率将从功率放大器电路100超越温度、过程及电源电压电位(Vcc)的变化被提供。超越提供至第一及第二输入端口,100a及100b的第一及第二输入信号的输入电压的范围,第一和第二晶体管,Q1111及Q2112是完全地被输入信号开关。结果,从第一放大级101传播的第一及第二输出信号是独立于第一和第二输入信号级。
图2b显示按照本发明的第三具体实施例的控制电路220。所述控制电路220包括控制电路200的电路,还包括一个第二乘法器电路205,一个充电泵及倾斜控制电路206和一个集成电容器207。第二乘法器电路205设有一个第一输入端口,一个第二输入端口及一个输出端口。优选地,第二乘法器电路205是一个模拟乘法器电路,最好是吉尔伯特单元(gilbertcell)乘法器。总和电流是从电流求和电路204的输出端口提供至第二乘法器电路205的第一输入端口。第二乘法器电路M2的输出端口是直接连接到控制电路的输出端口200c。一个来自第二乘法器电路205的输出信号作为控制信号(Icontrol)是被提供至可控电流源104的控制端口104a以用来偏置晶体管Q1111和Q2112(图1)。提供至可控电流源104的控制信号(Icontrol)是直接与从电源电压感应电路201提供至第一乘法器电路202(M1)的第一输入端口的感应信号(Isense)成比例。充电泵及倾斜控制电路206通过使能端口200e从一外来源(未显示)接收到使能信号及从连接到第二乘法器电路(M2)205的第二输入端口的输出端口产生一个倾斜信号。集成电容器207的电容量决定了倾斜信号的特性。控制电路220是选择性地用来代替在功率放大器电路100里的控制电路200(图1)。
如图3b、3c显示,所述控制电路220提供了一个延迟启动及延迟关闭控制信号,响应于使能信号,应用在使能端口200e。在t1时刻,使能信号经历从低(LO)逻辑转换成高(HI)逻辑的第一转换。这第一转换造成控制信号(Icontrol)经历一段延迟从第一信号电平上升至第二信号电平,而第二信号电平在一个t1+Δ的上升时间获得了。一旦使能信号在t2时刻经历从HI逻辑第二次转换至LO逻辑,控制信号经历一段延迟从第二信号电平下降至第一信号电平,拥有一个介于t2及t2+Δ时间的下降时间。两个上升时间和下降时间的倾斜时间(Δ),是取决于集成电容器207。选择性地,刻意不匹配组成第二乘法器电路205的晶体管特性,一种普通的线性关系被扭曲,以至开始启动倾斜301及结束关闭倾斜302会较为缓慢。
例如,对于高于Vcc1的电源电压电位,大约40mA是从可控电流源104被提供至晶管体Q1111及Q2112的发射极端子。在较低电源电压电位Vcc2,大约80mA的电流是从可控电流源104被提供到至晶管体Q1111及Q2112的发射极端子。
至于提供至电源电压输入端口的恒定电源电压,晶体管Q1及Q2的优选小的正温度系数,例如20%PTAT。在这种情况下。第一放大级101的输出功率(Pout1)大约超越温度恒定。第一放大级101的温度系数以温度弥补了第二放大级102的表现差异。
第一放大级的电流控制是用来准确控制从第一放大级101提供至第二放大级102的输出功率(Pout2)范围的第一放大级101的输出功率(Pout1)。另外,以预先决定第二放大级102的特性,一阶修正是可执行在第一放大级101以纠正在第二放大级102对电源电压和温度变化的改变。这种控制程度是不可能以第一放大级101的有限电压以及允许功率放大器电路100非常接近至例常最高输出信号功率运行,从而提高了功率放大器电路的传输范围当使用在无线发送器等符合DECT或2.4GHzDSSS。
图4显示了本发明的第四具体实施例,功率放大器电路400以两种不同RF传输标准操作。与图1中相同号码指定的电路部件相同,包括类似电路及进行类似功能。除了图1的电路之外,图4包含一个开关电路401,一个第二级间匹配电路403及第三放大级402。从第一放大级101提供的第一和第二输出信号是以开关电路401接收。依据功率放大器电路400的一个操作标准,第二放大级101或者第三放大级是可切换式连接到第一放大级以从一对晶管体Q1111及Q2112接收输出信号。举例说明,第二放大级102是以GSM标准适应性操作以及第三放大级是适应性以CDMA标准操作。依据功率放大器电路400将使用的标准,开关电路可切换式选择适当放大级。第二级间匹配电路403促进第三放大级的输入信号第一放大级101和输出信号的匹配。另外,本发明的第四具体实施例的控制电路200的操作是类似本发明第一具体实施例的控制电路的操作。
提供一个集成功率放大器电路100输入放大级101的一个可控制输出信号功率达到控制从功率放大器电路输出端口100c及100d发射的输出信号。选择性的,所述控制电路220提供一个可编程控制信号(Icontrol)(图3d)至可控电流源104。可控电流源104的可编程控制有利的提供Pout1的倾斜性在可控制的形式以产生低频率。更有利的,第二放大级102对电源电压和温度波动的变化也降低。这改善功率放大器电路的豁免对电源电压和温度波动达到当电源电压电位低及第二放大级102以饱和运作模式运行。此外,不考虑RF输入信号功率的功率放大器电路输出信号功率设定也是利用此可编程能力达成。选择性的,一个查找表(lookuptable,简称LUT)是安置在控制电路220内以提供可编程式控制信号。
有利的,本发明的内容体现了按照严格的规定设计功率放大器电路,同时还允许功率放大器电路到达饱和式操作。功率放大器电路在低电源电压电位,功率放大器电路效率也有利地维持。
在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可设想许多其他实施例。
Claims (32)
1.一种功率放大器电路包含:
一个输入端口以接收RF输入信号;
一个输出端口以提供RF输出信号,所述RF输出信号是RF输入信号的放大版本;
一个电源电压输入端口以接收电源电压;
一个可控电流源,并设有一个输入端口以接收控制信号及输出端口以提供一个可变性偏置电流,所述可变性偏置电流以控制信号为基础;
一个拥有第一可变增益的第一放大级以接收RF输入信号和提供一个第一已放大RF信号,所述第一放大级耦合到可控电流源以接收可变性偏置电流及所述第一可变增益是与可变性偏置电流成比例改变;
一个拥有第二增益的第二放大级,其耦合到第一放大级以接收第一已放大RF信号,第二放大级还耦合到输出端口以提供输出信号;
一个控制电路以产生控制信号提供至可控电流源,所述控制信号依据电源电压产生,而对于拥有第一电位的电源电压,提供至第一放大级的可变性偏置电流是小于拥有第二电位的电源电压提供至第一放大级的可变性偏置电流,所述第二电位低于第一电位。
2.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:在第一电位,第二放大级是以一个线性运作模式操作;以及在第二电位,第二放大级是以饱和运作模式操作。
3.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:控制电路包括一个电源电压感应电路,所述电源电压感应电路具有一个第一输入端口以感应电源电压的电位,一个第二输入端口以接收参考电压,并具有一个输出端口以提供一个感应信号,而其中可变性偏置电流是与感应信号成比例而改变。
4.根据权利要求3所述的功率放大器电路,其特征是:包含一个第一乘法器电路,所述第一乘法器电路包含至少一个连接到电源电压感应电路的第一输入端口以接收感应信号,一个第二输入端口以接收第一参考电流及拥有一个输出端口以提供第一电流。
5.根据权利要求4所述的功率放大器电路,其特征是:包含了一个带隙电流参考电路,所述带隙电流参考电路拥有一个连接到第一乘法器电路的第一输出端口以提供第一参考电流及第二输出端口以提供一个第二参考电流。
6.根据权利要求5所述的功率放大器电路,其特征是:包含电流求和电路,所述电流求和电路具有连接到第一乘法器电路的第一输入端口以接收第一乘法器电路的输出电流,一个连接到带隙电流参考电路的第二输入端口以接收第二参考电流及一个输出端口以提供一个总和电流,所述总和电流具有与感应信号成比例的一部分的第一电流。
7.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:包含了一个第一级间匹配电路,所述第一级间匹配电路安置在第一放大级及第二放大级之间,以提供阻抗匹配。
8.根据权利要求1所述的功率放大器电路,包括:
一个第一级间匹配电路,其具有耦合到第二放大级输入端口的输出端口;以及,
一个开关电路,其具有耦合到第一放大级的输出端口的输入端口和耦合到第一级间匹配电路的输入端口的第一套输出端口,其中第一级间匹配电路是为了提供阻抗匹配在第一放大级,开关电路及第二放大级之间。
9.根据权利要求8所述的功率放大器电路,包括:
一个第三放大级,其具有输入端口、及输出端口以提供一个已放大的RF输入信号;以及
一个第二级间匹配电路,其具有输出端口耦合到第三放大级输入端口、及具有输入端口耦合到开关电路的第二套输出端口,而第二级间匹配电路提供阻抗匹配在第一放大级,开关电路及第三放大级之间。
10.根据权利要求9所述的功率放大器电路,其特征是:所述开关电路是可控制交替开关以提供第一已放大RF信号至第二放大级和第三放大级中的一个。
11.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:所述控制电路包含一个倾斜电路,所述倾斜电路产生倾斜信号,控制信号依赖所述倾斜信号产生。
12.根据权利要求11所述的功率放大器电路,其特征是:控制电路包含一个集成电容器,所述集成电容器是与倾斜电路一起操作以决定倾斜信号的坡度。
13.根据权利要求12所述的功率放大器电路,其特征是:控制电路包含一个使能端口,所述使能端口接收一个使能信号以触发倾斜电路产生倾斜信号,当接收到了使能信号的第一个转变,所述倾斜信号在上升时间从第一电压电平上升至第二电压电平。
14.根据权利要求12所述的功率放大器电路,其特征是:所述控制电路包含一个使能端口,此使能端口接收一个使能信号以触发倾斜电路以产生倾斜信号,当接收到了使能信号的第二个转变,所述倾斜信号在下降时间从第二电压电平下降至第一电压电平。
15.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:所述功率放大器电路包含一个温度感应电路,用于感应功率放大器电路形成时模具的温度。
16.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征是:功率放大器电路是用于无线通讯应用。
17.一个电路以偏置一个功率放大器电路,包含了第一放大级及第二放大级,所述电路包括:
一个电流源包括:
一个电流源输入端口以接收控制信号,以及
一个输出端口依据控制信号提供可变性偏置电流
一个电流源控制电路包括:
一个电源电压输入端口以接收电源电压,
一个耦合到电流源输入端口的控制信号输出端口以提供控制信号至电流源,以及
电流控制电路以感应电源电压输入端口的电源电压电位并产生控制信号,所述控制信号是用以造成可变性偏置电流的增加与在电源电压输入端口感应到的电源电压的下降,并造成第二放大级从线性运作模式转换成饱和运作模式操作。
18.根据权利要求17所述的电流源控制电路,其特征是:包含一个电源电压感应电路,其具有一个第一输入端口以感应电源电压的电位,一个第二输入端口以接收参考电压和具有一个输出端口以提供一个感应信号。
19.根据权利要求18所述的电流源控制电路,其特征是:包含一个第一乘法器电路,其具有至少一个连接到电源电压感应电路的输入端口以接收感应信号,一个第二输入端口以接收第一参考电流及具有一个输出端口以提供第一电流。
20.根据权利要求19所述的电流源控制电路,其特征是:第一乘法器电路包含吉尔伯特单元乘法器电路。
21.根据权利要求19所述的电流源控制电路,其特征是:包含一个带隙电流参考电路,其具有一个连接到第一乘法器电路的第一输出端口以提供第一参考电流及第二输出端口以提供第二参考电流。
22.根据权利要求21所述的电流源控制电路,其特征是:包含一个电流求和电路,其具有一个连接到第一乘法器电路的第一输入端口以接收第一乘法器电路输出电流,一个连接到带隙电流参考电路的第二输入端口以接收第二参考电流以及一个输出端口以提供一个总和电流,所述总和电流具有依据感应信号的一部分的第一电流。
23.根据权利要求22所述的电流源控制电路,包含:
一个第二乘法器电路,其包含了一个连接到电流求和电路的输出端口的第一输入端口以接收总和电流,一个第二输入端口以接收倾斜信号及一个连接到控制信号输出端口的输出端口以提供控制信号至电流源。
24.根据权利要求23所述的电流源控制电路,包含:
一个集成电容器;以及
一个充电泵和
倾斜控制电路,其包含一个使能端口以接收一个使能信号,一个第一输入端口以连接到所述集成电容器及一个输出端口以提供倾斜信号至第二乘法器电路。
25.根据权利要求24所述的电流源控制电路,其特征是:所述倾斜信号包含了一个上升时间和一个下降时间,而所述上升时间及下降时间是取决于所述集成电容器的电容量。
26.一种放大RF输入信号以形成RF输出信号的方法包括:
感应电源电压电位;
判断所感应电源电压电位是高于第一预定电位,还是在第一和第二预定电位之间还是低于第二预定电位;
以具有第一可变增益的第一放大级来放大RF输入信号以形成第一已放大信号,所述第一可变增益取决于所感应电源电压电位;
以具有第二增益的第二放大级放大第一已放大信号以形成RF输出信号;
调整提供至第一放大级的偏置电流以改变第一可变增益,通过这样的方法,在第一预定电位,被提供至第一放大级的偏置电流低于在第二预定电位被提供至第一放大级的偏置电流,较低偏置电流使第二放大级以线性运作模式操作、较高偏置电流使第二放大级以饱和运作模式操作。
27.根据权利要求26所述的方法,其特征是:在第一和第二预定电位之间,提供至第一放大级的偏置电流因电源电压电位的下降而上升。
28.根据权利要求26所述的方法,其特征是:包含依据电源电压的变化通过调整提供至第一放大级的偏置电流以弥补第二放大级的第二增益的变化。
29.根据权利要求26所述的方法,其特征是:弥补温度变化是通过偏置电流对于温度变化的自然变动达成。
30.根据权利要求27所述的方法,其特征是:提供至第一放大级的偏置电流又与绝对温度成比例。
31.根据权利要求26所述的方法,其特征是:在第一预定电位及第二预定电位之间,提供至第一放大级的偏置电流的增加,偏置电流的增加造成第二放大级的操作模式顺利地从线性运作模式转换成饱和运作模式。
32.根据权利要求31所述的方法,其特征是:当偏置电流增加时,第二放大级的第二增益是充分的恒定。.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US10/695,767 | 2003-10-30 |
Publications (2)
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CN1875541A CN1875541A (zh) | 2006-12-06 |
CN100508371C true CN100508371C (zh) | 2009-07-01 |
Family
ID=34550004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (6)
Country | Link |
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US (1) | US6903608B2 (zh) |
EP (1) | EP1683268B1 (zh) |
CN (1) | CN100508371C (zh) |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |