CN100488042C - 制造压电谐振器的方法 - Google Patents

Abstract

一种制造压电谐振器的方法，包括如下步骤：在压电基板的正、反面上包含振动电极的区域D1中形成比振动电极大的第一电极；测量包含第一电极的谐振器的谐振频率fr₁。根据所测量的谐振频率确定频率测量所需的金属薄膜厚度。接着，在至少包含压电基板的振动电极的区域D2中形成由具有确定厚度的金属薄膜形成的第二电极。除去第一和第二电极的多余部分，形成最终振动电极的图样。从而，无需复杂的定位，就能实行高精确度的频率调整。

Description

制造压电谐振器的方法

技术领域

本发明涉及制造压电谐振器的方法，所述压电谐振器中的振动电极位于压电基板的两个表面上，并且压电振动限制在振动电极之间，具体地说，本发明涉及一种调整压电谐振器频率的方法。

背景技术

近年来，在比如振荡器和滤波器中所使用的压电谐振器领域中，对精确调整频率的需求与日俱增。以前，是将墨水涂在电极上，通过电极的惯性负载而调整频率。然而，在这种方法中，所用墨水的量变化很大，而且频率密集度很低，因此不能精确地调整频率。

为了解决这个问题，日本未审专利申请公开No.5-29864公开了一种频率调整方法，其中，在压电基板的两个表面上形成振动电极，并且通过干法工艺在每个振动电极上形成预定厚度的金属膜，如金属薄膜。

具体地说，在压电基板上形成具有所需最终结构的振动电极。接着，将防蚀涂层墨水涂到压电基板上除去形成振动电极的部分之外的整个表面，并通过蒸镀或溅射，将金属材料附着在振动电极上。随后，去掉防蚀涂层墨水。除了使用防蚀涂层墨水外，压电基板上除形成振动电极的部分之外的整个部分还可以覆盖一层金属掩膜，并且，通过蒸镀或溅射，使金属材料附着在振动电极上。

日本未审专利申请公开No.6-224677的公开了以下的技术。在压电基板的每个表面上都形成有金属膜，并使最终的压电基板极化。随后测量频率，并形成蒸镀膜，直到达到目标频率，然后绘制电极结构。

在由干法工艺于振动电极上形成金属膜的方法中，比如日本未审专利申请公开No.5-29864的中，可以精确地控制薄膜的厚度，从而能在±0.1％的增量/减量的极小范围内精确地调整谐振器频率。

在这种方法中，必须只在振动电极上覆盖金属膜。但在使用防蚀涂层墨水或金属掩膜的方法中，很难精确地将防蚀涂层或金属掩膜定位在振动电极上，从而很难进行频率调整。特别是近来，随着压电谐振器尺寸的缩小，振动电极的结构随之变得更精细。在这样的情况下，防蚀墨水或金属掩膜的微小偏差都会对调整的精确度有显著的影响。

图13A和13B显示的情况中，通过公知的方法在压电基板62的振动电极60上形成金属薄膜61。具体地说，图13A显示的情况是在振动电极60上精确地形成金属薄膜61，而图13B显示的情况是在振动电极60和金属薄膜61之间存在偏移δ。

如图13A所示，如果在振动电极60上精确地形成金属薄膜61，则所得的振动电极的厚度是均一的。相反，如图13B所示，如果在振动电极60和金属薄膜61之间存在偏移δ，则所得的振动电极具有较厚的部分和较薄的部分，即最终振动电极的厚度是不均匀的，从而很难将频率调整到目标频率。

在日本未审专利申请公开No.6-224677中，由于是在压电基板的整个表面上实现电极的薄膜的首次成形，所以其中公开的调整方法会出现以下的问题。

一个问题是，当测量频率时，压电振动的限制会变得很不充分，这样就会产生寄生信号响应，从而很难精确地测量频率。

另一个问题是，由于形成薄膜的区域很大，因此如果通过溅射实现薄膜沉积，则压电基板的温度会变得较高，从而加剧了去极化作用。换句话说，可能会使压电基板去极化。

发明内容

为了克服上述问题，本发明的优选实施例提供一种制造具有非常小的振动电极的压电谐振器的方法，该方法能精确地调整频率而无需进行复杂的定位操作。

此外，本发明的优选实施例还提供一种制造压电谐振器的方法，该方法在频率测量期间通过抑制寄生信号响应而增加频率测量的精确度，并能防止压电基板的去极化作用。

为了取得以上所述的优点，本发明的优选实施例提供一种制造压电谐振器的方法，所述压电谐振器中的压电基板两个表面上形成振动电极，使振动电极彼此相对，并将压电振动被限制(trap)在振动电极之间，所述方法包括如下步骤：在压电基板每个表面上至少包含振动电极的区域中形成第一电极，以使至少在一个表面上的第一电极部分地形成在压电基板的表面上，以限制所述压电振动；测量包含第一电极的谐振器的频率；根据所测量的频率确定用于频率调整所需的金属膜厚度；至少在压电基板的一个表面上的至少包含振动电极的区域中形成由具有确定厚度的金属膜所形成的第二电极，使第二电极覆盖在第一电极上；以及除去第一电极和第二电极的多余部分，使在压电基板两个表面上的振动电极彼此相对，以便使得其上形成有第二电极的压电基板表面上的整个振动电极成为第一电极和第二电极的层叠结构。

在本发明的优选实施例中，代替预先在压电基板上形成具有最终结构的振动电极，在压电基板上比最终的振动电极宽的区域中形成第一电极。至少在一个表面上的第一电极部分地形成在压电基板的表面，以限制所述压电振动。

接着，测量包含第一电极的谐振器的频率，如谐振频率或反谐振频率，或者相位。根据所测量的频率或相位，确定频率调整所需的金属膜厚度，并在压电基板上至少包含振动电极的区域中形成由具有确定厚度的金属膜构成的第二电极。即第二电极覆盖在第一电极上。在这种情况下，没有必要让第一电极和第二电极具有相同的结构，而且只要它们形成在比最终的振动电极宽的区域中，它们就能彼此相对地精确定位。

随后，通过除去第一和第二电极多余的部分，就能形成振动电极的形状。在形成第一和第二电极后成型的整个振动电极为第一电极和第二电极的层叠结构。所述振动电极具有预定的厚度。此外，与图13B所示的情况不同，第一和第二电极之间没有偏移。可以通过公知的工艺，如蚀刻法实现振动电极的成形。在形成振动电极图样当中，与传统方法一样，除了将金属膜精确地定位在预先已经形成的振动电极上外，可以通过除去在大面积区域中所形成的第一和第二电极的多余部分而形成所述振动电极图样，从而能够简单地形成具有高精度的最终振动电极。由于除去彼此层叠的第一和第二电极的多余部分，最终的振动电极就没有较厚的部分和较薄的部分，即振动电极的厚度是均一的，并能将频率调整到目标频率。

在压电基板两个表面上，并不需要将第二电极形成每个第一电极上，可在压电基板一个表面上将第二电极形成第一电极上。在这种情况下，一个表面上的振动电极是第一和第二电极的层叠结构，而另一个表面上的振动电极仅由第一电极形成。

如果正、反两个表面的第一电极都完全覆盖了压电基板的表面，则就会产生寄生信号响应，从而很难精确地进行频率调整。相反，在本发明的优选实施例中，至少一个表面上的第一电极部分地形成在压电基板的表面，以限制压电振动，因此在抑制寄生信号响应的同时能精确地执行频率测量。

由于至少在压电基板的一个表面上的第一电极仅仅部分地形成在表面上，因此当通过例如溅射工艺形成第一电极时，就能抑制压电基板温度的升高，从而防止由于去极化作用而产生的特性变差。

在本发明的优选实施例中，测量包含具有与最终振动电极不同构造之第一电极的谐振器的频率，然后，根据所测量的频率确定要调整的金属膜厚度。为了实现这一步，在包含第一电极的谐振器的频率与包含最终振动电极的谐振器频率之间，必须具有高度的相关性。

在以上所述的方法中，测量包含第一电极的谐振器频率所用振动模式可以与测量包含最终振动电极的谐振器频率所用振动模式相同。依照这种结构，谐振器频率之间的相关性是很高的，从而能实现精确的频率调整。

所述振动模式优选地可以包括厚度切变(thickness-shear)振动模式，厚度纵变(thickness-longitudinal)振动模式，以及其他适宜的模式。

在以上所述的方法中，第一电极可以包括下层和上层，所述下层由与压电基板高度结合的金属膜形成，所述上层层叠在下层上，并由比下层具有更高传导性的金属膜形成。

第一电极的下层与压电基板高度结合，从而在形成第二电极期间，或者在成形期间，能避免第一电极与压电基板分离。可由比如Ni-Cu合金层等金属层形成所述下层。

由于第一电极的上层具有高传导性，因此当第一电极用作端子电极时，可以与外部电路建立良好的连接。可由比如Ag层等金属层形成所述上层。如果通过焊接使第一电极连接到外部终端，则第一电极的上层优选地选用具有高可湿性的金属层。

可以由与第一电极的上层相同类型的金属构成第二电极。具体地说，可将具有高传导性的金属层用于第一电极的上层，也可以在第一电极的上层上形成具有高传导性的金属层。这样，在第一和第二电极之间的结合度就变得更高，从而能形成具有高强度的电极结构。

第一电极和第二电极实质上可以具有相同的结构，在这种情况下，第一和第二电极可以使用相同的溅射掩膜，从而降低制造成本。

第二电极可以形成如下的结构，其中第一电极关于压电基板的两个表面反向，并且第一电极和第二电极实质上覆盖压电基板的整个表面。

在这种情况下，也能使用相同的溅射掩膜。通过同时形成第二电极，能够在压电基板的表面上部分地形成第一电极，并且在压电基板的大面积区域内形成各电极。因此，能够在频率测量期间限制振动的同时，抑制由溅射所引起的温度升高，还能实现沉积电极的高度灵活性。即可在压电基板所需的位置形成除振动电极外的各个电极。

根据本发明的优选实施例，第一电极形成的区域中限制压电振动，并且这一区域比压电基板表面上的最终的振动电极宽。根据包含第一电极的谐振器的频率确定频率调整所需的金属膜厚度。随后，在至少包含振动电极的区域中形成由具有所确定的厚度的金属膜形成的第二电极。继而，通过除去第一和第二电极的多余部分，就能形成最终的振动电极的图样。这样，就不必只能选择在振动电极上形成用于频率调整的金属膜，相反地，能在振动电极的整个区域中形成具有能精确调整之厚度的电极。因此，能提高频率调整的精确度。

至少一个表面上的第一电极部分地形成在压电基板的表面上，以限制所述压电振动，因此，在抑制寄生信号响应的同时能精确地实现频率测量。此外，还能在第一电极溅射期间抑制压电基板温度的上升，从而防止因去极化作用所引起的特性变差。

从以下结合附图对本发明优选实施例的描述，将使本发明其他特征、要素、步骤、特性以及优点变得更清楚。

附图说明

图1A和1B分别是本发明第一优选实施例制造流程第一阶段中的谐振器平面图和侧视图；

图2示出用于测量图1A和1B所示谐振器频率的方法；

图3A和3B分别是通过在图1A和1B所示的谐振器上形成第二电极所得第二阶段中谐振器的平面图和侧视图；

图4A和4B分别是通过在图3A和3B所示的谐振器中形成图样所得第三阶段中谐振器的平面图和侧视图；

图5A和5B分别是本发明第二优选实施例制造流程第一阶段中的谐振器平面图和侧视图；

图6表示用于测量图5A和5B所示谐振器频率的方法；

图7A和7B分别是通过在图5A和5B所示谐振器上形成第二电极所得第二阶段中谐振器的平面图和侧视图；

图8A，8B和8C分别是通过在图7A和7B所示谐振器中形成图样所得第三阶段中谐振器的平面图、仰视图和侧视图；

图9A和9B分别是本发明第三优选实施例制造流程第一阶段中的谐振器平面图和侧视图；

图10表示用于测量图9A和9B所示谐振器频率的方法；

图11是表示通过在图9A和9B所示谐振器上形成第二电极所得的第二阶段中谐振器的侧视图；

图12A，12B，和12C分别是在通过在图11所示谐振器上形成图样所得第三阶段中谐振器的平面图、仰视图和侧视图；

图13A和13B是表示根据公知方法在振动电极上形成金属薄膜情况的截面图。

具体实施方式

以下通过结合附图对优选实施例的描述，详细说明本发明。

第一优选实施例

图1A至4B示出本发明第一优选实施例压电谐振器的制造流程。这一优选实施例的压电谐振器是双端子谐振器。

图1A和1B中示出处于制造流程第一阶段的谐振器A。谐振器A包括矩形压电基板1，以及分别形成在压电基板1的正、反面的第一电极2和3。谐振器A优选地为能量限制(energy-trap)型厚度切变振动模式的谐振器，并在压电基板1的正、反表面上按平行的方向实行极化。第一电极2的一端和第一电极3的一端在近似压电基板1的中心处彼此相对，它们的另一端被引到不同的终端。第一电极2和3相对的部分D1具有比最终振动电极要大的面积。在相对部分D1中能够激发所限制的厚度切变振动模式的振动。第一电极2和3优选地分别具有上层2b和下层2a以及上层3b和下层3a的双层结构。下层2a和3a优选地都由与压电基板1高度结合的金属层，如Ni-Cu合金层形成，而上层2b和3b优选地都由具有高传导性和可湿性的金属层，如Ag层形成。通过比如溅射或蒸镀等干法工艺，或者比如电镀的湿法工艺形成这些金属层。

虽然在本优选实施例中，第一电极2和3优选地形成为带状的局部电极，但只要将它布置在包含振动电极的区域中，也可以按别的结构形式形成它们。因此，也可以在压电基板1的整个表面上形成第一电极2和3中之一。

图2示出将检测工具4连接到在谐振器A正、反表面上的第一电极2和3，在第一阶段中测量谐振器A的谐振频率fr₁的步骤。除了测量谐振频率f外，还可以测量比如反谐振频率fa或相位等其他谐振特性。

图3A和图3B示出制造流程的第二阶段中的谐振器B。在谐振器B中，由金属膜制成的第二电极5和6分别形成在第一阶段中的谐振器A的区域D2中，所述区域D2比最终的振动电极宽。通过比如溅射或蒸镀等干法工艺形成第二电极5和6。优选地是采用溅射工艺，因为它能易于控制薄膜的厚度。根据有如图2所示那样测量的谐振频率fr₁确定第二电极5和6的厚度。作为举例的方式，可用以下的关系式确定第二电极5和6的厚度：

[谐振器A的谐振频率]—[谐振器C的谐振频率]＝α×[第二电极的厚度]+β其中，α和β表示取决于压电材料，电极结构等的不同的常数。

图3A和3B中，形成第二电极5和6的区域D2实质上与第一电极2和3的相对部分D1相同。但区域D2可以比相对部分D1更宽或更窄，只要它比最终的振动电极宽就行。此外，第二电极5和6可以与第一电极2和3具有相同的结构，在这种情况中，第一电极2和3以及第二电极5和6能使用相同的溅射掩膜。

在本优选实施例中，第二电极5和6优选地具有单层结构，并且优选地它们可以由与第一电极2和3的上层2b和3b相同类型的金属(如Ag)形成。

在图3A和3B中，第一电极2和3中每一个的一端分别与第二电极5和6中每一个的一端对齐。但总地来说，在第一电极和第二电极之间存在偏移，如图13B所示。当第一电极2和3为多层结构时，如图1A和图1B所示，由于第一电极2和3以及第二电极5和6由一个掩膜操作而形成，因此不会发生偏移。

图4A和4B示出第三阶段(即最后阶段)中的谐振器C。在谐振器C中，由比如蚀刻等公知工艺除去第二阶段中谐振器B的第一电极2和3及第二电极5和6的多余部分形成振动电极7和8的图样。在这种情况下，整个振动电极7和8优选地具有第一和第二电极的层叠结构。与振动电极7和8的形成类似，分别以窄幅的引出电极9和10连接到振动电极7和8的端子电极11和12，它们之间被形成于压电基板1的正、反表面的边缘处。形成振动电极7和8的区域D3被包含在第一阶段的区域D1和第二阶段的区域D2中。

谐振器C的振动电极7和8的厚度与第一电极2和第二电极5或第一电极3和第二电极6的层叠结构厚度相等。通过在第二阶段中所形成的第二电极5和6的额外厚度，使谐振器C的谐振频率fr₂调整到接近于目标频率。

在形成振动电极7和8的图样的过程中，除了精确地将金属薄膜定位在预先已经形成的振动电极上外，与传统做法一样，通过除去在较宽区域上形成的第一电极2和3以及第二电极5和6的多余部分，形成振动电极7和8的形状。因此，能够容易地以高精确度形成振动电极7和8。相应地，振动电极7和8的较厚部分和较薄部分不受限制，即振动电极7和8的厚度是均一的，从而能够以高精确度将频率调整到目标频率。

第二优选实施例

图5A到8C示出本发明第二优选实施例压电谐振器的制造流程。本优选实施例的压电基板优选为三端子滤波器。图5A、5B和6分别与图1A、1B和2类似，图5A、5B和6中用相同的参考数字表示与图1A、1B和2相同的元件，从而省略对它们的解释。

图7A和7B表述第二阶段中的谐振器B1。在谐振器B1的正面上，从第一阶段谐振器A的相对部分D1到与形成第一电极2的侧面相对的压电基板1的端部形成第二电极20。在谐振器B1的反面上，从第一阶段谐振器A的相对部分D1到与形成第一电极3的侧面相对的压电基板1的端部形成第二电极21。也就是说，整个谐振器B1的正面都覆盖有第一电极2和第二电极20，而谐振器B1的整个反面都覆盖有第一电极3和第二电极21。优选地是，也可以通过比如溅射或蒸镀等干法工艺用金属薄膜形成第二电极20和21。如在第一电极2和3中一样，优选地是，本优选实施例的第二电极20和21分别是由比如Ag层的上层20b和21b，以及比如Ni-Cu合金层的下层所形成的双层结构。

如图6所示，由所测量的谐振频率fr₁确定第二电极20和21的厚度。在本优选实施例中，第二电极20和21的结构是通过分别将第一电极2和3反向(颠倒)所得。即通过反向掩膜，可以将用来形成第一电极2和3的溅射掩膜也用于形成第二电极20和21。

在图7A和7B中，第二电极20和第一电极2之间或者第二电极21和第一电极3之间的重叠部分D4与第一电极2和3(图5A和5B)的相对部分D1相等。不过，重叠部分D4可以比相对部分D1更宽些或者更窄些，只要比形成最终振动电极的区域D5宽即可。

图8A、8B和8C示出第三阶段，即最终阶段的谐振器C1。通过采用公知的工艺，如蚀刻，除去第二阶段中谐振器B1的第一电极2和3以及第二电极20和21的多余部分，形成振动电极22、23和24的图样，从而得到谐振器C1。压电基板1正面上的振动电极22和23是通过产生极小缝隙所形成的窄幅电极，而压电基板1反面上的振动电极24是面向振动电极22和23的宽幅电极。形成振动电极22、23、24的区域D5分别比第一和第二阶段中的相对部分D1和重叠部分D4都要小。在形成振动电极22、23、24的同时，在压电基板1的正面形成通过窄幅引出电极25和26分别连接到振动电极22和23的端子电极28和29，而在压电基板1的反面形成通过窄幅引出电极27连接到振动电极24的端子电极30。

使用端子电极28和29作为输入/输出端而将端子电极30作为接地端，可将谐振器C1用作滤波器。

优选地是使谐振器C1的振动电极22、23、24的厚度与谐振器B1的第一电极2和第二电极20或者第一电极3和第二电极21的层叠结构厚度相同。利用第二阶段形成之第二电极20和21的额外厚度，可将谐振器C1的谐振频率fr₃调整到接近目标频率。

按照本实施例，第一阶段中的谐振器A与最终阶段中的谐振器C1之间结构上并无相似性。不过，谐振器A和C1都采用能量限制(energy-trap)型厚度切变振动模式，而且，谐振器A和谐振器C1之间的谐振频率存在高度的相关性，因此，能根据谐振器A的谐振频率fr₁确定第二电极20和21的厚度。在第一阶段中通过控制其厚度的同时，在谐振器A中形成由金属薄膜构成的第二电极20和21，能够精确地将频率调整到目标频率。

第三优选实施例

图9A到12C表述本发明第三优选实施例压电谐振器的制造流程。优选地是，所述压电谐振器为两级双模式滤波器，由在一个压电基板上形成两个三端子滤波器所形成。

图9A和图9B示出第一阶段中的谐振器A2。谐振器A2包括矩形的压电基板31，并在压电基板1的正、反表面上，按平行的方向进行极化。在接近压电基板31正面的中心位置处形成第一电极32，而在压电基板31反面的两端处形成第一电极33和34。在压电基板31的两个位置处，正面上的第一电极32与反面上的第一电极33和34相对。第一电极32和第二电极33或34之间的相对部分D6比最终的振动电极大，并在相对部分D6中激发所限制的厚度切变振动模式的振动。与第一和第二优选实施例中一样，第一电极32、33和34也是双层结构，并通过比如溅射或蒸镀等干法工艺形成。

图10示出通过将测量仪器4连接在第一电极33和34之间以测量谐振器A2的谐振频率的步骤。

图11表述第二阶段的谐振器B2。在谐振器B2中，在谐振器A2的正面形成第二电极35和36，它们的结构系将第一电极33和24反向(颠倒)所得，并在谐振器A2的反面形成第二电极37，它的结构系将第一电极32反向所得。因此，谐振器B2的整个正、反面实质上由所述第一和第二电极所覆盖。如在第一电极32、33和34中一样，也是通过比如溅射或蒸镀等干法工艺而形成所述第二电极35、36和37。在本优选实施例中，第二电极35、36和27优选地具有双层结构，但它们也可以具有单层结构。

根据有如图10所示那样测量的谐振频率确定第二电极35、36和37的厚度。如以上所述，由于第二电极35、36和37与第一电极33、34和32反向(颠倒)，因此，通过将掩膜反向，用于形成第一电极32、33和34的溅射掩膜也能用于形成第二电极37，35，和36。

在图11中，第一电极32和第二电极35或36之间，或者第二电极37和第一电极33或34之间的重叠部分D7与相对部分D6相等。不过，重叠部分D7也可以比相对部分D6宽些或窄些，只要它比形成最终振动电极的区域D8宽即可。

图12A、12B和12C表述第三阶段(即最终阶段)的谐振器C2。通过采用比如蚀刻等公知工艺，除去第二阶段中谐振器B2的第一电极32、33和34以及第二电极35、36和37的多余部分，从而形成振动电极38、39和40以及41、42和43的图样，以得到所述谐振器C2。压电基板31正面上的振动电极38、39、41和42是由产生细小缝隙所形成的窄幅电极，而反面上的振动电极40和43分别是相对于振动电极38和39以及振动电极41和42的宽幅电极。形成振动电极38、39和40或振动电极41、42和43的区域D8比在第一阶段中的相对区域D6或第二阶段的重叠区域D7要小。在形成振动电极38到43的同时，在压电基板31正面的两端处形成端子电极46和47，它们分别由窄幅引出电极44和45连接到振动电极38和42，并在压电基板31正面的中心部分形成连接振动电极39和41所用的窄幅连接电极48。此外，在压电基板31反面的大致中心部分形成端子电极51，它将引出电极49和50分别连接到振动电极40和43。采用端子电极46和47作为输入/输出端而让端子电极51作为接地端，可将谐振器C2用作两级双模式滤波器。

谐振器C2的振动电极38到43的厚度等于谐振器B2的第一电极32与第二电极35或36，或者第一电极33或34与第二电极37的层叠结构的厚度。利用第二电极35、36和37的额外厚度可将谐振器C2的谐振频率调整到接近目标频率。

以上描述了压电谐振器的制造方法。但在实际的制造流程中，在一个主板上彼此连接有多个压电基板，形成第一电极，测量频率fr，再形成第二电极，接着，实行图样成形操作。随后，将主板切割成各个独立的器件。进一步，再实行测量每个器件的频率fr。

此外，虽然上面描述的制造流程讨论了厚度切变振动模式谐振器的情况，但也可以使用厚度纵变振动模式谐振器以及其他适当类型的谐振器。

在以上的描述中，具有两个双(上和下)层结构的电极优选地形成为第一电极。但第一电极也可以具有单层结构或多层(三层或更多)的结构。类似地，第二电极也可以具有单层结构或多层(三层或更多)的结构。

虽然在第一到第三优选实施例中，在压电基板的两个表面上的每个第一电极上形成第二电极，但第二电极也可以仅仅形成在压电基板的一个表面的第一电极上。在这种情况下，在一个表面上的振动电极为第一和第二电极层叠的结构，而在另一面上的振动电极仅仅由第一电极形成。

虽然上面描述了本发明的优选实施例，但可以理解，本领域的技术人员可以作出各种改型和变化，而不致脱离本发明的范围和精神。因此，本发明的范围仅由下述各权利要求确定。

Claims (15)

1.一种制造压电谐振器的方法，其中在压电基板两个表面上形成最终振动电极，使最终振动电极彼此相对，并使压电振动限制在所述最终振动电极之间，所述方法包括如下步骤：

在压电基板每个表面上形成第一电极，以便至少在一个表面上的第一电极部分地形成在压电基板的表面上，以限制所述压电振动，第一电极具有至少大于最终振动电极的面积；

测量具有第一电极的谐振器的频率；

根据所测量的频率确定用于频率调整所需金属膜的厚度；

至少在压电基板的一个表面上形成由金属膜形成的第二电极，使第二电极覆盖在第一电极上，第二电极具有确定的厚度以及至少大于最终振动电极的面积；并

除去第一电极和第二电极的多余部分，使压电基板两个表面上的最终振动电极彼此相对，以便在其上形成有第二电极的压电基板表面上形成的整个最终振动电极成为第一电极和第二电极的层叠结构，

其中，用于测量具有第一电极的谐振器的频率的振动模式与具有最终振动电极的谐振器采用的振动模式相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极包括由与压电基板高度结合的金属膜形成的下层，以及层叠在下层上由比下层有更高传导性的金属膜形成的上层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二电极由与第一电极的上层相同类型的金属形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和第二电极具有相同的结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过关于压电基板的表面反向第一电极而形成所述第二电极，并且第一电极和第二电极覆盖压电基板的整个表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量谐振器频率的步骤包括测量谐振器的谐振频率的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量谐振器频率的步骤包括测量谐振器的反谐振频率的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器是厚度切变振动模式谐振器和厚度纵变振动模式谐振器之一。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和第二电极具有双层结构。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和第二电极具有单层结构。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和第二电极具有带状结构。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和第二电极通过溅射或蒸镀形成。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器为双端子谐振器。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器为三端子谐振器。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器为包含形成在压电基板上的两个三端子滤波器的两级双模式滤波器。

Images