CN100476661C - 区分材料优先次序以清除异常条件的方法及系统 - Google Patents
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Abstract
一般而言，本发明是针对区分材料优先次序以清除异常条件的各种方法及系统。在一示范具体实施例中，本方法包含提供多个工件，每一工件有在该工件完成处理之前不能处理的材料的相关数量，并且至少依据不能处理的材料的该相关数量，决定一用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。
Description
技术领域
一般而言，本发明是有关于一种工业制程，更详而言之，是有关于区分材料优先次序以清除异常条件的各种方法及系统。
背景技术
在完全阅读本申请案之后，熟谙相关技艺者应了解，本发明可广泛应用于许多涉及制造各种不同类型组件或工件的产业。仅经由实例，本申请案的背景将讨论在集成电路组件的制程中所遭遇的不同问题于文中。不过，不应将本发明视为只适用于半导体制造产业。
增加集成电路组件(例如，微处理器、内存组件、及其类似物)的品质、可靠性、以及生产量为半导体产业不变的驱力。消费者需求对更高品质、操作更可靠的计算机及电子组件的需求也增强这种驱力。此等需求已导致持续改进半导体组件(例如，晶体管)的制造以及加入此等晶体管的集成电路组件的制造。此外，减少制造典型晶体管之组件的不良率也能降低每一晶体管的总成本以及加入此等晶体管的集成电路组件的成本。
通常，使用各种处理工具在多个晶片上进行一套处理步骤，其包含微影步进曝光机(photolithography stepper)、蚀刻工具、沉积工具、抛光工具、热退火处理工具、植入工具、等等。过去几年来，人们极其关注构成半导体处理工具的技术，以致半导体处理工具有大幅的改良。不过，尽管此一领域有进步，许多目前市上有售之处理工具仍有某些缺陷。特别是，有些工具常常缺乏先进的制程数据监视能力，例如，能够以使用者友善的格式提供历史参数数据、事件记录、以及能够远程(即，局部与透过网络)监控当下处理参数与整批(entire run)的处理参数的实时图表显示。此等缺陷导致关键性处理参数的控制无法最佳化，例如生产量、准确度、稳定度与可重复性、处理温度、机械工具参数、及其类似物。这种变化性本身会放大批内的不一致(within-run disparity)、批次间的不一致(run-to-run disparity)、工具之间的不一致，而普遍成为产品品质及效能的差异，然而此等工具之理想监控及诊断系统应提供监控此种变化性的方法以及提供最佳化控制关键参数的方法。
用以改良半导体生产线作业的技术之一系包含使用一种整厂控制系统以便自动控制各种处理工具的作业。制造工具均与制造平台或处理模块的网络通讯。各制造工具通常连接至设备接口。该设备接口连接至机器接口以利制造工具与制造平台之间的通讯。该机器接口通常可为先进制程控制(APC)系统之一部份。该APC系统激活基于制造模式的控制描述语言程序(control script)，它可为自动取得执行制造制程所需数据的软件程序。半导体组件经常通过多个制造工具分成多个制程阶段，各制程产生和处理半导体组件品质有关的数据。
在制程期间，可能发生各种会影响制造中组件效能的事件。亦即，制程步骤中的变化会导致组件效能的差异。例如特征关键尺寸(featurecritical dimension)、掺杂程度、接触电阻、粒子污染、等等因素，都有可能影响组件的最终效能。根据效能模式控制生产线中之各种工具以减少处理差异。常用的控制工具包含：微影步进机、抛光工具、蚀刻工具、以及沉积工具。提供前置处理(pre-processing)及/或后段处理之量测数据至工具之制程控制器。用基于效能模式的制程控制器与量测信息计算出操作配方参数(operating recipe parameter)，例如处理时间，以便使后段处理结果尽量接近目标值。以此方式减少差异可增加生产量、降低成本、提高组件效能诸如此类，这些都等同增加获利能力。
在当前的制造环境中，有各种自动化制程控制应用系统可用来控制制造活动。不过，当实施自动化制程控制时，常常也具体实作各种商业规则(business rule)10以限制与实施先进制程控制应用系统有关的风险。例如，可采取需要特殊处理的商业规则以便初始化控制器，亦即，初始化异常条件，或限制可处理而不必取得量测反馈的产品数量，亦即，危险异常条件。
一般而言，异常条件可理解为：在制造设施中会干扰制造中之量产晶片的条件。例如，异常条件可视为是出现在具有相关数量之材料之工件(即，附加工件)在已成功处理初始工件之前不能处理的时候。在任一特定时间，制造设施内会有不同类型之异常条件。例如，可以特定作业实施新的制程配方。不过，由于该制程配方是新的，没有与使用该新配方制造组件有关的历史量测数据。因此，在一实施例中，可采取一种商业规则，藉此使用新配方处理首批晶片，但在取得或分析此一首批晶片的量测数据之前不会处理附加批次之晶片。总之，事实上，在取得与分析与此一首批晶片有关的量测数据之前，可暂停此制造作业。各种异常条件中之每一个都有可能中断制造活动以免材料被继续处理。一般而言，在某些材料清除异常条件之前，不会继续进行正常的生产活动。
为使制造作业有效率地进行，已发展出区分材料处理优先次序以清除所述异常的方法。在有些情况中，指定特定的优先次序给不同的异常类型，例如，初始化、危险等等。例如，清除初始化异常的处理材料(例如，多个晶片)的优先次序高于清除危险异常的晶片批(waferlot)。不过，就制造设施的整个作业而言，根据异常类型清除异常并非最有效率的方法。
本发明所针对的是要克服或至少减少上述所提至少一问题之影响。
发明内容
一般而言，本发明是针对区分材料优先次序以清除异常条件的各种方法及系统。本发明可与经设计成可执行各种作业的工具一起使用，例如，处理作业、量测作业等等。在一示范具体实施例中，本发明方法包含提供多个工件，每一工件有在该工件完成处理之前不能处理的材料的相关数量，并且至少基于不能处理该相关数量的材料，决定一用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。本发明可与任何类型的工件，例如，多个晶片或晶片批一起使用。
在另一示范具体实施例中，本方法包含提供多个工件，对于所述工件中的每一工件，确定该工件完成至少一量测作业之前不能处理大量的材料；并且，至少基于不能处理该数量之材料，决定一用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。
在另一示范具体实施例中，本方法包含提供多个晶片批，对于所述晶片批中的每多个，确定在该晶片批完成至少一量测作业之前不能处理大量的材料；并且基于不能处理的已确定材料的数量，决定一用于处理所述复数批晶片中的每多个的优先次序。
附图说明
参考以下结合附图之说明可更加明白本发明，其中相同组件以相同的组件符号表示。
图1是根据本发明的示范具体实施例，图标制造系统的简化方块图；
图2是根据本发明的示范具体实施例，更详细图标错误侦测系统的简化方块图；以及
图3是根据本发明的示范具体实施例，图标一种方法的简化流程图。
尽管本发明容易做出各种修改及替代形式，本文仍以特定具体实施例图标于附图并且详细说明其细节。不过，应了解，本文中所描述的特定具体实施例不是要用来将本发明限定为所揭示之特定形式，反而是，本发明应该可涵盖所有落入由申请专利范围所界定之本发明精神与范畴之内的所有修改、等价物、及替代物。
主要组件符号说明
10 商业规则 12 异常控制(EC)单元
13 局部控制器 14-1，14-2，14-3，14-n 工具
20 网络 30A，30B，30C 工具
40A，40B，40C 工具 50A，50B，50C 工具
60A，60B，60C 工具 70A，70B，70C 工具
80A，80B，80C 工具 90 控制器(MES服务器)
100 数据库服务器 110 数据储存所
145 处理控制器 150 示范工作站
APC 先进制程控制 WIP 在制品
具体实施方式
以下描述本发明之示范具体实施例。为求简明，在本专利说明书中没有描述实际具体实作的所有特性。当然，应了解，在开发任一实际具体实施例时，必需做出众多的具体实作有关的决定以实现开发者的特定目标，例如符合与系统有关的以及与商业有关的限制，这是会随着每一具体实作而有所不同。此外，应了解，这种开发所需之努力可能既复杂又耗时，对于受益于本揭示内容的普通熟谙此艺者而言，决非例行公事。
现在参考附图描述本发明。附图中示意图标的各种结构、系统、与组件只是用来解释，以便使本发明不会与熟谙此艺者所习知的细节混淆。然而，仍加上附图以描述及解释本发明的示范实施例。应了解，本文所用字词的意思是与熟谙相关技艺者所理解的一致。本文所包含的字词没有特别定义，亦即，意思不同于普通熟谙此艺者所理解的定义。至于有特殊意思的字词，即熟谙此艺者不了解的意思，会在本专利说明书中以定义方式直接明确地提出所述字词的特殊定义。
请参考图1，其提供一示范制造系统10之简化方块图。在此图解说明用之具体实施例中，该制造系统10系经设计成可制造半导体组件。尽管是以具体实作于半导体制造设施中来描述本发明，但本发明不受限于此且可应用于其它的制造环境。本文所描述的技术可应用于各种工件或制造项目，包含(但不受限于)：微处理器、内存组件、数字讯号处理器、特定应用集成电路(ASIC)、或其它组件。本技术可应用于除半导体组件之外的工件或制造项目。
网络20使制造系统10的各种组件互连使得彼等可交换信息。图标制造系统10包含多个工具30-80。每一工具30-80可耦合于计算机(未图标)以便与网络20连系。所述工具30-80分组成数套相似的工具，图中以文字为字尾。例如，工具30A至30C这一套系表示某一类型之工具，例如化学机械平坦化工具。一特定晶片或晶片批在制造时会前进通过工具30-80，而各工具30-80在制造流程中执行一特定功能。用于半导体组件制造环境的示范处理工具包含：量测工具、微影步进机、蚀刻工具、沉积工具、抛光工具、快速热退火工具、植入工具等等。图标工具30-80的排列与档案分类只是为了图解说明。在实际的具体实作中，可以任一实体次序或组群排列所述工具30-80。此外，特定组群中之工具的连接意思是要表示彼等连接于网络20，而非工具30-80之间的互连。
制造执行系统(MES)服务器或控制器90管理该制造系统10之高阶作业。该MES服务器90可监控制造系统10中之各种实体的状态(亦即，批次、工具30-80)并且控制制造对象通过制造流程的流程(例如，半导体晶片批次)。提供数据库服务器100供储存与各种实体的状态以及制造流程中之制造对象有关的数据。该数据库服务器100可储存信息于至少一数据储存所110。数据可包含前置处理与后段处理的量测数据、工具状态、批次优先次序、操作配方等等。该控制器90也可提供数个操作配方至图1所示的至少一个工具。当然，该控制器90不必执行所有的功能。此外，可用分散于系统10中的至少一计算机执行控制器90所描述的功能。
在计算机内存内数据位上，根据软件、或运算之算法与符号表示法提出本发明之部份与对应的详细描述。这些描述及表示均可供普通熟谙此艺者与其它普通熟谙此艺者有效沟通工作内容。例如在此所用之算法，跟一般所用的意思一样，应为产生所欲结果之有自我一致性的步骤顺序。所述步骤为需要实体数量之实体操纵的步骤。通常，但非必要，这些数量采取能储存、传送、结合、比较、以及其它方式操作之光学、电子、或磁性讯号之形式。主要是基于共同使用上的理由，所提到此等讯号如：位、数值、元素、符号、字母、术语、数字、或其类似物，有时是方便的。
不过，应了然于心，所有这些及类似的术语是要关连于适当的实体数量且只为了便于应用于此等数量之卷标。除非其它特定地明示，或者是显而易见的，例如“处理”或“计算”或“演算”或“测定”或“显示”或其相似物的术语，参照计算机系统或类似电子计算组件的运作与处理，其系处理及转换在计算机系统缓存器与内存内相当于实体、电子数量的数据为类似在计算机系统内存或缓存器或其它信息储存所内、传送或显示装置相当于实体数量的其它数据。
该制造系统10也包含一在一示范工作站150上执行之异常控制(EC)单元12。该EC单元12可用于清除可能存在于制造系统10内的各种异常条件，以下将做更完整描述。关于清除异常条件，本文所述之EC单元12可与如本文所述用来执行任一类型作业之任一类型的工具一起使用。例如，该EC单元12可与如本文所述各种不同量测工具与各种不同处理工具中任何一个一起使用，例如，蚀刻工具、沉积工具、CMP工具等等。因此，不应认为本发明只限用于任一特定类型之工具，除非是在申请专利范围内明确提及的限制。
该EC单元12可与控制器90及/或关联于个别工具30-80的至少一个处理控制器145通讯，其目的以下将予以描述。处理控制器145所使用之特定控制模式系取决于所控制之工具30-80的类型。可用一般所习知的线性与非线性技术凭经验开发所述控制模式。所述控制模式可为相当简单以程序为底的模式(例如，线性、指数、加权平均等等)或可更复杂的模式，例如神经网络模式、主成分分析(PCA)模式、部份最小平方投影(PLS)至潜在结构的模式。控制模式的特定实作取决于所选定之建模技术与所控制之制程而会有所不同。特定控制模式的选定及开发是在熟谙此艺者的能力范围内，因此，为求简洁，在此不描述更多所述控制模式之细节，以避免混淆本发明。
适用于制造系统10的示范信息交换与制程控制平台为先进制程控制(APC)平台，例如它可使用先前由KLA-Tencor，Inc所提供之Catalyst系统予以具体实作。该Catalyst系统系使用国际半导体设备与材料协会(SEMI)计算机整合制造(CIM)平台兼容系统技术且基于先进制程控制(APC)平台。CIM(SEMI E81-0699-CIM平台网域架构用之暂定说明书)与APC(SEMI E93-0999-CIM平台先进制程控制组件用之暂定说明书)的说明书由SEMI公开，总部是在Mountain View.CA。
在图1中，处理与数据储存功能系分散于不同的计算机或工作站以提供一般独立性与集中式信息储存所。当然，可使用不同数量之计算机以及不同配置而不会脱离本发明的精神与范畴。
图2的具体简化方块图更详细地图标本发明制造系统10的一示范具体实施例。如图标，该EC单元12可操作耦合于多个工具14。在此示范具体实施例中，示意图标4个示范工具14-1、14-2、14-3、14-n。不过，本发明可与任何数目之工具一起使用。如前述，所述工具14可为各种量测工具或处理工具中之任何一种。在某些具体实施例中，各工具14更包含一局部控制器13。
如前述，所述工具14可由利于制造工件及/或进行量测作业的各种不同类型之工具中之任一种组成。在半导体制造作业背景下，所述工具14可为处理工具，例如沉积工具、热成长工具、蚀刻工具、熔炉、快速热退火室、光学微影工具、化学机械抛光工具等等。在所述工具14为量测工具的示范性实例中，所述工具14可为设计成可测量薄膜厚度、薄膜光学性质、表面轮廓、关键尺寸等等中之至少一个的量测工具。因此，不应认为本发明受限于任何一种特定类型的工具也不受限于该工具所执行之作业类型。
该EC单元12可用来执行清除异常条件的各种动作。如前述，异常条件可理解一种会干扰正常制造作业(例如，半导体制造设施中晶片的生产作业)的条件。亦即，在可处理其它工件，例如，晶片批，之前必需成功处理一工件，例如，多个晶片的情形可能产生。就某一意思而言，特定工件可能具有相关数量之材料，亦即，附加工件，在该特定工件被成功处理之前是不能处理的。可清除该异常条件的特定工件的成功处理可能涉及在该特定工件上进行至少一个量测作业。因此，可让该特定工件对于所需之量测作业有高优先次序。而在其它情形下，让该批次在走向所欲量测作业的其它制程作业上有高优先次序。例如，如果在蚀刻工具中实施新的蚀刻制程，可让选定之批次在随后之光阻剥除作业(灰化)与在随后之化学清除制程有高优先次序，使得该选定之批次可尽快经受所欲之量测作业。
举实例说明之，在半导体制造设施的背景下，一异常条件可为新执行绪初始化型(new thread initialization type)异常条件。该新执行绪异常条件可在选定制程工具之新组群或组合以执行多个制程作业于多个晶片的背景下出现。例如，光学微影工具、蚀刻工具、与化学清除工具可为工具之一示范组合。由于经选定之工具组合是新的，很少或没有历史量测数据可评估以供判定该工具套装组合之过去成功性。因此，初始批次可通过该经选定之工具套装组合加以处理。之后，产生异常使得在该经选定之工具套装组合不处理附加晶片批直到初始批次的量测数据已取得及分析的时候。
异常条件之另一例子包含所谓的过期或旧执行绪初始化。例如，选定一工具套装组合供处理晶片，但该选定工具套装组合已经很久没用了可能出现此一情况。在此情况中，关于该选定工具套装组合之效能的有用历史数据是很少的。因此之故，如同新执行绪初始化异常的情形一样，材料的附加批次在取得及分析初始批次的量测数据之前可能无法通过该选定工具套装而予以处理。
另一例子为所谓的危险异常。此概念系有关于建立有多少晶片批可通过给定工具套装处理或使制程作业在其上执行而不必等候与在该工具套装中处理的至少多个次有关的量测反馈的限制。在有些情况中，可产生危险异常条件的默认值。亦即，与任何其它考量无关，可建立一商业规则使得给定作业处理不超过固定数目之工件，例如，10批晶片，而不取得及分析与特定制程作业或工具有关的量测数据。
在本发明之一示范具体实施例中，该EC单元12可基于除了其它事件以外，因异常而无法清除的材料数量用来清除异常条件，亦即，因异常条件而被阻挡处理的材料数量。亦即，藉由在成功处理多个工件中之每一个之前不会处理的材料数量可(至少部份)决定区分多个工件中之每一个的处理优先次序。在另一具体实施例中，本发明也可指定一加权数值给各类的异常。根据一特定具体实施例，可根据以下算法决定目的为清除异常条件的处理工件的优先次序：
在此Pi为批次“i”的优先次序，j表示一异常类(例如，初始化或危险)，ωj表示一特定异常类的加权值，以及Qj表示因异常j而被阻挡或无法处理的材料数量。如果批次无法用来清除异常条件，则与该批次有关的材料数量(Qj)为零。
也可包含与各类异常条件有关的加权值(ωj)，因为各类异常条件对制造活动的影响可能不同。数值(ωj)可为任意值。例如，清除第一类异常，例如，初始化异常的需要可高于第二类异常，例如，危险异常，即使第一类与第二类条件有相同的无法处理的材料数量。在生产新产品的背景下，可让多个晶片有极高的加权值使得该新产品得以制造且送至最终客户供测试及核可。在此一情形下，可让制造新产品的晶片批相对于挡下较多材料数量的生产(例如，较多批次)的其它异常条件有较高优先条件。
此外，应注意，单一种类之异常条件可对应至数个不同的自动化制程控制算法。例如，如果两个条件平行运作于微影作业时，例如，叠对与曝光控制，单批可清除一异常条件，例如，两种控制器的初始化条件。在此情况中，应将两种控制器无法处理的材料包含于Qj项内。上述算法(公式1)赋予较高优先次序至以下两种批次：(1)能让更多在制品(WIP)可处理的批次以及(2)可清除多个异常条件的批次。
在一替代具体实施例中，各种批次的优先次序可纳入考量因该异常类而无法处理的材料之部份或百分比，取代因该异常类而无法处理的材料数量。例如，根据以下算法清除异常条件的优先次序：
在此所有的定义同前而Fj为因异常类j而无法处理的可用材料之该分数。
此替代算法可用于在出现两种异常条件会影响两条不同在制品(WIP)队列的情形。例如，第一WIP队列在队列中有较少批次(例如，5批)且少数的批次(例如，3批)被异常条件影响。不过，第一WIP队列中因异常条件而无法处理的批次表示整个第一WIP队列有极高百分比(例如，3/5或60％)。反之，第二WIP队列有大数目之批次(例如，20批)于队列中且相当大数目之批次(例如，10)因异常条件而无法处理。不过，第二WIP队列中之批次被异常条件影响的百分比可能较小(例如，10/20或50％)于第一WIP队列中被影响批次的百分比(例如，60％)。在一示范例子中，影响整个队列较小的批次优先化较佳，例如，第一WIP队列，以便使材料流过较小的WIP队列。就两种版本的算法而言，在分派队列中，让有较高优先值的批次有较高优先次序。
一般而言，本发明是针对区分材料优先次序以清除异常条件的各种方法及系统。本发明可与任何类型之工具如处理工具、量测工具等等一起使用。一示范方法以流程图的形式图标于图3。如图所示，在一示范具体实施例中，本方法包含提供多个工件，每一工件具有在该工件完成处理之前不能处理的材料的相关数量，如方块50所示，并且至少基于不能处理之材料的该相关数量，决定一用于处理所述多个工件中之每一工件的优先次序，如方块52所示。在其它具体实施例中，本方法包含根据该经决定之优先次序，处理所述多个工件。在其它具体实施例中，本方法包含处理数个附加工件。所述工件可为任一类型之工件，例如，个别的晶片或数批晶片等等。
在另一示范具体实施例中，本方法包含提供多个工件，对于所述工件中之每一工件，确定在该工件完成至少一量测作业之前不能处理的材料数量；并且，至少基于不能处理之材料的该数量，决定一用于处理所述多个工件中之每一工件的优先次序。
在另一示范具体实施例中，本方法包含提供多个晶片批，对于所述晶片批中之每多个，确定在该晶片批完成至少一量测作业之前不能处理的材料数量；并且基于不能处理之材料的已确定数量，决定一用于处理所述多个晶片批中之每多个的优先次序。在其它具体实施例中，本方法包含执行量测作业于主要批次，之后，处理数批附加晶片批。在其它具体实施例中，可藉由指定最高优先次序至有相对较多无法处理材料数量的工件或批次而决定处理工件或批次的优先次序。
以上所揭示的特定具体实施例只具图解说明性，因为对受益于本发明本文之教导的熟谙此艺者而言，显然可以不同但等价的方式修改及实施本发明。例如，可以不同的顺序进行以上所提及之制程步骤。再者，除了以下申请专利范围中所描述的以外，不希望对本文所揭示之结构或设计细节有任何限制。因此，显然可改变或修改以上所揭示之特定具体实施例，且所有这些变异应视为仍在本发明范畴及精神内。故而，在此提出以下申请专利范围，恳请保护。
Claims (15)
1.一种方法，包含：
提供多个工件，所述工件中的每一工件具有在该工件完成处理之前不能处理的材料的相关数量；以及
至少依据该不能处理的材料的相关数量，决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：依据该不能处理的材料的相关数量，指定较高的处理优先次序给工件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：指定较高的处理优先次序给所述多个工件中的一个工件，该工件相比于所述多个工件中的至少一个其它工件具有较多相关数量的不能处理的材料。
4.根据权利要求1所述的方法，还包含指定任意数值给所述多个工件中的每一工件且其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一个工件的优先次序的步骤包含：依据该不能处理的材料的相关数量及与所述工件相关的所述数值，决定用于处理所述多个工件中的每一工件的该优先次序。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件中的每一工件为多个晶片。
6.根据权利要求1所述的方法，还包含根据经决定的所述优先次序，处理所述多个工件。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：决定用于在所述多个工件中的每一工件上进行至少一量测作业的优先次序。
8.根据权利要求6所述的方法，还包含处理附加的工件。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个工件中的每一工件构成异常条件。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述异常条件包含初始化条件与危险条件中的至少一个。
11.根据权利要求9所述的方法，还包含依据所述异常条件中的一类，决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。
12.一种方法，包含：
提供多个工件；
对于所述工件中的每一工件，确定在所述工件完成至少一量测作业之前不能处理的材料的数量；以及
至少基于所述不能处理的材料的数量，决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：基于所述不能处理的材料的数量，指定较高的处理优先次序给工件。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：指定较高的处理优先次序给所述多个工件中的一个工件，所述工件相比于所述多个工件中的至少一个其它工件具有较多相关数量的不能处理的材料。
15.根据权利要求12所述的方法，还包含指定任意数值给所述多个工件中的每一工件且其中所述决定用于处理所述多个工件中的每一工件的优先次序的步骤包含：依据所述不能处理的材料的数量及与所述工件相关的所述数值，决定用于处理所述多个工件中的每一工件的所述优先次序。
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