CN100475686C - 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 - Google Patents
单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100475686C CN100475686C CNB2005101122079A CN200510112207A CN100475686C CN 100475686 C CN100475686 C CN 100475686C CN B2005101122079 A CNB2005101122079 A CN B2005101122079A CN 200510112207 A CN200510112207 A CN 200510112207A CN 100475686 C CN100475686 C CN 100475686C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rare earth
- solution
- polyelectrolyte
- film
- monocrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- -1 rare-earth compound Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 26
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 25
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 25
- PRAHCKGOTFKWKD-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propyl)azanium;chloride Chemical compound Cl.CCCN(C)C PRAHCKGOTFKWKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229940059939 kayexalate Drugs 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 claims description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CNC IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 abstract 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 abstract 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229920001448 anionic polyelectrolyte Polymers 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013332 literature search Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及一种单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法，首先将单晶硅片浸入Pirahan溶液预处理，然后再交替重复浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中，在基片表面组装多层聚电解质薄膜，最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入由乙醇65～85%，稀土化合物3.5～7%，乙二胺四乙酸1～4%，氯化铵2～5%，尿素10～25%，37%的浓盐酸0.5～1.5%配制的稀土自组装溶液中，获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的稀土纳米薄膜分布均匀，成膜致密，且具有十分明显的减摩作用，具有良好的抗磨损和抗粘着性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机、无机纳米复合薄膜的制备方法，尤其涉及一种单晶硅基片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法。属于薄膜制备技术领域。
背景技术
随着高科技的进步，机械制造工业正朝着微型化的方向发展，这就涉及了微型机械表面的摩擦学问题。由于硅材料具有硬度高、成本低廉、表面粗糙度小等优点，在微型机电系统中的应用日益受到重视。但是未经表面处理的硅材料脆性较高，表面裂纹在低张应力作用下易发生剥层磨损和脆性断裂，难以满足使用要求，因此需要用表面改性技术来提高硅材料表面微机械性能，以改善硅材料的微观摩擦磨损性能。
目前可以通过自组装方法在单晶硅基片表面制备自组装膜，来研究稀土改善基片表面的减摩抗磨性。自组装聚电解质-稀土复合薄膜是通过把适当的基底浸入含有聚电解质的溶液中，主要由静电吸引作用而生成多层聚电解质薄膜。然后将附有聚电解质薄膜的基片置入配制好的含有稀土的组装溶液中，在一定的条件下进行组装，得到聚电解质-稀土复合薄膜。得到的自组装膜结构致密、稳定性高，并且具有高度有序性和取向性。有序分子膜的摩擦性能的研究已经成为摩擦学领域的前沿课题之一，自组装单层膜的膜厚调节范围有限，且对基底材料和成膜原料要求苛刻。自组装聚电解质-稀土复合薄膜具有力学性质优异、制备方法简单、化学成分可控以及在纳米尺度上膜厚可调等诸多优点，可以作为薄膜润滑材料，现已成为广泛研究的热点。
经文献检索发现，中国专利公开号为：1358804，专利名称为：固体薄膜表面脂肪酸自组装单分子超薄润滑膜的制备方法，这种方法是在固体表面自组装一层脂肪酸的单分子层。选取易吸附于固体表面的脂肪酸，配制成稀溶液，将制得的陶瓷膜迅速浸入配置好的脂肪酸稀溶液于室温下反应24～48分钟。该方法在制备自组装薄膜的过程中需要24～96小时的时间来配制前驱体溶液，这样使得整个的成膜周期过长，而且在基片处理的过程中没有涉及到具体方法，并且该方法只是制备了一种有机自组装薄膜，没有涉及到稀土元素对薄膜性能的改进和研究，也不能制备多层薄膜。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种单晶硅基片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法，工艺简单，成本低廉，制备具有分布均匀，成膜致密并具有良好的抗磨损性能的薄膜材料。
为实现这一目的，本发明的技术方案中，采用表面经过纳米氧化铈抛光的单晶硅片作为基底材料，首先将单晶硅片浸入Pirahan溶液预处理，然后再交替重复浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中，在基片表面组装多层聚电解质薄膜，最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入稀土自组装溶液中，获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。
本发明的方法具体如下：首先对单晶硅片进行预处理，将单晶硅片浸入Pirahan溶液(H2SO4∶H2O2＝70∶30，V∶V)中煮沸至无气泡冒出，取出用去离子水淋洗，再浸入体积比H2O∶H2O2∶25％的浓氨水＝5∶1∶1的溶液处理，取出用去离子水淋洗，氮气吹干。将处理后的单晶基片浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干，再浸入带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干，重复上述步骤可在基片表面组装多层聚电解质薄膜。最后将表面附有带负电的聚电解质薄膜的基片置入配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下组装12小时，即获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。
其中，本发明所述的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和聚苯乙烯磺酸钠溶液的PH值分别为5.8和1.7，浓度均为0.005～0.01mmol/l，溶剂为去离子水。
本发明所述的稀土自组装溶液的组分重量百分比为：乙醇65～85％，稀土化合物3.5～7％，乙二胺四乙酸(EDTA)1～4％，氯化铵2～5％，尿素10～25％，37％的浓盐酸0.5～1.5％。
本发明所述的稀土化合物为氯化镧、氯化铈、氧化镧或氧化铈中的一种。
本发明工艺方法简单，成本低，对环境无污染。经预处理后的单晶硅片表面能吸附一定量的水，这类水以OH-基的形式与Si4+相结合生成硅烃团≡SiOH或硅酸H2SiO3。基片表面的等电点约为2，在PH值高于基片表面的等电点的水溶液中，基片表面上的硅酸H2SiO3会电离生成HSiO3 -或SiO3 2-而使基片表面带负电。将表面带负电的单晶硅片浸入阳离子聚电解质的水溶液中，阳离子聚电解质的正电荷基团会通过静电引力作用吸附到单晶硅片上，聚电解质吸附层靠近基片表面一侧的正电荷与基片表面上的负电荷形成正、负离子对，基片表面上的电荷被屏蔽，但聚电解质吸附层外侧有剩余电荷，这些剩余电荷使基片的外表面形成净正电荷分布；再将基片浸入阴离子聚电解质的水溶液中，同理阴离子的聚电解质的负电荷基团也将通过静电引力作用吸附到基片上，并且将阳离子聚电解质吸附层上的正电荷屏蔽，剩余电荷在基片外表面形成净负电荷分布，重复上述步骤可以在单晶硅片表面组装多层聚电解质薄膜。最后将得到的表面附有带负电的聚电解质薄膜的单晶硅片再置入稀土组装溶液中，在一定的条件下稀土元素很容易通过静电作用吸附在聚电解质薄膜表面，并且与聚电解质薄膜表面大量的-SO3 -基团进一步发生络合反应，从而在聚电解质薄膜表面组装上一层稀土薄膜。
本发明中的稀土组装溶液配置简单，自组装成的聚电解质-稀土纳米薄膜具有分布均匀，成膜致密等优点。在单晶硅基片表面制备的稀土自组装膜可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.08左右，具有十分明显的减摩作用。此外稀土自组装膜还具有良好的抗磨损性能，有望成为微型机械理想的边界润滑膜。
具体实施方式
以下通过具体的实施例对本发明的技术方案作进一步描述。以下实施例不构成对本发明的限定。
实施例1：
首先，对单晶硅片进行预处理，将单晶硅片浸入Pirahan溶液(H2SO4∶H2O2＝70∶30，V∶V)中煮沸至无气泡冒出，取出用去离子水淋洗，再用V(H2O)∶V(H2O2)∶V(25％的浓氨水)＝5∶1∶1的溶液处理，用去离子水淋洗，氮气吹干。将处理后的单晶硅片首先浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干；接着再浸入带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干，重复上述步骤可在基片表面组装多层聚电解质薄膜。最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下组装12小时，即获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。
本发明采用的聚电解质组装溶液的组分摩尔浓度为：聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和聚苯乙烯磺酸钠溶液的浓度均为0.005mmol/l，溶剂为去离子水，它们的PH值分别为5.8和1.7。
本发明采用的稀土自组装溶液的组分重量百分比为：
乙醇含量：60％，稀土化合物：5％，乙二胺四乙酸(EDTA)：4％，氯化铵：5％，尿素：25％，37％的浓盐酸：1％。
采用SPM-9500原子力显微镜、L116E型椭圆偏振光测量仪和PHI-5702型X-光电子能谱仪(XPS)来表征薄膜的表面形貌、厚度和化学成分。采用点接触纯滑动微摩擦性能测量仪测量薄膜摩擦系数。
结果表明在单晶硅片上自组装成的聚电解质薄膜的每层膜厚大约为1nm左右，复合薄膜膜厚在10～15nm之间。XPS测试图表明在单晶硅片表面成功地组装了聚电解质薄膜；第一层聚电解质薄膜在稀土溶液中组装后通过XPS表征，观察到薄膜中含有稀土元素，其结合能发生了化学位移，表明基片表面的稀土元素是以化学键合的方式组装上去的，且看不到聚电解质的特征指标，因此单晶硅片的表面都覆盖了一层稀土纳米薄膜。在点接触纯滑动微摩擦性能测量仪上分别测量干净单晶硅片和单晶硅片表面自组装稀土膜的摩擦系数。在单晶硅片表面制备的稀土自组装膜可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.08，具有十分明显的减摩作用。
实施例2：
首先，对单晶硅片进行预处理，将单晶硅片浸入Pirahan溶液(H2SO4∶H2O2＝70∶30，V∶V)中煮沸至无气泡冒出，取出用去离子水淋洗，再用V(H2O)∶V(H2O2)∶V(25％的浓氨水)＝5∶1∶1的溶液处理，用去离子水淋洗，氮气吹干。将处理后的单晶硅片首先浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干；接着再浸入带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干，重复上述步骤可在基片表面组装多层聚电解质薄膜。最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下组装12小时，即获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。
本发明采用的聚电解质组装溶液的组分摩尔浓度为：聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和聚苯乙烯磺酸钠溶液的浓度均为0.008mmol/l，溶剂为去离子水，它们的PH值分别为5.8和1.7。
本发明采用的稀土自组装溶液的组分重量百分比为：
乙醇含量：83％，稀土化合物：3.5％，乙二胺四乙酸：1％，氯化铵：2％，尿素：10％，37％的浓盐酸：0.5％。
采用实施例1中的表征手段对薄膜质量进行评价。
结果表明在单晶硅片上自组装成的有机硅烷薄膜的膜厚在1～2nm之间，复合薄膜膜厚在12～20nm之间。XPS测试图表明在单晶硅片表面成功地组装了聚电解质薄膜；第一层聚电解质薄膜在稀土溶液中组装后通过XPS表征，观察到薄膜中含有稀土元素，其结合能发生了化学位移，表明基片表面的稀土元素是以化学键合的方式组装上去的，且看不到聚电解质的特征指标，因此单晶硅片的表面都覆盖了一层稀土纳米薄膜。
实施例3：
首先，对单晶硅片进行预处理，将单晶硅片浸入Pirahan溶液(H2SO4∶H2O2＝70∶30，V∶V)中煮沸至无气泡冒出，取出用去离子水淋洗，再用V(H2O)∶V(H2O2)∶V(25％的浓氨水)＝5∶1∶1的溶液处理，用去离子水淋洗，氮气吹干。将处理后的单晶基片首先浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹干；接着再浸入带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中15分钟，取出用大量去离子水冲洗吹于，重复上述步骤可在基片表面组装多层薄膜。最后将表面附有聚电解质负电的薄膜的基片置入配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下组装12小时，即获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。
本发明采用的聚电解质组装溶液的组分摩尔浓度为：聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和聚苯乙烯磺酸钠溶液的浓度均为0.01mmol/l，溶剂为去离子水，它们的PH值分别为5.8和1.7。
本发明采用的稀土自组装溶液的组分重量百分比为：
乙醇含量：70％，稀土化合物：5％，乙二胺四乙酸：4％，氯化铵：5％，尿素：15％，37％的浓盐酸：1％。
采用实施例1中的实验仪器对薄膜进行评价，结果表明在单晶硅片上自组装成的有机硅烷薄膜的膜厚在1～2nm之间，复合薄膜膜厚在12～20nm之间。XPS测试图表明在单晶硅片表面成功地组装了聚电解质薄膜；第一层聚电解质薄膜在稀土溶液中组装后通过XPS表征，观察到薄膜中含有稀土元素，其结合能发生了化学位移，表明基片表面的稀土元素是以化学键合的方式组装上去的，且看不到聚电解质的特征指标，因此单晶硅片的表面都覆盖了一层稀土纳米薄膜。
Claims (1)
1、一种单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法，其特征在于首先将单晶硅片浸入体积比H2SO4∶H2O2＝70∶30的溶液中煮沸至无气泡冒出，取出用去离子水淋洗，再浸入体积比H2O∶H2O2∶25％的浓氨水＝5∶1∶1的溶液处理，取出用去离子水淋洗，氮气吹干；将处理后的单晶基片浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液中15分钟，取出用去离子水冲洗吹干，再浸入带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中15分钟，取出用去离子水冲洗吹干，重复上述步骤在基片表面组装多层聚电解质薄膜；最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下组装12小时，即获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜；其中，所述聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和聚苯乙烯磺酸钠溶液的PH值分别为5.8和1.7，浓度均为0.005～0.01mmol/l，溶剂为去离子水；所述稀土自组装溶液的组分重量百分比为：乙醇65～83％，稀土化合物3.5～7％，乙二胺四乙酸1～4％，氯化铵2～5％，尿素10～25％，37％的浓盐酸0.5～1.5％；所述的稀土化合物为氯化镧、氯化铈、氧化镧、氧化铈中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122079A CN100475686C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122079A CN100475686C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1807225A CN1807225A (zh) | 2006-07-26 |
| CN100475686C true CN100475686C (zh) | 2009-04-08 |
Family
ID=36839351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122079A Expired - Fee Related CN100475686C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100475686C (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101538370B (zh) * | 2008-03-20 | 2011-07-27 | 中国石油大学(北京) | 聚合物复合原位生长纳米粒子分子薄膜及其制备方法 |
| CN101712451B (zh) * | 2009-11-18 | 2012-09-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 在微悬臂梁表面一步制造羧酸功能化单层膜的方法 |
| CN102584334A (zh) * | 2012-01-13 | 2012-07-18 | 上海交通大学 | 一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法 |
| CN117806076A (zh) * | 2024-02-28 | 2024-04-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种自组装垂直取向膜的制备方法 |
-
2005
- 2005-12-29 CN CNB2005101122079A patent/CN100475686C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1807225A (zh) | 2006-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101270260B (zh) | 一种超疏水表面涂层材料及其制备方法 | |
| CN100475686C (zh) | 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 | |
| CN100479931C (zh) | 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法 | |
| KR20140005878A (ko) | 중합체 중공 섬유의 메조다공성 실리카막 | |
| US20030026898A1 (en) | Process for fabricating monolayer/multilayer ultrathin films | |
| CN108579476A (zh) | 一种抗生物污染的超亲水微滤膜的制备方法 | |
| CN100556838C (zh) | 玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法 | |
| Gao et al. | Ceramic supported composite nanofiltration membrane via a PDA interlayer induced mineralization of TiO2 | |
| US20120164334A1 (en) | Article treated with silica particles and method for treating a surface of the article | |
| Wang et al. | Nanofriction properties of molecular deposition films | |
| CN100476035C (zh) | 在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法 | |
| CN101555629A (zh) | 单晶硅基片表面自组装磺酸基硅烷-二氧化钛复合膜的制备方法 | |
| JP2006188408A (ja) | 表面処理粘土膜 | |
| CN1209494C (zh) | 单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法 | |
| CN100366562C (zh) | 玻璃基片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法 | |
| CN100364911C (zh) | 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法 | |
| CN100366349C (zh) | 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法 | |
| CN101671849A (zh) | 单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法 | |
| CN1670248A (zh) | 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 | |
| Ionita et al. | Aspects relating to stability of modified passive stratum on TiO 2 nanostructure | |
| CN1730377A (zh) | 单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜的方法 | |
| Hillborg et al. | Investigation of hydrophilic pollution layers on silicone rubber outdoor insulation | |
| Cao | Stone artifacts conservation: synthesis and study of new partially flourinated compounds | |
| CN1184016C (zh) | 在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法 | |
| CN101508531A (zh) | 在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NINGBO QIXIN SOLAR ELECTRICAL APPLIANCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY Effective date: 20110506 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200240 NO. 800, DONGCHUAN ROAD, MINHANG DISTRICT, SHANGHAI TO: 315700 NO. 37-39, JINGANG ROAD, BINHAI INDUSTRIAL PARK, DANCHENG, XIANGSHAN COUNTY, NINGBO CITY, ZHEJIANG PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110506 Address after: 315700, No. 37-39, Jingang Road, Dan Binhai Industrial Zone, Xiangshan, Zhejiang, Ningbo Patentee after: Ningbo Qixin Solar Electrical Appliance Co., Ltd. Address before: 200240 Dongchuan Road, Shanghai, No. 800, No. Patentee before: Shanghai Jiao Tong University |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: ZHEJIANG QIXIN NEW ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: NINGBO QIXIN SOLAR ELECTRICAL APPLIANCE CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 315700, No. 37-39, Jingang Road, Dan Binhai Industrial Zone, Xiangshan, Zhejiang, Ningbo Patentee after: Zhejiang Qixin New Energy Technology Co., Ltd. Address before: 315700, No. 37-39, Jingang Road, Dan Binhai Industrial Zone, Xiangshan, Zhejiang, Ningbo Patentee before: Ningbo Qixin Solar Electrical Appliance Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090408 Termination date: 20181229 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |