CN100473956C - 气体流量校准的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种气体流量校准的方法，用于对反应室的供气系统的气体流量进行校验，包括步骤：当供气系统新安装气体流量控制装置MFC时，首先测定系统的固有误差Es，及反应室体积Vc、供气管路体积Vg；MFC用过一段时间后，参照Es、Vc、Vg并考虑反应室与供气管路的温度差异，测定MFC的流量误差Em；然后，将Em的值与限定的容错值比较，当Em的值超过限定的容错值时，系统报警。减少了因温度和容积差异导致的系统误差，通过误差修正，降低系统误差，具有计算精度高，计算速度快，配置方便灵活的特点。主要应用于对半导体加工设备的供气系统的气体流量的校准，也适用于对其它供气系统的校准。

Description

气体流量校准的方法

技术领域

本发明涉及一种气体流量校准的方法，尤其涉及一种半导体加工设备的供气系统的气体流量校准的方法。

背景技术

在半导体硅片加工过程中，薄膜的淀积，刻蚀速率都依靠进入反应室的工艺气体的质量流量以及反应室的压力等条件。每种半导体硅片加工设备，不同的工艺都需要不同的气体的流量配比。工艺气体流量配比的误差，会造成工艺不稳定，进而影响整个芯片良率。因此对工艺气体流量的精确测定与控制在半导体硅片加工设备中至关重要。

目前，一方面采用高精度的MFC(质量流量控制器)来测量和控制工艺气体的流量，另一方面通过测定实际工艺气体的流量，对MFC的测量值进行校准。

现在常有的气体流量校准的方案一般有两种：

方案一是，根据理想气态方程：

PV＝nRT                      (公式1.1)

其中，P为气体压强；V为气体体积；n为气体物质的量；T为气体的绝对温度；R为气体常量。

当V，T一定时，一定流量Q的气体通入固定V的容器中，时间t1时的体积V内的气体摩尔数：

n1＝P1V/RT                   (公式1.2)

一直往V中通入固定流量的气体，

时间t2时的体积V内的气体摩尔数：

n2＝P2V/RT                    (公式1.3)

根据上述公式1.2、1.3，t2-t1时间内的气体摩尔数变化量为：

n2-n1＝(P2-P1)V/RT            (公式1.4)

根据气体流量：

Q＝(n2-n1)/(t2-t1)＝(P2-P1)V/(t2-t1)RT  (公式1.5)

可以得到一个标准大气压下的流量公式：

$Q=\frac{1\mathrm{StdAtm}}{760\mathrm{torr}}\×\frac{V\left(\mathrm{cc}\right)}{\mathrm{\Δt}\left(\min \right)}\×\frac{273.15K}{\mathrm{StdTemp}}\×\left[\frac{\mathrm{\ΔP}\left(\mathrm{Torr}\right)}{T\left(K\right)}\right]\mathrm{sccm}$  (公式1.6)

式中：StdTemp为标准大气压。

公式1.6经过简化及单位和系数的换算：

可以得到一个计算气体流量的公式：

Q＝79[273/(273+T)][V＊△P/△t]        (公式1.7)

对固定体积的反应腔室，假设其温度不变，通过固定流量的气体时，通过测量某段时间内的压力的变化，可以计算MFC(质量流量控制器)的流量Q。然后将计算的流量与MFC测得的流量相比较，得出一个修正值。

这种方案计算相对简单，但是由于检测流量值和反应室容积V以及反应室温度T有关系，而实际应用中气路中的气体体积未被考虑，且气路中的气体温度同反应室内气体温度有一定差异，因此该方法误差较大，一般精度为5％。

方案二是：

根据上述理想气态方程公式1.1：PV＝nRT可以得到：

$\frac{\mathrm{RT}}{V}=\frac{P}{n}=K_C$                      (公式2.1)

公式2.1中，对于特定的反应腔室，在一定温度下Kc是个常数。

对公式2.1求导，可得：

                           (公式2.2)

目前，使用的方法是，往反应室中通入气体，测量反应室的压升率。通常情况下，利用惰性气体可以确定常数Kc。然后根据Kc，来检验其余工艺气体。具体实现如下：

第一步：根据参考气体(惰性气体)确定常数Kc；

第二步：往反应室通入工艺气体，测量固定时间内的压升率，根据下面公式2.3计算出工艺气体流量。

              (公式2.3)

该方案校验精度较高，但是Kc与温度T和容积V相关，对于在线设备，必须保证两次校验时的Kc一致。由于以惰性气体MFC为基准计算Kc，惰性气体MFC的漂移将影响该方法的精确性，当环境温度改变时若要进行校验需要从新通入气体确定Kc值，这也增加了成本延长了校验时间。

发明内容

本发明的目的是提供一种校准精度高、速度快、配置灵活的气体流量校准的方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明气体流量校准的方法，用于对反应室的供气系统的气体流量进行校验，所述供气系统的供气管路上设有气体流量控制装置MFC，包括以下步骤：

A、所述供气系统新安装MFC时，首先测定系统的固有误差Es，所述新安装的MFC的流量误差Em＝0，测定的方法是：

通过新安装MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；

将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求系统的固有误差Es＝E；

B、MFC用过一段时间后，测定MFC的流量误差Em，测定的方法是：

通过装有需测定的MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；

将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求MFC的流量误差Em＝E-Es；

C、将Em的值与限定的容错值比较，当Em的值超过限定的容错值时，系统报警。

所述的步骤A中，通过理想气体状态方程PV＝nRT的等效式：

Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]计算气体的流量Qv＝Q；

其中，Vc-反应室体积、Vg-供气管路体积、Tc-反应室温度、Tg-供气管路温度、△P为△t时间内反应室的气体压强变化值。

所述的Vc、Vg、Tc、Tg由下述方法确定：

Tg取供气管路周围温度，通过温控器将反应室温度Tc控制在Tc1，通入一定流量Q1的气体，记录并计算△P1/△t；

再设置Tc为Tc2，待温度稳定后，通入一定流量Q2的气体，记录并计算△P2/△t；

由公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]可得：

$\left\{\begin{array}{c}Q1=79*[273/(273+\mathrm{Tc}1)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}1)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}1/\mathrm{\Δt}]\\ Q2=79*[273/(273+\mathrm{Tc}2)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}2)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}2/\mathrm{\Δt}]\end{array}\right.$

由以上两式可求得Vc、Vg。

记录并计算△P1/△t和/或△P2/△t时，取多个压力点，计算两个压力点之间的△Pi/△ti，取多个△Pi/△ti平均值，得到△P1/△t和/或△P2/△t。

通过公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]计算气体的流量Qv时，选取多个压力点，将每个压力点之间的△Pi/△ti分别代入上述公式求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得：Qv＝ $Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

所述的步骤B包括步骤：

B1、反应室抽到本体真空，隔离反应室，待反应室温度稳定后，通过MFC向反应室内通入一定流量Qs的气体，持续时间为t；

B2、选取多个压力点，将每个压力点之间的△Pi/△ti分别代入公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得： $\mathrm{Qv}=Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

B3、由公式E＝Es+Em及公式 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}$ 求得MFC的流量误差 $E_m=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}-E_s.$

所述的步骤B2中，保存时间为{0，t/4，2t/4，3t/4，t}时刻的气体压力值{P1，P2，P3，P4，P5}，计算P1、P2、P3、P4、P5每两个值之间的△Pi/△ti。

所述的步骤B2中，i＝20，计算加权平均值 $Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{20}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}$ 时，确定Q₁～Q₂₀的权重的方法为：Q₁～Q₂₀中最大和最小值得权重为0，其余K_i取值为计算相应的Q_i时，两个压力采样点之间的时间间隔。

所述的所述供气系统有多条供气管路新安装MFC时，将通过多个新安装MFC计算得到的多个Vc、Vg分别加权平均，得到供气系统的Vc和Vg。

所述的所述供气系统有多条供气管路新安装MFC时，将通过多个新安装MFC计算得到的多个系统固有误差Ei加权平均，得到系统固有误差 $E_s=\frac{\underset{i=1}{\mathrm{\Σ}}{K}_i{E}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i},$ 其中K_i视MFC的使用情况而定。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的气体流量校准的方法，由于当供气系统新安装气体流量控制装置MFC时，首先测定系统的固有误差Es，及反应室体积Vc、供气管路体积Vg；MFC用过一段时间后，参照Es、Vc、Vg并考虑反应室与供气管路的温度差异，测定MFC的流量误差Em，通过Es对Em进行修正，修正后的误差Em更真实的反应了MFC流量的漂移情况，减少了因温度和容积差异导致的系统误差；又由于通过多点计算增加样本容量，加权平均进一步减小误差，通过误差修正，降低系统误差，具有计算精度高，计算速度快，配置方便灵活的特点。主要应用于对半导体加工设备的供气系统的气体流量的校准，也适用于对其它供气系统的校准。

附图说明

图1为反应室的供气系统的结构示意图；

图2为本发明确定系统Vc、Vg、Es的主要流程图；

图3为本发明确定MFC的流量误差Em的主要流程图。

具体实施方式

本发明气体流量校准的方法，用于对反应室的供气系统的气体流量进行校验，所述供气系统的供气管路上设有MFC(气体流量控制装置)。这里的反应室主要是指半导体硅片加工设备的反应室，也可以是其它的腔室。

如图1所示，是半导体硅片加工设备的反应室的供气系统示意图：

工艺气体11、12、13、14通过MFC1、MFC2、MFC3、MFC4可以进入反应室中，分子泵、旁抽阀、分子泵排出阀以及干泵组成了整个设备的真空获得系统。通过控制摆阀的开合程度可以控制反应室中的真空度，反应室中的真空度由CM1(真空规)来读出。其中的供气管路可以有多条。

其较佳的实施方式，包括以下步骤：

步骤11、所述供气系统新安装MFC时，首先测定系统的固有误差Es，所述新安装的MFC的流量误差Em＝0，测定的方法是：

通过新安装MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；

将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求系统的固有误差Es＝E；

步骤12、MFC用过一段时间后，测定MFC的流量误差Em，测定的方法是：

通过装有需测定的MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求MFC的流量误差Em＝E-Es；

步骤13、将Em的值与限定的容错值比较，当Em的值超过限定的容错值时，则表示质量流量控制器处于非正常状态，否则表示质量流量控制器处于正常状态，系统报警。

上述的步骤11中，假设初装的MFC(质量流量计)是准确的，MFC的设定流量即为实际流量(新安装时)，MFC的误差为0(新安装时)。

设反应室的压力为Pc，体积为Vc，温度为Tc；气路的压力为Pg，体积为Vg，温度为Tg。由于气路同反应室连通，因此认为Pc＝Pg＝P。可以认为通过MFC的流量分别流入了反应室和气路，因此，由公式1.7可得：

Q_v＝79＊[273/(273+Tc)]＊[Vc＊△P/△t]+79＊[273/(273+Tg)]＊[Vg＊△P/△t]

＝79＊273＊[△P/△t]＊(Vc/(273+Tc)+Vg/(273+Tg))

＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(公式1.8)

在公式1.8中需要确定的参数包括Vc、Vg、Tc、Tg，其中Tc可由反应室温控系统控制，Tg取气路周围温度。在初装MFC时，确定Vc、Vg，具体方法为：

测量并记录Tg；

通过温控器将反应室温度控制在Tc1。待温度稳定后，通入一定流量Q1的气体，记录并计算△P1/△t，△P为△t时间内反应室的气体压强变化值；

再设置Tc为Tc2，待温度稳定后，通入一定流量Q2的气体，记录并计算△P2/△t；

由公式1.8可得：

$\left\{\begin{array}{c}Q1=79*[273/(273+\mathrm{Tc}1)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}1)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}1/\mathrm{\Δt}]\\ Q2=79*[273/(273+\mathrm{Tc}2)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}2)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}2/\mathrm{\Δt}]\end{array}\right.$    (公式1.9)

由以上两式可确定Vc、Vg，对于多路MFC，可以将通过每个MFC计算得到的Vc、Vg加权平均，并将Vc和Vg值保存为配置参数，以后每次校准时使用。

该校准方法可以在不同温度条件下校准MFC，由于气路改造造成的气路容积变化可通过上述方法重新计算确定。

在记录并计算△P1/△t和/或△P2/△t时，可以取多个压力点，计算两个压力点之间的△Pi/△ti，取多个△Pi/△ti平均值，得到△P1/△t和/或△P2/△t。

Vc和Vg确定后，就可以通过公式1.8计算气体的流量Qv时，需选取多个压力点，将每个压力点之间的△Pi/△ti分别代入上述公式求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得： $\mathrm{Qv}=Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

由公式1.8可知，气体流量同压力变化率成正比，然而压力采样时压力的状态具有一定波动，为减小这种波动的影响，一般采用多个压力采样点平均的方法。但是采样点越多，需要的时间也越长。为了提高计算速度，同时降低压力波动的影响，对每次校准时的n个压力采样点两两之间计算△P/△t，根据公式1.8得到n(n-1)/2个流量样本Q₁，Q₂，…Q_n(n-1)/2，去掉最大值和最小值，最后并加权平均 $Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$ 例如，取n＝5，最后可计算得到10个流量样本。本法可以在相同的校准时间内得到更多的流量值，同时减小压力波动导致个别压力测量点异常的影响。该法中的权值K_i根据计算Q_i的两个压力采样点之间的时间间隔确定，可取K_i＝△t_i。

采用这种方法，可以在采样n个压力时得到n(n-1)/2个流量样本，提高了样本容量，同时缩短了计算的时间。

以上描述的步骤11主要的作用是通过新装的MFC确定系统的Vc、Vg、Es。其具体的实施步骤如图2所示，包括步骤：

步骤21、设定反应室温度Tc1、气路温度Tg；

步骤22、反应室抽到本体真空，隔离反应室，待反应室温度稳定后，通过MFC向反应室内通入一定流量Q1的气体，持续时间为t；

步骤23、保存时间为{0，t/4，2t/4，3t/4，t}时刻的气体压力值{P1，P2，P3，P4，P5}；

步骤24、P1—P5中两两之间计算△P/△t，对所有的△P/△t取均值后得到△P1/△t的值；

步骤25、重新设定反应室温度Tc2，通过MFC向反应室内通入一定流量Q2的气体，持续时间为t，得到△P2/△t的值；

步骤26、利用公式1.9计算Vc、Vg；

步骤27、如果有多路新装的MFC，对每一路重复步骤21至步骤26，分别取Vc、Vg的均值为反应室的容积和气路的容积，最好是加权平均值；

步骤28、确定Vc、Vg后，再从新向反应室通入一定流量Qs的气体通过公式1.8计算气体的流量Qv，利用 $E_s=E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}$ 确定系统误差E_s。

步骤29、如果有多路新装的MFC，对每一路重复步骤28，取E_s的均值为系统误差。最好是加权平均值，将通过多个新安装MFC计算得到的多个系统固有误差Ei加权平均，得到系统固有误差 $E_s=\frac{\underset{i=1}{\mathrm{\Σ}}{K}_i{E}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i},$ 其中K_i视MFC的使用情况而定。

记录Vc、Vg、Es，作为校准MFC的参数。

上述的步骤12中所述，即为MFC用过一段时间后，测定MFC的流量误差Em的步骤，如图3所示，具体包括步骤：

步骤31、反应室抽到本体真空，隔离反应室，待反应室温度稳定后，通过MFC向反应室内通入一定流量Qs的气体，持续时间为t；

步骤32、选取多个压力点，将每个压力点之间的△Pi/△ti分别代入公式1.8求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得：

$\mathrm{Qv}=Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

步骤33、由公式E＝Es+Em及公式 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}$ 求得MFC的流量误差 $E_m=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}-E_s.$

上述的步骤31中，可以保存时间为{0，t/4，2t/4，3t/4，t}时刻的气体压力值{P1，P2，P3，P4，P5}，计算P1、P2、P3、P4、P5每两个值之间的△Pi/△ti，可得到Q₁～Q₂₀，20个流量值，

计算加权平均值 $Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{20}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}$ 时，确定Q₁～Q₂₀的权重的方法为：Q₁～Q₂₀中最大和最小值得权重为0，其余K_i取值为计算相应的Q_i时，两个压力采样点之间的时间间隔，即Ki＝△ti。

本发明考虑供气管路和反应室的温度差异，并考虑供气管路对反应室容积的影响，大大减少了因温度和容积差异导致的系统误差。通过多点计算增加样本容量，加权平均进一步减小误差。通过误差修正，降低系统误差，具有计算精度高，计算速度快，配置方便灵活的特点。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1、一种气体流量校准的方法，用于对反应室的供气系统的气体流量进行校验，所述供气系统的供气管路上设有气体流量控制装置MFC，其特征在于，包括以下步骤：

A、所述供气系统新安装MFC时，首先测定系统的固有误差Es，所述新安装的MFC的流量误差Em＝0，测定的方法是：

通过新安装MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求系统的固有误差Es＝E；

B、MFC用过一段时间后，测定MFC的流量误差Em，测定的方法是：

通过装有需测定的MFC的供气管路向反应室供气，测定供气管路与反应室内气体参数的变化，通过理想气体状态方程PV＝nRT计算气体的流量Qv；将Qv与MFC的设定流量值Qs比较，得出MFC的误差 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s};$

由公式E＝Es+Em可求MFC的流量误差Em＝E-Es；

C、将Em的值与限定的容错值比较，当Em的值超过限定的容错值时，系统报警。

2、根据权利要求1所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的步骤A中，通过理想气体状态方程PV＝nRT的等效式：

Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]计算气体的流量Qv＝Q；

其中，Vc-反应室体积、Vg-供气管路体积、Tc-反应室温度、Tg-供气管路温度、△P为△t时间内反应室的气体压强变化值。

3、根据权利要求2所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的Vc、Vg、Tc、Tg由下述方法确定：

Tg取供气管路周围温度，通过温控器将反应室温度Tc控制在Tc1，通入一定流量Q1的气体，记录并计算△P1/△t；

再设置Tc为Tc2，待温度稳定后，通入一定流量Q2的气体，记录并计算△P2/△t；

由公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]可得：

$\left\{\begin{array}{c}Q1=79*[273/(273+\mathrm{Tc}1)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}1)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}1/\mathrm{\Δt}]\\ Q2=79*[273/(273+\mathrm{Tc}2)]*[(\mathrm{Vc}+\mathrm{Vg}*(273+\mathrm{Tc}2)/(273+\mathrm{Tg}))*\mathrm{\ΔP}2/\mathrm{\Δt}]\end{array}\right.$

由以上两式可求得Vc、Vg。

4、根据权利要求3所述的气体流量校准的方法，其特征在于，记录并计算△P1/△t和/或△P2/△t时，取多个压力点，计算两个压力点之间的△Pi/△ti，取多个△Pi/△ti平均值，得到△P1/△t和/或△P2/△t。

5、根据权利要求3所述的气体流量校准的方法，其特征在于，计算气体的流量Qv时，选取多个压力点，将每个相邻压力点之间的△Pi/△ti分别代入公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]，求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得： $\mathrm{Qv}=Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

6、根据权利要求2所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的步骤B包括步骤：

B1、反应室抽到本体真空，隔离反应室，待反应室温度稳定后，通过MFC向反应室内通入一定流量Qs的气体，持续时间为t；

B2、选取多个压力点，将每两个压力点之间的△Pi/△ti分别代入公式Q＝79＊[273/(273+Tc)]＊[(Vc+Vg＊(273+Tc)/(273+Tg))＊△P/△t]求得多个流量值，取多个流量值的加权平均值，求得： $\mathrm{Qv}=Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{n(n-1)/2}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}.$

B3、由公式E＝Es+Em及公式 $E=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}$ 求得MFC的流量误差 $E_m=\frac{Q_v-Q_s}{Q_s}-E_s.$

7、根据权利要求6所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的步骤B2中，保存时间为{0，t/4，2t/4，3t/4，t}时刻的气体压力值{P1，P2，P3，P4，P5}，计算P1、P2、P3、P4、P5每两个值之间的△Pi/△ti。

8、根据权利要求7所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的步骤B2中，i＝20，计算加权平均值 $Q=\frac{\underset{i=1}{\overset{20}{\mathrm{\Σ}}}{K}_i{Q}_i}{\mathrm{\Σ}{K}_i}$ 时，确定Q₁～Q₂₀的权重的方法为：Q₁～Q₂₀中最大和最小值得权重为0，其余K_i取值为计算相应的Q_i时，两个压力采样点之间的时间间隔。

9、根据权利要求2所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的所述供气系统有多条供气管路新安装MFC时，将通过多个新安装MFC计算得到的多个Vc、Vg分别加权平均，分别得到所述供气系统的Vc和Vg的平均值Vc和Vg。

10、根据权利要求9所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述的所述供气系统有多条供气管路新安装MFC时，将通过多个新安装MFC计算得到的多个系统固有误差Ei加权平均，得到系统固有误差 $E_s=\frac{\underset{i=1}{\mathrm{\Σ}}{K}_i{E}_i}{{\mathrm{\ΣK}}_i},$ 其中K_i视MFC的使用情况而定。

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