CN100420053C - 一种ZnO基发光二极管及其制备方法 - Google Patents
一种ZnO基发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 85
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 7
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及ZnO基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn1-xMgxO层、多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层、p型Zn1-xMgxO层、p型ZnO接触层和多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层，然后采用磁控溅射法在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn1-xMgxO层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极。本发明的ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高LED的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种ZnO基发光二极管及其制备方法。
背景技术
ZnO是一种新型宽禁带半导体材料，具有较高的激子束缚能，是未来一种理想的短波长发光器件材料。日本东北大学于2005年首先采用高低温调节实现ZnO同质结电致发光LED。浙江大学也于当年用MOCVD技术制备出ZnO-LED原型器件，实现了室温电致发光。但到目前为止，已报道的ZnO基LED发光效率都很低，亮度也很弱。要使器件走向实用化，必须优化LED结构设计。如果将周期厚度为1/4波长的由不同折射率的两种半导体材料交替组成的分布布拉格反射镜(DBR)应用于ZnO基LED，将大大减少光强度由于透射和吸收引起的损失，提高LED的发光效率。而如果进一步把DBR和多量子阱结合起来，将会更有利于发光效率的提高，这无疑是一项很有意义的工作。而目前关于这种结构的LED的设计与制备的研究国际上还没有出现。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的ZnO基发光二极管及其制备方法。
发明的ZnO基发光二极管，在衬底上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn1-xMgxO层、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层、p型Zn1-xMgxO层、p型ZnO接触层和由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层，第一电极与n型ZnMgO层并列并沉积在n型ZnO接触层上，第二电极与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层并列并沉积在p型ZnO接触层上，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
上述的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层可以由Zn1-xMgxO和ZnO交替10～20周期形成。多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层可以由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替10～40周期形成。
所说的衬底可以是硅、蓝宝石或ZnO单晶。所说的第一电极可以是掺Ga的n-ZnO透明导电膜或ITO膜。第二电极可以为InZn或InSn合金。
ZnO基发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
1)将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中，生长室真空度抽至4.0×10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度升至200～600℃，输入氧气，氧压调至0.1～10Pa，设定激光参数为300mJ、3Hz，衬底与靶材间距4.5cm，依次变换靶材沉积ZnO缓冲层，n型ZnO接触层，n型Zn1-xMgxO层，继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn1-xMgxO与ZnO层以形成10～20周期的多量子阱结构，然后再依次沉积p型Zn1-xMgxO层与p型ZnO接触层，继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn1-xMgxO层与Zn1-yMgyO层以形成10～40周期的布拉格反射镜结构层；
2)将步骤1)制品放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至10-3Pa，室温条件下第一电极(9)与n型ZnMgO层(4)并列并沉积在n型ZnO接触层(3)上，第二电极(10)与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)并列并沉积在p型ZnO接触层(7)上；
上述多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
各层的厚度通过调节生长时间控制。其中布拉格反射镜中Zn1-xMgxO与Zn1-yMgyO层的厚度由λ/4n决定，λ为LED出射光的波长，n为布拉格反射镜中各层的折射率。
各层的组分由靶材中的掺杂剂量决定，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn 1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
本发明的有益效果在于：
本发明的ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高LED的发光效率。
附图说明
图1是本发明的ZnO基发光二极管结构示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明的ZnO基发光二极管ZnO基发光二极管，在衬底1上自下而上依次沉积有ZnO同质缓冲层2、n型ZnO接触层3、n型Zn1-xMgxO层4、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层5、p型Zn1-xMgxO层6、p型ZnO接触层7和由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层8，第一电极9并列于n型ZnMgO层4沉积在n型ZnO接触层3上，第二电极10并列于多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层8沉积在p型ZnO接触层7上，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
实施例1
1)以2英寸蓝宝石(Al2O3)抛光片作为衬底，将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中，生长室真空度抽至4.0×10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度升至400℃，输入氧气，氧压调至1Pa，，设定激光参数为300mJ、3Hz，衬底与靶材间距4.5cm，在此条件下沉积一层约100nm的ZnO缓冲层，继续升温至600℃并退火5分钟，保持氧压不变，依次沉积一层50nm的Al掺杂n型ZnO接触层，一层50nm的Al掺杂n型Zn0.65Mg0.35O层。继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn0.9Mg0.1O与ZnO层以形成10个周期的多量子阱结构，其中Zn0.9Mg0.1O层厚度为10nm，ZnO层厚度为3nm。然后在多量子阱上依次沉积一层50nm的Li掺杂的p型Zn0.65Mg0.35O层和p型ZnO接触层。在p型ZnO接触层上继续交替沉积ZnO和Zn0.64Mg0.36O层以形成20个周期分布式布拉格反射镜(DBR)结构，ZnO层厚为48.8nm，Zn0.64Mg0.36O层厚为52.9nm；
2)将步骤1)制品放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至10-3Pa，室温条件下在n型ZnO接触层上沉积一层与n型Zn0.65Mg0.35O层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积一层与ZnO/Zn0.64Mg0.36O分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极，此例中，第一电极为掺Ga的n-ZnO透明导电膜，第二电极为InZn合金薄膜。
实施例2
1)以ZnO单晶作为衬底，将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中，生长室真空度抽至4.0×10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度升至200℃，输入氧气，氧压调至0.1Pa，设定激光参数为300mJ、3Hz，衬底与靶材间距4.5cm，在此条件下沉积一层约100nm的ZnO缓冲层。继续升温至600℃并退火5分钟，保持氧压不变，依次沉积一层50nm的Al掺杂n型ZnO接触层，一层50nm的Al掺杂n型Zn0.85Mg0.15O层。继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn0.9Mg0.1O与ZnO层以形成10个周期的多量子阱结构，其中Zn0.9Mg0.1O层厚度为10nm，ZnO层厚度为3nm。然后在多量子阱上依次沉积一层50nm的P掺杂的p型Zn0.85Mg0.15O层和p型ZnO接触层。在p型ZnO接触层上继续交替沉积ZnO和Zn0.64Mg0.36O层以形成20个周期分布式布拉格反射镜(DBR)结构，ZnO层厚为48.8nm，Zn0.64Mg0.36O层厚为52.9nm；
2)将步骤1)制品放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至10-3Pa，室温条件下在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn0.85Mg0.15O层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积一层与ZnO/Zn0.64Mg0.36O分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极，此例中，第一电极为ITO膜，第二电极为InSn合金薄膜。
实施例3
1)以ZnO单晶作为衬底，将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中，生长室真空度抽至4.0×10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度升至600℃，输入氧气，氧压调至10Pa，设定激光参数为300mJ、3Hz，衬底与靶材间距4.5cm，在此条件下沉积一层约100nm的ZnO缓冲层。继续升温至600℃并退火5分钟，保持氧压不变，依次沉积一层50nm的Al掺杂n型ZnO接触层，一层50nm的Al掺杂n型Zn0.85Mg0.15O层。继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn0.9Mg0.1O与ZnO层以形成10个周期的多量子阱结构，其中Zn0.9Mg0.1O层厚度为10nm，ZnO层厚度为3nm。然后在多量子阱上依次沉积一层50nm的P掺杂的p型Zn0.85Mg0.15O层和p型ZnO接触层。在p型ZnO接触层上继续交替沉积Zn0.64Mg0.36O和ZnO层以形成20个周期分布式布拉格反射镜(DBR)结构，ZnO层厚为48.8nm，Zn0.64Mg0.36O层厚为52.9nm；
2)将步骤1)制品放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至10-3Pa，室温条件下在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn0.85Mg0.15O层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积一层与Zn0.64Mg0.36O/ZnO分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极，此例中，第一电极为ITO膜，第二电极为InSn合金薄膜。
Claims (7)
1. 一种ZnO基发光二极管，其特征是在衬底(1)上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xMgxO层(4)、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层(5)、p型Zn1-xMgxO层(6)、p型ZnO接触层(7)和由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)，第一电极(9)与n型ZnMgO层(4)并列并沉积在n型ZnO接触层(3)上，第二电极(10)与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)并列并沉积在p型ZnO接触层(7)上，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
2. 根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征在于所说的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层(5)由Zn1-xMgxO和ZnO交替10～20周期形成。
3. 根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征在于所说的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替10～40周期形成。
4. 根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征在于所说的衬底为硅、蓝宝石或ZnO单晶。
5. 根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征在于所说的第一电极(9)为掺Ga的n-ZnO透明导电膜或ITO膜。
6. 根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征在于所说的第二电极(10)为InZn或InSn合金。
7. 权利要求1所述的ZnO基发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将衬底(1)表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中，生长室真空度抽至4.0×10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度升至200～600℃，输入氧气，氧压调至0.1～10Pa，设定激光参数为300mJ、3Hz，衬底与靶材间距4.5cm，依次变换靶材沉积ZnO缓冲层(2)，n型ZnO接触层(3)，n型Zn1-xMgxO层(4)，继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn1-xMgxO与ZnO层以形成10～20周期的多量子阱结构(5)，然后再依次沉积p型Zn1-xMgxO层(6)与p型ZnO接触层(7)，继续保持相同的生长条件，交替沉积Zn1-xMgxO层与Zn1-yMgyO层以形成10～40周期的布拉格反射镜结构层(8)；
2)将步骤1)制品放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至10-3Pa，室温条件下第一电极(9)与n型ZnMgO层(4)并列并沉积在n型ZnO接触层(3)上，第二电极(10)与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)并列并沉积在p型ZnO接触层(7)上；
上述多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101544747A CN100420053C (zh) | 2006-11-02 | 2006-11-02 | 一种ZnO基发光二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101544747A CN100420053C (zh) | 2006-11-02 | 2006-11-02 | 一种ZnO基发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1945867A CN1945867A (zh) | 2007-04-11 |
| CN100420053C true CN100420053C (zh) | 2008-09-17 |
Family
ID=38045144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006101544747A Expired - Fee Related CN100420053C (zh) | 2006-11-02 | 2006-11-02 | 一种ZnO基发光二极管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100420053C (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101359706B (zh) * | 2008-08-22 | 2010-10-13 | 浙江大学 | 一种ZnO基多量子阱发光二极管 |
| WO2011145794A1 (ko) | 2010-05-18 | 2011-11-24 | 서울반도체 주식회사 | 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법 |
| CN103003966B (zh) * | 2010-05-18 | 2016-08-10 | 首尔半导体株式会社 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法 |
| WO2012015153A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed bragg reflector |
| KR20120092000A (ko) | 2011-02-09 | 2012-08-20 | 서울반도체 주식회사 | 파장변환층을 갖는 발광 소자 |
| CN102185049B (zh) * | 2011-04-22 | 2012-11-07 | 浙江大学 | ZnO基发光器件的制备方法 |
| CN105742190A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-07-06 | 常州工学院 | ZnO基不对称量子阱隧穿同质p-n二极管的制备方法 |
| CN106601884B (zh) * | 2016-10-26 | 2019-06-21 | 中南民族大学 | ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN114242857B (zh) * | 2021-12-10 | 2024-08-02 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、led芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1499651A (zh) * | 2002-11-05 | 2004-05-26 | 炬鑫科技股份有限公司 | 白光发光二极管的制造方法及其发光装置 |
| JP2004179654A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi | ＧａＮ基の発光装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-11-02 CN CNB2006101544747A patent/CN100420053C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN1499651A (zh) * | 2002-11-05 | 2004-05-26 | 炬鑫科技股份有限公司 | 白光发光二极管的制造方法及其发光装置 |
| JP2004179654A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi | ＧａＮ基の発光装置及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1945867A (zh) | 2007-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080917 Termination date: 20161102 |