CN100419121C - 湿蚀刻设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种湿蚀刻设备，其包括一基板承载室、一干传送区、一干燥室、一漂洗室及一蚀刻区，该湿蚀刻设备还包括一升降室及一干传送带，该基板承载室、干燥室、漂洗室、蚀刻区及该升降室顺序呈直线排列，该干传送带位于该干燥室、漂洗室及蚀刻区的上方，且与基板承载室及升降室连接。
Description
【技术领域】
本发明是关于一种湿蚀刻设备。
【背景技术】
湿蚀刻技术以其成本低、产率高、可靠，对光罩与基座材料选择性好等优点，在薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)的前段半导体制程对玻璃基板的蚀刻过程中得到广泛应用。然而，湿蚀刻设备因为其段点众多，玻璃基板传送流程复杂，一般在高压下伴随第一道清洗进行湿传送玻璃基板过程中，会产生激烈震动，致使产品追片及破碎等异常现象发生，造成生产率降低。
请参阅图1，是一种现有技术湿蚀刻设备的立体结构示意图。该湿蚀刻设备10包括一基板承载室111、一缓冲室112、一第一蚀刻室113、一第二蚀刻室114、一第三蚀刻室115、一湿传送区116、一漂洗室117、一干燥室118、一干传送区119及居于中心的维修区110。该湿蚀刻设备10是水平排列，该基板承载室111分别与该缓冲室112及该干传送区119连接，该基板承载室111、该缓冲室112、该第一蚀刻室113、该第二蚀刻室114、该第三蚀刻室115、该湿传送区116、该漂洗室117、该干燥室118及该干传送区119顺序首尾相连，环绕呈矩形状，该维修区110位于该湿蚀刻设备10各部分环绕形成的中心矩形区域，分别与湿蚀刻设备10的其它各部分相邻，该缓冲室112、该第一蚀刻室113、该第二蚀刻室114及该第三蚀刻室115与该漂洗室117、该干燥室118及该干传送区119分别平行排列于该维修区110的两侧，该基板承载室111与湿传送区116分别平行排列于该维修区110的另外两侧。
玻璃基板经前段制程处理完毕，进入该湿蚀刻设备10的基板承载室111，该缓冲室112是将待蚀刻的玻璃基板由该基板承载室111装载于其上，使得玻璃基板顺序进入与该缓冲室112直线排列的相连的该第一蚀刻室113、第二蚀刻室114与第三蚀刻室115，蚀刻完毕的玻璃基板进入该湿传送区116内，由滚筒或夹具伴以去离子水在高压下对玻璃基板进行清洗传送过程，随后依次进入该漂洗室117、该干燥室118及该干传送区119，该干传送区119将处理完毕的玻璃基板卸载至该基板承载室111，再由该基板承载室111向后续制程传送，如此，玻璃基板的传送路径形成。
该维修区110是封闭区域，其内设置有湿蚀刻制程所需要的化学管线及气体管线，人员可进入其内进行维修。该缓冲室112下方是该维修区110的入口信道(未标示)，由此可进入该维修区110对各部分段点进行维修管护。
然而，该维修区110的维修通道入口横截面为0.9m×0.9m，使得设备维护人员出入不便；该湿传送区116是由滚筒或夹具伴以去离子水第一道清洗进行湿传送，由于湿传送过程是在高压清洗中进行湿传送，发生强烈震动，玻璃基板易在此过程中产生破碎、追片等异常现象，降低产品合格率；该第一蚀刻室113、该第二蚀刻室114及该第三蚀刻室115与该基板承载室111之间仅隔一缓冲室112，距离该基板承载室111近，偶尔有化学品泄漏对玻璃基板及周围环境造成污染，会降低产品合格率；该干传送区119作为连接该干燥室118与该基板承载室111的部分，必须保持相应的长度，这不仅造成材料消耗，而且占用不必要的场地。
请参阅图2，是现有技术湿蚀刻设备的俯视图。随着液晶显示器面板尺寸的大型化，湿蚀刻设备10也相应占据较大空间。该湿蚀刻设备10的传送系统是水平传送，该湿蚀刻设备10除该基板承载室111之外的其余各部分是水平呈矩形排列，该缓冲室112与该第一蚀刻室113、第二蚀刻室114与第三蚀刻室115及湿传送区116构成的矩形的一边宽度为10.08m，该维修区110宽度为0.9m，其两侧的各段点宽度均为2.3m，该湿传送区116构成矩形的一边，宽度为5.5m，因此，该湿蚀刻设备10除该基板承载室111之外的其余各部分占地面积达55.44m2。
请参阅图3，是现有技术的两湿蚀刻设备排列的示意图。该现有技术的两湿蚀刻设备10间隔为0.9m，除该基板承载室111之外其余各部分占地123.75m2。
【发明内容】
为克服现有技术的湿蚀刻设备维护不方便、产品合格率低及占地面积大的问题，本发明提供一种便于维护、产品合格率高及占地面积小的湿蚀刻设备。
本发明还提供另一种可解决相同技术问题的湿蚀刻设备。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：提供一种湿蚀刻设备，包括一基板承载室、一干传送区、一干燥室、一漂洗室及一蚀刻区，该湿蚀刻设备还包括一升降室及一干传送带，该基板承载室、干燥室、漂洗室、蚀刻区及该升降室顺序呈直线排列，该干传送带位于该干燥室、漂洗室及蚀刻区的上方，且与基板承载室及升降室连接。
本发明解决技术问题所采用的另一个技术方案是：提供一种湿蚀刻设备，用于湿蚀刻玻璃基板，玻璃基板在该湿蚀刻设备中经由水平传送过程、垂直传送过程及水平传送过程完成玻璃基板的传送，玻璃基板在水平传送过程中由一基板承载室经一干传送带传送至一升降室，在垂直传送过程中由升降室到达一蚀刻区，再通过水平传送依次经过一蚀刻区、一漂洗室及一干燥室传送至基板承载室。
相较于现有技术，由于本发明湿蚀刻设备的干传送带位于干燥室、漂洗室及蚀刻区的上方，这种双层结构使得该湿蚀刻设备的维修操作可在相对互补摆放的两湿蚀刻设备之间的敞开区域进行，维修人员出入方便，维护操作及日常点检简便；该湿蚀刻设备省去现有技术的复杂湿传送区，改采用升降室进行玻璃基板传送，避免因伴随高压清洗进行湿传送过程中，产生强烈的震动，从而引起玻璃基板在此过程中产生破碎、追片等异常现象，提高产品合格率；该蚀刻区距离该基板承载室远，可减少偶尔有的化学品泄漏对玻璃基板及周围环境的污染，并且提高产品合格率；该湿蚀刻设备充分利用空间，两湿蚀刻设备相对互补摆放，可节省场地面积。
【附图说明】
图1是一种现有技术湿蚀刻设备的立体结构示意图。
图2是现有技术湿蚀刻设备的俯视图。
图3是现有技术的两湿蚀刻设备排列的示意图。
图4是本发明的湿蚀刻设备的立体结构示意图。
图5是本发明的两湿蚀刻设备相对排列的示意图。
【具体实施方式】
请参阅图4，是本发明的湿蚀刻设备的立体结构示意图。该湿蚀刻设备20包括顺序呈直线排列的一基板承载室211、一干传送区219、一干燥室218、一漂洗室217、一第三蚀刻室216、一第二蚀刻室215、一第一蚀刻室214及一升降室213，还包括一干传送带212，该干传送带212位于该干传送区219、该干燥室218、该漂洗室217、该第三蚀刻室216、该第二蚀刻室215及该第一蚀刻室214的上方，且与该基板承载室211及该升降室213连接。
该基板承载室211分别与该干传送带212及该干传送区219连接；该干传送带212将由该基板承载室211上装载的玻璃基板干水平传送至该升降室213，玻璃基板经升降室213由上层垂直传送至下层，然后顺序进入第一蚀刻室214、第二蚀刻室215、第三蚀刻室216、漂洗室217、干燥室218及干传送区219，该干传送区219将处理完毕的玻璃基板卸载至该基板承载室211完成玻璃基板的传送，再由该基板承载室211向后续制程传送。
请一并参阅图5，是本发明的两湿蚀刻设备相对排列的示意图。两湿蚀刻设备20相对摆放，中间形成维修区210，间隔宽度为0.9m。该干传送区219、该干燥室218、该漂洗室217、该第三蚀刻室216、该第二蚀刻室215及该第一蚀刻室214顺序排列，长度为12.5m，各部分宽度2.3m。
两湿蚀刻设备20相对排列，除基板承载室211之外其余部分占地面积为73.7m2。而现有技术的两湿蚀刻设备10，除该基板承载室111之外其余各部分占地123.75m2，本发明的两湿蚀刻设备20可较现有技术的两湿蚀刻设备10占地面积节省50.05m2。
相较于现有技术，由于本发明湿蚀刻设备20的该干传送带212位于该干传送区219、该干燥室218、该漂洗室217、该第三蚀刻室216、该第二蚀刻室215及该第一蚀刻室214的上方，这种双层结构使得该湿蚀刻设备20的维修操作可在两湿蚀刻设备20之间的敞开区域进行，维修人员出入方便，维护操作及日常点检简便；该湿蚀刻设备20省去现有技术的复杂湿传送区，改采用该干传送带212及该升降室213进行玻璃基板传送，避免因伴随高压清洗行湿传送过程中，产生强烈的震动，从而引起玻璃基板在此过程中产生破碎、追片等异常现象，提高产品合格率；该第一蚀刻室214、第二蚀刻室215与第三蚀刻室216距离该基板承载室211远减少偶尔有的化学品泄漏对该基板承载室211承载的玻璃基板及周围环境的污染，并且提高产品合格率；该干传送区219将玻璃基板卸载至该基板承载室211，作为连接该干燥室218与该基板承载室211的部分，保持相应的长度即可，不需要做多余的补偿；该湿蚀刻设备20充分利用空间排列，两湿蚀刻设备20相对互补摆放，可节省场地面积。
Claims (4)
1. 一种湿蚀刻设备，包括一基板承载室、一干传送区、一干燥室、一漂洗室及一蚀刻区，其特征在于：该湿蚀刻设备还包括一升降室及一干传送带，该基板承载室、干燥室、漂洗室、蚀刻区及该升降室顺序呈直线排列，该干传送带位于该干燥室、漂洗室及蚀刻区的上方，且与基板承载室及升降室连接。
2. 如权利要求1所述的湿蚀刻设备，其特征在于：该干传送区连接该基板承载室与干燥室，位于基板承载室与干燥室之间。
3. 如权利要求1所述的湿蚀刻设备，其特征在于：该蚀刻区包括一第一蚀刻室、一第二蚀刻室及一第三蚀刻室。
4. 一种湿蚀刻设备，用于湿蚀刻玻璃基板，其特征在于：玻璃基板在该湿蚀刻设备中经由水平传送过程、垂直传送过程及水平传送过程完成玻璃基板的传送，玻璃基板在水平传送过程中由一基板承载室经一干传送带传送至一升降室，在垂直传送过程中由升降室到达一蚀刻区，再通过水平传送依次经过一蚀刻区、一漂洗室及一干燥室传送至基板承载室。
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