CN100405583C - 高频布线结构和高频布线结构的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种高频布线结构，在防止高频电流的部分集中而引起的损耗低下的同时，能确保较大的传输导体的截面面积，降低高频电流的损耗。采用高频布线结构(1)，该频布线结构具有微波传输带线路(6)，微波传输带线路(6)包括接地导体(3)、配置在该接地导体(3)上的电介质(4)和至少一部分配置在电介质(4)内的传输导体(5)，上述传输导体(5)由平行于接地导体(3)的平面底部、垂直于接地导体(3)且位于平面底部的布线宽度方向两侧的一对平面侧部、连续地连结平面底部和一对平面侧部的曲面部划分，将曲面部的曲率半径设定在传输导体厚度的5%以上且50%以下的范围内。
Description
技术领域
本发明涉及高频布线结构和高频布线结构的制造方法，特别是涉及能降低损耗的高频布线结构和高频布线结构的制造方法。
背景技术
近年来，微波带和毫米波带等高频带的应用逐步发展到民用化，移动无线设备、卫星通信、汽车防碰撞系统等的无线通信领域逐步扩大。随之，使用于数据通信的频率也增高，在收发两用机的内部处理的信号也越来越趋向于高频化。
在收发两用机的内部，一般在印刷基板或陶瓷基板上形成电介质层，在该电介质层上形成微细的电路图形(布线图形)，在该电路图形中安装着IC和无源器件等。用溅射法等的真空工艺形成电介质层，利用使用了光刻技术的构图来形成电路图形。
在下述专利文献1和2中公开了在高频带中进行工作的收发两用机内部的电路图形的一例。在专利文献1中公开了具有传输导体的布线基板，所述传输导体的底面与接地层平行，侧面部成为连续的曲面。此外，在专利文献2中公开了具有至少与电介质接触的面是连续曲面的传输导体的布线基板。在这些专利文献1和2中可降低损耗。这些电路基板都使用光敏性双苯基环丁烯(bisbenzocyclobutene：BCB)作为电介质，通过对该光敏性BCB进行光刻加工，形成规定形状的沟部，在该沟部内填充成为信号布线的传输导体，用这样的手段来进行制造。利用通过对光敏性BCB的曝光和显影而形成特有的截面形状的沟部的现象，形成了上述的传输导体的截面形状。
专利文献1：日本特开平10-242599号公报
专利文献2：日本特开平9-172107号公报
但是，在专利文献1中记载的电路基板中，由于高频电流的通过区域被限定在传输导体的具有曲率的部分上，因此，有相对于设计线宽传输导体的截面面积变小、损耗增大的问题。此外，在专利文献2中记载的电路基板中，传输导体的电介质侧的面是曲面，但由于传输导体的上表面是平行于接地层的平面，因此，有曲面与平面的接触部成为角部、高频电流容易集中在该角部而损耗增大的问题。
发明内容
本发明用于解决上述课题，其目的在于提供一种高频布线结构和高频布线结构的制造方法，能够防止高频电流的部分集中而引起的损耗增大，并且确保较大的传输导体的截面面积，降低高频电流的损耗。
为了达到上述目的，本发明采用了以下结构。
本发明的高频布线结构，具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在电介质内的传输导体；上述传输导体由平行于上述接地导体的平面底部、垂直于上述接地导体且位于上述平面底部的布线宽度方向两侧的一对平面侧部、连续地连结上述平面底部和上述一对平面侧部的曲面部划分，上述曲面部的曲率半径R被设定在上述传输导体厚度的5％以上且50％以下的范围内。
根据上述结构，由于将曲面部的曲率半径R设定在上述范围内，因此，能够缓和高频电流的集中，降低高频损耗。此外，由于加之平面底部在传输导体上设置着平面侧部，因此，与现有的电路布线的传输导体相比，能够确保较大的截面面积，能够降低高频损耗。另外，由于连续连结曲面部与平面侧部，因此，能够缓和高频电流的集中，降低损耗。
此外，本发明的高频布线结构是前述记载的高频布线结构，并且，将上述曲面部的曲率半径R设定在上述传输导体厚度的10％以上40％以下的范围内。根据该结构，能够进一步缓和高频电流，进一步降低损耗。
下面，本发明的高频布线结构的制造方法中，该高频布线结构具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在电介质内的传输导体，其包括：在基板上形成导电性颗粒层、并且在该导电性颗粒层上形成空出了导体图形部的掩膜抗蚀层的工序；利用电镀在上述导体图形部上形成第一图形导体、并且刻蚀上述掩膜抗蚀层使其上表面与上述第一图形导体的上表面在同一平面上的工序；利用电镀在上述第一图形导体上形成厚度在上述第一图形导体厚度的5％以上且50％以下的范围的第二图形导体的工序；去除上述掩膜抗蚀层并刻蚀上述第二图形导体、而曲面加工上述第二图形导体的宽度方向两侧的工序；使上述基板上的上述第一、第二图形导体与电介质对置后、将上述第一、第二图形导体压入填充到电介质中的工序；去除上述基板和上述导电性颗粒层后形成由上述第一、第二图形导体构成的传输导体的工序。
此外，本发明的高频布线结构的制造方法中，该高频布线结构具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在电介质内的传输导体，其包括：在基板上形成导电性颗粒层、并且在该导电性颗粒层上形成空出了布线图形部的掩膜抗蚀层的工序；利用电镀在上述布线图形部形成厚度在上述掩膜抗蚀层厚度的20％以上且90％以下的范围的第一图形导体的工序；利用溅射法在上述第一图形导体和上述掩膜抗蚀层上形成具有上述第一图形导体厚度的5％以上且50％以下范围的厚度的第二图形导体的工序；将上述掩膜抗蚀层和形成在上述掩膜抗蚀层的上表面上的上述第二图形导体的一部分一起浮脱去除的工序；使上述基板上的上述第一、第二图形导体与电介质对置后将上述第一、第二图形导体压入填充到电介质中的工序；去除上述基板和上述导电性颗粒层后、形成由上述第一、第二图形导体构成的传输导体的工序。
根据上述高频布线结构的制造方法，能够形成具有平面底部和平面侧部及曲面部的传输导体。即，在能够利用第一图形导体形成平面侧部的同时，能够利用第二导体图形形成平面底部和曲面部。此外，通过调整第二导体图形，能够控制曲面部的曲率半径R。
此外，本发明的高频布线结构的制造方法中，在前述记载的高频布线结构的制造方法中，将上述第二图形导体的厚度设定在上述第一图形导体厚度的10％以上40％以下的范围内。利用该结构，能够将曲面部的曲率半径R控制在更窄范围内。
发明的效果
根据本发明的高频布线结构，在防止高频电流的部分集中而引起的损耗低下的同时，能够确保较大的传输导体的截面面积，降低高频电流的损耗。
附图的简要说明
图1是示出本发明第一实施方式的高频布线结构的剖面模式图。
图2是示出本发明第一实施方式的高频布线结构的主要部分的剖面模式图。
图3是用于说明本发明第二实施方式的高频布线结构的制造方法的工序图。
图4是用于说明本发明第二实施方式的高频布线结构的制造方法的工序图。
图5是用于说明本发明第三实施方式的高频布线结构的制造方法的工序图。
图6是示出比较例4(现有结构)的高频布线结构的剖面模式图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，参照附图说明本发明的第一实施方式。图1是本实施方式的高频布线结构的剖面模式图，图2是高频布线结构的主要部分的剖面模式图。如图1所示，本实施方式的高频布线结构1具有微波传输带线路6，所述微波传输带线路6由形成在绝缘基板2上的接地导体3、配置在接地导体3上的电介质4和至少一部分配置在电介质4内的传输导体5构成。
绝缘基板2只要能支承接地导体3和电介质4就行，但可以使用例如玻璃环氧基板、氧化铝基板等。再有，绝缘基板2不是必需的结构部件，若电介质4强度比较高，也可以省略绝缘基板2。
此外，接地导体3由例如Cu、Ag等导电性优良的材料构成，厚度大于5μm且小于20μm。可以对绝缘基板2或电介质4使用所谓的溅射法、蒸镀法这样的通常的薄膜工艺，来形成该接地导体3，也可以将金属箔粘贴在电介质4上来形成。
另外，电介质4最好使用例如聚酯树脂和环氧树脂等。
下面，如图1和图2所示，传输导体5大致整个被填充在电介质4中，从图1的前面向里侧形成为线状。该传输导体5由例如Cu、Ag等导电材料形成。此外，该传输导体5截面为大致矩形，其结构由平行于接地导体3的平面底部5a、垂直于接地导体3且位于平面底部5a的布线宽度方向两侧的一对平面侧部5b、5b、分别连续地连结平面底部5a和一对平面侧部5b、5b的曲面部5c、5c、大致平行于平面底部5a的平面上部5d划分。曲面部5c被设置在传输导体5上的四个角的棱边部中的接地导体3侧的棱边部上。
这样地，由于传输导体5在平面底部5a以外还设置了平面侧部5b，因此，其侧面侧由曲面部5c和平面侧部5b构成，这样，平面(平面侧部5b)就占传输导体5的侧面的一部分。这样，传输导体5的厚度就增加了与设置平面侧部5b的厚度相当的量，与现有的电路布线的传输导体相比，可确保截面面积较大，能降低高频损耗。另外，由于曲面部5c与平面侧部5b连续连结，因此，缓和了高频电流的集中，降低损耗。
此外，如图2所示，在将传输导体5的厚度设为d时，将传输导体5的曲面部5c的曲率半径R设定在厚度d的大于5％且小于50％的范围内。若曲率半径R不足5％，则曲面部5c、5c变小而成为棱边，由于高频电流集中流向该曲面部5c、5c而损耗变大，故不好。此外，若曲率半径R超过50％，则相对地平面侧部5b的占有面积变小，这样，就将高频电流的通过区域限制在曲面部5c附近，反而损耗增大了，故不好。此外，通过将曲率半径R设定在厚度d的10％以上且40％以下的范围内，就能够进一步有效地降低损耗。
具体的传输导体5的厚度，希望是例如5μm以上且20μm以下的范围。此外，曲率半径R希望是例如0.5μm以上且8μm以下的范围。
再有，大致只按照与工作频率的关系设定传输导体5的宽度。例如，要按5GHz进行工作，就最好将传输导体5的宽度设为50μm。与该传输导体5的宽度相关联，在本发明中有必要必须设置平面底部5a。假如省略平面底部5a来相互连结一对曲面部5c、5c，就必须要用与工作频率匹配的面增大曲率半径R的绝对值。例如，在工作频率5GHz中，必须将曲率半径R设在50μm以上。于是，传输导体5的截面面积就变得过大。在本发明中，通过设置平面底部5a，能够确保必要的导体宽度，同时，能够将曲面部5c的曲率半径R设定成为了防止电场集中而需要的最小限度的大小，能够得到不必增大R到必要以上的效果。
此外，平面底部5a最好与接地导体3平行。若平面底部5a对于接地导体3倾斜，则传输导体5与接地导体3的间隔就因情况而不同，在高频电流的传输中产生障碍，故不好。
此外，最好平面侧部5b、5b对于接地导体3垂直，且相互平行。若平面侧部5b、5b朝向着平面上部5d侧相互离间的方向倾斜，则传输导体5的与接地导体3相向的面积就变大，其结果，传输导体5的厚度d变小，截面面积减少而损耗增大了，故不好。此外，若平面侧部5b、5b向朝着平面上部5d侧相互接近的方向倾斜，则平面侧部5b与平面底部5a的交叉角度就成为锐角，这样，电场集中在曲面部5c上，损耗增大，故不好。
如以上说明，根据本实施方式的高频布线结构，在防止高频电流的部分集中而产生的损耗低下的同时，能够确保较大的传输导体的截面面积，降低高频电流的损耗。
[第二实施方式]
下面，对本发明的第二实施方式的高频布线结构的制造方法进行说明。图3和图4中示出本实施方式的高频布线结构的制造方法的工序图。本实施方式的高频布线结构的制造方法大致包括在基板上形成掩膜抗蚀层的工序、形成第一图形导体的工序、形成第二图形导体的工序、曲面加工第二图形导体的工序、将第一和第二图形导体填充到电介质中的工序、去除基板的工序。
在基板上形成掩膜抗蚀层的工序中，在基板上形成导电性颗粒层，并且在该导电性颗粒层上形成空出了导体图形部的掩膜抗蚀层。即，如图3A所示，在基板11上层叠导电性颗粒层12。作为基板11，可以使用厚700μm的玻璃板。此外，将基板2最好是表面粗糙度设定在0.1～0.3μm以下的平整性极高的基板。此外，可以在导电性颗粒层12中使用例如厚0.1μm的铜溅射膜。接着，如图3B所示，在导电性颗粒层12上层叠厚5μm的掩膜抗蚀层13。最好空出规定的导体图形部13a形成掩膜抗蚀层13。导体图形部13a的宽度取决于布线的工作频率，但最好是50μm。此外，最好从该导体图形部13a露出导电性颗粒层12。
接着，在形成第一图形导体的工序中，利用电镀在导体图形部13a上形成第一图形导体，并且刻蚀掩膜抗蚀层13，使它的上表面与第一图形导体的上表面在同一平面上。
即，如图3C所示，利用以导电性颗粒层12为电极的电镀法，在导体图形部13a内形成由铜等构成的多个第一图形导体14…。具体地说，通过使电镀液与没被掩膜抗蚀层13覆盖的导电性颗粒层12的表面接触来进行电镀。电镀液使用例如硫酸铜溶液等。这时形成的第一图形导体14的厚度最好是掩膜抗蚀层13的40％的厚度，例如对于5μm厚的掩膜抗蚀层13，最好设为2μm的厚度。
接着，如图3D所示，刻蚀掩膜抗蚀层13，使它的上表面13b与第一图形导体14的上表面14a在同一平面上。这时的刻蚀最好使用溅射等的干法刻蚀。
接着，在形成第二图形导体的工序中，利用电镀，在第一图形导体14上形成厚度为第一图形导体14厚度的5％以上且50％以下的范围的第二图形导体。
即，如图3E所示，利用以导电性颗粒层12和第一图形导体14为电极的电镀法，在第一图形导体14上形成由铜等构成的多个第二图形导体15…。具体地说，通过使硫酸铜溶液等电镀液与第一图形导体14接触来进行电镀。这时形成的第二图形导体15的厚度最好是第一图形导体14厚度的5％以上且50％以下，更好的是10％以上且40％小于的厚度。例如对于2μm厚的第一图形导体14，最好将第二图形导体15设为0.1μm以上1μm以下的厚度。第二图形导体15最终构成传输导体的平面底部和曲面部，但通过控制第二图形导体15的厚度，就能够调整曲面部的曲率半径R。
再有，如图3E所示，第二图形导体15在由电镀形成时，除了厚度方向以外，也在宽度方向上生长。但是，由于向宽度方向上的生长速度是厚度方向上的三分之一，故向宽度方向的溢出几乎可以忽视。
接着，在曲面加工第二图形导体的工序中，首先，如图3F所示，去除掩膜抗蚀层13。在去除了掩膜抗蚀层13之后，成为第一图形导体14和比该第一图形导体14宽的第二图形导体15相互层叠的状态。
接着，如图3G所示，通过用10％氯化铁水溶液等的腐蚀液湿法刻蚀第二图形导体15，来曲面加工第二图形导体15的宽度方向两侧。在第二图形导体15的宽度方向两侧形成有在宽度方向上突出的突起，优先刻蚀该突起形成曲面部5c。
接着，在电介质中填充第一和第二图形导体的工序中，使电介质4与基板11上的第一、第二图形导体14、15对置，通过向电介质4中压入第一、第二图形导体14、15，就将第一、第二图形导体14、15填充到电介质4内。
即，如图4A所示，准备由例如环氧树脂等构成的厚15μm的电介质基板4。然后，在电介质基板的上侧配置形成了第一、第二图形导体的基板，在电介质基板的下侧配置层叠了接地导体的绝缘基板。
接着，如图4B所示，分别使基板11和绝缘基板2与电介质基板4接触，一边加热电介质基板4，一边利用热冲压将第一、第二图形导体14、15填充到电介质基板4中，同时，使接地导体3与电介质基板4接合。热冲压温度取决于电介质基板4的材质，但最好是140～180℃的范围。此外，热冲压的压力最好是15～25Pa。另外，冲压时间最好是30～50分钟。利用该热冲压，就在电介质基板4中填充了第一、第二图形导体14、15。
接着，在去除基板的工序中，去除基板11和导电性颗粒层12后，形成由第一、第二图形导体14、15构成的传输导体5。
即，如图4C所示，从导电性颗粒层12慢慢地剥下基板11，接着，如图4D所示，通过用10％氯化铁水溶液等的腐蚀液湿法刻蚀，去除导电性颗粒层12。这样就得到在电介质基板4中填充着由第一、第二图形导体14、15构成的传输导体5的高频布线结构1。
根据上述的高频布线结构的制造方法，能够容易地形成具有平面底部5a和平面侧部5b及曲面部5c的传输导体5。即，能够利用第一图形导体14形成平面侧部5c，并且能够利用第二图形导体15形成平面底部5a和曲面部5c。此外，通过调整第二图形导体15的厚度，能够控制曲面部5c的曲率半径R。
[第三实施方式]
下面，对本发明的第三实施方式的高频布线结构的制造方法进行说明。图5中示出本实施方式的高频布线结构的制造方法的工序图。本实施方式的高频布线结构的制造方法大致包括在基板上形成掩膜抗蚀层的工序、形成第一图形导体的工序、形成第二图形导体的工序、与一部分的第二图形导体共同浮脱去除掩膜抗蚀层的工序、将第一和第二图形导体填充到电介质中的工序、去除基板的工序。
再有，在本实施方式的高频布线结构的制造方法中存在与先前说明的第二实施方式中的工序通用的工序。即，在本实施方式和第二实施方式中，形成掩膜抗蚀层的工序、在电介质中填充第一、第二导体的工序和去除基板的工序通用。从而，在以下的说明中，简略说明这些通用的工序。
首先，如图5A和5B所示，在基板11上形成导电性颗粒层12，接着，在导电性颗粒层12上层叠掩膜抗蚀层13。到此为止的工序与第二实施方式的情况相同。但是，在本实施方式中，最好使掩膜抗蚀层13的厚度比第二实施方式的情况厚，例如，最好设在5μm以上20μm以下的范围。
接着，在形成第一图形导体的工序中，利用电镀，在布线图形部形成厚度在掩膜抗蚀层厚度的20％以上且90％以下的范围的的第一图形导体。即，如图5C所示，利用以导电性颗粒层12为电极的电镀法，在导体图形部13a内形成由铜等构成的多个第一图形导体24…。这时形成的第一图形导体24的厚度最好是掩膜抗蚀层13的20％以上且90％以下的厚度。
接着，在形成第二图形导体的工序中，如图5D所示，利用溅射法，对第一图形导体24和掩膜抗蚀层13层叠第二图形导体25。在该工序中，一点都不使用掩膜等，在第一图形导体24和掩膜抗蚀层13的一个面13a上层叠由铜等的溅射膜构成的第二图形导体25。如图5D所示，溅射膜即第二图形导体25的剖面形状成为宽度方向两侧的端部的膜厚逐渐变小的形状。该宽度方向两侧的端部的形状大致接近于曲面形状。这取决于第一图形导体24与掩膜抗蚀层13的膜厚的差。即，第一图形导体24与掩膜抗蚀层13的边界成为台阶部，在该阶梯部附近成膜的溅射膜的溅射粒子扩散后膜厚减少。
最好将第二图形导体25的膜厚设为第一图形导体24厚度的5％以上且50％以下的范围。例如对于2μm厚的第一图形导体24，最好将第二图形导体25设为0.1μm以上1μm以下的厚度。第二图形导体25最终构成传输导体的平面底部和曲面部，但通过控制该第二图形导体25的厚度，能够调整曲面部的曲率半径R。
接着，在去除掩膜抗蚀层13的工序中，如图5E所示，浮脱去除掩膜抗蚀层13和层叠在掩膜抗蚀层13上的第二图形导体25。
接着，与先前图4中说明的第二实施方式同样地，使电介质与基板11上的第一、第二图形导体24、25对置，将第一、第二图形导体24、25压入填充到电介质中。然后，依次去除基板11和导电性颗粒层12。这样就得到如图1和图2所示的高频布线结构1。
[实施例]
以下，利用实施例进一步详细地说明本发明。
在厚700μm的玻璃基板上成膜0.1μm厚的铜溅射膜作为导电性颗粒层，在该导电性颗粒层上形成了5μm厚的掩膜抗蚀层。在掩膜抗蚀层上设置了宽50μm的导体图形部。接着，以导电性颗粒层为电极进行铜电镀，在导体图形部内形成了由厚2μm的铜电镀膜构成的第一图形导体。然后，刻蚀掩膜抗蚀层，使掩膜抗蚀层与第一图形导体厚度相同。
接着，通过以第一图形导体为电极进行铜电镀，在第一图形导体上层叠了各种各样厚度的第二图形导体。接着，去除掩膜抗蚀层后，用10％氯化铁水溶液湿法刻蚀第二图形导体，形成了曲面部。
接着，准备厚15μm的由环氧树脂构成的电介质基板，在该电介质基板的一面侧配置形成了第一、第二导体的玻璃基板。此外，在电介质基板的另一面侧配置成膜了由铜溅射膜构成的接地导体的绝缘基板。然后，在将电介质基板加热到180℃的状态下，通过用玻璃基板和绝缘基板夹电介质基板进行加压，将第一、第二图形导体压入到电介质基板中。另外，从导电性颗粒层剥离了玻璃基板后，用10％氯化铁水溶液湿法刻蚀导电性颗粒层，之后去除了导电性颗粒层。
这样，就制造了接地导体与电介质的另一面侧接合、在电介质的一面侧填充着由第一、第二图形导体构成的传输导体的第一实施例～第五实施例和第一比较例～第三比较例的高频布线结构。再有，通过调整第二图形导体的厚度，将曲面部的曲率半径R设置在传输导体厚度的0％～60％的范围。
接着，如图6所示，作为传输导体55，制造了具有传输导体的第四比较例的高频布线结构，所述传输导体由平面底部55a、与该平面底部55a的宽度方向两侧连续的一对曲面部55b、55b、连结一对曲面部55b、55b并平行于平面底部55a的平面上部55c划分。该第四比较例的传输导体是没形成平面侧部的现有形状的传输导体。再有，该第四比较例的传输导体的曲面部的曲率半径相当于将曲率半径R(％)设为30％的情况的大小。
对于第一实施例～第五实施例和第一比较例～第四比较例的高频布线结构，测定了工作频率5GHz中的微带传输线损耗(MSL损耗)。表1中示出结果。
【表1】
| 曲率半径R(％) | MSL损耗(dB) | |
| 第一实施例 | 5 | -0.58 |
| 第二实施例 | 10 | -0.56 |
| 第三实施例 | 25 | -0.55 |
| 第四实施例 | 40 | -0.55 |
| 第五实施例 | 50 | -0.57 |
| 第一比较例 | 0 | -0.59 |
| 第二比较例 | 55 | -0.59 |
| 第三比较例 | 60 | -0.60 |
| 第四比较例 | 相当于30％ | -0.57 |
如表1所示，若比较第一～第五实施例和第一～第三比较例可知，曲率半径R(％)在5～50％的范围中MSL损耗变小了。另外，从第二～实施例可知，MSL损耗进一步变小了。
接着，若比较第三及第四实施例和第四比较例可知，尽管具有相同的曲率半径，第四比较例的MSL损耗也比第三和第四实施例恶化。认为这是因为在第四比较例中没形成平面侧部，故传输导体自身的截面面积变小，高频电流的流经区域变窄，损耗增大了。
Claims (6)
1.一种高频布线结构，其特征在于，
具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在上述电介质内的传输导体；
上述传输导体由平行于上述接地导体的平面底部、垂直于上述接地导体且位于上述平面底部的布线宽度方向两侧的一对平面侧部、连续地连结上述平面底部和上述一对平面侧部的曲面部划分，上述曲面部的曲率半径R被设定在上述传输导体厚度的5％以上且50％以下的范围内。
2.如权利要求1所述的高频布线结构，其特征在于，上述曲面部的曲率半径R被设定在上述传输导体厚度的10％以上且40％以下的范围内。
3.一种高频布线结构的制造方法，该高频布线结构具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在上述电介质内的传输导体，其特征在于，包括：
在基板上形成导电性颗粒层、并且在该导电性颗粒层上形成空出了导体图形部的掩膜抗蚀层的工序；
利用电镀在上述导体图形部上形成第一图形导体、并且刻蚀上述掩膜抗蚀层使其上表面与上述第一图形导体的上表面在同一平面上的工序；
利用电镀在上述第一图形导体上形成厚度在上述第一图形导体厚度的5％以上且50％以下的范围的第二图形导体的工序；
去除上述掩膜抗蚀层并刻蚀上述第二图形导体后、曲面加工上述第二图形导体的宽度方向两侧的工序；
使上述基板上的上述第一、第二图形导体与电介质对置后、将上述第一、第二图形导体压入填充到电介质中的工序；
去除上述基板和上述导电性颗粒层后形成由上述第一、第二图形导体构成的传输导体的工序。
4.如权利要求3所述的高频布线结构的制造方法，其特征在于，将上述第二图形导体的厚度设定在上述第一图形导体厚度的10％以上40％以下的范围内。
5.一种高频布线结构的制造方法，该高频布线结构具有微波传输带线路，所述微波传输带线路包括接地导体、配置在该接地导体上的电介质和至少一部分配置在上述电介质内的传输导体，其特征在于，包括：
在基板上形成导电性颗粒层、并且在该导电性颗粒层上形成空出了布线图形部的掩膜抗蚀层的工序；
利用电镀在上述布线图形部形成厚度在上述掩膜抗蚀层厚度的20％以上且90％以下的范围的第一图形导体的工序；
利用溅射法在上述第一图形导体和上述掩膜抗蚀层上形成具有上述第一图形导体厚度的5％以上且50％以下范围的厚度的第二图形导体的工序；
将上述掩膜抗蚀层和形成在上述掩膜抗蚀层的上表面上的上述第二图形导体的一部分一起浮脱去除的工序；
使上述基板上的上述第一、第二图形导体与电介质对置后将上述第一、第二图形导体压入填充到电介质中的工序；
去除上述基板和上述导电性颗粒层后、形成由上述第一、第二图形导体构成的传输导体的工序。
6.如权利要求5所述的高频布线结构的制造方法，其特征在于，将上述第二图形导体的厚度设定在上述第一图形导体厚度的10％以上40％以下的范围内。
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