CN100367368C - 在光学信息存储介质上记录和/或再现信息的方法 - Google Patents

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Abstract

一种光学信息存储介质和一种将信息记录在具有数据被记录在其中的引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法。在符合相同物理格式的存储介质上没有被修改的数据被记录在整个引入区域或引入区域的一部分中。在整个引入区域或引入区域的一部分中使用的数据记录调制方法与在该光学信息存储介质的剩余区域中使用的数据记录调制方法不同。

Description

在光学信息存储介质上记录和/或再现信息的方法
技术领域
本发明涉及一种光学信息存储介质和一种将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法，更具体地讲，涉及一种具有在其上被处处记录为凹坑的数据的光学信息存储介质，并且在该光学信息存储介质的引入区域的一部分中使用的第一记录调制方法和在剩余区域中使用的第二记录调制方法不同，以及一种将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法。
背景技术
光盘通常用作以非接触方式将信息记录在光盘和/或从光盘再现信息的光学拾取装置的信息存储介质。光盘根据其记录容量被分为致密盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。CD和DVD还包括650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW、DVD-随机存取存储器(DVD-RAM)、DVD-R/可重写(DVD-RW)等。只读盘包括650MB的CD、4.7GB的DVD-ROM等。此外，具有20GB或更多记录容量的高密度数字多功能盘(HD-DVD)已经被开发。
但是，上述光学信息介质根据其类型被标准化，以在再现装置中被兼容地使用。因此，用户能够方便地使用光学信息介质，并且购买该光学信息介质的费用被降低。将没有被标准化的新存储介质标准化的尝试已经被做出。具体地讲，新存储介质的格式必须被开发，从而新存储介质与现有的存储介质兼容或一致。但是，现有的存储介质使用将数据记录为凹坑或凹槽摆动的方法。这里，凹坑是当盘被制造时在基片中被物理地形成的刻痕，凹槽摆动是以波形形成的凹槽。另外，凹坑信号被检测为抖动值，而凹槽摆动信号被检测为推挽信号。
图1是推挽信号和抖动与凹槽摆动或凹坑的深度的关系曲线的图形。在其上输出推挽信号为最高的凹槽摆动的深度大约为1/8(λ/n)。这里，λ表示从在光学拾取装置中使用的光源发出的光的波长，n表示光学信息介质的折射率。在其上发生抖动的凹坑的最大深度为1/4(λ/n)。在具有凹槽摆动和凹坑两者的光学信息存储介质中，考虑到推挽信号和抖动的特性，凹槽摆动的深度可以与凹坑的深度不同。但是，在凹槽摆动的深度与凹坑的深度不同的情况下，需要形成凹槽摆动和凹坑的分开处理。因此，制造该光学信息存储介质的过程变得复杂。其结果是，难以大量生产该光学信息存储介质。另外，如果凹槽摆动的深度与凹坑的深度相同以简化制造该光学信息存储介质的过程，那么推挽信号和抖动之一或两者的特性恶化，并且记录/再现数据变得效率低下。
发明内容
本发明提供了一种光学信息存储介质，其能够通过简单的过程被制造，产生良好的信号特性，并且与不同类型的光学存储介质一致。
本发明的另外方面和优点将在下面的描述中部分地阐明，并且从描述中部分是清楚的，或者通过本发明的实施可以被理解。
根据本发明的一方面，一种光学信息存储介质包括数据被记录在其中的引入区域、用户数据区域、和引出区域。取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据被记录在整个引入区域或引入区域的一部分中，并且在整个引入区域或引入区域的一部分中使用的第一数据记录调制方法与在该光学信息存储介质的剩余区域中使用的第二数据记录调制方法不同。
取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据被记录在其中的整个引入区域或引入区域的一部分可以是光学信息存储介质相关信息记录在其中的区域。
用于在符合相同物理格式的存储介质上没有被修改的数据的第一记录调制方法可以是双相调制方法，并且用于剩余数据的第二记录调制方法可以是RLL调制方法。
RLL调制方法可以是RLL(1，7)调制方法。
在RLL(1，7)调制方法中使用的同步模式(pattem)包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。
根据双相调制方法被记录的数据包括nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔，其中，n在2≤n≤4的范围内。
该光学信息存储介质还可以包括用在其中具有9T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式被记录的识别标记。
在RLL调制方法中使用的同步模式可以包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。
根据双相调制方法被记录的数据可以包括nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔。这里，n在3≤n≤5的范围内。
在双相调制方法中使用的同步模式可以包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。
根据本发明的另一方面，一种将信息记录在具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质上的方法包括：在引入区域、用户数据区域、和引出区域中将数据处处记录为凹坑。取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据被记录在整个引入区域或引入区域的一部分中，并且数据根据与用于取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据的第二数据记录调制方法不同的第一数据记录调制方法被记录在该光学信息存储介质的剩余区域中。
根据本发明的另一方面，一种从具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质再现信息的方法，数据在该光学信息存储介质上被处处记录为凹坑，该方法包括：使用PLL电路从整个引入区域或引入区域的一部分再现取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的第一数据；和使用该PLL电路从除整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域再现第二数据。
根据本发明的另一方面，一种将信息记录在具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的驱动器包括：记录单元，用于根据第一数据记录调制方法将取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的第一数据记录在整个引入区域或引入区域的一部分中，并且根据与第一数据记录调制方法不同的第二数据记录调制方法将第二数据记录在除整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域中。
根据本发明的另一方面，一种将信息记录在具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的驱动器包括：读取器，用于使用PLL电路从整个引入区域或引入区域的一部分再现取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的第一数据，并且使用该PLL电路从除整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域再现第二数据。
附图说明
图1是示出在传统存储介质中基于凹槽摆动的深度或凹坑的深度在推挽信号和抖动中的变化的图形；
图2是示出可记录高密度光学信息存储介质的物理结构的示意图；
图3是描述凹槽摆动的记录调制方法的视图；
图4是根据本发明实施例的光学信息存储介质的物理结构的示意图；
图5是图4中所示的光学信息存储介质的数据结构的示意图；
图6A和图6B是示出图4中所示的光学信息存储介质的记录模式的各种例子的视图；
图7A和图7B是示出以图4中所示的光学信息存储介质的记录模式记录的地址标记的例子的视图；
图8是显示从图4中所示的光学信息存储介质再现信息的驱动器的方框图。
具体实施方式
图2是示出可记录高密度光学信息存储介质的物理结构的示意图。该可记录高密度光学信息存储介质包括引入区域110、用户数据区域120、和引出区域130，并且具有凹槽轨道123和槽脊(land)轨道125。这里，用户数据可以只被记录在凹槽轨道123中或被记录在凹槽轨道123和槽脊轨道125两者中。
当只读数据被记录在引入区域110中时，具有特定频率和波形的摆动信号105和106被顺序地记录在凹槽轨道123和/或槽脊轨道125的侧壁中，而不是凹坑中。这里，激光束L照射到凹槽轨道123和/或槽脊轨道125上，以将数据记录在凹槽轨道123和/或槽脊轨道125，或从凹槽轨道123和/或槽脊轨道1 25再现数据。具体地讲，引入区域110和引出区域130每个包括盘相关数据记录在其中的可记录区域、和只读区域。盘相关数据以高频摆动105的形式被记录，引入区域110和引出区域130的可记录区域中的数据和用户数据区域120中的数据以比高频摆动105相对低的另一频率摆动106的形式被记录。标号127表示在用户数据区域120中形成的记录标记。
在具有上述结构的光学信息存储介质中，只读数据可以使用推挽通道从引入区域110被再现，并且用户数据可以使用和通道(sum channel)从用户数据区域120被再现。另外，数据根据双相(bi-phase)调制方法被记录在引入区域110中，并且用户数据根据随后将被描述的游程长度限制(RLL)调制方法被记录。双相调制方法是指取决于信号是否在预定周期P内变化来记录数据的方法。例如，如图3所示，当凹槽摆动105或106的相位在预定周期P内不变化时，0(或1)比特的数据被显示。当凹槽摆动105或106的相位在预定周期P内移动或改变时，1(或0)比特的数据被显示。换句话说，双相调制方法是取决于预定信号是否在预定周期P内变化，例如取决于信号的相位是否在预定周期P内变化来记录数据的方法。这里，凹槽摆动105或106的相位的调制已经被描述，但是各种模式可以被调制。
考虑到上述可记录高密度光学信息存储介质的数据记录调制方法与根据本发明的只读光学信息存储介质的另一数据记录调制方法的一致性，只读光学信息存储介质的物理数据结构可被如下构成。
参照图4，根据本发明实施例的光学信息存储介质包括：用户数据区域13，在其中记录用户数据；引入区域10，其在用户数据区域13的内侧形成；和引出区域15，其在用户数据区域13的外侧形成。在引入区域10、用户数据区域13和引出区域15中，数据被记录为凹坑8和18。当光学信息存储介质被制造时，凹坑8和18在基片上形成。如果数据在光学信息存储介质上被处处记录为凹坑8和18，那么可以不停止(改变)形成凹坑8和18的过程在引入区域10和用户数据区域13中形成凹坑8和18。因此，制造该光学信息存储介质的过程可以被简化，并且执行该过程所需的时间可以被减少。另外，由于该光学信息存储介质不具有图2所示的凹槽摆动，所以凹坑8和18可以被形成为最佳深度。换句话说，如参照图4所述，凹坑8和18可以被形成为例如在其上抖动最佳(最大)的1/4(n/λ)的深度。
具体地讲，如图5所示，在符合相同物理格式(调制方法、最小凹坑长度、轨道间距等)的存储介质上没有被修改的信息，如存储介质相关信息，被记录在引入区域10的全部或一部分10a中。例如，根据光学信息存储介质的内容变化的信息，如关于数据被记录在其中的用户数据区域13的一部分的最后地址的信息，可以被记录在光学信息存储介质的剩余区域中，即被记录在引入区域10的剩余部分或引出区域15中。
当数据在光学信息存储介质上被处处记录为凹坑8和18时，在引入区域10全部或一部分10a中使用的第一数据记录调制方法与在光学信息存储介质的剩余区域中使用的第二数据记录调制方法不同。例如，双相调制方法可以在遍及整个引入区域10中被使用，或仅在引入区域10的一部分10a中被使用，而RLL调制方法在光学信息存储介质的剩余区域中被使用。以下，该部分10a被指为存储介质相关信息区域。
在该光学信息存储介质以及将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法中，数据在光学信息存储介质上被处处记录为凹坑8和18，而且数据根据双相调制方法被记录在整个引入区域10中或仅被记录在引入区域10的存储介质相关信息区域10a中，并且根据RLL调制方法被记录在光学信息存储介质的剩余区域中。
如图6A所示，在双相调制方法中，如果凹坑的相位在预定周期P内没有改变，那么值“0”(或“1”)的比特的数据被记录，并且如果凹坑的相位在预定周期P内改变，那么值“1”(或“0”)的比特的数据被记录。换句话说，如果凹坑20处处在预定周期P内形成，那么值“0”(或“1”)的比特的数据被记录，并且如果凹坑22和间隔(space)24在预定周期P内形成，那么值“1”(或“0”)的比特的数据被记录。双相调制的凹坑、二进制化的信号、双相调制的数据的模式、和数据结构在图6A中示出。
RLL调制方法指示在两个值“1”的比特之间存在多少个值“0”的比特。这里RLL(d，k)表示在两个值“1”的比特之间的值“0”的比特的最小数目和最大数目分别是d和k。例如，在RLL(1，7)调制方法中，在两个值“1”的比特之间的值“0”的比特的最小数目和最大数目分别是1和7。根据RLL(1，7)调制方法，当d＝1时，数据1010101被记录，并因此长度2T的标记在两个值“1”的比特之间形成。另外，当d＝7时，数据10000000100000001被记录，并因此长度8T的标记在两个值“1”的比特之间形成。这里，T表示最小标记长度，即最小凹坑长度。因此，在RLL(1，7)调制方法中，数据被记录为具有2T和8T长度的标记和间隔。这里，根据双相调制方法被记录的数据包括nT和2nT长度的凹坑以及nT和2nT长度的间隔。n可以在2≤n≤4的范围内。例如，如果n＝2，那么根据双相调制方法被记录的数据包括2T和4T长度的凹坑以及2T和4T长度的间隔。如果n＝4，那么根据双相调制方法被记录的数据包括4T和8T长度的凹坑以及4T和8T长度的间隔。因此，当n在2≤n≤4的范围内时，由nT和2nT长度的凹坑以及nT和2nT长度的间隔组成的所有数据被包括在根据RLL(1，7)调制方法形成的标记和间隔的长度的范围内。
在从根据双相调制方法的凹坑和间隔再现数据期间，当凹坑和间隔的相位在2nT的周期内改变时，凹坑和间隔可以被读为值“1”(或“0”)比特的比特的数据。当凹坑和间隔的相位在2nT的周期内没有改变时，凹坑和间隔可以被读为值“0”(或“1”)的比特的数据。
同步模式可以被记录在双相调制方法用在其中的区域和RLL调制方法用在其中的区域的每个之前。同步模式可以包括具有不包括在最大凹坑或间隔长度的范围之内的长度的凹坑和间隔中的至少一个。
例如，如果RLL(1，7)调制方法在用户数据区域13中被使用，那么同步模式可以包括具有9T或更大的长度的凹坑和标记中的至少一个以及具有9T或更小的长度的凹坑和间隔。在RLL(1，7)调制方法中，凹坑和间隔可以具有在3T-8T范围内的长度，并且同步模式包括具有不包括在3T-8T范围内的长度的凹坑和间隔中的至少一个。例如，同步模式可以包括具有9T长度的凹坑和标记中的至少一个以及具有9T或更小的长度的凹坑和间隔。
另外，在双相调制方法中使用的同步模式可以包括被包含在用在RLL调制方法中的同步模式中的最大长度的凹坑或间隔。
如上所述，根据双相调制方法被记录的凹坑和间隔的周期可以被包括在用在RLL调制方法中的凹坑和间隔的周期的范围之内，并且在双相调制方法中被使用的同步模式可以包括被包含在用在RLL调制方法中的同步模式中的最大长度的凹坑或间隔。其结果是，记录在引入区域10的存储介质相关信息区域10a中的只读数据凹坑和记录在用户数据区域13中的数据凹坑能够使用相同的锁相环(PLL)电路来被再现。
描述根据上述方法构造的数据的例子，同步模式可以包括9T长度的凹坑和9T长度的标记中的至少一个以及具有9T或更小长度的凹坑和间隔。另外，如果用户数据被记录为3T和6T长度的凹坑以及3T和6T长度的间隔，那么6T的长度被确定为标准周期。接着，如果信号的相位在6T周期内没有改变，那么可以认为值“0”(或“1”)的比特的数据正在被记录，并且如果信号的相位在6T周期内改变，那么可以认为值“1”(或“0”)的比特的数据正在被记录。例如，当3T长度的凹坑和3T长度的间隔包括在6T周期中时，信号的相位改变。这里，标准周期可以取决于再现的数据的可靠性或特性从6T改变到4T或8T。在这种情况下，数据被记录为2T和4T长度的凹坑和2T和4T长度的间隔、以及4T和8T长度的凹坑和4T和8T长度的间隔，而不是3T和6T长度的凹坑和3T和6T长度的间隔。但是，当同步模式包括9T长度的凹坑或标记，并且数据被记录为6T的标准周期内的3T和6T长度的凹坑和3T和6T长度的间隔时，数据的再现错误率能够被降低。当数据作为2T和4T长度的凹坑以及2T和4T长度的间隔被再现时，2T和4T长度的凹坑以及2T和4T长度的间隔能够被纠正为与其接近的3T长度的凹坑和3T长度的间隔，以降低再现错误率。另外，当数据作为5T和7T长度的凹坑以及5T和7T长度的间隔被再现时，5T和7T长度的凹坑以及5T和7T长度的间隔能够被纠正为与其接近的6T长度的凹坑和6T长度的间隔，以降低再现错误率。此外，当数据作为8T和10T长度的凹坑以及8T和10T长度的间隔被再现时，8T和10T长度的凹坑以及8T和10T长度的间隔能够被纠正为与其接近的9T长度的凹坑和9T长度的间隔，以降低再现错误率。虽然未示出，但是如前所述，同步模式也可以被记录在用户数据区域13中。
图6B示出了被双相调制的数据结构的例子。这里，图6B所示的数据结构具有与图6A所示的数据结构相反的极性。
如图7A所示，识别标记可以被记录在存储介质相关信息区域10a之前和之后，从而根据双相调制方法存储信息的存储介质相关信息区域10a被识别为与用户数据区域13不同。该识别标记可以被构成，从而具有与包含在用在RLL(1，7)调制方法和双相调制方法中的同步模式中的最大长度的凹坑或间隔相同长度的凹坑和/或间隔被重复至少一次或更多。
图7B示出了具有与图7A所示的数据结构相反的极性的数据结构。
将描述光学信息存储介质和将信息记录在图7A和图7B所示的光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法。
根据本实施例，数据在引入区域10、用户数据区域13、和引出区域15中被处处记录为凹坑。这里，数据根据双相调制方法被记录在引入区域10或引入区域10的存储介质相关信息区域10a中，并且根据RLL(2，10)调制方法被记录在光学信息存储介质的剩余区域中。存储介质相关信息区域10a是在符合相同物理格式的存储介质上没有被修改的信息记录在其中的区域，并且剩余区域是指引入区域10的剩余部分、用户数据区域13、和/或引出区域15。例如，在符合相同物理格式的存储介质上没有被修改的信息是存储介质相关信息。
根据RLL(2，10)调制方法，数据被记录为标记，即凹坑，以及具有在3T-11T范围内的长度的间隔。这里，根据双相调制方法被记录的数据包括nT和2nT长度的凹坑以及nT和2nT长度的间隔。n可以在3≤n≤5的范围内。例如，如果n＝3，那么根据双相调制方法被记录的数据包括3T和6T长度的凹坑以及3T和6T长度的间隔。如果n＝5，那么根据双相调制方法被记录的数据包括5T和10T长度的凹坑以及5T和10T长度的间隔。因此，根据双相调制方法形成的凹坑和间隔的长度被包括在根据RLL(1，7)调制方法被记录的用户数据的长度(3T-11T)的范围内。其结果是，如前所述，可以使用相同的PLL电路来再现记录在用户数据区域13中的数据凹坑和记录在引入区域10中的数据凹坑。
同时，同步模式可以被记录在使用双相调制方法的区域和使用RLL(2，10)调制方法的区域的每个的前面。同步模式可以包括具有12T或更大的长度的凹坑和标记中的至少一个以及具有12T或更小的长度的凹坑和间隔。例如，同步模式可以被构成，从而具有12T长度的凹坑和间隔的序列被重复至少一次，并且用户数据以被确定为标准周期的2nT，即6T、8T、和10T中的一个被记录。
例如，当长度8T被确定为标准周期时，如果信号的相位在8T的标准周期内没有移动(改变)，那么值“0”(或“1”)的比特的数据被显示，并且如果信号的相位在8T的标准周期内移动(改变)，那么值“1”(或“0”)的比特的数据被显示。这里，当信号的相位在8T的标准周期内没有移动(改变)时，凹坑或间隔处处在8T的标准周期内形成。相反，当信号的相位在8T的标准周期内移动(改变)时，4T长度的凹坑和4T长度的间隔在8T的标准周期内形成。
另外，识别标记可以被记录在使用双相调制方法的区域的前面和后面，从而将该区域与用户数据根据RLL(2，10)调制方法被记录在其中的另一区域区分。这里，识别标记可以被构成，从而具有12T或更大的长度的凹坑和/或间隔被重复至少一次或更多，并且具有12T或更小的长度的凹坑和间隔被记录。
图8是从图4所示的光学信息存储介质再现信息的驱动器500的方框图。参照图8，驱动器500包括控制器510、和将数据记录在如光盘530的光学信息存储介质上和/或从如光盘530的光学信息存储介质再现数据的记录单元和/或读取器520。
根据本发明的光学信息存储介质可以应用于具有一个或更多信息表面的存储介质。
虽然显示和描述了本发明的一些实施例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求及其等同物限定其范围的本发明的原理和精神的情况下，可以对其实施例进行改变。
产业上的可利用性
如上所述，根据该光学信息存储介质和将数据记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现数据的方法，凹坑遍及整个光学信息存储介质而形成。因此，制造该光学信息存储介质的过程能够被简化。另外，凹坑可以被形成为最佳信号在其上输出的深度。因此，记录和/或再现特性能够被提高。换句话说，由于凹坑通过相同的再现通道(和通道)被再现，所以不必考虑由凹槽或凹坑导致的信号的特性中的差别。
另外，在引入区域或引入区域的一部分中使用的数据记录调制方法和在用户数据区域中使用的数据记录调制方法可以与在可记录光学信息存储介质上使用的另一记录调制方法等同。因此，该可记录光学信息存储介质能够与其它存储介质一致。此外，与当数据被记录为凹槽摆动时相比，大量数据能够被记录，并且记录在引入区域中的只读数据以及用户数据可以使用相同的PLL电路被再现。此外，由于识别标记能够被记录，从而驱动器可以有效地访问特定区域，驱动器的访问时间能够被减少。

Claims (23)

1.一种将信息记录在具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质上的方法，该方法包括：
根据第一数据记录调制方法将取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的第一数据记录在整个引入区域或引入区域的一部分中；和
根据与第一数据记录调制方法不同的第二数据记录调制方法将第二数据记录在除整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域中，
其中，数据在该光学信息存储介质上被处处记录为凹坑。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将第一数据记录在整个引入区域或引入区域的一部分中的步骤包括：
将第一数据记录在光学信息存储介质相关信息被记录在其中的区域中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一数据记录调制方法是双相调制方法，并且第二数据记录调制方法是RLL调制方法。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，RLL调制方法是RLL(1，7)调制方法。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
形成在使用RLL(1，7)调制方法的剩余区域中形成的并包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个的同步模式。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，根据双相调制方法被记录的第一数据包括：
nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔，其中，n在2≤n≤4的范围内。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括：
形成在使用双相调制方法的整个引入区域或引入区域的一部分中形成的并包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个的同步模式。
8.根据权利要求4所述的方法，还包括：
形成以在其中具有9T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式记录的识别标记。
9.根据权利要求3所述的方法，其中，RLL调制方法是RLL(2，10)调制方法。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
形成在使用RLL调制方法的剩余区域中形成的并包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个的同步模式。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，根据双相调制方法被记录的第一数据包括：
nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔，其中，n在3≤n≤5的范围内。
12.根据权利要求9所述的方法，还包括：
形成在使用双相调制方法的整个引入区域或引入区域的一部分中的并用在其中具有12T或更大的长度的标记和间隔的序列重复至少一次或更多的模式记录的同步模式。
13.根据权利要求9所述的方法，还包括：
在整个引入区域或引入区域的一部分中形成以在其中具有12T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式记录的识别标记。
14.根据权利要求3所述的方法，其中，在双相调制方法中使用的凹坑或间隔的长度被包括在在RLL调制方法中使用的凹坑或间隔的长度的范围内。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，第一数据记录调制方法是双相调制方法，并且第二数据记录调制方法是RLL调制方法。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，RLL调制方法是RLL(1，7)调制方法。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
形成在剩余区域中的使用RLL(1，7)调制方法的并包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个的同步模式。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，根据双相调制方法被记录的第一数据包括：
nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔，其中，n在2≤n≤4的范围内。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括：
形成在使用双相调制方法的整个引入区域或引入区域的一部分中的并包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个的同步模式。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，记录第一数据和记录第二数据的步骤包括：将凹坑和间隔记录在引入区域、用户数据区域、和引出区域中，并且根据双相调制方法被记录的凹坑和间隔的周期被包括在在RLL调制方法中使用的凹坑和间隔的周期的范围内。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，记录第一数据和记录第二数据的步骤包括：使用双相调制方法记录同步模式，并且该同步模式包括包含在使用RLL调制方法记录的同步模式中的最大长度的凹坑或间隔。
22.根据权利要求15所述的方法，其中，第一数据和第二数据使用相同的锁相环电路是可再现的。
23.一种从具有引入区域、用户数据区域、和引出区域的光学信息存储介质再现信息的方法，数据在该光学信息存储介质上被处处记录为凹坑，该方法包括：
使用锁相环电路从整个引入区域或引入区域的一部分再现取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的第一数据；和
使用该锁相环电路从除整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域再现第二数据。
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