CN100360637C - 受控的硫种类沉积方法 - Google Patents

受控的硫种类沉积方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100360637C
CN100360637C CNB2004800031324A CN200480003132A CN100360637C CN 100360637 C CN100360637 C CN 100360637C CN B2004800031324 A CNB2004800031324 A CN B2004800031324A CN 200480003132 A CN200480003132 A CN 200480003132A CN 100360637 C CN100360637 C CN 100360637C
Authority
CN
China
Prior art keywords
sulfur
sulfide
substrate
source material
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004800031324A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1745158A (zh
Inventor
辛永保
詹姆斯·亚历山大·罗伯特·斯泰尔斯
梁志杰
特里·亨特
乔·阿基奥内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
iFire Technology Corp
Original Assignee
iFire Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by iFire Technology Corp filed Critical iFire Technology Corp
Publication of CN1745158A publication Critical patent/CN1745158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100360637C publication Critical patent/CN100360637C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

本发明是一种将预定组合物的薄膜沉积到衬底上的方法，该薄膜包括三元、四元或更高的硫化物化合物，其选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐。该方法包括使预定组合物的硫化物的至少一种源材料挥发，在衬底上形成含硫薄膜组合物，并同时阻止任何过量的挥发自至少一种源材料的含硫种类撞击衬底。该方法改进了无机发光材料的发光度和发射光谱，所述无机发光材料用于应用具有高介电常数的厚膜介电层的彩色交流电致发光显示装置。

Description

受控的硫种类沉积方法
发明领域
本发明涉及一种用于沉积多元素薄膜组合物的方法。更具体地，本发明是一种用于沉积无机发光材料组合物的方法，其中在沉积的无机发光材料组合物中提供的硫量是受控制的。该方法特别适用于包括族IIA和族IIB元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐或硫代铟酸盐(thioindate)的无机发光材料组合物的沉积，其中源材料包括硫化物，该硫化物包含至少一些构成沉积无机发光材料膜的元素。此外，该方法特别可用于在使用具有高介电常数的厚膜介电层的彩色交流(ac)电致发光显示装置中无机发光材料的沉积。
发明背景
如美国专利US 5,432,015(该专利被全部引入本文以供参考)所例举的，厚膜介电结构典型地在陶瓷衬底上被制作，提供了优良的抗介电击穿性，与在玻璃衬底上制备的薄膜电致发光(TFEL)显示装置相比，厚膜介电结构提供了降低的工作电压。当厚膜介电结构沉积在陶瓷衬底上时，它比在玻璃衬底上的TFEL设备经受更高的加工温度。对更高温度的耐受性的提高促进了在更高温度下无机发光材料膜的退火，提高了发光度。但是，即使所得发光度增强，还是希望进一步提高设备的发光效率，以提高总的能效率并减少动力消耗。
申请人已经研究开发了各种用于沉积无机发光材料的方法，所述无机发光材料用在厚膜介电电致发光设备中。例如，PCT/CA01/01823(该文献的公开内容被全部引入本文)公开了一种用于三元、四元或类似的无机发光材料组合物的沉积方法，优选为电子束蒸发，其中组合物的组分位于不同的源。特别地，组合物为族IIA和族IIB元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐或硫代铟酸盐，形成这些化合物的硫化物位于不同的源。PCT/CA01/01234(该文献的公开内容被全部引入本文)公开了一种使用双源电子束沉积的双源无机发光材料的沉积方法。第一源和第二源的不同化合物被要求以一定的比率提供所需的无机发光材料组合物。沉积的无机发光材料优选为发蓝光的铕活化的硫代铝酸钡。PCT/CA02/00688(该文献的公开内容被全部引入本文)公开了一种单源溅射方法，用于沉积受控组成的多元素无机发光材料膜。该方法利用单个致密靶形式的源材料，其具有与所需的无机发光材料的膜组成不同的组成。相对于方法的靶组合物中的较重化学元素，轻化学元素的浓度比在沉积膜中所需的浓度要高。
上述专利申请公开了沉积无机发光材料用于厚膜介电电致发光显示装置所需的无机发光材料和方法。但是，总是希望提供新的方法来进一步提高无机发光材料组合物的发光度和发光效率。
发明概述
本发明是一种沉积多元素薄膜组合物用于厚膜介电电致发光设备的方法。在该方法中，在薄膜组合物的沉积过程中，在沉积室中控制硫的量。照这种方式，撞击沉积衬底和由此掺入薄膜组合物内的硫的量被控制。本发明方法特别用于无机发光材料组合物的沉积，所述组合物包括三元、四元或更高的含硫化合物，其优选地选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐。与现有技术的方法相比，根据本发明方法沉积的无机发光材料显示出提高的发光度和发光效率。
在该方法中，组成沉积无机发光材料的组合物的一种或多种源材料，通过使用例如低压物理气相沉积法沉积到合适的衬底上。控制源材料的相对挥发，以在沉积衬底上得到所需的金属种类比。为了除去、阻止和/或最小化任何过量含硫种类沉积到沉积衬底上和由此掺入沉积无机发光材料组合物中，提供了吸气或冷凝物质，其充分地靠近源材料。这在足够低的温度下进行，以阻止冷凝的含硫种类从吸气或冷凝物质中再蒸发。
吸气或冷凝物质具有足够的表面积，以有效地吸收或冷凝任何过量含硫种类，其中这种过量是指超出为提供薄膜无机发光材料组合物的所需组成而需要的量的量。这对于本领域的技术人员是容易理解的。在无机发光材料组合物内沉积的过量硫可能对沉积的无机发光材料组合物的发光度具有有害的影响。
根据本发明的一个方面，提供了一种将预定组合物的薄膜沉积到衬底上的方法，该薄膜包括三元、四元或更高的硫化物化合物，其选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐，该方法包括：
-使至少一种包括硫化物的源材料挥发，所述硫化物形成所述预定组合物，以在衬底上形成含硫薄膜组合物；和
-使撞击所述衬底的挥发自至少一种源材料的任何过量含硫种类最小化。
根据本发明的另一方面，提供了一种将预定组合物的薄无机发光材料膜沉积到衬底上的方法，所述无机发光材料膜包括三元、四元或更高的硫化物化合物，其选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐，该方法包括：
-使至少一种包括硫化物的源材料挥发，所述硫化物形成所述预定组合物，以在衬底上形成含硫薄膜组合物；
-同时使撞击所述衬底的挥发自至少一种源材料的任何过量含硫种类最小化；和
-从所述的至少一种源材料的蒸发物中冷凝或除去氧和/或水。
根据本发明的另一方面，提供了一种将预定组合物薄膜沉积到衬底上的方法，所述组合物包括三元、四元或更高的组合物，所述方法包括：
(i)提供一种硫化物的球团作为源材料，该硫化物包括所述预定组合物的组分，所述球团还包含用于所述预定组合物的掺杂剂；
(ii)通过用电子束蒸发所述球团，将所述预定组合物气相沉积到所述衬底上；
(iii)监测硫化物从所述球团中蒸发的速度；和
(iv)同时除去挥发自所述球团的任何过量含硫种类，以阻止所述过量物质撞击所述衬底。
在本发明的实施方案中，沉积薄膜组合物是无机发光材料组合物，包括铕活化的硫代铝酸钡或铕活化的硫代铝酸钙的无机发光材料组合物。
在优选实施方案中，在沉积室中从源材料产生的任何过量含硫种类通过下述方法从室中除去：提供与源材料充分靠近的吸气或冷凝物质，以吸收或冷凝由源材料的挥发而产生的任何过量含硫种类。这在足够低的温度下进行，以阻止冷凝的含硫种类再蒸发。如本领域的技术人员所知的，通过查询所讨论种类的作为温度函数的平衡蒸气压力数据，并选择一个低的温度，该温度的平衡蒸气压力低于沉积过程的底压，从而确定阻止再蒸发的温度。通常，在液氮沸点77K的温度附近为含硫种类选择一个温度，这是很方便的。如本领域的技术人员所理解的，吸气或冷凝物质具有足够的表面积，以有效地冷凝/吸收任何过量含硫种类。
在本发明的又一个实施方案中，还提供了一种或多种试剂以便：
(a)使还包含氧如SO2的任何过量含硫种类最小化；和(b)从由源材料散发出的蒸发通量中冷凝或除去分子氧和/或水，并阻止它在沉积室中撞击沉积衬底。如果硫化物的蒸发源包含一种或多种含氧杂质如硫酸盐或亚硫酸盐化合物和水，那么氧可以来自硫化物的蒸发源。优选地，这些试剂被设置成充分靠近在沉积方法中使用的源材料。
在本发明的还一个实施方案中，在沉积室中提供了硫、优选原子硫的挥发源，以补偿在沉积的无机发光材料中相对于所需量的硫的任何不足。硫挥发源应被注入室中，使得硫均匀地撞击沉积衬底。
根据本发明的另一个方面，提供了一种将预定组合物的薄膜沉积到衬底上的方法，所述组合物包括三元、四元或更高的组合物，所述方法包括：
(i)提供了至少一种硫化物的球团作为第一源材料，并提供了至少一种硫化物的球团作为第二源材料，第一源材料和第二源材料的硫化物是不同的，所述硫化物是所述组合物的组分，第一和第二源材料的至少一种球团还包含用于组合物的掺杂剂；
(ii)通过用独立的电子束同时蒸发第一和第二源材料的球团，将所述组合物气相沉积到所述衬底上；
(iji)独立地监测从所述第一源材料和所述第二源材料中蒸发硫化物的速度；和
(iv)除去挥发自所述第一和第二源材料的任何过量含硫种类，以阻止所述过量物质撞击所述衬底。
通过如下的详细描述，本发明的其它特征和优点将变得显而易见。但是，应理解，所给出的详细描述和具体实施例指出了本发明的实施方案，但它们只是说明性的，因为对于本领域的技术人员来说，通过所述详细描述，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改是显而易见的。
附图简述
通过本文所给的详细描述和附图可以更充分地理解本发明，所给出的描述和附图只是例证说明性的，不限制本发明的预期范围。
图1为显示对硫的蒸气压有贡献的硫种类相对温度的图；
图2是包括厚膜介电层和无机发光材料组合物的电致发光设备的截面示意图；
图3是发光度相对厚膜介电电致发光显示装置的外加电压的图解表示，该显示装置具有铕活化的硫代铝酸钡无机发光材料，所述显示装置根据现有技术的方法制备，并将其与根据本发明方法制备的类似设备相比较；
图4是本发明的无机发光材料沉积室的俯视(平面)图；
图5是发光度相对厚膜介电电致发光显示装置的外加电压的图解表示，该显示装置具有铕活化的硫代铝酸钡镁无机发光材料，其根据本发明的方法沉积；和
图6是发光度相对厚膜介电电致发光显示装置的外加电压的图解表示，该显示装置具有铕活化的硫代铝酸镁钡无机发光材料，在无机发光材料沉积过程中使用降低效率的冷凝器来沉积。
发明详述
本发明是一种沉积薄膜组合物、特别是薄膜无机发光材料组合物的方法，所述组合物包括三元、四元或更高的含硫化合物，其中通过在气相沉积气氛中控制含硫种类的量，以控制沉积到沉积衬底上和由此进入沉积的无机发光材料组合物中的硫量。这通过如下方法得以实现：将挥发自一个或多个源的任何过量含硫种类吸收或冷凝进入沉积气氛，以阻止过量硫撞击沉积衬底和由此掺入沉积的无机发光材料组合物中。
本发明的气相沉积方法特别可用于将无机发光材料组合物沉积到衬底上，其中无机发光材料组合物选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐，其具有受控和希望的硫含量。使用本发明的方法，获得的无机发光材料具有高发光度和有用的发射色彩。
只要所选的单一源或多样源在衬底上形成了包括活化剂种类的预定组合物，那么本发明的气相沉积法就可以由单一源材料或可替代的多种源材料来进行。在本发明中使用了各种气相沉积法，包括但不限于：溅射、电子束或热蒸发。优选的方法为电子束沉积。如申请人的PCT/CA01/01823(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)所教导的，在衬底上来自所用源材料的组分沉积的瞬间变化被监测和控制，该源材料形成沉积的无机发光材料组合物，以实现来自源材料的同时气相沉积。在本发明的沉积方法中，在沉积衬底上入射的硫通量被控制，以获得沉积膜中所需的硫含量。
通过控制沉积室中硫的分压，可以控制硫沉积通量。但是，为了使其成功，包括工艺气氛的含硫种类必须平均包含恒定的硫原子数/蒸气分子。如果含硫种类包含可变的硫原子数，那么室中硫的质量密度与硫的分压的关系就不会固定，并且根据具有不同硫原子数的分子的相对丰度，硫的沉积速度会发生变化。
如果沉积室中包括蒸气的硫分子来自不同的位置，那么控制沉积室中硫的分压也是困难的。例如，假如蒸气分子来自在温度低于约500℃的室壁上冷凝的元素硫时，蒸发的硫主要包括原子硫环如S6、S7或S8。图1显示了作为温度函数的对硫蒸气压有贡献的硫种类的平衡丰度。如果蒸气分子为硫化氢，它就只包含一个硫原子。假如硫来自电子束加热的硫化物源材料时，含硫种类可以包括的种类范围从原子硫到S8、到硫化物源材料的分子或分子簇。因此，根据这些种类的混合，沉积室中硫的质量密度在硫种类的给定分压下可以变化多达八倍。如果有其它蒸气种类如氧、水或二氧化硫存在，对蒸发硫的质量密度的控制甚至变得更困难。
本发明通过提供一种机理克服了上述限制，该机理为：通过控制撞击沉积衬底和由此被沉积到沉积的无机发光材料组合物中的硫蒸气的质量运输，从而控制沉积的无机发光材料膜的硫含量。这种控制确保了被引起撞击沉积衬底的含硫蒸气分子种类平均具有基本上不随时间变化的硫原子数/分子。此外，在沉积过程中将硫的分压控制到与沉积膜中所需的硫含量相当的值。本发明使用的合适的硫分压范围，与本领域所知的使用电子束、热蒸发或溅射技术和其他使用一种或多种源材料的硫化物膜沉积用的分压相当。例如，如果电子束蒸发被用作本发明的沉积方法，那么提供的硫为硫化氢，分压范围为约1×10-5至1×10-4托。
不随时间变化的含硫种类的混合物可以包括硫化物分子或硫化物分子的簇、分子硫、原子硫或硫化氢。优选地，组成混合物的分子硫种类片段，特别是那些具有较高分子量片段，被保持为最小。本发明的方法提供了如下：在沉积过程中其浓度随时间而变化的任何过量分子硫种类，被冷凝或吸收，并由此被从沉积气氛中除去，以阻止这些种类撞击沉积衬底，并由此不会掺入到沉积的无机发光材料组合物中。这还通过维持低沉积气氛气压实现这点，如以上所讨论的，含硫蒸汽种类的平均自由程足够长，以致在沉积气氛内的不同含硫种类之间没有大量碰撞可能性，由此造成了一个随时间改变的包含不同硫原子数的种类的总体分布。
沉积到衬底上的硫含量的控制，通过使用如下一种或多种物质而实现，所述物质吸收或冷凝并由此基本上从沉积气氛中除去任何过量含硫种类。本文所述的这种物质被称为吸气或冷凝物质，它们是指为本领域的技术人员所知的可吸收或冷凝硫种类的任何物质，总效应为：从沉积气氛中除去过量硫种类，并阻止它撞击沉积衬底。这些材料可包括但不限于：用于硫种类的选择性吸气剂、以及温度足够低的冷阱或指形冷冻器，所述温度使得冷凝硫种类的蒸气压基本上低于在沉积气氛中所需硫种类的工作压力。冷阱的例子是管，液氮通过该管在足够的速度下流动，该管具有足够的表面积以完全冷凝硫种类。在本发明的方法中使用的吸气物质的例子为海绵钛。吸气或冷凝物质的定位是重要的，以便在过量硫种类撞击沉积衬底之前，就能吸收和/或冷凝这些过量硫种类。吸气或冷凝物质的优选位置充分靠近种类的主要源，它是用于沉积的一种或多种硫化物源材料。
在本发明的还一个实施方案中，可以使用一种或多种添加剂，以除去由在硫化物源如金属硫酸盐或亚硫酸盐内的杂质产生的二氧化硫、分子氧和/或水，以保持沉积室中氧分压在可接受的范围中。换句话说，这种试剂使还可包含氧如SO2的过量含硫种类最小化，所述SO2挥发自所用的源材料。在这个例子中，SO2可以用液氮冷阱来冷凝。如本领域的技术人员所理解的，可接受的压力范围可以通过常规实验、通过测量相对于所需含量的沉积膜的氧或水的含量来确定。对于标称的无氧膜，氧分压保持在一个值，该值低于在沉积前和含硫种类进样前的沉积环境的底压。应该确保含硫种类不包含氧。在本发明的这个实施方案中，其中水挥发并存在于沉积室中，如那些本领域的技术人员所知的，可以使用吸水材料如分子筛，以除去来自硫化物源中的杂质的水或来自沉积室壁的水。如本领域的技术人员所理解的，这些吸水材料被选择，以使材料上方的残余水蒸气压足够低。
本发明的方法用来控制撞击沉积衬底并由此进入沉积的无机发光材料中的任何过量含硫种类。但是，为了获得理想的发光度和发光效率，确保沉积的无机发光材料组合物在其中具有足够的硫也是很重要的。为了确保沉积膜具有足够的硫这一目的，除了包括硫化物化合物的一种或多种源之外，合适的硫源还为硫化氢。优选地，在硫化氢允许进入沉积室之前，硫化氢被裂解成原子硫和原子氢，从而在无机发光材料膜被沉积时，原子氢不在无机发光材料膜的表面。原子氢具有高活性，在晶格内可移动，可以不利地影响无机发光材料膜的性质和下面的衬底结构。硫化氢的喷射速率可以变化，以调整无机发光材料膜的硫含量至所需值。如本领域所知的，可以调整沉积温度、沉积压力、沉积速度和沉积气氛的组成，以获得所需的无机发光材料膜组合物。
本发明还由如图2所示的实施方案说明，图2显示掺入含硫无机发光材料的厚膜介电电致发光设备的横截面。该设备通常以10表示，具有衬底12，行电极14位于衬底12上。厚膜电介质16上有薄膜电介质18。薄膜电介质18上显示具有三个像素列，称为20、22和24。像素列包括含硫无机发光材料，以提供三种基色，即红、绿和蓝。像素列20具有红色无机发光材料26，它的位置与薄膜电介质18接触。另一种薄膜电介质28位于红色无机发光材料26上，列电极30位于薄膜电介质28上。类似地，像素列22具有在薄膜电介质18上的绿色无机发光材料32，在其上有薄膜电介质34和列电极36。像素列24具有在薄膜电介质18上的蓝色无机发光材料38，在其上有薄膜电介质40和列电极42。
在本发明的一个实施方案中，该方法准备用于包括稀土元素活化的硫代铝酸盐的薄膜无机发光材料的沉积，获得高能效率和高发光度。该方法可用于沉积三元或四元化合物形式的无机发光材料，使三种、或四种、或更多的组成元素的比率控制到精密公差，以获得最佳的无机发光材料性能，并减少无机发光材料可成形为多于一个晶体相的可能性。此外，这种方法可确保杂质如氧的浓度保持为最小值。
如本申请人的美国专利US 5,432,015(该文献的公开内容被全部引入本文)中实施例所教导的，本发明的方法可应用于薄膜无机发光材料，其中将如上列出范围内的无机发光材料组合物掺入厚膜介电电致发光显示装置。应理解，这些组合物的各种源材料包括一种或多种含硫化物的物质。无机发光材料组合物可以用各种掺杂剂、尤其是铕和铈来活化。
如本申请人的PCT/CA01/01823(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)所公开的，沉积的无机发光材料组合物的化学计量可以被控制。通过如下方法实现在沉积过程中化学计量的控制：使用两种或多种具有不同化学组合物的沉积源材料、以及源材料的沉积速度测量系统，其测量彼此独立的源的沉积速度、和反馈系统，其控制与所测速度相当的相对沉积速度。
上述公开内容一般地描述了本发明。参考如下具体实施例可以得到更完整的理解。这些实施例的描述仅是说明性，不是用于限制本发明的范围。形式上的变化和等价替代被视为可以建议的情形或权宜之计。尽管本文中使用了特定术语，但是这些术语目的在于描述意义上，并不作为限制的目的。
实施例1
建造了一种厚膜介电电致发光设备，它掺入了用铕活化的硫代铝酸钡的薄膜无机发光材料层。厚膜衬底为5cm×5cm的氧化铝衬底，厚度为0.1cm。根据提交于2000年5月12日的共同未决的国际申请PCT/CA00/00561(该文献的公开内容被全部引入本文)所例举的方法，在这个衬底上沉积了金电极，接着沉积厚膜高介电常数的介电层。使用提交于2001年1月17日的申请人的共同未决的美国专利申请09/761,971(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)所描述的溶胶-凝胶技术，在厚膜介电层的顶部沉积了100-200nm的钛酸钡薄膜介电层。
根据申请人的国际专利申请PCT/CA01/01823(该文献的公开内容被全部引入本文)的方法，600nm厚的硫代铝酸钡镁无机发光材料膜用电子束沉积到钛酸钡层上，该膜用相对于钡为约3％原子的铕来活化。
对于这个实施例，在无机发光材料的沉积过程中没有控制硫种类的混合。沉积后，在带式炉内、氮气中、最高温度为700℃到750℃下，将沉积的无机发光材料退火约一分钟。根据申请人的国际专利申请PCT/CA00/00561(该文献的公开内容被全部引入本文)的方法，然后将50nm厚的氮化铝层溅射沉积到无机发光材料层上，接着在导体膜上面沉积铟锡氧化物。完成的设备在空气中、约550℃下退火，然后在铟锡氧化物沉积后和测试前，在约550℃下、在氮气中退火。
设备应用240Hz的交替极性方波电压波形测试，该波形的脉冲宽度为30纳秒，在光学阈电压以上的幅度为60伏特。图3显示了作为设备的外加电压函数的发光度。从数据可以看出，在阈电压160伏特以上60伏特处的发光度为约65堪德拉/平方米。
在相同的沉积运转过程中，第二个无机发光材料膜被沉积在靠近测试设备的硅片上，并用X射线衍射(XRD)分析法进行分析。第二个无机发光材料膜有斜方晶硫以及硫代铝酸钡相存在，表明过量的硫存在于膜内或膜上。这表明假如挥发种类是硫化物分子或其簇，那么有比预期的更大量的硫从硫化物源挥发出来。一些额外的硫为元素硫的形式，它们在沉积室的壁上冷凝，由于壁温的波动导致再蒸发，撞击并冷凝在沉积衬底和沉积的无机发光材料上。
实施例2
建造了一种类似实施例1的设备，但是在靠近用于无机发光材料沉积的硫化钡源处加入了冷阱。该冷阱用于冷凝过量的硫、氧和其它挥发性杂质。图3显示了作为设备外加电压的函数的发光度。从数据可以看出，在阈电压160伏特以上60伏特处的发光度为约240堪德拉/平方米，比实施例1设备的发光度多3倍以上。
沉积在靠近测试样品的硅片上的无机发光材料膜用XRD进行分析。显示无元素硫的迹象。该实施例显示了本发明在阻止过量硫掺入膜中的优点，并在设备性能方面实现了相关改进。
实施例3
制作了通常如图2所示类型的厚膜介电电致发光显示装置。厚膜介电电致发光显示装置建造在5cm×5cm×1.8mm厚的PD200玻璃衬底上，该衬底来自Asahi Glass Co Ltd of Tokyo，Japan，在这上面沉积了200nm厚的氮化铝阻挡层。通过印刷和焙烧来自Tanaka KikinzokuInternational of Tokyo，Japan的TR1207含金糊剂，使0.8μm厚的金电极膜形成在涂覆衬底上。接着，使用提交于2002年12月21日的申请人的共同未决的美国专利申请60/341,790(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)描述的常规方法，其具体过程的修改在下文中描述，在下金电极上制作了复合厚膜介电层。
使用如下方法，在氧化铝涂覆的玻璃上形成复合厚膜介电层。使用PMN粉末的混合物制备用于这种结构的厚膜糊剂，一种PMN粉末的粒子尺寸分布为：d50为0.45微米和d90为0.63微米，另一种PMN粉末的粒子尺寸分布为：d50为0.36微米和d90为0.63微米。通过在行星式球磨机中分别碾磨2小时和16小时，制得每种粉末。然后将粉末以重量比1.14∶1进行混合，用于配制厚膜糊剂。厚度为约5μm的第一厚膜层被印刷在衬底上，通过压缩而被压实，并在约700℃至约720℃的范围内焙烧约18分钟。
形成复合厚膜介电层的第二步是沉积0.5μm厚的PZT层和在约700℃下将其焙烧约7分钟。使用提交于2000年3月31日的申请人的美国专利申请09/540,288(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)所描述的MOD方法进行这次沉积，MOD溶液的粘度范围被调节到约9至约15厘泊。
形成复合厚膜介电层的第三步是沉积、压实和焙烧第二PMN介电层，其厚度也为约5μm。第四步使用如第二步的相同方法，形成1.6μm的PZT厚膜介电层。第五步如下：涂敷厚约0.5μm的第五PZT层，使用相同的方法将最上面的PZT层厚度增加至约1μm，从而完成复合介电层。最后一步是，如提交于2001年1月17日的申请人的共同未决的美国专利申请09/761,971(该文献的公开内容被全部引入本文以供参考)所描述的，在厚介电层上沉积150nm厚的钛酸钡层。
使用如实施例2中描述的方法，0.5μm厚的铕活化的硫代铝酸钡无机发光材料层用电子束沉积在钛酸钡层上。电子束沉积系统具有四个电子束源，两个源具有掺杂铕的硫化钡，剩下的两个源以硫化铝作为源材料。如图4所示的室的俯视(平面)图所表示的，沉积系统布置有电子枪和源，所述源布置在室的下部。抽吸口连接在室的一侧，硫化氢喷雾器位于室的另一侧。在沉积过程中流有液氮的管与抽吸口位于室的同一侧，该管用作低温冷凝面。冷凝表面位于源的上方，但低于抽吸口。这些特征结构如图4所示。两组源被壁分开，该壁将室分成容积近似相等的两半(也如图4所示)，但是具有开口以允许蒸气在两个半室之间流动。每个半室都包含一种硫化钡源和一种硫化铝源。沉积衬底被置于室顶部内的圆盘传送带上，从而它们可以在两个半室上方旋转，或者在沉积过程中暴露于从两组源输入的蒸气。
在无机发光材料沉积之后，为了完成显示装置，如实施例1那样，将50nm厚的氮化铝的上介电层和包括铟锡氧化物的透明电极沉积在无机发光材料层上，密封该显示装置以使其免受周围环境的影响。
使用如实施例1所述的测试方法来测试所完成的厚膜介电电致发光显示装置。设备的发光度对电压的数据如图5所示。在阈电压上60伏特处的发光度为约600堪德拉/平方米，且具有高的均匀度，该发光度基本上比具有不用低温冷凝器沉积的无机发光材料的类似设备的发光度高。设备的CIE坐标为x＝0.135，y＝0.099，蓝色发光极好。
实施例4
建造了类似实施例3的设备，但是只使用了最靠近冷凝表面的两个源来沉积无机发光材料层。无机发光材料还包含一些镁，镁与钡的原子比为约0.02至0.04。设备的发光度对电压的数据如图6所示。在阈电压180伏特以上60伏特处的发光度为约830堪德拉/平方米。对于这个设备，硫和其它杂质种类的冷凝比实施例3中的设备要更有效，因为冷凝表面靠近所有的电子束源，而在实施例3中冷凝表面只靠近一半电子束源。不受理论的限制，看起来这个设备发光度的提高是由于不良种类的更有效冷凝导致的。
实施例5
建造了类似实施例4的设备，但是使用了离冷凝表面最远的两个源来沉积无机发光材料层，导致不良种类的冷凝效率降低。该设备的发光度数据如图6所示。在阈电压150伏特以上60伏特处的发光度为约380堪德拉/每平方米，比实施例4中使用有效冷凝的发光度的一半还少，为实施例3中使用中等冷凝效率制作的设备发光度的约65％。这个结果进一步支持了冷凝效率和设备发光度之间的相关性。
尽管本发明的优选实施方案在本文中已经详细描述，但是本领域的技术人员应理解，在不违背本发明的精神或附加权利要求书的范围的情况下，可以作出各种变化。

Claims (40)

1.一种将预定组合物的薄膜沉积到衬底上的方法，该薄膜包括三元、四元或更高的硫化物化合物，其选自：来自周期表的族II A和II B中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐，该方法包括：
使至少一种包括硫化物的源材料挥发，所述硫化物形成所述预定组合物，以在衬底上形成含硫薄膜组合物；和
使撞击所述衬底的挥发自至少一种源材料的任何过量含硫种类最小化。
2.如权利要求1所述的方法，其中提供了吸气或冷凝物质，以使撞击所述衬底的所述过量含硫种类最小化。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述物质被设置成充分靠近所述至少一种源。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述物质选自：吸气剂、冷阱和指形冷冻器。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述物质导致硫撞击沉积衬底，以平均具有基本上不随时间变化的硫原子数/分子。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述挥发在具有低硫分压的气氛中进行。
7.如权利要求6所述的方法，其中挥发通过选自如下的方法进行：电子束蒸发、热蒸发和溅射。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述方法为电子束蒸发。
9.如权利要求6所述的方法，其中挥发在一定温度下进行，该温度可阻止含硫种类从所述吸气或冷凝物质中再蒸发。
10.如权利要求2所述的方法，其中所述方法还包括一种或多种试剂，以从所述至少一种源材料的任意蒸发物中冷凝或除去二氧化硫、分子氧和/或水。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述一种或多种试剂除去氧。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述一种或多种试剂为液氮冷阱。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述一种或多种试剂除去水。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述一种或多种试剂为分子筛。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述预定组合物为选自如下的无机发光材料组合物：铕活化的硫代铝酸钡和铕活化的硫代铝酸钙。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种源材料的挥发速度被监测和控制。
17.如权利要求1所述的方法，其中有两种源材料存在。
18.如权利要求1所述的方法，其中有三种源材料存在。
19.如权利要求6所述的方法，其中挥发在活性种类的气氛中进行，所述活性种类选自硫化氢、原子硫和双原子硫。
20.如权利要求13所述的方法，其中所述种类为硫化氢。
21.一种将预定组合物的薄无机发光材料膜沉积到衬底上的方法，该无机发光材料膜包括三元、四元或更高的硫化物化合物，其选自：来自周期表的族IIA和IIB中的至少一种元素的硫代铝酸盐、硫代镓酸盐和硫代铟酸盐，该方法包括：
使至少一种包括硫化物的源材料挥发，所述硫化物形成所述预定组合物，以在衬底上形成含硫薄膜组合物；
同时使撞击所述衬底的挥发自至少一种源材料的任何过量含硫种类最小化；和
从所述至少一种源材料的蒸发物中冷凝或除去氧和/或水。
22.如权利要求21所述的方法，其中提供吸气或冷凝物质以使所述过量含硫种类最小化。
23.如权利要求21所述的方法，其中所述吸气或冷凝物质被设置成充分靠近至少一种源材料。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述吸气或冷凝物质选自吸气剂、冷阱和指纹冷冻器。
25.如权利要求23所述的方法，其中所述方法还包括提供一种或多种试剂，以从所述至少一种源材料的任何蒸发物中冷凝或除去氧和/或水。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述至少一种源材料的挥发通过选自如下的方法进行：电子束蒸发、热蒸发和溅射。
27.如权利要求25所述的方法，其中所述方法在具有低硫分压的气氛中进行。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述方法在一定温度下进行，以阻止含硫种类从所述吸气或冷凝物质中再蒸发。
29.如权利要求28所述的方法，其中所述方法在活性硫种类的气氛中进行，该活性硫种类选自硫化氢、原子硫和双原子硫。
30.如权利要求28所述的方法，其中所述种类为硫化氢。
31.一种将预定组合物的薄膜沉积到衬底上的方法，所述组合物包括三元、四元或更高的组合物，所述方法包括：
(i)提供一种硫化物的球团作为源材料，该硫化物包括所述预定组合物的组分，所述球团还包含用于所述预定组合物的掺杂剂；
(ii)通过用电子束蒸发所述球团，将所述预定组合物气相沉积到所述衬底上；
(iii)监测硫化物从所述球团中蒸发的速度；和
(iv)同时除去挥发自所述球团的任何过量含硫种类，以阻止所述过量物质撞击所述衬底。
32.如权利要求31所述的方法，其中在步骤(i)中，至少一种硫化物的第二球团被提供作为第二源材料，第二源材料的硫化物与第一源材料的硫化物是不同的，所述硫化物是所述组合物的组分，第一和第二源材料的第一或第二球团中的至少一种还包含用于组合物的掺杂剂。
33.如权利要求32所述的方法，其中提供了吸气或冷凝物质以除去任何过量硫种类。
34.如权利要求33所述的方法，其中所述吸气或冷凝物质被设置成充分靠近所述第一和第二源和所述第二源材料。
35.如权利要求34所述的方法，其中所述吸气或冷凝物质选自吸气剂、冷阱和指形冷冻器。
36.如权利要求35所述的方法，其中所述方法还包括提供一种或多种试剂，以从所述至少一种源材料的蒸发物中冷凝或除去氧和/或水。
37.如权利要求36所述的方法，其中所述源材料的挥发通过选自如下的方法进行：电子束蒸发、热蒸发和溅射。
38.如权利要求37所述的方法，其中所述方法在具有低硫分压的气氛中进行。
39.如权利要求38所述的方法，其中所述方法在一定温度下进行，以阻止含硫种类从所述吸气或冷凝物质中再蒸发。
40.如权利要求39所述的方法，其中所述方法在活性硫种类的气氛中进行，该活性硫种类选自硫化氢、原子硫和双原子硫。
CNB2004800031324A 2003-01-30 2004-01-26 受控的硫种类沉积方法 Expired - Fee Related CN100360637C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US44354003P 2003-01-30 2003-01-30
US60/443,540 2003-01-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1745158A CN1745158A (zh) 2006-03-08
CN100360637C true CN100360637C (zh) 2008-01-09

Family

ID=32825344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800031324A Expired - Fee Related CN100360637C (zh) 2003-01-30 2004-01-26 受控的硫种类沉积方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7811634B2 (zh)
EP (1) EP1587894B1 (zh)
JP (1) JP2006516663A (zh)
KR (1) KR20050110623A (zh)
CN (1) CN100360637C (zh)
AT (1) ATE350429T1 (zh)
CA (1) CA2512395A1 (zh)
DE (1) DE602004004076T2 (zh)
TW (1) TW200420740A (zh)
WO (1) WO2004067676A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057856B2 (en) * 2004-03-15 2011-11-15 Ifire Ip Corporation Method for gettering oxygen and water during vacuum deposition of sulfide films
US8193705B2 (en) 2005-11-02 2012-06-05 Ifire Ip Corporation Laminated conformal seal for electroluminescent displays
EP2360289A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer aus mindestens zwei Komponenten bestehenden Schicht auf einem Gegenstand
GB2493022B (en) * 2011-07-21 2014-04-23 Ilika Technologies Ltd Vapour deposition process for the preparation of a phosphate compound
EP3715499A1 (en) * 2019-03-29 2020-09-30 Picosun Oy Substrate coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020081371A1 (en) * 2000-12-22 2002-06-27 Cheong Dan Daeweon Multiple source deposition process
WO2002097155A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Ifire Technology Inc. Single source sputtering of thioaluminate phosphor films
EP1279718A2 (en) * 2001-07-27 2003-01-29 TDK Corporation EL panel

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5652067A (en) 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US5294368A (en) 1992-12-31 1994-03-15 Osram Sylvania Inc. Method of making a composite electroluminescent phosphor
JPH07272849A (ja) 1994-03-31 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd 薄膜ｅｌ表示器とその製造方法
AUPM967194A0 (en) * 1994-11-25 1994-12-22 University Of South Australia Surface modification of kaolinite
US5725801A (en) 1995-07-05 1998-03-10 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline gallium oxides, alkaline earth gallates and doped zinc germanate phosphors as electroluminescent materials
US5788882A (en) 1996-07-03 1998-08-04 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline alkaline earth gallates as electroluminescent materials
US6153123A (en) 1997-02-24 2000-11-28 Superior Micropowders, Llc Sulfur-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
US6241477B1 (en) * 1999-08-25 2001-06-05 Applied Materials, Inc. In-situ getter in process cavity of processing chamber
FI117980B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle
US6583434B2 (en) 2000-04-26 2003-06-24 Agfa-Gevaert System for digital radiography and dosimetry
US20020122895A1 (en) 2000-09-14 2002-09-05 Cheong Dan Daeweon Magnesium barium thioaluminate and related phosphor materials
KR100685917B1 (ko) 2000-12-27 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100731033B1 (ko) 2000-12-27 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
US6627251B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Tdk Corporation Phosphor thin film, preparation method, and EL panel
US6686062B2 (en) 2001-06-13 2004-02-03 Ifire Technology Inc. Magnesium calcium thioaluminate phosphor
US6878973B2 (en) * 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020081371A1 (en) * 2000-12-22 2002-06-27 Cheong Dan Daeweon Multiple source deposition process
WO2002097155A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Ifire Technology Inc. Single source sputtering of thioaluminate phosphor films
EP1279718A2 (en) * 2001-07-27 2003-01-29 TDK Corporation EL panel

Also Published As

Publication number Publication date
ATE350429T1 (de) 2007-01-15
EP1587894A1 (en) 2005-10-26
TW200420740A (en) 2004-10-16
CA2512395A1 (en) 2004-08-12
KR20050110623A (ko) 2005-11-23
WO2004067676A1 (en) 2004-08-12
US20050042376A1 (en) 2005-02-24
US7811634B2 (en) 2010-10-12
DE602004004076T2 (de) 2007-11-15
JP2006516663A (ja) 2006-07-06
EP1587894B1 (en) 2007-01-03
CN1745158A (zh) 2006-03-08
DE602004004076D1 (de) 2007-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100874523B1 (ko) 다중 소스 용착 프로세스
CN1993447B (zh) 具有新型晶体结构的硫代铝酸钡无机发光材料
US6919682B2 (en) Magnesium barium thioaluminate and related phosphor materials
CA2447626C (en) Single source sputtering of thioaluminate phosphor films
US5716501A (en) Method of producing electroluminescence emitting film
CN100360637C (zh) 受控的硫种类沉积方法
CN100473753C (zh) 用于电致发光无机发光材料的喷镀沉积方法
CN100529155C (zh) 用于无机发光材料沉积的硫化氢注射方法
CN100542364C (zh) 氧取代的硫代铝酸钡无机发光材料

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: YIFEILEI INTELLECTUAL PROPERTY CO.,LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: IFIRE TECHNOLOGY INC.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: alberta canada

Patentee after: Ifire Technology Corp.

Address before: alberta canada

Patentee before: Ifire Technology Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080109

Termination date: 20180126