CH717335B1 - Method of surface treatment of an object. - Google Patents

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CH717335B1 CH000465/2020A CH4652020A CH717335B1 CH 717335 B1 CH717335 B1 CH 717335B1 CH 000465/2020 A CH000465/2020 A CH 000465/2020A CH 4652020 A CH4652020 A CH 4652020A CH 717335 B1 CH717335 B1 CH 717335B1
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Abstract

L'invention concerne une méthode de traitement de surface d'un objet (1) présentant au moins un substrat conducteur (2), la méthode utilisant un procédé mettant en oeuvre une décharge électrique entre une électrode et le substrat conducteur (2) au travers d'un milieu diélectrique. La méthode comprend : – i) fournir l'objet (1) présentant le substrat conducteur (2), – ii) traiter ledit substrat (2) par ledit procédé, La méthode est caractérisée en ce que, avant de traiter ledit substrat conducteur (2) par ledit procédé, ledit substrat (2) est préparé dans une étape de texturation pour créer un motif de structures micrométriques (3) sur ledit substrat (2), ledit motif (3) comprenant des creux (4) et des reliefs (5). L'invention concerne également un dispositif comprenant un objet (1) présentant un substrat conducteur (2) au moins partiellement traité par une méthode selon l'invention, par exemple choisi parmi les pièces d'horlogerie, les pièces de joaillerie ou de bijouterie, les circuits notamment les circuits supraconducteurs.The invention relates to a method for treating the surface of an object (1) having at least one conductive substrate (2), the method using a method implementing an electric discharge between an electrode and the conductive substrate (2) through of a dielectric medium. The method comprises: - i) providing the object (1) having the conductive substrate (2), - ii) treating said substrate (2) by said method, The method is characterized in that, before treating said conductive substrate ( 2) by said method, said substrate (2) is prepared in a texturing step to create a pattern of micrometric structures (3) on said substrate (2), said pattern (3) comprising depressions (4) and reliefs ( 5). The invention also relates to a device comprising an object (1) having a conductive substrate (2) at least partially treated by a method according to the invention, for example chosen from timepieces, pieces of jewelry or jewelry, circuits, in particular superconducting circuits.

Description

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTIONTECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

[0001] L'invention concerne une méthode de traitement de surface d'un objet. L'invention concerne également un dispositif comprenant un objet présentant un substrat conducteur au moins partiellement traité par une méthode selon l'invention. The invention relates to a method of surface treatment of an object. The invention also relates to a device comprising an object having a conductive substrate at least partially treated by a method according to the invention.

ETAT DE LA TECHNIQUESTATE OF THE ART

[0002] Il existe plusieurs procédés électrochimiques qui permettent de modifier une surface métallique d'un objet. Ces procédés sont utilisés notamment pour travailler la surface ou une partie de la surface d'une pièce d'horlogerie ou d'une pièce de joaillerie. [0002] There are several electrochemical processes which make it possible to modify a metal surface of an object. These methods are used in particular to work the surface or part of the surface of a timepiece or a piece of jewelry.

[0003] Parmi les procédés existants, on peut citer l'anodisation, la galvanoplastie ou encore l'électroérosion. [0003] Among the existing processes, mention may be made of anodizing, electroplating or else electro-erosion.

[0004] L'anodisation est un procédé de passivation électrolytique qui est utilisé pour augmenter la couche d'oxyde naturel à la surface d'un substrat métallique. Anodizing is an electrolytic passivation process which is used to increase the natural oxide layer on the surface of a metal substrate.

[0005] La galvanoplastie est un procédé permettant d'appliquer au moyen d'un courant électrique continu, un dépôt métallique à la surface d'un objet, le métal étant initialement sous forme de cations dans une solution appelée électrolyte et contenant d'autres ions permettant de conduire l'électricité. [0005] Electroplating is a process for applying, by means of a direct electric current, a metallic deposit to the surface of an object, the metal being initially in the form of cations in a solution called electrolyte and containing other ions to conduct electricity.

[0006] L'électroérosion est un procédé d'usinage soustractif bien connu qui consiste à enlever de la matière d'un substrat conducteur en utilisant des décharges électriques entre une électrode et ledit substrat tous deux plongés dans un milieu diélectrique. Sous l'action d'une tension électrique élevée (typiquement entre 60 et 400V), un claquage se produit dans le milieu diélectrique créant un canal de plasma ionise entre l'électrode et le substrat au travers duquel se propage un arc électrique. Au pied dudit arc électrique et vu le courant élevé, une petite surface du substrat est fondue et détériorée. Par étincelage successif, on obtient un enlèvement continu de matière. Electroerosion is a well-known subtractive machining process which consists of removing material from a conductive substrate using electric discharges between an electrode and said substrate, both of which are immersed in a dielectric medium. Under the action of a high electric voltage (typically between 60 and 400V), a breakdown occurs in the dielectric medium creating an ionized plasma channel between the electrode and the substrate through which an electric arc propagates. At the foot of said electric arc and given the high current, a small surface of the substrate is melted and deteriorated. By successive sparking, a continuous removal of material is obtained.

[0007] Alternativement, la demanderesse a développé précédemment une méthode originale décrite dans le document CH705973. Ce document décrit un procédé d'usinage additif utilisant une décharge électrique entre une électrode et le substrat conducteur au travers d'un milieu diélectrique. L'originalité de la méthode décrite dans le document CH705973 réside dans l'utilisation d'un liquide composite avec différentes poudres en suspension comme milieu diélectrique et d'une électrode filaire. [0007] Alternatively, the applicant has previously developed an original method described in document CH705973. This document describes an additive machining method using an electric discharge between an electrode and the conductive substrate through a dielectric medium. The originality of the method described in the document CH705973 resides in the use of a composite liquid with various powders in suspension as dielectric medium and of a wired electrode.

[0008] La présente invention s'inscrit dans un but d'amélioration des procédés existants, en particulier pour les procédés de traitement de surface connus, en particulier qui mettent en oeuvre une décharge électrique entre une électrode et un substrat au travers d'un diélectrique. Même s'il existe des procédés de ce type connus, comme celui décrit dans le document CH705973, il reste des aspects à améliorer notamment en ce qui concernent l'efficacité et le rendement qu'il serait avantageux d'optimiser. The present invention is part of an aim of improving existing methods, in particular for known surface treatment methods, in particular which implement an electric discharge between an electrode and a substrate through a dielectric. Even if known processes of this type exist, such as that described in the document CH705973, there remain aspects to be improved, in particular as regards the efficiency and the yield which it would be advantageous to optimize.

OBJET DE L'INVENTIONOBJECT OF THE INVENTION

[0009] Un objet de la présente invention est donc de résoudre, d'améliorer, ou au moins de minimiser les inconvénients des méthodes existantes décrites ci-dessus, en particulier le procédé décrit dans le document CH705973. An object of the present invention is therefore to solve, improve, or at least minimize the drawbacks of the existing methods described above, in particular the method described in the document CH705973.

[0010] Ces objets sont au moins partiellement atteints par la présente invention. These objects are at least partially achieved by the present invention.

[0011] La présente invention concerne une méthode de traitement de surface d'un objet présentant au moins un substrat conducteur, la méthode comprenant un procédé mettant en oeuvre une décharge électrique entre une électrode et le substrat conducteur au travers d'un milieu diélectrique, la méthode comprenant : i) fournir l'objet présentant le substrat conducteur à traiter, ii) traiter ledit substrat par ledit procédé,la méthode étant caractérisée en ce que, avant de traiter ledit substrat conducteur par ledit procédé, ledit substrat est préparé dans une étape de texturation pour créer un motif de structures micrométriques sur ledit substrat, ledit motif comprenant des creux et des reliefs. The present invention relates to a method of surface treatment of an object having at least one conductive substrate, the method comprising a method implementing an electric discharge between an electrode and the conductive substrate through a dielectric medium, the method comprising: i) providing the object having the conductive substrate to be treated, ii) treating said substrate by said process,the method being characterized in that, before treating said conductive substrate by said process, said substrate is prepared in a texturing step to create a pattern of micrometric structures on said substrate, said pattern comprising depressions and reliefs.

[0012] La présente invention propose avantageusement de préparer la surface conductrice de l'objet à traiter avant de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention. La surface conductrice est par exemple une surface métallique. L'étape de préparation permet de texturer ou structurer la surface conductrice à traiter par un traitement de surface adéquat (par un procédé électrochimique) pour former un motif de structures micrométriques. The present invention advantageously proposes to prepare the conductive surface of the object to be treated before implementing the method according to the invention. The conductive surface is for example a metal surface. The preparation step makes it possible to texture or structure the conductive surface to be treated by an appropriate surface treatment (by an electrochemical process) to form a pattern of micrometric structures.

[0013] Le terme motif désigne la répartition des structures micrométriques sur la surface conductrice. Le motif comprend un ensemble de structures ou d'éléments micrométriques (c'est-à-dire présentant une taille de l'ordre du micromètre), par exemple des reliefs (protubérances ou pointes) espacés par des creux. [0013] The term pattern designates the distribution of micrometric structures on the conductive surface. The pattern comprises a set of structures or micrometric elements (that is to say having a size of the order of a micrometer), for example reliefs (protuberances or points) spaced apart by hollows.

[0014] Le motif micrométrique permet de doter la surface conductrice à traiter d'une rugosité contrôlée. De façon surprenante, il a été observé que la préparation de la surface pour la doter d'une certaine rugosité permet d'améliorer l'efficacité et le rendement du procédé selon l'invention, (en particulier lorsqu'il s'agit d'électroérosion ou d'étincelage additif), par rapport à une surface conductrice non préparée, par exemple une surface conductrice lisse ou polie. [0014] The micrometric pattern makes it possible to provide the conductive surface to be treated with a controlled roughness. Surprisingly, it has been observed that the preparation of the surface to provide it with a certain roughness makes it possible to improve the efficiency and the yield of the method according to the invention, (in particular when it is a question of electroerosion or additive spark erosion), with respect to an unprepared conductive surface, for example a smooth or polished conductive surface.

[0015] La texturation ou préparation de la surface au préalable du procédé selon l'invention permet d'améliorer le rendement et l'efficacité du procédé, en particulier lorsque le procédé est celui décrit dans le document CH705973. [0015] The texturing or preparation of the surface beforehand for the method according to the invention makes it possible to improve the yield and the effectiveness of the method, in particular when the method is that described in the document CH705973.

[0016] La texturation ou préparation de la surface permet en effet de donner des propriétés nouvelles sur tous types de surfaces, par exemple d'ajuster la mouillabilité d'une surface, ou encore les propriétés optiques comme la réflectivité. [0016] The texturing or preparation of the surface in fact makes it possible to give new properties to all types of surfaces, for example to adjust the wettability of a surface, or even the optical properties such as reflectivity.

[0017] La surface préparée présente des structures micrométriques sous la forme par exemple de protubérances ou pointes micrométriques. Ces pointes ont un effet bénéfique pour l'efficacité du procédé selon l'invention. [0017] The prepared surface has micrometric structures in the form, for example, of micrometric protuberances or spikes. These spikes have a beneficial effect on the effectiveness of the method according to the invention.

[0018] Par exemple, en électroérosion, ces pointes agissent comme des paratonnerres favorisant considérablement le processus d'étincelage. En effet, on assiste à une augmentation locale du champ électrique par effet géométrique. L'effet géométrique ou de pointe, aussi appelé pouvoir des pointes, est le nom donné à l'accumulation de charges électriques, et donc la création d'un fort champ électrique, au niveau des zones pointues de la surface d'un conducteur électrique (un objet métallique par exemple). Une application typique de ce phénomène est le paratonnerre. Le procédé d'étincelage additif se trouve ainsi notablement amélioré. L'efficacité et le rendement du procédé, en particulier l'étincelage additif, par exemple celui décrit dans le document CH705973, se trouvent ainsi notablement améliorés par un claquage facilité et régulier du liquide diélectrique présent entre la surface et l'électrode. [0018] For example, in spark erosion, these points act as lightning rods which considerably promote the sparking process. Indeed, there is a local increase in the electric field by geometric effect. Geometric or spike effect, also called spike power, is the name given to the buildup of electrical charges, and thus the creation of a strong electric field, at sharp areas of the surface of an electrical conductor (a metallic object for example). A typical application of this phenomenon is the lightning rod. The additive sparking process is thus significantly improved. The efficiency and the yield of the process, in particular the additive sparking, for example that described in the document CH705973, are thus notably improved by a facilitated and regular breakdown of the dielectric liquid present between the surface and the electrode.

[0019] Selon un mode de réalisation, le motif de structures micrométriques présente une rugosité Ra inférieure ou égale à 20 micromètres et supérieure ou égale à 0.1 micromètres, de préférence entre 10 micromètres et 1 micromètres, par exemple entre 7 micromètres et 3 micromètres. According to one embodiment, the pattern of micrometric structures has a roughness Ra less than or equal to 20 micrometers and greater than or equal to 0.1 micrometers, preferably between 10 micrometers and 1 micrometer, for example between 7 micrometers and 3 micrometers.

[0020] La préparation ou structuration ou texturation de la surface peut être réalisée par différentes techniques, par exemple par balayage laser, par sablage, le fraisage, le guillochage, l'électro-érosion. [0020] The preparation or structuring or texturing of the surface can be carried out by various techniques, for example by laser scanning, by sandblasting, milling, guillochage, electro-erosion.

[0021] Le balayage laser offre l'avantage d'une grande flexibilité, la création de surfaces avec des rugosités évolutives ou anisotropes, d'une très grande régularité ou présentant des structures périodiques ou quasi-périodiques. [0021] Laser scanning offers the advantage of great flexibility, the creation of surfaces with changing or anisotropic roughnesses, of very great regularity or having periodic or quasi-periodic structures.

[0022] Le sablage est intéressant par son coût plus réduit mais aussi par la possibilité de traiter d'autres types de surfaces (si le laser ne permet pas, par exemple pour des questions de longueur d'onde). [0022] Sandblasting is interesting by its lower cost but also by the possibility of treating other types of surfaces (if the laser does not allow, for example for questions of wavelength).

[0023] Dans un mode de réalisation, le motif de structures micrométriques est régulier, aléatoire, ou périodique. [0023] In one embodiment, the pattern of micrometric structures is regular, random, or periodic.

[0024] Un motif régulier ou texture régulière offre un plan de travail isotropique pour le design de structures décoratives ou artistiques, comme une toile de peinture, ou la trame d'une feuille de papier (exemple type). [0024] A regular pattern or regular texture offers an isotropic working plane for the design of decorative or artistic structures, such as a painting canvas, or the weft of a sheet of paper (typical example).

[0025] Un motif ou texture aléatoire offre les mêmes avantages que la texture régulière, avec en plus un avantage 'biométrique' au cas où le design inscrit sur cette surface devait servir comme moyen d'identification (empreinte digitale). [0025] A random pattern or texture offers the same advantages as the regular texture, with the addition of a 'biometric' advantage in the event that the design inscribed on this surface should serve as a means of identification (fingerprint).

[0026] Un motif ou texture périodique peut produire des effets visuels esthétiques intéressants, par des effets cumulatifs sur la réflexion de la lumière. Aussi, un motif de structures périodiques permet la multiplication de structures métallurgiques à l'identique sur une surface macroscopique (jonctions métalliques en cascade, cellules solaires,....). [0026] A periodic pattern or texture can produce interesting aesthetic visual effects, by cumulative effects on the reflection of light. Also, a pattern of periodic structures allows the multiplication of identical metallurgical structures on a macroscopic surface (metal junctions in cascade, solar cells, etc.).

[0027] Selon un mode de réalisation, ledit procédé est choisi parmi les procédés additifs, par exemple l'étincelage additif,. L'étincelage additif permettant un traitement ciblé et sélectif sur certaines régions de la surface structurée. According to one embodiment, said process is chosen from additive processes, for example additive sparking. Additive sparking allows targeted and selective treatment on certain regions of the structured surface.

[0028] Dans un mode de réalisation, le procédé comprend : ii) a) Appliquer une tension entre l'électrode et ledit substrat de l'objet pour amorcer au moins une décharge, l'électrode étant séparée du substrat par une distance prédéterminée (d) ou gap occupé par le milieu diélectrique dans lequel la décharge se produit, ladite tension et le temps de décharge étant paramétrés pour que ladite décharge induise un claquage dans le milieu diélectrique et la formation d'un canal de plasma ionisé conducteur, ii) b) Décharger un courant électrique provenant d'une source de courant à travers ledit canal de plasma ionisé conducteur, ledit courant étant paramétré de sorte qu'une surface du substrat à la base de l'arc électrique fonde de manière à obtenir une empreinte sur ledit substrat présentant des propriétés chimique et/ou physiques et/ou métallurgiques différentes de celles du substrat.In one embodiment, the method comprises: ii) a) Applying a voltage between the electrode and said substrate of the object to initiate at least one discharge, the electrode being separated from the substrate by a predetermined distance ( d) or gap occupied by the dielectric medium in which the discharge occurs, said voltage and the discharge time being configured so that said discharge induces a breakdown in the dielectric medium and the formation of a conductive ionized plasma channel, ii) b) Discharging an electric current from a current source through said conductive ionized plasma channel, said current being set so that a surface of the substrate at the base of the electric arc melts so as to obtain an imprint on said substrate having chemical and/or physical and/or metallurgical properties different from those of the substrate.

[0029] Ce mode de réalisation de l'invention utilise des décharges électriques entre une électrode métallique par exemple une pointe métallique très fine, un fil, un barreau ou toute autre forme géométrique appropriée et une surface conductrice constituant le substrat d'un objet. L'électrode et le substrat sont séparés par une distance ou un gap, en langue anglaise, de quelques microns qui est entièrement rempli par un milieu diélectrique dans lequel a donc lieu la décharge, qui est une micro décharge. Les décharges sont paramétrées pour créer un claquage dans le milieu diélectrique formant un canal de plasma ionisé conducteur entre l'électrode et le substrat et dans lequel peut passer un courant électrique généré par un générateur ou tout autre moyen approprié. Ledit courant électrique est quant à lui paramétré pour faire fondre le substrat à la base de l'arc électrique sur une surface ayant la forme d'un disque sans volatiliser le substrat. This embodiment of the invention uses electrical discharges between a metal electrode, for example a very fine metal tip, a wire, a bar or any other appropriate geometric shape, and a conductive surface constituting the substrate of an object. The electrode and the substrate are separated by a distance or a gap, in English, of a few microns which is entirely filled by a dielectric medium in which the discharge therefore takes place, which is a micro discharge. The discharges are configured to create a breakdown in the dielectric medium forming a conductive ionized plasma channel between the electrode and the substrate and in which an electric current generated by a generator or any other appropriate means can pass. Said electric current is in turn parameterized to melt the substrate at the base of the electric arc on a surface having the shape of a disc without volatilizing the substrate.

[0030] En effet, de manière surprenante et inattendue, en utilisant des courants moins élevés et des temps de décharge plus courts que ceux habituellement utilisés pour l'électroérosion, une plus grande variété d'empreintes peut être obtenue. De plus, avec ces paramètres, les conditions de la décharge sont mieux maîtrisées même en pratique. [0030] Indeed, surprisingly and unexpectedly, by using lower currents and shorter discharge times than those usually used for electroerosion, a greater variety of imprints can be obtained. Moreover, with these parameters, the discharge conditions are better controlled even in practice.

[0031] Cette configuration permet encore de modifier la structure métallurgique du substrat pour en changer les propriétés physiques ou chimiques. Par exemple, grâce au procédé selon l'invention, il est possible de tremper très localement un substrat en acier et ainsi le rendre plus résistant à un endroit très précis. [0031] This configuration also makes it possible to modify the metallurgical structure of the substrate in order to change its physical or chemical properties. For example, by virtue of the method according to the invention, it is possible to harden a steel substrate very locally and thus make it more resistant at a very precise location.

[0032] Ce mode de réalisation de l'invention peut encore se comparer à un procédé d' „écriture“ puisqu'une cadence de décharge à fréquence élevée associée à un déplacement de l'électrode par rapport au substrat permet l'élaboration d'alliages en continu, tout comme leur implantation sur une surface de l'objet selon un parcours prédéfini. This embodiment of the invention can still be compared to a "writing" process since a high frequency discharge rate associated with a displacement of the electrode relative to the substrate allows the development of alloys continuously, as well as their implantation on a surface of the object according to a predefined path.

[0033] Dans un mode de réalisation, le milieu diélectrique est constitué par un liquide, un gel ou une pâte diélectrique. In one embodiment, the dielectric medium consists of a liquid, a gel or a dielectric paste.

[0034] Selon un mode de réalisation l'électrode est constituée en métal réfractaire ayant un point de fusion élevé et/ou des propriétés d'émission thermoïonique. According to one embodiment, the electrode is made of refractory metal having a high melting point and/or thermionic emission properties.

[0035] Selon un mode de réalisation la tension est comprise entre 1 et 400V. According to one embodiment, the voltage is between 1 and 400V.

[0036] Dans un mode de réalisation, l'intensité du courant déchargé dans le canal de plasma ionisé est comprise entre 100mA et 1000A. In one embodiment, the intensity of the current discharged into the ionized plasma channel is between 100mA and 1000A.

[0037] Selon un mode de réalisation, le gap est compris entre 0.1 et 400 microns. According to one embodiment, the gap is between 0.1 and 400 microns.

[0038] Dans un mode de réalisation, la décharge dure entre 0.1 et 800 microsecondes. In one embodiment, the discharge lasts between 0.1 and 800 microseconds.

[0039] Dans un mode de réalisation, un réactif est amené dans la zone de la décharge de sorte que des éléments du réactif sont emprisonnés et fondus dans le canal de plasma ionisé et sont implantés dans le substrat dans la surface fondue à la base de l'arc électrique. In one embodiment, a reactant is fed into the region of the discharge such that elements of the reactant are trapped and melted in the ionized plasma channel and are implanted into the substrate in the melted surface at the base of the electric arc.

[0040] Dans ce mode de réalisation, un réactif est amené dans la zone de la décharge afin d'être fondu dans le canal de plasma ionisé formé suite au claquage et d'y être mélangé au substrat fondu pour créer une empreinte sur le substrat qui est en fait un nouveau composé ou un nouvel alliage formé d'éléments du réactif et d'éléments du substrat. Ce réactif peut être un mélange de poudres ultrafines mélangé au milieu diélectrique, des éléments constitutifs du milieu diélectrique ou de l'électrode ou peut être amené dans la zone de la décharge sous forme d'une couche mince déposée sur le substrat avant la décharge. [0040] In this embodiment, a reagent is brought into the zone of the discharge in order to be melted in the channel of ionized plasma formed following the breakdown and to be mixed there with the molten substrate to create an imprint on the substrate. which is in fact a new compound or a new alloy formed from elements of the reactant and elements of the substrate. This reagent can be a mixture of ultrafine powders mixed with the dielectric medium, constituent elements of the dielectric medium or of the electrode or can be brought into the discharge zone in the form of a thin layer deposited on the substrate before the discharge.

[0041] Le canal de plasma ionisé produit suite au claquage dû à la décharge dans le milieu diélectrique atteint localement des températures et des pressions inatteignables par les moyens de la métallurgie conventionnelle. De ce fait, cette configuration permet l'élaboration de composés nouveaux, ainsi que la synthèse de nouvelles variantes de phases métallurgiques inconnues à ce jour, synthèse du substrat et du réactif amené dans la zone de la décharge électrique. Cette configuration permet encore de modifier la structure métallurgique du substrat pour en changer les propriétés physiques ou chimiques. Le canal de plasma ionisé cylindrique créé par la décharge et encapsulé par le milieu diélectrique environnant constitue un autoclave microscopique. The ionized plasma channel produced following the breakdown due to the discharge in the dielectric medium locally reaches temperatures and pressures unattainable by means of conventional metallurgy. Therefore, this configuration allows the elaboration of new compounds, as well as the synthesis of new variants of metallurgical phases unknown to date, synthesis of the substrate and of the reagent brought into the zone of the electric discharge. This configuration also makes it possible to modify the metallurgical structure of the substrate in order to change its physical or chemical properties. The cylindrical ionized plasma channel created by the discharge and encapsulated by the surrounding dielectric medium constitutes a microscopic autoclave.

[0042] Selon un mode de réalisation, le réactif comprend des éléments constitutifs du milieu diélectrique. According to one embodiment, the reagent comprises constituent elements of the dielectric medium.

[0043] Dans un mode de réalisation, le réactif comprend au moins un élément faisant initialement partie de l'électrode, les paramètres de la décharge étant choisis pour entraîner une usure progressive et constante de ladite électrode à chaque décharge. In one embodiment, the reagent comprises at least one element initially forming part of the electrode, the discharge parameters being chosen to cause progressive and constant wear of said electrode with each discharge.

[0044] Selon un mode de réalisation, le réactif comprend une couche mince d'un matériau conducteur déposée sur le substrat avant la mise en oeuvre du procédé. According to one embodiment, the reagent comprises a thin layer of a conductive material deposited on the substrate before the implementation of the method.

[0045] Dans un mode de réalisation, le réactif comprend des particules sous forme de poudres présentant une granulométrie déterminée, la rugosité du motif de structures micrométriques étant ajustée en fonction de ladite granulométrie de la poudre. In one embodiment, the reagent comprises particles in the form of powders having a determined particle size, the roughness of the pattern of micrometric structures being adjusted according to said particle size of the powder.

[0046] Selon un mode de réalisation, le réactif comprend des particules sous forme de poudres dont le diamètre est inférieur à la distance prédéterminée ou gap et mélangées au milieu diélectrique. According to one embodiment, the reagent comprises particles in the form of powders whose diameter is less than the predetermined distance or gap and mixed with the dielectric medium.

[0047] Lorsque le procédé met en oeuvre une décharge électrique entre une électrode et le substrat conducteur au travers d'un milieu diélectrique (par exemple l'électroérosion ou l'étincelage additif), la présence des structures micrométriques crée une amplification locale du champ électrique lors de l'étincelage. Cette amplification permet indirectement d'élargir la distance d'étincelage (espace entre l'électrode et la surface) et donc d'augmenter le volume de poudre fondu et déposé par étincelle. When the method implements an electric discharge between an electrode and the conductive substrate through a dielectric medium (for example electroerosion or additive sparking), the presence of the micrometric structures creates a local amplification of the field electricity when sparking. This amplification indirectly makes it possible to widen the sparking distance (space between the electrode and the surface) and therefore to increase the volume of powder melted and deposited by spark.

[0048] Généralement, le processus d'étincelage est effectué avantageusement en disposant une goutte de liquide sur la surface à traiter. Un état de surface rugueux permet d'ancrer efficacement les bords de la goutte. On évite ou on réduit fortement le risque d'un étalement ou dispersion du liquide hors de la zone à traiter. Cet ancrage fluidique offre une résistance efficace vis-à-vis des ondes de choc élastiques provoquées par les étincelles à l'intérieur du liquide, dont la pression tend à faire éclater la goutte. Generally, the sparking process is advantageously carried out by placing a drop of liquid on the surface to be treated. A rough surface finish effectively anchors the edges of the drop. The risk of the liquid spreading or dispersing outside the area to be treated is avoided or greatly reduced. This fluidic anchoring offers effective resistance against the elastic shock waves caused by the sparks inside the liquid, the pressure of which tends to cause the drop to burst.

[0049] La surface préparée (autrement dit texturée) présente des creux et des reliefs ce qui forment des microcavités, interstices ou alvéoles. Ces microcavités sont appropriées pour un confinement physique des poudres contenues dans le réactif, avant et pendant le traitement par étincelage. Ainsi, la mobilité latérale sur la surface des poudres est fortement réduite ce qui permet d'optimiser l'étincelage. The prepared surface (in other words textured) has hollows and reliefs which form microcavities, interstices or cells. These microcavities are suitable for physical confinement of the powders contained in the reagent, before and during the treatment by sparking. Thus, the lateral mobility on the surface of the powders is greatly reduced, which makes it possible to optimize sparking.

[0050] La surface de l'objet se trouve donc naturellement enrichie en poudres trappées dans les alvéoles des microstructures. L'étincelage permet de les intégrer à la surface par fonte locale. Lorsque la poudre est trappée dans les alvéoles, cela conduit à un traitement de surface plus dense et compact, il y a plus de réactif (de poudre par exemple) qui est incorporée dans la surface conductrice. Par ailleurs, l'uniformité du dépôt est améliorée par la distribution isotropique des réactifs sur la surface à traiter. The surface of the object is therefore naturally enriched in powders trapped in the cells of the microstructures. Sparking enables them to be integrated into the surface by local melting. When the powder is trapped in the cells, this leads to a denser and more compact surface treatment, there is more reagent (powder for example) which is incorporated into the conductive surface. Furthermore, the uniformity of the deposit is improved by the isotropic distribution of the reagents on the surface to be treated.

[0051] Avantageusement, le confinement forcé des poudres ou réactif (par exemple un pigment) grâce à la texture ou rugosité de la surface permet une meilleure définition du dépôt. Par exemple, lorsque le réactif est un pigment pour „écrire“ sur la surface, on observe une meilleure définition de l'écriture. Le confinement forcé de la poudre dans les alvéoles de la surface texturée permet une meilleure définition des bords des structures déposées ou écrites par le procédé. Sur une surface lisse, des fragments de poudre peuvent être expédiés latéralement par la pression des étincelles, créant des irrégularités sur les bords du parcours du fil-électrode ce qui n'est pas le cas dans le procédé selon l'invention. [0051] Advantageously, the forced confinement of the powders or reagent (for example a pigment) thanks to the texture or roughness of the surface allows a better definition of the deposit. For example, when the reagent is a pigment to “write” on the surface, a better definition of the writing is observed. The forced confinement of the powder in the cells of the textured surface allows a better definition of the edges of the structures deposited or written by the process. On a smooth surface, fragments of powder can be sent laterally by the pressure of the sparks, creating irregularities on the edges of the path of the wire electrode, which is not the case in the method according to the invention.

[0052] Selon un mode de réalisation, le réactif comprend en outre un additif choisi parmi la glycérine, la paraffine, ou une autre huile minérale. La présence d'un additif avec une densité élevée (supérieure à la densité de l'eau), par exemple un additif visqueux, des corps gras, permet d'améliorer l'ancrage de la poudre dans le motif. According to one embodiment, the reagent further comprises an additive chosen from glycerin, paraffin, or another mineral oil. The presence of an additive with a high density (greater than the density of water), for example a viscous additive, fatty substances, makes it possible to improve the anchoring of the powder in the pattern.

[0053] Dans un mode de réalisation, le réactif comprend des particules sous forme de poudres dont le diamètre est inférieur à la distance prédéterminée ou gap et mélangées au milieu diélectrique. In one embodiment, the reagent comprises particles in the form of powders whose diameter is less than the predetermined distance or gap and mixed with the dielectric medium.

[0054] Selon un mode de réalisation, l'invention comprend en outre une étape de sédimentation pour que la poudre sédimente dans le motif gravé. Cette façon de procéder s'avère avantageuse dans le cas de poudres grossières (par exemple 350mesh et plus) ou des poudres à densité élevée (par exemple des poudres de tungstène) ou de mélange de poudres. Le temps de sédimentation typique pour chaque réactif (également appelé liquide composite) peut être établi par une observation au préalable dans une éprouvette transparente. Ces temps de sédimentation peuvent varier entre 10 secondes et 48 heures. According to one embodiment, the invention further comprises a sedimentation step so that the powder sediments in the engraved pattern. This way of proceeding proves to be advantageous in the case of coarse powders (for example 350 mesh and more) or high density powders (for example tungsten powders) or mixtures of powders. The typical sedimentation time for each reagent (also called composite liquid) can be established by prior observation in a transparent test tube. These sedimentation times can vary between 10 seconds and 48 hours.

[0055] L'étape de sédimentation intervient après la texturation et avant le procédé. Il est également possible de disposer un additif dans les alvéoles de la surface texturée avant l'application du liquide diélectrique, par exemple par diffusion, spray ou étalement. The sedimentation step occurs after texturing and before the process. It is also possible to place an additive in the cells of the textured surface before the application of the dielectric liquid, for example by diffusion, spray or spreading.

[0056] L'additif peut être constitué par un pigment. C'est ainsi que la texturation préalable de la surface permet de greffer, par étincelage additif, soit des éléments venant du liquide diélectrique via le plasma de l'étincelle, des éléments venant d'une sédimentation préalable de poudres présentes dans le liquide diélectrique, ou encore d'additifs disposés dans les alvéoles avant immersion dans le liquide diélectrique. The additive may consist of a pigment. This is how the preliminary texturing of the surface makes it possible to graft, by additive sparking, either elements coming from the dielectric liquid via the plasma of the spark, elements coming from a preliminary sedimentation of powders present in the dielectric liquid, or even additives placed in the cells before immersion in the dielectric liquid.

[0057] L'invention concerne également un dispositif comprenant un objet présentant un substrat conducteur au moins partiellement traité par une méthode selon l'invention, ledit dispositif étant par exemple choisi parmi une pièce d'horlogerie, une pièce de joaillerie ou de bijouterie, un support comprenant un circuit électrique notamment un circuit supraconducteur. The invention also relates to a device comprising an object having a conductive substrate at least partially treated by a method according to the invention, said device being for example chosen from among a timepiece, a piece of jewelry or jewelry, a support comprising an electrical circuit, in particular a superconducting circuit.

[0058] L'invention peut comprendre un mode de réalisation isolément ou une combinaison de mode de réalisation. The invention may comprise a single embodiment or a combination of embodiments.

[0059] Les modes de réalisations décrits pour la méthode selon la présente invention s'appliquent également au dispositif selon l'invention, mutatis mutandis et vice versa. The embodiments described for the method according to the present invention also apply to the device according to the invention, mutatis mutandis and vice versa.

BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURESBRIEF DESCRIPTION OF FIGURES

[0060] D'autres avantages, buts et caractéristiques particulières de l'invention ressortiront de la description non limitative qui suit d'au moins un mode de réalisation particulier du dispositif et de la méthode objets de la présente invention, en regard des figures annexés, dans lesquels – Les figures 1 à 4 représentent un premier mode de réalisation de l'invention ;Other advantages, aims and particular characteristics of the invention will emerge from the non-limiting description which follows of at least one particular embodiment of the device and of the method which are the objects of the present invention, with reference to the appended figures. , in which - Figures 1 to 4 show a first embodiment of the invention;

DESCRIPTION D'EXEMPLES DE RÉALISATION DE L'INVENTIONDESCRIPTION OF EXAMPLES OF EMBODIMENT OF THE INVENTION

[0061] La présente description est donnée à titre non limitatif, chaque caractéristique d'un mode de réalisation pouvant être combinée à toute autre caractéristique de tout autre mode de réalisation de manière avantageuse. On note dès à présent que les figures ne sont pas à l'échelle. This description is given on a non-limiting basis, each characteristic of an embodiment being able to be combined with any other characteristic of any other embodiment in an advantageous manner. Note that the figures are not to scale.

[0062] Les figures 1 à 4 représentent la méthode selon l'invention selon un premier mode de réalisation. Figures 1 to 4 show the method according to the invention according to a first embodiment.

[0063] Dans le mode de réalisation illustré, la méthode de traitement de l'invention utilise l'étincelage additif comme procédé, ce procédé étant décrit dans le document CH705973. In the illustrated embodiment, the treatment method of the invention uses additive sparking as a process, this process being described in the document CH705973.

[0064] Dans ce mode de réalisation, l'objet à traiter est une plaquette 1 en acier 316L. Cette plaquette 1 peut par exemple servir en tant que plaquette d'identification ou ornement esthétique comme représenté sur la figure 4. [0064] In this embodiment, the object to be processed is a plate 1 made of 316L steel. This plate 1 can for example serve as an identification plate or aesthetic ornament as shown in Figure 4.

[0065] La plaquette 1 comprend un substrat conducteur 2 à sa surface. The wafer 1 comprises a conductive substrate 2 on its surface.

[0066] Avant de traiter le substrat conducteur 2, le substrat 2 est texture (autrement dit gravé) par gravure laser dans le mode de réalisation illustré. Le but de la texturation est d'usiner le substrat conducteur 2 par soustraction de matière pour créer un motif 3 de structures micrométriques sur la surface (ou au moins une partie de la surface) du substrat 2. Before treating the conductive substrate 2, the substrate 2 is textured (in other words etched) by laser etching in the illustrated embodiment. The purpose of texturing is to machine the conductive substrate 2 by subtracting material to create a pattern 3 of micrometric structures on the surface (or at least part of the surface) of the substrate 2.

[0067] La gravure ou texturation est effectuée en utilisant un laser de type nanopulses sur une surface du substrat 2 d'environ 1 cm2. La gravure est effectuée de préférence uniquement sur la zone du substrat à traiter par le procédé d'étincelage additif, mais il est aussi possible de graver au-delà de la zone à traiter. Cette façon de procéder est particulièrement intéressante si l'on veut offrir un contraste visuel substantiel entre la partie texturée et les zones traitées uniquement par étincelage (ou un autre procédé). Ce contraste est d'un grand intérêt dans les applications esthétiques et en général dans celles qui demandent une bonne lisibilité. The etching or texturing is performed using a laser of the nanopulse type on a surface of the substrate 2 of approximately 1 cm2. The etching is preferably carried out only on the zone of the substrate to be treated by the additive sparking process, but it is also possible to etch beyond the zone to be treated. This way of proceeding is particularly interesting if it is desired to offer a substantial visual contrast between the textured part and the zones treated solely by sparking (or another process). This contrast is of great interest in aesthetic applications and in general in those which require good readability.

[0068] Le laser nanopulses a une puissance comprise entre 1 W et 100W. The nanopulse laser has a power of between 1 W and 100 W.

[0069] La texturation permet d'obtenir un substrat présentant une surface rugueuse comme représentée sur la figure 1b à partir d'un substrat ayant une surface lisse représentée sur la figure 1a. Texturing makes it possible to obtain a substrate having a rough surface as represented in FIG. 1b from a substrate having a smooth surface represented in FIG. 1a.

[0070] L'étape de texturation dépend des structures micrométriques du motif 3 à graver. On pourra ajuster la rugosité selon l'effet cherché, soit une incrustation robuste des alliages à déposer, ou un meilleur contraste optique. La texturation peut être utilisée pour créer un support d'écriture avec un certain look ou design. Il est possible de choisir la trame et la couleur du support sur lequel on va écrire avec le procédé selon l'invention. Ce choix détermine la méthode de texturation à appliquer. The texturing step depends on the micrometric structures of the pattern 3 to be etched. We can adjust the roughness according to the desired effect, either a robust incrustation of the alloys to be deposited, or a better optical contrast. Texturing can be used to create a writing medium with a certain look or design. It is possible to choose the frame and the color of the support on which one will write with the method according to the invention. This choice determines the texturing method to be applied.

[0071] Dans l'exemple illustré sur la figure 1b, la texturation dure environ 5 minutes. In the example illustrated in Figure 1b, texturing lasts about 5 minutes.

[0072] Le motif 3 de structures micrométriques représenté sur la figure 1 b est aléatoire et présente des creux 4 et des reliefs 5 (ou bosses). The pattern 3 of micrometric structures represented in FIG. 1b is random and has hollows 4 and reliefs 5 (or bumps).

[0073] Après l'étape de texturation, on dépose un réactif sur la zone (ou au moins une partie de la zone) texturée. Le réactif est sous forme liquide et comprend une poudre en suspension dans une solution. Dans l'exemple illustré sur la figure 2b, le réactif est sous forme d'une goutte 6. La présence du motif de structures micrométriques 4 permet d'ancrer la goutte sur la surface du substrat 2 à traiter, on parle d'ancrage fluidique. L'ancrage n'est pas possible lorsque la surface du substrat 2 est lisse comme représenté sur la figure 2a alors que les reliefs 5 et les creux 4 bloquent la mobilité latérale de la goutte 6 de réactif comme représenté sur la figure 2b. Ainsi, la présence du motif 3 offre une résistance efficace vis-à-vis des ondes de choc élastiques provoquées par les étincelles à l'intérieur du liquide lors du procédé d'étincelage, dont la pression tend à faire éclater la goutte. After the texturing step, a reagent is deposited on the textured area (or at least part of the area). The reagent is in liquid form and comprises a powder suspended in a solution. In the example illustrated in FIG. 2b, the reagent is in the form of a drop 6. The presence of the pattern of micrometric structures 4 makes it possible to anchor the drop on the surface of the substrate 2 to be treated, one speaks of fluidic anchoring . Anchoring is not possible when the surface of the substrate 2 is smooth as represented in FIG. 2a whereas the reliefs 5 and the hollows 4 block the lateral mobility of the drop 6 of reagent as represented in FIG. 2b. Thus, the presence of the pattern 3 provides effective resistance against the elastic shock waves caused by the sparks inside the liquid during the sparking process, the pressure of which tends to cause the drop to burst.

[0074] Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1 à 4, la méthode selon l'invention comprend une étape de sédimentation avant le procédé d'étincelage. In the embodiment shown in Figures 1 to 4, the method according to the invention comprises a sedimentation step before the sparking process.

[0075] Comme illustré sur les figures 3a et b, la surface du substrat 2 texturée ou gravée présente des microcavités ou interstices appropriés pour un confinement physique des poudres contenues dans le liquide du réactif, avant (représenté sur la figure 3a) et après le traitement par étincelage additif (représenté sur la figure 3b). La mobilité latérale des poudres en suspension est fortement réduite grâce au motif micrométrique 3. As illustrated in Figures 3a and b, the surface of the textured or etched substrate 2 has microcavities or interstices suitable for physical confinement of the powders contained in the reagent liquid, before (shown in Figure 3a) and after the additive spark treatment (shown in Figure 3b). The lateral mobility of suspended powders is greatly reduced thanks to the 3 micrometric pattern.

[0076] La surface du substrat 2 se trouve donc naturellement enrichie en poudres trappées dans les alvéoles de la microstructure 3. Le procédé d'étincelage subséquent les intègre à la surface par fonte locale. Cela conduit à un traitement de surface plus dense et compact en termes d'apport de matière venant du réactif liquide. Aussi, l'uniformité du dépôt est améliorée par la distribution isotropique des réactifs sur la surface à traiter. The surface of the substrate 2 is therefore naturally enriched in powders trapped in the cells of the microstructure 3. The subsequent sparking process integrates them into the surface by local melting. This leads to a denser and more compact surface treatment in terms of material input from the liquid reagent. Also, the uniformity of the deposit is improved by the isotropic distribution of the reagents on the surface to be treated.

[0077] Un autre avantage intéressant de la présente invention est une meilleure définition des bords du substrat 2, autrement dit une meilleure définition des limites ou bordures du réactif déposé grâce au confinement forcé des poudres. Ceci est particulièrement avantageux lorsque le réactif est un pigment. Another interesting advantage of the present invention is a better definition of the edges of the substrate 2, in other words a better definition of the limits or borders of the reactant deposited thanks to the forced confinement of the powders. This is particularly advantageous when the reactant is a pigment.

[0078] Après sédimentation, le substrat 2 est traité par étincelage (selon un procédé décrit dans le document CH705973) pour incorporer les poudres dans la surface du substrat conducteur comme représenté sur la figure 4. After sedimentation, the substrate 2 is treated by sparking (according to a method described in the document CH705973) to incorporate the powders into the surface of the conductive substrate as shown in FIG. 4.

[0079] Pour le procédé d'étincelage, on commence par disposer sur la surface à traiter une quantité adéquate de diélectrique composite (par exemple une goutte de réactif 6). Puis on approche de ladite surface une électrode métallique (par exemple un fil en tungstène de diamètre 0.1mm). Ensuite on applique une tension électrique entre l'électrode et la surface, et on déclenche un rapprochement physique progressif entre ces deux éléments. For the sparking process, one begins by placing on the surface to be treated an adequate quantity of composite dielectric (for example a drop of reagent 6). Next, a metal electrode (for example a tungsten wire with a diameter of 0.1 mm) is brought close to said surface. Then an electric voltage is applied between the electrode and the surface, and a gradual physical rapprochement between these two elements is triggered.

[0080] Lorsque l'espace qui sépare l'extrémité de l'électrode de la surface est suffisamment petit, on assistera au claquage électrique du liquide composite et donc à l'apparition d'un filament de plasma conducteur d'électricité. Un générateur de courant injecte à ce moment-là un courant électrique d'une certaine amplitude et d'une certaine durée. La puissance injectée va fondre la poudre présente dans le liquide ainsi que le point d'ancrage du plasma sur la surface. C'est ainsi que le métal fondu sur la surface va se mélanger avec de la matière fondue venant du plasma. Ce mélange va se constituer en dépôt solide par refroidissement après extinction du plasma par arrêt du courant. When the space separating the end of the electrode from the surface is sufficiently small, electrical breakdown of the composite liquid will occur and therefore the appearance of an electrically conductive plasma filament. A current generator then injects an electric current of a certain amplitude and a certain duration. The injected power will melt the powder present in the liquid as well as the anchor point of the plasma on the surface. This is how the molten metal on the surface will mix with molten material from the plasma. This mixture will form a solid deposit by cooling after extinction of the plasma by stopping the current.

[0081] Le procédé d'étincelage est répété de façon continue pour tracer un parcours prédéterminé sur la surface. Ce parcours est réalisé en contrôlant le mouvement du fil-électrode, par exemple par utilisation d'une commande numérique. The sparking process is repeated continuously to trace a predetermined path on the surface. This path is made by controlling the movement of the wire electrode, for example by using a digital control.

[0082] La figure 4 représente la plaquette 1 en acier 316L après texturation et application du procédé d'étincelage. [0082] Figure 4 shows the wafer 1 in 316L steel after texturing and application of the sparking process.

[0083] La plaquette 1 comprend une zone périphérique 7 non texturée et non traitée par le procédé d'étincelage, autrement dit cette partie périphérique présente une surface polie en métal d'origine. [0083] The wafer 1 comprises a peripheral zone 7 that is not textured and not treated by the sparking process, in other words this peripheral part has a polished surface made of the original metal.

[0084] La zone périphérique 7 non texturée entoure une zone centrale texturée 8 au laser. The non-textured peripheral zone 7 surrounds a laser-textured central zone 8.

[0085] Une zone circulaire 9 située dans cette zone centrale texturée 8 a été traitée par le procédé d'étincelage additif comme décrit ci-dessus (décrit dans le document CH705973) pour déposer un alliage sur certaines portions et créer un design ou dessin particulier. [0085] A circular zone 9 located in this central textured zone 8 has been treated by the additive sparking process as described above (described in the document CH705973) to deposit an alloy on certain portions and create a particular design or drawing. .

[0086] En dessous de cette zone circulaire, on retrouve une zone d'écriture 10 où un texte „mutatis mutandis“ a été écrit sur une partie de la partie centrale texturée 8 en utilisant le procédé d'étincelage additif (décrit dans le document CH705973). [0086] Below this circular zone, there is a writing zone 10 where a text "mutatis mutandis" has been written on part of the textured central part 8 using the additive sparking process (described in the document CH705973).

NUMÉRO DE RÉFÉRENCESREFERENCE NUMBER

[0087] 1 Plaquette 2 Substrat conducteur 3 Motifs de structures micrométriques 4 Creux 5 Reliefs 6 Réactif 7 Zone périphérique non texturée 8 Zone centrale texturée 9 Zone circulaire 10 Zone d'écriture [0087] 1 Wafer 2 Conductive substrate 3 Patterns of micrometric structures 4 Hollow 5 Reliefs 6 Reactive 7 Non-textured peripheral zone 8 Textured central zone 9 Circular zone 10 Writing zone

Claims (11)

1. Méthode de traitement de surface d'un objet (1) présentant au moins un substrat conducteur (2), la méthode comprenant un procédé mettant en oeuvre une décharge électrique entre une électrode et le substrat conducteur (2) au travers d'un milieu diélectrique, la méthode comprenant : – i) fournir l'objet (1) présentant le substrat conducteur (2), – ii) traiter ledit substrat (2) par ledit procédé, la méthode étant caractérisée en ce que, avant de traiter ledit substrat conducteur (2) par ledit procédé, ledit substrat (2) est préparé dans une étape de texturation pour créer un motif de structures micrométriques (3) sur ledit substrat (2), ledit motif (3) comprenant des creux (4) et des reliefs (5).1. Method for surface treatment of an object (1) having at least one conductive substrate (2), the method comprising a method implementing an electric discharge between an electrode and the conductive substrate (2) through a dielectric medium, the method comprising: – i) providing the object (1) presenting the conductive substrate (2), – ii) treating said substrate (2) by said process, the method being characterized in that, before treating said conductive substrate (2) by said method, said substrate (2) is prepared in a texturing step to create a pattern of micrometric structures (3) on said substrate (2), said pattern (3) comprising hollows (4) and reliefs (5). 2. Méthode selon la revendication 1, dans laquelle le motif de structures micrométriques (3) présente une rugosité Ra inférieure ou égale à 20 micromètres et supérieure ou égale à 0.1 micromètres, de préférence entre 10 micromètres et 1 micromètres, par exemple entre 7 micromètres et 3 micromètres.2. Method according to claim 1, in which the pattern of micrometric structures (3) has a roughness Ra less than or equal to 20 micrometers and greater than or equal to 0.1 micrometers, preferably between 10 micrometers and 1 micrometer, for example between 7 micrometers and 3 microns. 3. Méthode selon l'une des revendications 1 et 2, dans laquelle le motif de structures micrométriques (3) est régulier, aléatoire, ou périodique.3. Method according to one of claims 1 and 2, wherein the pattern of micrometric structures (3) is regular, random, or periodic. 4. Méthode selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle la texturation est choisie parmi le balayage laser, le sablage, le fraisage, le guillochage et l'électroérosion.4. Method according to one of claims 1 to 3, in which the texturing is chosen from among laser scanning, sandblasting, milling, guillochage and electroerosion. 5. Méthode selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle ledit procédé est choisi parmi les procédés additifs, par exemple l'étincelage additif.5. Method according to one of claims 1 to 4, wherein said process is chosen from additive processes, for example additive sparking. 6. Méthode selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle le procédé comprend les étapes suivantes : – ii)a) Appliquer une tension entre l'électrode et ledit substrat (2) de l'objet (1) pour amorcer au moins une décharge, l'électrode étant séparée du substrat (2) par une distance prédéterminée (d) occupé par le milieu diélectrique dans lequel la décharge se produit, ladite tension et le temps de décharge étant paramétrés pour que ladite décharge induise un claquage dans le milieu diélectrique et la formation d'un canal de plasma ionisé conducteur ; – ii) b) Décharger un courant électrique provenant d'une source de courant à travers ledit canal de plasma ionisé conducteur, ledit courant étant paramétré de sorte qu'une surface du substrat à la base de l'arc électrique fonde de manière à obtenir une empreinte sur ledit substrat (2) présentant des propriétés chimique et/ou physiques et/ou métallurgiques différentes de celles du substrat (2).6. Method according to one of claims 1 to 5, in which the method comprises the following steps: – ii) a) Applying a voltage between the electrode and said substrate (2) of the object (1) to initiate at least one discharge, the electrode being separated from the substrate (2) by a predetermined distance (d) occupied by the dielectric medium in which the discharge occurs, said voltage and the discharge time being set so that said discharge induces a breakdown in the dielectric medium and the formation of a conductive ionized plasma channel; – ii) b) Discharging an electric current from a current source through said conductive ionized plasma channel, said current being parameterized so that a surface of the substrate at the base of the electric arc melts so as to obtain an imprint on said substrate (2) having chemical and/or physical and/or metallurgical properties different from those of the substrate (2). 7. Méthode selon la revendication 6, dans laquelle un réactif (6) est amené dans la zone de la décharge de sorte que des éléments du réactif (6) sont emprisonnés et fondus dans le canal de plasma ionisé et sont implantés dans le substrat (2) dans la surface fondue à la base de l'arc électrique.7. Method according to claim 6, in which a reactant (6) is brought into the zone of the discharge so that elements of the reactant (6) are trapped and melted in the channel of ionized plasma and are implanted in the substrate ( 2) in the molten surface at the base of the electric arc. 8. Méthode selon la revendication 7, dans laquelle le réactif comprend des particules sous forme de poudre présentant une granulométrie déterminée, la rugosité du motif de structures micrométriques (3) étant ajustée en fonction de ladite granulométrie de la poudre.8. Method according to claim 7, in which the reagent comprises particles in the form of powder having a determined particle size, the roughness of the pattern of micrometric structures (3) being adjusted according to said particle size of the powder. 9. Méthode selon la revendication 7 ou 8, dans laquelle le réactif (6) comprend des particules sous forme de poudre dont le diamètre est inférieur à la distance prédéterminée et mélangées au milieu diélectrique.9. Method according to claim 7 or 8, in which the reagent (6) comprises particles in the form of powder whose diameter is less than the predetermined distance and mixed with the dielectric medium. 10. Méthode selon la revendication 8 ou 9, dans laquelle la méthode comprend en outre une étape de sédimentation pour que la poudre sédimente dans le motif de structures micrométriques (3) gravé.10. Method according to claim 8 or 9, in which the method further comprises a sedimentation step so that the powder sediments in the pattern of micrometric structures (3) engraved. 11. Dispositif comprenant un objet (1) présentant un substrat conducteur (2) au moins partiellement traité par une méthode selon l'une des revendications 1 à 10, ledit dispositif étant par exemple choisi parmi une pièce d'horlogerie, une pièce de joaillerie ou de bijouterie et un circuit, notamment un circuit supraconducteur.11. Device comprising an object (1) having a conductive substrate (2) at least partially treated by a method according to one of claims 1 to 10, said device being for example chosen from among a timepiece, a piece of jewelry or jewelery and a circuit, in particular a superconducting circuit.
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