CH716433A2 - Procédé de sertissage d'une pierre. - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un procédé d'assemblage d'une pierre (1) sur un support de fixation, la pierre (1) étant taillée pour présenter une table, une couronne, un rondiste et une culasse, comprenant les étapes de : mise à disposition d'un substrat (8) revêtu d'un motif comprenant une couche électriquement conductrice (9) recouverte d'une couche de résine, le motif ayant un contour intérieur délimitant un trou traversant (13), le substrat (8) revêtu et un contour extérieur (12) correspondant au contour extérieur du support de fixation (2) souhaité ; retirer la couche de résine ; positionner, après la dissolution de la couche de résine, la pierre (1) dans le trou traversant (13), la pierre (1) reposant sur la couche électriquement conductrice (9) ; et déposer, par voie galvanique, une couche métallique (19) sur la couche électriquement conductrice (9) pour former le support de fixation, de manière à rendre solidaire la pierre (1) à la couche métallique (19).

Description

Description

DOMAINE TECHNIQUE

[0001] De maniere generale, l'invention concerne un procede d'assemblage d'une pierre notamment d'une pierre precieuse ou semi precieuse sur un support de fixation, la pierre etant taillee pour presenter une table, une couronne, un rondiste et une culasse. L'invention concerne egalement un procede de sertissage sur un element d'une piece d'horlogerie ou de bijouterie d'une pierre et de son support de fixation obtenus selon le procede d'assemblage.

ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE

[0002] II est connu de sertir des pierres precieuses, semi-precieuses ou synthetiques ä l'aide de griffes, de grains ou derails. Le sertissage traditionnel par montage d'une pierre naturelle, comme du diamant ou de l'emeraude, dans un chaton au moyen de griffes impose generalement une maitrise dimensionnelle de la taille des pierres proche des 5/100 mm. De ce fait, ce type de sertissage n'est pas compatible avec celui de pierres serties de grandes series ä faible coüt utilisant quant ä lui des pierres d'une plus grande precision, proche du 1/100 mm, telles que le diamant synthetique, le zircon et le rubis.

[0003] Le document EP 0900533 concerne un bijou creux comprenant une pierre d'ornementation inseree dans un chaton puis recouvert d'un materiau depose par galvanoplastie, la pierre etant fixee par ledit materiau depose galvaniquement qui entoure le chaton et la pierre.

[0004] Le document EP 2432632 concerne un procede de fabrication d'un article pourvu d'une pierre precieuse, dans lequel la pierre precieuse est disposee dans ou sur un dispositif de maintien et dans lequel de la matiere plastique est injectee derriere la pierre ä l'aide d'une machine de moulage par injection. Le dispositif de maintien comprend une feuille de support sur ou ä partir de laquelle la pierre precieuse est maintenue pendant le moulage par injection.

[0005] Le document EP 2421714 concerne un element decoratif comprenant deux plaques sensiblement paralleles qui sont disposees ä distance l'une de l'autre et dont au moins une est partiellement permeable ä la lumiere visible. Une pluralite de pierres precieuses est disposee entre les plaques. Un dispositif destine ä fixer les pierres precieuses dans une Position specifique est situe entre les plaques. Le dispositif de positionnement comprend des compartiments ä l'interieur desquels est disposee une pierre precieuse, Au moins une des plaques jouxte directement les compartiments.

[0006] Le document EP 3024351 concerne un procede de fixation d'une pierre precieuse dans une coque en materiau fusible, la coque presentant un trou dans lequel la pierre precieuse est agencee. La pierre precieuse touche la coque en au moins un point. La pierre precieuse est chauffee par une source de chaleur jusqu'ä ce que la coque passe dans un etat au moins partiellement fondu dans la region du point de contact, de Sorte qu'une liaison rigide entre la pierre precieuse et le boitier puisse etre etablie apres refroidissement.

PROBLEME TECHNIQUE

[0007] L'objectif de la presente invention est d'ameliorer les Solutions existantes d'assemblage de pierres notamment precieuses ou semi precieuses sur un support de fixation ainsi que les Solutions existantes de sertissage de pierres precieuses.

DESCRIPTION GENERALE DE L'INVENTION

[0008] Un premier aspect de l'invention concerne un procede d'assemblage d'une pierre sur un support de fixation, la pierre etant taillee pour presenter une table, une couronne, un rondiste et une culasse, le procede comprenant les etapes de :

o mise ä disposition d'un Substrat revetu d'un motif comprenant une couche electriquement conductrice recouverte d'une couche de resine, le motif ayant un contour Interieur delimitant un trou traversant le Substrat revetu et un contour exterieur correspondant au contour exterieur du support de fixation souhaite ;

o retirer de la couche de resine ;

o positionner, apres la dissolution de la couche de resine, la pierre dans le trou traversant, la pierre reposant sur la couche electriquement conductrice ; et

o deposer, par voie galvanique, une couche metallique sur la couche electriquement conductrice pour former le support de fixation, de maniere ä rendre solidaire la pierre ä la couche metallique.

[0009] De preference, le positionnement de la pierre est realise de teile Sorte que la culasse de la pierre repose sur la couche electriquement conductrice.

[0010] La pierre est de preference d'origine naturelle. Selon un mode de realisation particulier, la pierre est d'origine synthetique. La pierre peut, p. ex., etre un diamant, une emeraude, une zircone, un rubis.

[0011] On comprendra que, dans le contexte de sertissage de pierre, un tel procede permet avantageusement de s'affranchir des inevitables variations dimensionnelles typiquement rencontrees p. ex. lorsque des pierres naturelles sont utilisees. En effet, le procede d'assemblage decrit ci-dessus permet de s'adapter aux variations dimensionnelles des pierres gräceä la mise ä disposition de trous traversant de differentes dimensions, adaptees aux dimensions des pierres ä assembler.

[0012] De preference, la mise ä disposition du Substrat revetu comprend les etapes consistant ä :

o revetir, preferablement par depöt physique par phase vapeur („Physical Vapor Deposition" (PVD) en anglais), le substrat d'une couche electriquement conductrice ;

o deposer une couche de resine photosensible sur la couche electriquement conductrice ; et

o photolithographier la couche de resine de fagon que la resine restante apres photolithographie soit delimitee par le contour interieur et le contour exterieur du support de fixation souhaite.

[0013] La resine photosensible utilisee peut etre soit une resine photosensible negative soit une resine photosensible positive.

[0014] La couche electriquement conductrice peut, par exemple, etre obtenue par depöt de nickel, de platine, d'argent, de chrome, de palladium, de titane, d'or, de nitrure de titane, de nitrure de chrome, de nitrure de zirconium, de cuivre ou d'une combinaison de ceux-ci.

[0015] La mise ä disposition du substrat revetu peut comprendre le retrait, preferablement par gravure humide, de la couche electriquement conductrice non recouverte par la couche de resine, de faqon que la couche electriquement conductrice restante soit delimitee par le contour interieur et le contour exterieur du support de fixation souhaite creant ainsi le motif comprenant la couche electriquement conductrice recouverte de la couche de resine. En d'autres termes, la couche de resine restante apres photolithographie fait Office de masque afin que la zone recouverte de la couche electriquement conductrice ne soit pas retiree.

[0016] De maniere optionnelle, la mise ä disposition du substrat revetu comprend le pergage du trou traversant, de preference par ablation laser.

[0017] Le retrait de la couche de resine peut comprendre la dissolution chimique de la couche de resine.

[0018] Selon un mode de realisation, le procede comprend la fixation, de preference au moyen d'une colle, de la pierre positionnee dans le trou traversant.

[0019] Selon un mode de realisation prefere, le procede comprend la fixation, de preference par une colle, de la culasse de la pierre positionnee dans le trou traversant.

[0020] Avantageusement, le procede comprend une etape de correction de l'orientation de la pierre positionnee dans le trou traversant.

[0021] Selon un mode de realisation, le procede comprend une etape de correction de l'orientation de la pierre positionnee dans le trou traversant, suivie d'une etape de fixation, de preference au moyen d'une colle, de la pierre positionnee dans le trou traversant.

[0022] Selon un mode de realisation prefere, le procede comprend une etape de correction de l'orientation de la pierre positionnee dans le trou traversant, suivie d'une etape de fixation, de preference au moyen d'une colle, de la culasse pierre positionnee dans le trou traversant.

[0023] De preference, la couche metallique est deposee de fagon ä engiober le rondiste et des zones de la couronne et de la culasse contigues au rondiste de maniere ä rendre solidaire la pierre ä la couche metallique. La couche metallique emprisonne ainsi la pierre pour former le support de fixation.

[0024] La couche metallique deposee par voie galvanique peut etre realisee dans un materiau choisi parmi le groupe comprenant le nickel, l'or, l'argent, le platine, le rhodium, le palladium, le cuivre et leurs alliages.

[0025] Le substrat peut etre realise ä base d'un materiau choisi parmi le groupe comprenant le silicium, une ceramique, un verre et un quartz.

[0026] Selon un second aspect, l'invention concerne un procede de sertissage d'une pierre sur un element d'une piece d'horlogerie ou de bijouterie comprenant le montage de la pierre et de son support de fixation obtenus selon le procede d'assemblage generalement decrit ci-dessus sur un chaton rapporte sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterieou directement sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie.

[0027] Selon un troisieme aspect, l'invention concerne un element de piece d'horlogerie ou de bijouterie comprenant au moins une pierre assemblee sur son support de fixation obtenu selon le procede d'assemblage generalement decrit ci-dessus.

BREVE DESCRIPTION DES DESSINS

[0028] D'autres particularites et caracteristiques de l'invention ressortiront de la description detaillee de certains modes de realisation avantageux presentes ci-dessous, ä titre d'illustration, avec reference aux dessins annexes dans lesquels :

- La figure 1 represente un exemple de pierre comprenant une table, une couronne, un rondiste et une culasse ;

- Les figures 2 ä 12 illustrent des etapes successives d'un procede d'assemblage d'une pierre sur un support de fixationseien un mode de realisation prefere de l'invention ;

- La figure 13 represente des vues de dessus de differentes variantes de fermes de pierres et de Supports de fixationobtenus selon plusieurs modes de realisation du procede selon l'invention ; et

- La figure 14 represente une vue en coupe representant une pierre et son support de fixation monte sur un chatonselon un mode de realisation de l'invention.

[0029] L'attention du lecteur est attiree sur le fait que les dessins ne sont pas ä l'echelle. En outre, pour des raisons de clarte, les proportions entre hauteur, longueur et/ou largeur, et eventuellement les dimensions des espaces vides entre les elements illustres, peuvent ne pas etre correctement representees.

DESCRIPTION DETAILLEE DE PLUSIEURS MODES DE REALISATION DE L'INVENTION

[0030] Un mode de realisation prefere d'un procede d'assemblage d'une pierre 1 sur un support de fixation 2 selon l'invention est decrit en reference aux figures 1 ä 12. La pierre 1 est taillee pour presenter une table 3, une couronne 4, un rondiste 5 et une culasse 6 (voir figure 1). La pierre est de preference une pierre d'origine naturelle, teile que du diamant ou de l'emeraude, dont les dimensions peuvent varier d'une pierre ä l'autre. II est bien evident que la pierre peut etre de toute autre nature, naturelle ou synthetique, notamment precieuse ou semi precieuse, le procede pouvant egalement etre avantageusement utilise pour de telles pierres.

[0031] La premiere etape du procede d'assemblage comprend une etape de depöt d'une couche d'accroche 7 sur un substrat 8 par depöt physique en phase vapeur avec pulverisation cathodique au magnetron, suivie, sans mise ä l'air, d'un depöt physique en phase vapeur d'une couche electriquement conductrice 9 sur la couche d'accroche 7 (voir figure 3).

[0032] Le substrat 8 peut etre un wafer silicium pour micro-electronique (tel que represente p. ex. ä la figure 2). Plusieurspierres peuvent etre assemblees ä partir d'un substrat 8 (voir la pluralite de trous traversant 13 representes ä la figure 2).

[0033] Dans la suite, le procede sera decrit pour l'assemblage d'une pierre sur un support de fixation 2, mais il est evident que les memes etapes du procede peuvent etre realisees, eventuellement en parallele, pour assembler plusieurs pierres sur un substrat 8.

[0034] La couche d'accroche 7 deposee est en titane. Alternativement ou additionnellement, la couche d'accroche 7 peut comprendre du tantale, du chrome et/ou du thorium. L'epaisseur de la couche d'accroche 7 est comprise entre 10 nm et 90 nm, de preference entre 20 nm et 80 nm, de maniere encore plus preferee entre 30 nm et 70 nm, et encore plus avantageusement entre 40 nm ä 60 nm. Une epaisseur de la couche d'accroche 7 de (environ) 50 nm est particulierement avantageuse.

[0035] La couche electriquement conductrice 9 deposee est realisee en or. II est ä noter que la couche electriquement conductrice 9 peut etre obtenue par depöt d'or, de nickel, de platine, d'argent, de chrome, de palladium, de titane, de nitrure de titane, de nitrure de chrome, de nitrure de zirconium, ou d'une combinaison de ceux-ci. L'epaisseur de la couche electriquement conductrice 9 est comprise entre de 10 nm et 90 nm, de preference entre 20 nm et 80 nm, plus preferablement entre 30 nm et 70 nm, encore plus preferablement entre 40 nm et 60 nm. Une epaisseur de la couche electriquement conductrice 9 de (environ) 50 nm est particulierement avantageuse.

[0036] Une couche de resine 10 photosensible est ensuite deposee sur la couche electriquement conductrice 9 (voir figure 4). La resine photosensible peut, p. ex., etre la resine AZ4562 (p. ex. de MicroChemicals GmbH) ou la resine SU-8.Une partie de la couche de resine 10 est retiree par photolithographie de Sorte que la resine restante apres photolithographie delimite le contour interieur 11 et le contour exterieur 12 du support de fixation 2 souhaite. Un masque d'exposition correspondant au contour interieur 11 et au contour exterieur 12 du support de fixation 2 souhaite peut etre avantageusement utilise lors de l'etape d'irradiation de la photolithographie. Dans le cas d'une resine photosensible negative (p. ex. SU-8), le masque d'exposition protege la partie de la couche de resine 10 que l'on souhaite retirer (la partie irradieedevient insoluble au revelateur (solvent) - la partie de resine photosensible non exposee reste soluble). Dans le cas d'uneresine photosensible positive (p. ex. AZ4562), le masque d'exposition protege la partie de la couche de resine 10 que l'on souhaite garder (la partie irradiee devient soluble au revelateur (solvant) - la partie de resine photosensible non exposeereste insoluble). On comprendra que, lors de cette etape, il est tres simple d'adapter la forme de resine restante apres photolithographie et par consequent la forme du support de fixation 2 final.

[0037] L'etape suivante comprend le perqage d'un trou traversant 13 le substrat 8, la couche d'accroche 7, la couche electriquement conductrice 9 et la couche de resine 10 photolithographiee, par ablation laser (voir figure 6). Le pergage est realise de Sorte que le trou traversant 13 est delimite par le contour interieur 11 de la couche de resine 10 photolithographiee (voir figure 6). Avantageusement, lorsque plusieurs pierres sont ä assembler sur un substrat 8, la repartition des trous traversant 13 sur le substrat 8 est optimisee notamment en fonction des dimensions delimitees par les contours Interieurs

11, de la forme des Supports de fixation, etc..., afin d'avoir un nombre maximum de trous traversant 13 sur le Substrat 8 (voir p. ex. la repartition representee ä la figure 2).

[0038] A la figure. 7, la partie de la couche electriquement conductrice 9 non recouverte 14 par la couche de resine 10 (voir figure 6) a ete retiree par gravure humide. Apres gravure, la couche electriquement conductrice 9 restante est delimitee par le contour Interieur 11 et le contour exterieur 12 du support de fixation 2 souhaite. La couche electriquement conductrice 9 en or peut etre gravee, p. ex., avec de l'eau regale (acide chlorhydrique et acide nitrique) ou du Kl (iodure de potassium) ou du KCN (cyanure de potassium). La partie de la couche d'accroche 7 non recouverte par la couche electriquement conductrice 9 (apres gravure humide de celle-ci) est aussi retiree par gravure humide. Apres gravure, lacouche d'accroche 7 restante est aussi delimitee par le contour Interieur 11 et le contour exterieur 12 du support de fixation 2 souhaite. La couche d'accroche 7 en titane peut etre gravee, p. ex., avec de l'acide fluorhydrique ou de l'oxyde gravant tamponne („buffered oxide etch" (BOE) en anglais). Le Substrat 8 est maintenant revetu d'un motif comprenant une couche electriquement conductrice 9 recouverte d'une couche de resine 10, le motif ayant un contour interieur 11 delimitant le trou traversant 13 et un contour exterieur 12 correspondant au contour exterieur 12 du support de fixation 2 souhaite.

[0039] La couche de resine 10 photolithographiee est ensuite dissoute chimiquement, p. ex., ä l'acetone (voir figure 8) et la pierre 1 est positionnee dans le trou traversant 13 de Sorte que la culasse 6 de la pierre 1 repose sur la couche electriquement conductrice 9 (voir figure 9).

[0040] II est ä noter que les seules dimensions precises de la pierre pouvant etre assurees sont le diametre du rondiste 5 et sa hauteur, II est donc possible que le positionnement de la pierre 1 ne se fasse pas correctement. En particulier, II est possible qu'un parallelisme süffisant de la surface de la fable 3 de la pierre 1 avec la surface superieure du Substrat 8 ne soit pas assure lors du positionnement (voir p. ex. la pierre ä la figure 9).

[0041] Une etape de correction de l'orientation de la pierre 1 est mise en oeuvre afin de corriger l'eventuel defaut d'orientation de la fable 3 de la pierre 1 par rapport ä la surface superieure du Substrat. D'une maniere avantageuse, et en reference ä la figure 10, cette etape peut comprendre la mise en contact de la fable 3 de la pierre 1 avec un dispositif de repositionnement 15 agence pour repositionner la pierre 1 dans le trou traversant 13. Un fei dispositif de repositionnement 15 comprend par exemple une plaque rigide 16 revetue d'une couche d'un materiau deformable elastiquement ou d'une mousse 17 permettant de compenser la hauteur de la pierre 1. Le dispositif de repositionnement 15 est agence pour que le materiau deformable ou la mousse 17 soit mis en contact avec la table 3 de la pierre 1 positionnee dans le trou traversant 13 de maniere ä corriger l'orientation de la pierre 1 et ä assurer le parallelisme de la table 3 de la pierre 1 avec la surface superieure du Substrat. On comprendra que dans le cas oü plusieurs pierres sont ä assembler sur un Substrat

8, cette etape peut etre realisee simultanement pour plusieurs pierres, eventuellement pour toutes les pierres p. ex. avec un dispositif de repositionnement 15 de dimensions semblables au Substrat 8.

[0042] Avant de retirer le dispositif de repositionnement 15, la culasse 6 de la pierre 1 est fixee dans le trou traversant 13. Cette etape permet de conserver le positionnement correct de la pierre 1 dans le trou traversant 13, meme apres avoir retire le dispositif de repositionnement 15. On peut, par exemple, introduire, par l'entree libre du trou traversant 13, une colle de maintien 18 autour de la culasse 6 de la pierre 1 permettant de fixer la pierre 1 dans le trou traversant 13 (voir Fig. 11). Afin d'eviter que la colle 18 ne passe au travers d'interstices entre la pierre 1 et la couche electriquement conductrice

9, on peut utiliser une colle 18 suffisamment visqueuse qui ne remplira pas les interstices les plus fins. II est egalement possible de boucher les interstices existants entre la pierre 1 et la couche electriquement conductrice 9, prealablement au depöt de la colle de maintien 18. A cet effet, on peut pulveriser dans les interstices, du cöte oppose ä la culasse 6 de la pierre 1 (cöte bouche du trou traversant 13 - c. ä d. le cöte oppose au cöte de l'entree libre du trou traversant 13), uneresine qui pourra facilement etre eliminee (par dissolution par exemple). II est egalement possible de prevoir un depöt d'une couche d'indium de 50 pm environ sur le Substrat 8 de silicium avant la mise en place de la pierre 1. La couche d'indium presente l'avantage de se deformer lors de la correction de l'orientation de la pierre 1 par la mise ä niveau de la table 3 et de pouvoir ensuite assurer l'etancheite.

[0043] Le dispositif de repositionnement 15 est ensuite retire.

[0044] L'etape suivante du procede comprend le depöt, par voie galvanique, d'une couche metallique 19 sur la couche electriquement conductrice 9 pour former le support de fixation 2. La couche metallique 19 deposee est de preference realisee dans un materiau choisi parmi le groupe comprenant le nickel, l'or, l'argent, le platine, le rhodium, le palladium, le cuivre et leurs alliages.

[0045] La couche metallique 19 est realisee par un depöt par voie galvanique ä partir de la couche electriquement conductrice 9 autour de la pierre 1 pour recouvrir au moins les zones 4a, 6a de la couronne 4 et le cas echeant de la culasse 6, disposees respectivement, de part et d'autre du rondiste 5 (voir figure. 1). En d'autres fermes, la couche metallique 19 englobe (recouvre) le rondiste 5 et les zones 4a, 6a de la couronne 4 et de preference de la culasse 6, respectivement, contigues au rondiste 5. Le rondiste 5 de la pierre 1 est ainsi emprisonne dans la couche metallique 19 pour former, au moins sensiblement autour du rondiste 5 de la pierre 1, le support de fixation 2. La pierre 1 est desormais solidaire du support de fixation 2. II est ä noter qu'il est preferable que l'essentiel de la couronne 4 et de la culasse 6 reste libre pour exposer le maximum de surface de la pierre tout en respectant un recouvrement de la couronne et de la culasse avec une quantite de matiere permettant un maintien fiable de la pierre 1 dans la couche 19.

Claims (13)

1. [0046] Les conditions pour le depöt par voie galvanique (aussi appele electroformage), notamment la composition des bains, la geometrie du Systeme, les tensions et densites de courant, sont choisis pour chaque metal ou alliage ä electrodeposer selon les techniques bien connues dans Tart de l'electroformage (cf. par exemple Di Bari G.A. „electroforming" Electroplating Engineering Handbook 4th Edition redigee par L.J. Durney, publie par Van Nostrand Reinhold Compagny Inc., N.Y. USA 1984).

   [0047] Les dimensions du support de fixation 2 sont definies par les dimensions, dans le plan du Substrat 8, de la couche electriquement conductrice 9, et par la hauteur de la couche metallique 19 deposee selon les parametres de depöt galvanique.

   [0048] II est ä noter que, pour permettre le depöt de la couche metallique 19 par voie galvanique, il faut connecter la couche electriquement conductrice 9 ä des pistes de conduction pour ramener le courant. Le metal va ainsi aussi croitre sur les pistes de conduction lors du depöt par voie galvanique. Un avantage de la presente invention est de permettre de liberer facilement la pierre des pistes de conduction par l'application d'une force aux points de connexion. Ceci est rendu possible, entre autre, par le faible encombrement autour de la couche metallique 19 deposee. Un exemple de configuration de pistes de conduction 2a est illustre ä la figure 13a, cette configuration permettant une liberation aisee des pierres 1.

   [0049] La pierre 1 assemblee sur son support de fixation 2 est ensuite liberee du Substrat 8 et de la colle de maintien 18. A cet effet, on elimine le Substrat 8 ainsi que la colle de maintien 18 par dissolution. On pourra utiliser par exemple de l'hydroxyde de potassium KOH 20% chauffe ä 85°C pour dissoudre le Substrat 8 en silicium, et un solvant commercial (p. ex. I'acetone) pour dissoudre la colle.

   [0050] La figure 13 montre des exemples de geometries de Supports de fixation 2 qu'il est possible d'obtenir avec un procede d'assemblage tel que decrit ci-dessus, p. ex. gräce ä differentes geometries de masques d'exposition photolithographiques.

   [0051] La pierre 1 assemblee sur son support de fixation 2 ainsi liberee peut etre utilisee dans le procede de sertissage selon l'invention. Le procede de sertissage de la pierre sur un element d'une piece d'horlogerie ou de bijouterie comprend le montage de la pierre 1 et de son support de fixation 2, obtenus selon le procede d'assemblage tel que decrit ci-dessus,sur un chaton 20 (comme represente p. ex. ä la figure 14). Le chaton 20 est ensuite rapporte classiquement, par exemple par chassage dans un logement approprie de l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie.

   [0052] Alternativement, la pierre 1 et son support de fixation 2, obtenus selon le procede d'assemblage tel que decrit ci-dessus, sont montes directement sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie.

   [0053] Le montage du support de fixation 2 portant la pierre 1 sur le chaton 20 ou directement sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie peut etre realise par clippage, chassage, sertissage, collage, etc.

   [0054] L'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie peut etre par exemple un cadran, une lunette, une lunette tournante, une carrure, une corne de la boite, une couronne, une aiguille, un index, un maillon ou autre element de bracelet, un element de pendentif, de bague, de collier, etc., ou tout element decor d'horlogerie/bijouterie pouvant etre serti.

   [0055] Alors que des modes de realisation particuliers viennent d'etre decrits en detail, l'homme du metier appreciera que diverses modifications et alternatives ä ceuxlä puissent etre envisagees ä la lumiere de l'enseignement global apporte par la presente description. Par consequent, les agencements et/ou procedes specifiques decrits ci-dedans sont censes etredonnes uniquement ä titre d'illustration, sans intention de limiter la portee de l'invention.

   Revendications

   1. Procede d'assemblage d'une pierre (1) sur un support de fixation (2), la pierre (1) etant taillee pour presenter une table (3), une couronne (4), un rondiste (5) et une culasse (6), comprenant les etapes de :

   - mise ä disposition d'un Substrat (8) revetu d'un motif comprenant une couche electriquement conductrice (9) recouverte d'une couche de resine (10), le motif ayant un contour interieur (11) delimitant un trou traversant (13) le Substrat (8) revetu et un contour exterieur (12) correspondant au contour exterieur (12) du support de fixation (2) souhaite ;

   - retirer la couche de resine (10) ;

   - positionner, apres la dissolution de la couche de resine (10), la pierre (1) dans le trou traversant (13), la pierre (1)reposant sur la couche electriquement conductrice (9) ; et

   - deposer, par voie galvanique, une couche metallique (19) sur la couche electriquement conductrice (9) pour formerle support de fixation (2), de maniere ä rendre solidaire la pierre (1) ä la couche metallique (19).
2. 2. Procede selon la revendication 1, dans lequel la mise ä disposition du Substrat (8) revetu comprend les etapes de : revetir, preferablement par depöt physique par phase vapeur, le Substrat (8) par une couche electriquement conductrice (9) ;

   deposer une couche de resine (10) photosensible sur la couche electriquement conductrice (9) ; et photolithographier de la couche de resine (10) de Sorte que la resine restante apres photolithographie est delimitee par le contour interieur (11) et le contour exterieur (12) du support de fixation (2) souhaite.
3. 3. Procede selon la revendication 2, dans lequel la miss ä disposition du Substrat (8) revetu comprend le retrait, preferablement par gravure humide, de la couche electriquement conductrice (9) non recouverte par la couche de resine (10), de sorte que la couche electriquement conductrice (9) restante est delimitee par le contour interieur (11) et le contour exterieur (12) du support de fixation (2) souhaite creant ainsi le motif comprenant la couche electriquement conductrice (9) recouverte de la couche de resine (10).
4. 4. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 3, dans la lequel mise ä disposition du Substrat (8) revetu comprend le perpage du trou traversant (13), preferablement par ablation laser.
5. 5. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 4, dans lequel le retrait de la couche de resine (10) comprend la dissolution chimique de la couche de resine (10).
6. 6. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 5, comprenant la fixation, preferablement par une colle de maintien (18), de la pierre (1) positionnee dans le trou traversant (13).
7. 7. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 6, comprenant la correction de l'orientation de la pierre (1) positionnee dans le trou traversant (13).
8. 8. Procede selon la revendication 7, comprenant la correction de l'orientation de la pierre (1) positionnee dans le trou traversant (13), suivie de la fixation, preferablement par une colle de maintien (18), de la pierre (1) positionnee dans le trou traversant (13).
9. 9. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 8, dans lequel la deposition est realisee de sorte que la couche metallique (19) englobe le rondiste (5) et des zones de la couronne (4) et de la culasse (6) contigues au rondiste (5) de maniere ä rendre solidaire la pierre (1) ä la couche metallique (19), la couche metallique (19) emprisonnant ainsi la pierre (1) pour former le support de fixation (2).
10. 10. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 9, dans lequel la couche metallique (19) deposee par voie galvanique est realisee dans un materiau choisi parmi le groupe comprenant le nickel, l'or, l'argent, le platine, le rhodium, le palladium, le cuivre et leurs alliages.
11. 11. Procede selon l'une quelconque des revendications 1 ä 10, dans lequel le Substrat (8) est ä base d'un materiau choisi parmi le groupe comprenant le silicium, une ceramique, un verre et un quartz.
12. 12. Procede de sertissage d'une pierre (1) sur un element d'une piece d'horlogerie ou de bijouterie comprenant le montage de la pierre (1) et de son support de fixation (2) obtenus selon le procede d'assemblage selon les revendications 1 ä 11 sur un chaton (20) rapporte sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie ou directement sur l'element de piece d'horlogerie ou de bijouterie.
13. 13. Element de piece d'horlogerie ou de bijouterie comprenant au moins une pierre (1) assemblee sur son support de fixation (2) obtenue selon le procede d'assemblage selon les revendications 1 ä 11.