CH706424B1 - A method of securing two parts of crystalline silicon. - Google Patents
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Abstract
L’invention se rapporte à un procédé de solidarisation de deux pièces (3, 7, 17) en silicium cristallin comportant les étapes suivantes: a) former la première pièce (3) comportant au moins un évidement (25); b) former la deuxième pièce (17) comportant au moins une partie saillante (14); c) assembler ladite au moins une partie saillante (14) dans ledit au moins un évidement (25); Selon l’invention, le procédé comporte de plus l’étape finale: d) oxyder l’assemblage afin de rattraper les jeux entre les pièces (3, 7, 17) pour les immobiliser l’une contre l’autre. L’invention concerne le domaine des pièces de micromécaniques, en particulier horlogères.The invention relates to a method for joining two pieces (3, 7, 17) of crystalline silicon comprising the following steps: a) forming the first piece (3) comprising at least one recess (25); b) forming the second piece (17) having at least one projection (14); c) assembling said at least one projection (14) in said at least one recess (25); According to the invention, the method further comprises the final step: d) oxidizing the assembly in order to make up the gaps between the parts (3, 7, 17) to immobilize them against each other. The invention relates to the field of micromechanical parts, in particular watchmakers.
Description
Domaine de l’inventionField of the invention
[0001] L’invention se rapporte à un procédé de solidarisation de deux pièces en silicium cristallin et, plus précisément, un tel procédé pour former des pièces de micromécanique. The invention relates to a method of joining two pieces of crystalline silicon and, more specifically, such a method for forming micromechanical parts.
Arrière-plan de l’inventionBackground of the invention
[0002] Il est connu de former des pièces de micromécanique en silicium. Actuellement, il n’est encore possible de se passer du collage pour solidariser les pièces en silicium entre elles. Toutefois, une opération de collage nécessite une extrême finesse d’application afin de garantir un positionnement correct ce qui la rend coûteuse. It is known to form silicon micromechanical parts. Currently, it is still possible to do without bonding to secure the silicon parts together. However, a bonding operation requires extreme finesse of application to ensure proper positioning which makes it expensive.
Résumé de l’inventionSummary of the invention
[0003] Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie les inconvénients cités précédemment en proposant un procédé de solidarisation de pièce en silicium ne nécessitant pas d’étape de collage tout en garantissant un bon positionnement entre les pièces. The object of the present invention is to overcome all or part of the disadvantages mentioned above by providing a method of joining the silicon part does not require gluing step while ensuring good positioning between the parts.
[0004] A cet effet, l’invention se rapporte à un procédé de solidarisation de deux pièces en silicium cristallin comportant les étapes suivantes: a) former la première pièce comportant au moins un évidement; b) former la deuxième pièce comportant au moins une partie saillante; c) assembler ladite au moins une partie saillante dans ledit au moins un évidement; caractérisé en ce qu’il comporte l’étape finale suivante: d) oxyder l’assemblage afin de rattraper les jeux entre les pour les immobiliser l’une contre l’autre. For this purpose, the invention relates to a method of joining two pieces of crystalline silicon comprising the following steps: a) forming the first part comprising at least one recess; b) forming the second part comprising at least one projecting part; c) assembling said at least one projection in said at least one recess; characterized in that it comprises the following final step: d) oxidize the assembly in order to catch the games between them to immobilize them against each other.
[0005] Alternativement, l’invention se rapporte à un procédé de solidarisation de deux pièces en silicium cristallin comportant les étapes suivantes: a) former les première et deuxième pièces comportant respectivement au moins un premier et un deuxième évidements; b) former une pièce intermédiaire en silicium cristallin comportant au moins une première et une deuxième parties saillantes; c) assembler ladite au moins une première partie saillante dans ledit au moins un premier évidement et ladite au moins une deuxième partie saillante dans ledit au moins un deuxième évidement; caractérisé en ce qu’il comporte l’étape finale suivante: d) oxyder l’assemblage afin de rattraper les jeux entre les pièces pour les immobiliser les unes contre les autres. Alternatively, the invention relates to a method of joining two pieces of crystalline silicon comprising the following steps: a) forming the first and second parts respectively comprising at least a first and a second recess; b) forming a crystalline silicon intermediate piece having at least first and second projections; c) assembling said at least a first protruding portion in said at least one first recess and said at least one second protruding portion in said at least one second recess; characterized in that it comprises the following final step: d) oxidize the assembly in order to make up the play between the parts to immobilize them against each other.
[0006] On comprend donc que les jeux sont rattrapés de manière équivalente pour chaque pièce et progressivement afin d’améliorer le taux de rebut induit par le mauvais positionnement final des pièces par rapport à une solidarisation utilisant le collage. It is therefore understood that the games are compensated equivalently for each piece and gradually to improve the scrap rate induced by the final bad positioning of the parts with respect to a bond using the bonding.
[0007] Conformément à d’autres caractéristiques avantageuses de l’invention: au moins une des pièces en silicium cristallin comporte des moyens de déformation élastiques afin de maintenir l’assemblage réalisé lors de l’étape c); les première et deuxième pièces sont formées solidaires d’un dispositif de positionnement par l’intermédiaire d’au moins un pont de matière; le dispositif de positionnement comporte un premier cadre solidaire de la première pièce et un deuxième cadre solidaire de la deuxième pièce, chaque cadre étant aligné l’un par rapport à l’autre à l’aide de moyens de placement lors de l’assemblage de l’étape c); les moyens de placement comportent au moins une attache coopérant avec au moins une cavité de chaque cadre; les moyens de placement comportent des parties élastiques afin de maintenir l’alignement réalisé lors de l’étape c); le dispositif de positionnement est fabriqué à partir d’éléments en silicium cristallin; l’étape d) forme une couche externe de dioxyde de silicium comprise entre 0,5 µm et 6 µm.According to other advantageous features of the invention: at least one of the crystalline silicon parts comprises elastic deformation means to maintain the assembly made in step c); the first and second parts are formed integral with a positioning device via at least one bridge material; the positioning device comprises a first frame secured to the first piece and a second frame secured to the second piece, each frame being aligned relative to each other by means of placing means during the assembly of step c); the placement means comprise at least one fastener cooperating with at least one cavity of each frame; the placement means comprise elastic portions to maintain the alignment achieved in step c); the positioning device is made from crystalline silicon elements; step d) forms an outer layer of silicon dioxide between 0.5 μm and 6 μm.
[0008] De plus, l’invention se rapporte à une pièce d’horlogerie caractérisée en ce qu’elle comporte au moins deux pièces solidarisées à partir du procédé selon l’une des revendications précédentes. In addition, the invention relates to a timepiece characterized in that it comprises at least two parts secured from the method according to one of the preceding claims.
Description sommaire des dessinsBrief description of the drawings
[0009] D’autres particularités et avantages ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: <tb>la fig. 1<SEP>est une représentation schématique de l’expansion spatiale d’un substrat de silicium lorsqu’il est soumis à une oxydation; <tb>la fig. 2<SEP>est une représentation d’un exemple de pièce de micromécanique solidarisée à l’aide du procédé selon l’invention; <tb>les fig. 3 à 6<SEP>sont des représentations schématiques de pièces en silicium lorsqu’elles sont soumises à une oxydation; <tb>la fig. 7<SEP>est une représentation d’un exemple de solidarisation d’une pièce de micromécanique à l’aide du procédé selon l’invention.Other features and advantages will become apparent from the description which is given below, for information only and in no way limitative, with reference to the accompanying drawings, in which: <tb> fig. 1 <SEP> is a schematic representation of the spatial expansion of a silicon substrate when subjected to oxidation; <tb> fig. 2 <SEP> is a representation of an example of a micromechanical part joined together using the method according to the invention; <tb> figs. 3 to 6 <SEP> are schematic representations of silicon parts when subjected to oxidation; <tb> fig. 7 <SEP> is a representation of an example of joining a micromechanical part using the method according to the invention.
Description détaillée des modes de réalisation préférésDetailed Description of the Preferred Embodiments
[0010] A la fig. 1 , on peut voir une représentation schématique de l’expansion E spatiale d’un substrat de silicium cristallin (Si) désoxydé lorsqu’il est soumis à une oxydation thermique. En effet, à l’état naturel, le silicium cristallin est oxydé par l’atmosphère terrestre et comporte naturellement une couche de dioxyde de silicium de quelques nanomètres. In FIG. 1, we can see a schematic representation of the spatial expansion E of a crystalline silicon substrate (Si) deoxidized when subjected to thermal oxidation. Indeed, in the natural state, crystalline silicon is oxidized by the Earth's atmosphere and naturally has a layer of silicon dioxide of a few nanometers.
[0011] Ainsi, comme visible à la fig. 1 , une fois retirée la couche native d’oxyde comme visible à gauche, le substrat de silicium cristallin (Si) est soumis à une oxydation thermique, c’est-à-dire sous atmosphère oxydante et avec apport de chaleur. Après oxydation, comme visible à droite sur la fig. 1 , on remarque alors que le silicium cristallin (Si) du substrat est en partie transformé et remplacé par une couche externe de dioxyde de silicium (SiO2) avec une expansion E de la cote dimensionnelle, c’est-à-dire que le substrat comportant la couche de dioxyde de silicium (SiO2) avec le reste de silicium cristallin (Si) non transformé est plus volumineux qu’avant son oxydation. Thus, as shown in FIG. 1, once removed the native oxide layer as visible on the left, the crystalline silicon substrate (Si) is subjected to thermal oxidation, that is to say in an oxidizing atmosphere and with heat input. After oxidation, as shown on the right in fig. 1, it is then noted that the crystalline silicon (Si) of the substrate is partially transformed and replaced by an outer layer of silicon dioxide (SiO2) with an expansion E of the dimensional dimension, that is to say that the substrate comprising the silicon dioxide (SiO2) layer with the rest of crystalline silicon (Si) unprocessed is larger than before its oxidation.
[0012] L’invention propose d’utiliser ce phénomène d’expansion pour remplacer l’étape de collage en rattrapant les jeux entre les pièces pour les immobiliser. Comme expliqué ci-après, le procédé selon l’invention solidarise des pièces en silicium avec plus d’avantages qu’en utilisant une étape de collage. The invention proposes to use this phenomenon of expansion to replace the bonding step by catching the games between the parts to immobilize them. As explained below, the method according to the invention secures silicon parts with more advantages than using a gluing step.
[0013] Avantageusement, l’invention se rapporte à un procédé de solidarisation de deux pièces en silicium cristallin. Selon un premier mode de réalisation, le procédé de solidarisation est direct entre les deux pièces et comporte les étapes suivantes: a) former la première pièce comportant au moins un évidement; b) former la deuxième pièce comportant au moins une partie saillante; c) assembler ladite au moins une partie saillante dans ledit au moins un évidement; caractérisé en ce qu’il comporte l’étape finale suivante: d) oxyder l’assemblage afin de rattraper les jeux entre les pièces pour les immobiliser l’une contre l’autre. Advantageously, the invention relates to a method of joining two pieces of crystalline silicon. According to a first embodiment, the method of joining is direct between the two parts and comprises the following steps: a) forming the first part comprising at least one recess; b) forming the second part comprising at least one projecting part; c) assembling said at least one projection in said at least one recess; characterized in that it comprises the following final step: d) oxidize the assembly in order to catch the gaps between the parts to immobilize them against each other.
[0014] Bien entendu, il est également possible selon un deuxième mode de réalisation d’utiliser une pièce intermédiaire pour solidariser indirectement les deux pièces en silicium cristallin. Alternativement, l’invention se rapporte alors à un procédé de solidarisation de deux pièces en silicium cristallin comportant les étapes suivantes: a) former les première et deuxième pièces comportant respectivement au moins un premier et un deuxième évidements; b) former une pièce intermédiaire en silicium cristallin comportant au moins une première et une deuxième parties saillantes; c) assembler ladite au moins une première partie saillante dans ledit au moins un premier évidement et ladite au moins une deuxième partie saillante dans ledit au moins un deuxième évidement; caractérisé en ce qu’il comporte l’étape finale suivante: d) oxyder l’assemblage afin de rattraper les jeux entre les pièces pour les immobiliser les unes contre les autres. Of course, it is also possible according to a second embodiment to use an intermediate piece to indirectly secure the two pieces of crystalline silicon. Alternatively, the invention thus relates to a method of joining two pieces of crystalline silicon comprising the following steps: a) forming the first and second parts respectively comprising at least a first and a second recess; b) forming a crystalline silicon intermediate piece having at least first and second projections; c) assembling said at least a first protruding portion in said at least one first recess and said at least one second protruding portion in said at least one second recess; characterized in that it comprises the following final step: d) oxidize the assembly in order to make up the play between the parts to immobilize them against each other.
[0015] Le procédé utilise préférentiellement un assemblage du type évidement – partie saillante afin que les jeux soient rattrapés progressivement de manière équivalente pour chaque pièce. En effet, suivant l’interstice laissé et les dimensions des pièces, la durée de l’étape d) d’oxydation sera adaptée, c’est-à-dire formera une couche plus ou moins épaisse comme par exemple en variant la durée de l’étape d). The method preferably uses an assembly of the type recess - projecting part so that the games are caught up gradually in an equivalent manner for each piece. Indeed, depending on the gap left and the dimensions of the parts, the duration of the oxidation step d) will be adapted, that is to say will form a more or less thick layer such as for example by varying the duration of step d).
[0016] A titre d’exemple, l’étape d) peut former une couche externe de dioxyde de silicium comprise entre 0,5 µm et 6 µm. A titre comparatif, l’étape d) peut ainsi former une expansion E comprise entre 0,2 µm et 3 µm de l’épaisseur de la pièce initiale en silicium cristallin désoxydé. For example, step d) may form an outer layer of silicon dioxide between 0.5 microns and 6 microns. By way of comparison, step d) can thus form an expansion E of between 0.2 μm and 3 μm of the thickness of the initial piece of deoxidized crystalline silicon.
[0017] Le procédé selon l’invention va être expliqué à partir du deuxième mode de réalisation consistant à solidariser deux pièces en silicium cristallin de manière indirecte, c’est-à-dire à l’aide d’une pièce intermédiaire. Toutefois, le premier mode de réalisation apporte les mêmes effets et avantages que ceux expliqués ci-dessous pour l’explication du deuxième mode de réalisation. The method according to the invention will be explained from the second embodiment of securing two pieces of crystalline silicon indirectly, that is to say with the aid of an intermediate piece. However, the first embodiment provides the same effects and advantages as explained below for the explanation of the second embodiment.
[0018] L’invention est destinée à fabriquer un organe de micromécanique à partir de la solidarisation de deux pièces en silicium cristallin pour une pièce d’horlogerie. Dans l’exemple ci-dessous, l’organe de micromécanique est un spiral Breguet<®>. Toutefois, d’autres organes (mobile, roue dentée, ancre suisse, pont, platine, balancier, etc.) ou plus généralement d’autres types d’organes sont possibles sans perdre les avantages de l’invention. Bien entendu, d’autres applications qu’une pièce d’horlogerie sont également envisageables. The invention is intended to manufacture a micromechanical member from the joining of two pieces of crystalline silicon for a timepiece. In the example below, the micromechanical member is a Breguet <®> balance spring. However, other members (mobile, cogwheel, Swiss anchor, bridge, platinum, balance wheel, etc.) or more generally other types of organs are possible without losing the advantages of the invention. Of course, other applications that a timepiece are also possible.
[0019] Dans l’exemple illustré à la fig. 2 , on peut voir un spiral à élévation de courbe généralement annoté 1. Le spiral 1 est destiné à être monté dans une pièce d’horlogerie en coopération avec un balancier pour former un résonateur. Il comporte un ressort-spiral 3, une virole 5, une courbe terminale 7 et un dispositif d’élévation 9. Préférentiellement, le ressort-spiral 3 et la virole 5 forment une pièce unique afin d’éviter les imprécisions au niveau de leur interface qui nuiraient à la symétrie de développement du spiral 1. In the example illustrated in FIG. 2, we can see a hairspring spiral generally annotated 1. The hairspring 1 is intended to be mounted in a timepiece in cooperation with a beam to form a resonator. It comprises a spiral spring 3, a ferrule 5, a terminal curve 7 and an elevating device 9. Preferably, the spiral spring 3 and the ferrule 5 form a single piece in order to avoid inaccuracies in their interface. which would harm the symmetry of development of the hairspring 1.
[0020] Afin de garantir la précision de fabrication des pièces 3, 7 et 17, mais également pour rendre quasiment insensible le spiral 1 aux champs magnétiques et aux changements de température, on utilise préférentiellement du silicium cristallin. En effet, c’est un matériau micro-usinable, c’est-à-dire un matériau qui peut être fabriqué avec une précision inférieure au micromètre, par exemple, par gravage ionique réactif profond (également connu sous l’abréviation «DRIE» venant des termes anglais «Deep Reactive Ion Etching») d’une plaque à base de silicium cristallin. In order to guarantee the accuracy of manufacture of parts 3, 7 and 17, but also to make the spiral 1 almost insensitive to magnetic fields and temperature changes, crystalline silicon is preferably used. Indeed, it is a micro-machinable material, that is to say a material that can be manufactured with a precision less than one micrometer, for example, by deep reactive ion etching (also known by the abbreviation "DRIE" from the English term "Deep Reactive Ion Etching") of a crystalline silicon-based plate.
[0021] Afin de réaliser le spiral à élévation de courbe 1, également appelé spiral Breguet<®>, il est utilisé un dispositif d’élévation 9 destiné à rendre solidaires la spire externe 15 du ressort-spiral 3 avec la courbe terminale 7 située au-dessus dudit ressort-spiral. Comme illustré à la fig. 7 , le dispositif d’élévation 9 comporte une attache mécanique 17 comportant deux parties saillantes 12, 14 et des évidements 23, 25 formés dans les pièces 3, 7. To produce the spiral curve elevation 1, also called spiral Breguet <®>, it is used an elevating device 9 for securing the outer coil 15 of the spiral spring 3 with the terminal curve 7 located above said spiral spring. As shown in fig. 7, the lifting device 9 comprises a mechanical fastener 17 comprising two projections 12, 14 and recesses 23, 25 formed in the parts 3, 7.
[0022] L’attache 17 comprend un corps principal sensiblement en forme de croix. Ainsi, en plus des deux parties saillantes 12, 14 sensiblement verticales, l’attache 17 comporte en outre deux autres parties saillantes horizontales 16, 18, les quatre parties saillantes étant distribuées les unes par rapport aux autres sensiblement à 90 degrés. Comme expliqué ci-dessus, les deux pièces, c’est-à-dire la courbe terminale 7 et l’ensemble ressort-spiral 3 – virole 5, et la pièce intermédiaire, c’est-à-dire l’attache 17, sont préférentiellement réalisée en silicium cristallin. The fastener 17 comprises a substantially cross-shaped main body. Thus, in addition to the two substantially vertical projections 12, 14, the fastener 17 further comprises two other horizontal projections 16, 18, the four protrusions being distributed with respect to each other substantially at 90 degrees. As explained above, the two pieces, that is to say the end curve 7 and the spring-spiral assembly 3 - ferrule 5, and the intermediate piece, that is to say the fastener 17, are preferably made of crystalline silicon.
[0023] Les évidements 23, 25 sont, de manière préférée, traversant et réalisé dans une augmentation de la largeur respectivement de la courbe terminale 7 et du ressort-spiral 3, Dans l’exemple illustré aux fig. 2 et 7 , les évidements 23, 25 ont des sections sensiblement rectangulaires afin d’y assembler les deux parties saillantes verticales 12, 14. De plus, les épaulements entre chaque partie saillante verticale 12, 14 et une des parties saillantes horizontales 16, 18 sont utilisés, comme mieux visible aux fig. 3 et 4 , comme espaceur par butée contre la courbe terminale 7 et la spire externe 15 du ressort-spiral 3. The recesses 23, 25 are preferably traversed and made in an increase in the width respectively of the end curve 7 and the spiral spring 3, In the example illustrated in FIGS. 2 and 7, the recesses 23, 25 have substantially rectangular sections to assemble the two vertical projections 12, 14. In addition, the shoulders between each vertical projecting portion 12, 14 and one of the horizontal projections 16, 18 are used, as best seen in figs. 3 and 4, as spacer by abutment against the terminal curve 7 and the outer coil 15 of the spiral spring 3.
[0024] Ainsi, aux fig. 3 et 5 , est présenté un exemple d’assemblage selon l’étape c) du procédé selon l’invention respectivement selon une coupe longitudinale et selon une coupe transversale de l’assemblage. On peut voir la partie saillante 14 de la partie intermédiaire 17 qui est assemblée dans l’évidement 25 de la spire externe 15 de la deuxième pièce 3 avant l’étape d) d’oxydation. Il est visible que l’assemblage n’est pas du type à frottement gras, c’est-à-dire qu’un interstice est laissé entre les pièces à solidariser. Thus, in FIGS. 3 and 5, is presented an example of assembly according to step c) of the method according to the invention respectively in a longitudinal section and in a cross section of the assembly. The protruding part 14 of the intermediate part 17 which is assembled in the recess 25 of the outer turn 15 of the second part 3 can be seen before the step d) of oxidation. It is visible that the assembly is not of the grease-rubbing type, that is to say that a gap is left between the parts to be joined.
[0025] Après l’étape d) d’oxydation, comme illustré aux fig. 4 et 6 , chaque pièce en silicium cristallisé a vu croître une couche d’épaisseur sensiblement identique de dioxyde de silicium à leur surface en réduisant progressivement l’interstice entre les pièces jusqu’à les immobiliser entre elles, c’est-à-dire jusqu’à former deux épaisseurs de couche de dioxyde à chaque interface entre plusieurs pièces et une épaisseur sur le reste de l’assemblage. After step d) of oxidation, as illustrated in FIGS. 4 and 6, each piece of crystallized silicon has grown a layer of substantially identical thickness of silicon dioxide on their surface by progressively reducing the gap between the pieces until they are immobilized between them, that is to say to form two layers of dioxide layer at each interface between several pieces and a thickness on the rest of the assembly.
[0026] Dans une variante illustrée à la fig. 7 , au moins une des pièces 3, 7, 17 en silicium cristallin comporte des moyens 13, 19 de déformation élastiques afin de maintenir l’assemblage réalisé lors de l’étape c) jusqu’à ce que l’étape d) soit réalisée. Dans l’exemple de la fig. 7 , la pièce intermédiaire 17 comporte des moyens 13, 19 de déformation élastiques respectivement sur deux faces de chaque partie saillante verticale 12, 14 sous la forme d’une lame courbée. In a variant illustrated in FIG. 7, at least one of the crystalline silicon parts 3, 7, 17 comprises elastic deformation means 13, 19 in order to maintain the assembly produced during step c) until step d) is carried out . In the example of FIG. 7, the intermediate piece 17 comprises elastic deformation means 13, 19 respectively on two sides of each vertical projecting portion 12, 14 in the form of a curved blade.
[0027] Afin d’encore améliorer le positionnement des pièces 3, 7, 17 solidarisées, les première 7 et deuxième 3 pièces peuvent être, avantageusement selon l’invention, formées solidaires d’un dispositif de positionnement 2 par l’intermédiaire d’au moins un pont 20, 22 de matière. In order to further improve the positioning of the parts 3, 7, 17 secured, the first 7 and second 3 parts can be, advantageously according to the invention, formed integral with a positioning device 2 by means of at least one bridge 20, 22 of material.
[0028] Préférentiellement, le dispositif de positionnement 2 comporte un premier cadre 4 solidaire de la première pièce 7 et un deuxième cadre 6 solidaire de la deuxième pièce 3, chaque cadre 4, 6 étant aligné l’un par rapport à l’autre à l’aide de moyens de placement 8 lors de l’assemblage de l’étape c). Les moyens de placement 8 comportent au moins une attache 10 coopérant avec au moins une cavité 24, 26 de chaque cadre 4, 6. Preferably, the positioning device 2 comprises a first frame 4 secured to the first piece 7 and a second frame 6 secured to the second piece 3, each frame 4, 6 being aligned with each other at using placement means 8 during assembly of step c). The placement means 8 comprise at least one fastener 10 cooperating with at least one cavity 24, 26 of each frame 4, 6.
[0029] De la même manière que pour les pièces 3, 7, 17, les moyens de placement 8 peuvent comporter des parties élastiques 27, 29 afin de maintenir l’alignement réalisé lors de l’étape c) jusqu’à ce que l’étape d) soit réalisée. Ainsi, de manière préférée, tout ou partie du dispositif de positionnement 2 est fabriqué à partir d’éléments en silicium cristallin. In the same way as for parts 3, 7, 17, the positioning means 8 may comprise elastic portions 27, 29 in order to maintain the alignment achieved during step c) until step d) is carried out. Thus, preferably, all or part of the positioning device 2 is made from crystalline silicon elements.
[0030] On comprend donc, qu’avec l’aide du dispositif de positionnement 2, le positionnement des pièces 3, 7, 17 sera plus précis et moins sensible aux mouvements de déplacement de l’assemblage. En effet, l’assemblage est maintenu par les ponts 20, 22, les cadres 4, 6, les attaches 10, les cavités 24, 26 et éventuellement les parties élastiques 27, 29. It is therefore understood that with the help of the positioning device 2, the positioning of the parts 3, 7, 17 will be more accurate and less sensitive to movement of movement of the assembly. Indeed, the assembly is maintained by the bridges 20, 22, the frames 4, 6, the fasteners 10, the cavities 24, 26 and possibly the elastic portions 27, 29.
[0031] Bien entendu, la présente invention ne se limite pas à l’exemple illustré mais est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l’homme de l’art. En particulier, une seule des pièces peut être en silicium cristallin en étant la seule à compenser l’interstice entre les deux pièces. Of course, the present invention is not limited to the illustrated example but is susceptible of various variations and modifications that will occur to those skilled in the art. In particular, only one of the pieces may be crystalline silicon being the only one to compensate for the gap between the two pieces.
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2012
- 2012-04-20 CH CH00545/12A patent/CH706424B1/en unknown
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2013
- 2013-04-19 CN CN2013101371127A patent/CN103376728A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CH706424A2 (en) | 2013-10-31 |
| CN103376728A (en) | 2013-10-30 |
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