CH699755B1 - Halbleiterfabrik. - Google Patents

Abstract

Es wird eine Halbleiterfabrik (1) mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen vorgeschlagen, bei welcher sich wenigstens ein Teil der Einrichtungen (14), (28) zur Herstellung der Halbleiterbauelemente innerhalb einer Kavität (4, 5, 7) in einer geologischen Masse (6) befindet.

Description

[0001] Die Erfindung betrifft eine Halbleiterfabrik mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.

Stand der Technik

[0002] Halbleiterfabriken stehen weltweit an vielen Standorten.

[0003] Bei der Halbleiterherstellung in einer Halbleiterfabrik, z.B. für anwendungspezifische ICs oder um Speicherbausteine herzustellen, müssen eine Anzahl von Rahmenbedingungen erfüllt sein, damit Strukturen im Sub-µ-Bereich mit hoher Zuverlässigkeit und Wiederholbarkeit hergestellt werden können. Dazu gehört u.a. ein temperaturreguliertes Klima im Bereich der Halbleiterherstellung sowie eine Schwingungsentkopplung von vibrationsempfindlichem Equipment wie z.B. einem «Belichter», ggf. in Form eines «Steppers».

[0004] Daneben ist ein «Lithographie-Bereich» regelmässig von Umgebungslicht abzuschirmen.

Aufgabe und Vorteile der Erfindung:

[0005] Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine verbesserte Halbleiterfabrik bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

[0006] In den abhängigen Ansprüchen sind vorteilhafte und zweckmässige Weiterbildungen der Erfindung angegeben.

[0007] Bei einer Halbleiterfabrik mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen liegt der Kerngedanke darin, dass sich wenigstens ein Teil der Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen innerhalb einer Kavität bzw. eines Hohlraums in einer geologischen Masse befindet. Diese Vorgehensweise macht sich in erster Linie die enorme «Masse» einer geologischen Masse zu Nutze. In Kavitäten in derartigen Massen sind Vibrationen im Vergleich zu auf üblichem Grund errichteten Gebäuden um ein Vielfaches kleiner, wodurch insbesondere eine aufwändige Schwingungsentkopplung von vibrationskritischen Einrichtungen für die Halbleiterherstellung entfallen kann. Ausserdem ist in derartigen Massen die Schwankung der Temperatur im Vergleich zu frei erstellten Gebäuden erheblich geringer. Z.B. schwankt in Bergstollen die Temperatur über das Jahr um normalerweise nicht mehr als ± 0,5 °C. Dagegen sind bei Gebäuden in unseren Breiten, die üblicherweise auf freiem Grund errichtet sind, Temperaturschwankungen von 60 °C die Regel.

[0008] Eine geologische Masse soll in erster Linie eine natürlich entstandene Masse betreffen. Es kann sich aber genauso um eine künstlich hergestellte Masse durch Aufschütten von grossen Mengen von z.B. Gesteinsabraum, beispielsweise aus dem Tunnelbau handeln. Damit lassen sich künstliche Aufschüttungen von 10 m, 20 m, ggf. auch 50 m oder mehr erreichen. Bereits in solchen Formationen lassen sich die Vorteile der Erfindung nutzen.

[0009] Vorzugsweise handelt es sich jedoch um eine natürlich entstandene stabile massive Masse, beispielsweise eine Gesteinsformation. Eine Gesteinsformation ist vorteilhafterweise Teil eines Berges.

[0010] In einer solchen Masse kann dann die Kavität oder Kaverne ausgebildet werden. Es ist von Vorteil, wenn die Kavität sich zum grössten Teil in festem Fels befindet.

[0011] Die Kavität ist vorzugsweise höhlenartig mit insbesondere einer horizontalen Erstreckung und von der Masse vorteilhafterweise von oben umschlossen.

[0012] Insbesondere hat die Kavität einen seitlichen Zugang und erstreckt sich dann lateral in die Masse hinein. Wenn es sich um eine Gesteinsformation eines Berges handelt, lassen sich im Vergleich zu auf freiem Gelände errichteten Gebäuden Verbesserungen bei Vibrationen um mehr als den Faktor 10 feststellen. Damit die Zugangs- und Rettungswege kurz sind, ist es ausserdem vorteilhaft, wenn die Kavität sich so nah wie möglich an einer Felswand befindet.

[0013] Im Weiteren ist es günstig, wenn die Zugangswege so gestaltet sind, dass sie zu verschiedenen Etagen in der Kavität führen, insbesondere ohne Stufen, mit einer nur leicht wahrnehmbaren Steigung. Zugangswege, z.B. Tunnel haben vorzugsweise eine Steigung im einstelligen unteren Prozentbereich. Damit kann bei langen Wegen, von z.B. länger als 50 m oder länger als 100 m, eine Etage ohne Treppen überwunden werden, wobei die Rampen eine für Benutzer angenehme Steigung aufweisen. Auf vertikale Transportmittel kann auf diese Weise in der Kavität ggf. ganz verzichtet werden.

[0014] Um die Vorzüge einer solchen geologischen Masse zu nutzen, wird insbesondere vorgeschlagen, dass wenigstens vibrations- und/oder temperaturempfindliche Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterelementen sich in der Kavität befinden. Mit temperaturempfindlichen Einrichtungen sind insbesondere Einrichtungen gemeint, die vorzugsweise auf einer konstant gehaltenen Temperatur arbeiten sollten, um gewünschte Ergebnisse zu erreichen.

[0015] Eine weitere Verbesserung bringt die Positionierung von vibrations- und/oder temperaturempfindlichen Einrichtungen in der Kavität auf einer Erhöhung.

[0016] Ausserdem ist es möglich, Aussparungen in einer Wand der Kavität für derartige Einrichtungen auszubilden.

[0017] Im Weiteren ist es bevorzugt, dass wenigstens ein Teil der Einrichtungen zur Herstellung mehr als 10 m, vorzugsweise mehr als 50 m, noch besser mehr als 100 m im Inneren der geologischen Masse angeordnet ist.

[0018] In einer konkreteren Ausgestaltung der Erfindung ist es vorteilhaft, dass sich eine Produktionslinie für eine Halbleiterbearbeitung zwischen einem Zugang zur Kavität und dem Ort befinden, wo sich die vibrations- und/oder temperaturempfindlichen Einrichtungen befinden.

[0019] In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung umfasst die Kavität eine Röhre. Röhren lassen sich vergleichsweise einfach auch in massives Gestein treiben, auch mit vergleichsweise grossen Querschnitten. Vorzugsweise besitzt die Kavität in vertikalem Schnitt senkrecht zu ihrer Längserstreckung eine Querschnittsfläche von >50 m<2>, beispielsweise auch >100 m<2>, für grosse Anlagen auch >150 m<2> oder >200 m<2>.

[0020] Unter vibrations- und/oder temperaturempfindlichen Einrichtungen werden im Sinne der Anmeldung in erster Linie fotolithographische Einrichtungen, wie ein Belichter, verstanden. Häufig werden für die Verarbeitung grosser Flächen sogenannte «Stepper» eingesetzt. Hier wird eine Belichtung «Patchwork-artig auf z.B. einem Wafer zusammengesetzt. Bei der Erzeugung von insbesondere Sub-µ-Strukturen ist es offensichtlich, dass selbst kleine Temperaturunterschiede und/oder Vibrationen die Exaktheit der Abbildung auf dem zu bearbeitenden Substrat negativ beeinflussen. Im Idealfall sollten keinerlei Vibrationen auftreten und eine konstante Temperatur herrschen.

[0021] Durch die erfindungsgemässe Anordnung einer solchen Einrichtung in einer geologischen Masse lässt sich diese Idealvorgabe schon sehr gut annähern, insbesondere wenn sich die Einrichtungen in einer Kavität in einer massiven Gesteinsformation eines Berges und dort ausreichend tief im Inneren der Gesteinsformation befinden.

[0022] Es ist von Vorteil, wenn mehrere Zugänge zu der Kaverne vorhanden sind, damit Sicherheitssysteme und Rettungswege getrennt oder sogar redundant gestaltet werden können.

[0023] Im Weiteren ist es bevorzugt, wenn zur Führung von Flüssigkeiten, insbesondere Wasser in der Kaverne Leitungen oder Kanäle mit einem Gefalle ausgestattet werden, um in oder aus der Kaverne entsprechende Flüssigkeiten befördern zu können. Wasser das in der Kaverne anfällt, so genanntes «Bergwasser», aber auch ggf. Wasser für Prozesse und/oder Sprinkleranlagen können auf diese Weise ohne die Verwendung von Pumpen transportiert werden. Wasser das aus der Bergmasse in die Kaverne eindringt, kann z.B. über eine Halbschale in der Kavernensole und/oder an der Decke der Kaverne abgeleitet werden.

[0024] Bei der Ausgestaltung eines Zugangs zur Kaverne bzw. der Halbleiterfabrikation ist es denkbar, dass ein Bereich, z.B. ein Einschnitt oder ein Zugangstunnel derart ausgebildet sind, dass bei einem Brandfall möglicherweise nach aussen tretendes Löschwasser dort aufgefangen werden kann. Als Einschnitt kann ein Teil der Halbleiterfabrik verstanden werden, der sich zwar in der geologischen Masse, z.B. dem Berg befindet und beim Bau der entsprechenden Kaverne auch offen gelegt, aber mit Abschluss des Baus wieder zugeschüttet wurde.

[0025] Um Kreuzkontaminationen in Belüftungssystemen zu vermeiden, wird im Weiteren vorgeschlagen, dass eine Luftzufuhr und eine Luftabfuhr möglichst weit auseinander liegen, vorzugsweise werden unterschiedliche Zugänge zur Kaverne dafür genutzt.

[0026] Als Fluchtweg kann ein Teil der Kaverne mit z.B. einer Betonwand abgetrennt werden. Auch können Fluchtwege und andere Servicebereiche in einem Abschnitt ausgebildet werden, in dem eine vergleichsweise geringere Überdeckung mit z.B. Gesteinsmasse vorhanden ist. Diese Bereiche können z.B. nicht für die eigentliche Kavernenausbildung herangezogen werden, z.B. weil der Fels für die Ausbildung der Kaverne zu schwach ist. Es ist denkbar, die Kaverne in einer Weise auszugestalten, z.B. mit einer Höhenabstufung, so dass sie immer höher wird, je tiefer sie sich in den Berg erstreckt.

[0027] Die geologische Masse, z.B. das Gestein eines Berges kann als thermischer Speicher zum Einsatz kommen. Dazu sollte die Kaverne thermisch nicht vom Berg isoliert werden. Fels hat z.B. typisch eine Temperatur von 13 °C. Der Reinraum sollte z.B. auf einer Temperatur von 20 °C gehalten werden. Anfänglich wird der Berg deshalb viel Wärme aufnehmen, jedoch nur so lange, bis sich ein thermisches Gleichgewicht eingestellt hat. Ab diesen Moment wird bei einem Ausfall der Heizung im Reinraum die geologische Masse, also z.B. das Gestein, des Berges durch Abgabe von Wärme die Temperatur im Reinraum nur langsam abfallen lassen. So besteht ausreichend Zeit, um die Heizung zu reparieren und man kann gänzlich auf eine Notheizung verzichten.

[0028] Wenn ausreichend natürliches «Bergwasser» aus der Kaverne gewonnen werden kann, ist es möglich, dieses zur Kühlung, als Prozesswasser sowie als Löschwasser einzusetzen oder sogar damit eine Stromgewinnungseinrichtung zu betreiben.

[0029] Zum Wohlbefinden der Mitarbeiter können darüber hinaus Vorrichtungen vorgesehen sein, die einen Tag-Nacht-Rhythmus simulieren. Es kann z.B. eine Beleuchtung zur Anwendung kommen, die ein Spektrum aufweist, das dem der Sonne gleicht oder zumindest ähnelt, ggf. sogar in Abhängigkeit davon, welche momentane Uhrzeit ausserhalb der Halbleiterfabrik herrscht. D.h. entsprechend, wie sich das Spektrum der Sonne im Tagesverlauf in natürlicher Weise ändert, kann diese Spektrumsänderung bei der Beleuchtung in der Halbleiterfabrik nachgebildet werden. Auch können Bildschirme angebracht werden, die zeigen, welche Wetterbedingungen aussen herrschen. Es ist zudem denkbar, dass Tageslicht über optische Einrichtungen in die Kaverne geführt wird.

[0030] Erforderliche Leitungen für verschiedene Medien, wie z.B. Luft, Wasser und Elektrizität können vorzugsweise in Wölbungen der Kavität geführt werden. Auch ist es denkbar, die entsprechenden Leitungen in Fluchtwegen unterzubringen.

[0031] Etagen- oder Zwischenböden, können in Aussparungen in der Wand der Kaverne fixiert werden. Sie können aber auch auf Betonwänden aufliegen. Werden die Stockwerke in der Kaverne nach oben hin jeweils grösser ausgestaltet, so können Böden auf entsprechenden Felsabsätzen aufliegen.

[0032] Im Weiteren ist es bevorzugt, wenn Zugangswege zur Kaverne oder zu mehreren Kaverne so ausgebildet sind, dass Bauverkehr bei der Errichtung ungehindert ein- und ausfahren kann. Dazu können Zugangswege z.B. entweder breit genug ausgebildet oder es können mehrere Zugangstunnels vorgesehen werden. Z.B. wird ein Zugangstunnel für den einfahrenden Verkehr und der andere Zugangstunnel für den ausfahrenden Verkehr genutzt.

[0033] Aussparungen in der Wand der Kaverne können grundsätzlich für unterschiedlichste Arten von Infrastruktur in der Halbleiterfabrik genutzt werden, z.B. um einen Liftschacht auszubilden oder für Leitungsführungen verschiedenster Medien.

[0034] In der Kaverne können darüber hinaus gesonderte Transportmittel vorgesehen werden.

[0035] Denkbar ist auch, z.B. aus Brandschutzgründen mit Wänden aus Beton oder beweglichen Brandschutzwänden grosse Kavernenbereiche aufzuteilen. Eine Sprinkleranlage kann dementsprechend z.B. sektionsweise angesteuert werden.

[0036] Ein Belüftungssystem kann im Brandfall z.B. so gesteuert werden, dass in dem Bereich der Kaverne wo es brennt, Luft und damit Rauch abgezogen wird. Die Belüftungsanlage kann vorzugsweise so ausgelegt sein, dass in einem solchen Fall eine Luftströmung erzeugbar ist, die den Brand aufhält.

[0037] In einer Kaverne einer geologischen Masse, insbesondere dem Gestein eines Berges gibt es regelmässig keine Möglichkeit eines unerwünschten Emissionsaustritts. Luft kann aus einer Kaverne normalerweise nicht entweichen. Deshalb ist es zur Verhinderung von schädlichen Emissionen ausreichend, wenn in für die Abluft vorgesehenen Ausgängen lediglich ein Abgasreiniger vorgesehen wird.

[0038] Das Errichten einer Halbleiterfabrik in der Kaverne in einer geologischen Masse, insbesondere einem Berg hat darüber hinaus folgende weitere Vorteile:

[0039] Da die Hülle regelmässig dicht ist, muss eine Abdichtung nach aussen nur an Zugängen ausgebildet werden. Die sich in Berg befindenden Einrichtungen sind keinen Wettereinflüssen ausgesetzt, z.B. muss keine Wind oder Schneelast berücksichtigt werden.

Zeichnungen:

[0040] Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in Zeichnungen dargestellt und werden nachstehend unter Angabe von weiteren Vorteilen und Einzelheiten näher erläutert.

[0041] Es zeigen: <tb>Fig. 1a<sep>eine schematische Draufsicht einer Halbleiterfabrik, teilweise geschnitten, <tb>Fig. 1b<sep>einen Schnitt durch die Halbleiterfabrik nach Fig. 1a entlang der Schnittlinie BB in Fig. 1a, <tb>Fig. 2<sep>eine Querschnittsansicht bei einem Schnitt durch eine weitere Halbleiterfabrik entlang ihrer Längsachse in schematisierter Darstellung und <tb>Fig. 3<sep>eine Ausführungsform einer bekannten Halbleiterfabrik in einer Darstellung gemäss Fig. 2.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele:

[0042] In Fig. 1a und 1b ist eine Halbleiterfabrik 1 dargestellt, die sich zum Teil in einem Gesteinsmassiv 2 und zum Teil in einem Bereich 3 ausserhalb des Gesteinsmassives 2 befindet.

[0043] Die Halbleiterfabrik 1 umfasst zwei parallele Röhren 4, 5, die in das Gestein 6 des Gesteinsmassives 2, das beispielsweise Teil eines Berges ist, eingebracht sind. Die Röhren 4, 5 sind an ihrem Ende innerhalb des Gesteinsmassives 2 mit einem Verbindungsraum 7 verbunden. Zusätzlich zu den Röhren 4, 5 sind Fluchtröhren 8, 9, 10 für den Notfall vorgesehen. Im Verbindungsraum, der am tiefsten in lateraler Richtung im Gesteinsmassiv 2 sitzt, sind vorzugsweise die besonders vibrations- und temperaturempfindlichen Einheiten, wie beispielsweise Lithographie-Einheiten angeordnet. In den Röhren 4, 5 sind vorteilhafterweise Herstellungsanlagen zur Herstellung der Halbleiterbauelemente untergebracht, wobei, wie auch im Verbindungsraum, ein nicht schraffierter Bereich den Reinraum 4a, 5a, 7a darstellt und ein schraffierter Bereich einen Grauraum 4b, 5b, 7b, in welchem die ganze «Versorgungslogistik» untergebracht werden kann, die zur Versorgung von Herstellungseinheiten im Reinraum erforderlich ist.

[0044] Der Reinraum 4a, 5a, 7a kann selbst in unterschiedliche Zonen eingeteilt werden, was die Reinraumklasse anbetrifft. Vorzugsweise ist im Bereich 7a die höchste Reinraumklasse realisiert.

[0045] Die Röhren 4, 5 lassen sich z.B. an Öffnungen 17, 18 über Zugangsbrücken betreten, die mit einem ausserhalb des Gesteinsmassives 2 angeordneten Gebäude 13 in Verbindung stehen. Das Gebäude 13 kann z.B. Büroeinheiten und Parkeinheiten enthalten. Das Gebäude 13 kann beispielsweise eine Abmessung von ca. 70 m × 30 m aufweisen. Die Röhren 4, 5 innerhalb des Gesteinsmassives 2 sind beispielsweise 100 m lang und weisen z.B. einen Durchmesser von 20 m bis 30 m auf. Der Verbindungsraum am Ende der Röhren 4, 5 ist z.B. ca. 50 m lang und besitzt eine ähnliche Querschnittsfläche wie die Röhren 4, 5. Die Fluchtröhren 8, 9, 10 weisen eine deutlich kleinere Querschnittsfläche auf. Hierbei geht es lediglich darum, dass Mitarbeiter im Fall eines Unglücks sicher in den Bereich 3 ausserhalb des Gesteinsmassives 2 gelangen können.

[0046] Der Verbindungsraum ist vorzugsweise «hammerartig» an den Röhren 4, 5 angegliedert, steht also seitlich jeweils etwas über. Damit wird Raum für Gerätschaften im Grauraum 7b geschaffen.

[0047] Ein Querschnitt einer bekannten Anordnung einer Halbleiterfabrik 20, wie sie auf freiem Gelände errichtet wird, ist in Fig. 3 dargestellt. Auf einem sehr dicken Betonfundament 21 mit einer Dicke von mindestens 2 m ist ein Baukörper 22 der Halbleiterfabrik 20 errichtet. Darin ist ein Reinraum 23 ausgebildet, der von einem Grauraum 24 umgeben ist. Zur Aufrechterhaltung der gewünschten Reinraumbedingungen im Reinraum 23 sind Belüftungseinrichtungen 25 vorgesehen. Durch die Belüftungseinrichtungen 25 strömt Luft in den Reinraum 23 und wird über einen Lochboden 26 in einen Doppelbodenbereich 27 abgezogen. Im Reinraumbereich sind Herstellungseinrichtungen 28 angeordnet. Die Lithographie-Vorrichtungen als besonders vibrationsempfindliche Einheiten müssen regelmässig auf einem speziell ausgebildeten Fundament, das normalerweise vom Rest des Gebäudes 22 entkoppelt ist, angeordnet werden.

[0048] Der Reinraum 23 mit Doppelbodenbereich 27 hat z.B. eine Höhe von 3,5 m, der Grauraumbereich 24 einschliesslich des Fundaments hat eine Höhe von z.B. 12 m.

[0049] In Fig. 2 sind die in Fig. 3 aufgeführten Einheiten der Halbleiterfabrik innerhalb von massivem Gestein 6 angeordnet. In einer teilweise ausgebildeten Röhre können unmittelbar auf den Felsgrund ohne weitere aufwändige Fundamente, z.B. Fotolithographie-Einrichtungen oder andere besonders kritische Einrichtungselemente angeordnet werden. Ansonsten können Einrichtungen 28 sowie eine Belüftungseinrichtung 25 entsprechend positioniert werden, wobei jedoch die äussere Hülle das Gestein 6 bildet, mit allen Vorteilen der Vibrationsarmut und Temperaturkonstanz. Der Grauraum 24 kann sich bis an das Gestein 6 hin erstrecken. Der Reinraum 23 und der Doppelboden 27 können entsprechend Fig. 3 ausgebildet werden. Unter dem Doppelboden können Pumpsysteme 15 unmittelbar auf eine Gesteinssohle 16 angeordnet werden.

[0050] Insgesamt vereinfachen sich viele konstruktive Vorgaben eines Halbleiterproduktionsgebäudes wenn die Produktionsstätte innerhalb einer massiven geologischen Masse, wie z.B. die Gesteinsformation eines Berges errichtet wird.

Bezugszeichenliste:

[0051] <tb>1<sep>Halbleiterfabrik <tb>2<sep>Gesteinsmassiv <tb>3<sep>Bereich <tb>4<sep>Röhre <tb>4a<sep>Reinraum <tb>4b<sep>Grauraum <tb>5<sep>Röhre <tb>5a<sep>Reinraum <tb>5b<sep>Grauraum <tb>6<sep>Gestein, geologische Masse <tb>7a<sep>Reinraum <tb>7b<sep>Grauraum <tb>8<sep>Fluchtröhre <tb>9<sep>Fluchtröhre <tb>10<sep>Fluchtröhre <tb>11<sep>Zugangsbrücke <tb>12<sep>Zugangsbrücke <tb>13<sep>Gebäude <tb>14<sep>Photolithographie-Einrichtung <tb>15<sep>Pumpsystem <tb>16<sep>Gesteinssohle <tb>17<sep>Öffnung <tb>18<sep>Öffnung <tb>20<sep>Halbleiterfabrik <tb>21<sep>Betonfundament <tb>22<sep>Baukörper <tb>23<sep>Reinraum <tb>24<sep>Grauraum <tb>25<sep>Belüftungseinrichtung <tb>26<sep>Lochboden <tb>27<sep>Doppelbodenbereich <tb>28<sep>Einrichtung <tb>29<sep>Fundament

Claims (11)

1. Halbleiterfabrik (1) mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, dass sich wenigstens ein Teil der Einrichtungen (14, 28) zur Herstellung der Halbleiterbauelemente innerhalb einer Kavität (4, 5, 7) in einer geologischen Masse (6) befindet.

2. Fabrik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (4, 5, 7) höhlenartig ist.

3. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Kavität (4, 5, 7} horizontal in die Masse (6) ausdehnt,

4. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Masse (6) eine Gesteinsformation ist.

5. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,, dass die Masse (6) ein Berg ist.

6. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich wenigstens eine vibrations- und/oder temperaturempfindliche Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterelementen in der Kavität (4, 5, 7) befindet.

7. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Teil der Einrichtung zur Herstellung sich mehr als 10 m, vorzugsweise mehr als 50 m, noch besser mehr als 100 m im Inneren der geologischen Masse (6) befindet.

8. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine vibrations- und temperaturempfindliche Einrichtung (14) in der Kavität (4, 5, 7) auf einer Erhöhung positioniert ist.

9. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Produktionslinie für die Halbleiterbearbeitung zwischen einem Zugang zur Kavität (4, 5, 7) und einer vibrations- und temperaturempfindlichen Einrichtung (14) befindet.

10. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (4, 5) eine Röhre umfasst.

11. Fabrik nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (4, 5) im vertikalen Schnitt senkrecht zu einer Längserstreckung einen Querschnitt mehr als 50 m<2>mehr als 100 m<2>, mehr als 150 m<2><>oder mehr als 200 m<2> besitzt.