CH677711A5 - - Google Patents

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CH677711A5
CH677711A5 CH898/89A CH89889A CH677711A5 CH 677711 A5 CH677711 A5 CH 677711A5 CH 898/89 A CH898/89 A CH 898/89A CH 89889 A CH89889 A CH 89889A CH 677711 A5 CH677711 A5 CH 677711A5
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transistor
capacitor
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voltage
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Wolfgang Zirwas
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Siemens Ag
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Description

1 1

CH 677 711 A5 CH 677 711 A5

2 2nd

Beschreibung description

Die Erfindung betrifft einen spannungsgesteuerten Oszillator nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. The invention relates to a voltage controlled oscillator according to the preamble of claim 1.

Spannungsgesteuerte Oszillatoren der eingangs erwähnten Art sind allgemein bekannt. Insbesondere durch die Temperaturkoeffizienten der frequenzbestimmenden Kondensatoren und die temperaturabhängigen Parameterschwankungen des Schwingtransistors ergibt sich ein Temperaturgang der Oszillatorfrequenz. Bei Oszillatorfrequenzen um t GHz und bei Temperaturdifferenzen von etwa 70°C kann die Verstimmung des Oszillators bereits einige MHz betragen. Zur Kompensation dieser Verstimmung werden in bekannter Weise einer oder mehrere der frequenzbestimmenden Kondensatoren mit speziell ausgesuchten negativen Temperaturkoeffizienten in die Schaltung aufgenommen, um die Verstimmung zu minimieren. Dabei ergibt sich aber das Problem, daß die Kondensatoren bei den verschiedenen Kapazitätswerten nur mit einer begrenzten Anzahl von Temperaturkoeffizienten erhältlich sind, so daß keine beliebigen und vor allem auch keine beliebig großen Temperaturgänge kompensiert werden können. Weitere Probleme können sich dadurch ergeben, daß diese Kondensatoren nur in wenigen Bauformen erhältlich sind, so daß insbesondere moderne Technologien wie die SMD-Technik nicht immer realisierbar sind, außerdem sind Kondensatoren mit negativem Temperaturkoeffizienten deutlich teurer als solche mit positivem Temperatur-koeffizienten. Voltage-controlled oscillators of the type mentioned at the outset are generally known. A temperature response of the oscillator frequency results in particular from the temperature coefficients of the frequency-determining capacitors and the temperature-dependent parameter fluctuations of the oscillating transistor. At oscillator frequencies around t GHz and at temperature differences of about 70 ° C, the detuning of the oscillator can already be a few MHz. To compensate for this detuning, one or more of the frequency-determining capacitors with specially selected negative temperature coefficients are incorporated in the circuit in a known manner in order to minimize the detuning. The problem arises, however, that the capacitors with the various capacitance values are only available with a limited number of temperature coefficients, so that no arbitrary and, above all, no arbitrarily large temperature responses can be compensated for. Further problems can arise from the fact that these capacitors are only available in a few designs, so that modern technologies such as SMD technology are not always feasible, and capacitors with a negative temperature coefficient are also significantly more expensive than those with a positive temperature coefficient.

Die Aufgabe bei der vorliegenden Erfindung bestand also darin, eine Temperaturkompensation für einen spannungsgesteuerten Oszillator der eingangs erwähnten Art zu finden, bei der keine frequenzbestimmenden Kondensatoren mit speziell ausgesuchten negativen Temperaturkoeffizienten verwendet werden müssen. The object of the present invention was therefore to find a temperature compensation for a voltage-controlled oscillator of the type mentioned at the beginning, in which no frequency-determining capacitors with specially selected negative temperature coefficients have to be used.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einem spannungsgesteuerten Oszillator der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß dieser durch die im Kennzeichen des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmaie weitergebildet ist. Von besonderem Vorteil ist bei der erfindungsgemäßen Lösung, daß diese mit den Aufbautechniken realisierbar ist, die für Frequenzbereiche von einigen 100 MHz bis zu etwa 1 GHz üblich sind, daß insbesondere auch eine monolithisch integrierte Lösung leicht möglich ist. Bevorzugte Ausbildungen des erfindungsgemäßen spannungsgesteuerten Oszillators sind in den abhängigen Ansprüchen näher beschrieben. According to the invention, the object is achieved in a voltage-controlled oscillator of the type mentioned at the outset in that it is further developed by the features specified in the characterizing part of patent claim 1. It is particularly advantageous in the solution according to the invention that it can be implemented using the construction techniques which are common for frequency ranges from a few 100 MHz to approximately 1 GHz, and that in particular a monolithically integrated solution is easily possible. Preferred embodiments of the voltage-controlled oscillator according to the invention are described in more detail in the dependent claims.

Die Erfindung soll im Folgenden anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. In der Zeichnung zeigt The invention will be explained in more detail below with reference to an embodiment shown in the drawing. In the drawing shows

Fig. 1 ein Schaltbild des erfindungsgemässen spannungsgesteuerten Oszillators und Fig. 1 is a circuit diagram of the voltage controlled oscillator according to the invention and

Fig. 2 einen Ausschnitt aus dem Schaltbild nach der Fig. 1 mit den für die Temperaturkompensation wesentlichen Bauelementen. Fig. 2 shows a section of the circuit diagram of FIG. 1 with the components essential for temperature compensation.

In der Fig. 1 ist als Oszillatortransistor T1 ein NPN-Transistor mit einer Grenzfrequenz in Basisschaltung von etwa 1 GHz vorgeseh en. Der Basisanschluß dieses Transistors ist über einen ersten Widerstand R1 mit einer Betriebsspannungsquelle -UB verbunden, außerdem Ist der Basisanschluß über einen zweiten Widerstand R2 und einen ersten Kondensator G1 mit Bezugspotential verbunden. Die beiden Widerstände R1, R2 bilden einen bekannten Basisspannungsteiler, durch den ersten Kondensator C1 liegt der Basisanschluß wechsei-spannungsmäßig auf Bezugspotential, so dass der erste Transistor T1 in Basisschaltung betrieben wird. Das frequenzbestimmende Netzwerk besteht zum einen aus der Reihenschaltung des zweiten und des dritten Kondensators C2, C3 und zum anderen aus der Induktivität L1, die über die Reihenschaltung aus dem sechsten Kondensator C6 und der Kapazitätsdiode CD sowie über die Reihenschaltung aus dem siebten Kondensator C7 und dem achten Kondensator C8 mit Bezugspotential verbunden ist. Die Reihenschaltung aus dem sechsten Kondensator C6 und der Kapazitätsdiode CD wirkt dabei als Ziehreaktanz, zum Ziehen ist die Kapazitätsdiode CD über einen Widerstand R6 mit einem Regelspan-nungsanschluss UR verbunden, dem ein neunter Kondensator C9 als Siebkondensator parallelgeschaltet ist. Der achte Kondensator C8 ist als Trimmer ausgebildet, über den die effektive Ziehkapazität mit eingestellt wird. Vom gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und des dritten Kondensators C2, C3 wird über eine Parallelschaltung aus einem fünften Widerstand R5 und einem fünften Kondensator C5 ein Teil des Oszillatorsignals an den Verbindungspunkt zwischen einem dritten und einem vierten Widerstand R3, R4 rückgekoppelt. Während der andere Anschluß des dritten Widerstandes R3 mit dem Emitteranschluß des ersten Transistors T1 verbunden ist, ist der andere Anschluß des vierten Widerstandes R4 mit der Betriebsspannungsquelle -UB verbunden. Der Betriebsspannungsquelle liegt dabei ein Siebkondensator CS parallel. In Fig. 1, an NPN transistor with a cut-off frequency in the base circuit of about 1 GHz is provided as the oscillator transistor T1. The base terminal of this transistor is connected to an operating voltage source -UB via a first resistor R1, and the base terminal is also connected to reference potential via a second resistor R2 and a first capacitor G1. The two resistors R1, R2 form a known base voltage divider. The base capacitor is alternating in voltage at the reference potential by means of the first capacitor C1, so that the first transistor T1 is operated in the base circuit. The frequency-determining network consists on the one hand of the series connection of the second and third capacitors C2, C3 and on the other hand of the inductance L1, which consists of the sixth capacitor C6 and the capacitance diode CD via the series connection and of the seventh capacitor C7 and the series connection eighth capacitor C8 is connected to reference potential. The series connection of the sixth capacitor C6 and the capacitance diode CD acts as a pulling reactance; for pulling, the capacitance diode CD is connected via a resistor R6 to a control voltage connection UR, to which a ninth capacitor C9 is connected in parallel as a filter capacitor. The eighth capacitor C8 is designed as a trimmer, via which the effective drawing capacity is also set. From the common connection point of the second and third capacitors C2, C3, a part of the oscillator signal is fed back to the connection point between a third and a fourth resistor R3, R4 via a parallel circuit comprising a fifth resistor R5 and a fifth capacitor C5. While the other connection of the third resistor R3 is connected to the emitter connection of the first transistor T1, the other connection of the fourth resistor R4 is connected to the operating voltage source -UB. A filter capacitor CS is connected in parallel with the operating voltage source.

Zur Temperaturkompensation ist der Kollektoranschluß T1C des ersten Transistors T1 zusätzlich über eine zweite Induktivität L2 in Form einer Lamb-da-Viertel-Leitung mit dem Kollektoranschluß T2C eines zweiten Transistors T2 verbunden, bei dem es sich um einen PNP-Transistor für den NF-Bereich handelt. Die Kollektoranschlüsse T1C, T2C beider Transistoren sind über einen siebten Widerstand R7 mit der Betriebsspannungsquelle -UB und über einen achten Widerstand R8 mit dem Basisanschluß des zweiten Transistors T2 sowie mit einem aus einem neunten und einem zehnten Widerstand R9, RIO gebildeten Basisspannungsteiler verbunden. Der Emitteranschiuss des zweiten Transistors T2 ist direkt mit Bezugspotential verbunden, so dass der Transistor T2 mit den angeschlossenen Bauelementen eine leerlaufende NF-Verstärkerstufe in Emitterschaltung und mit Spannungsgegenkopplung bildet. Damit der Kollektoranschluß T2C des zweiten Transistors T2 wechselspannungsmäßig auf Bezugspotential liegt, ist am Verbindungspunkt zwischen der zweiten Induktivität L2 und Kollektoranschluß des zweiten Transistors T2 ein auf die Oszii-Iatorfrequenz abgestimmter Saugkreis angeschlos- For temperature compensation, the collector terminal T1C of the first transistor T1 is additionally connected to the collector terminal T2C of a second transistor T2, which is a PNP transistor for the LF range, via a second inductor L2 in the form of a lambda quarter line acts. The collector connections T1C, T2C of both transistors are connected via a seventh resistor R7 to the operating voltage source -UB and via an eighth resistor R8 to the base connection of the second transistor T2 and to a base voltage divider formed from a ninth and a tenth resistor R9, RIO. The emitter connection of the second transistor T2 is connected directly to the reference potential, so that the transistor T2, together with the connected components, forms an idle NF amplifier stage in the emitter circuit and with voltage feedback. So that the collector terminal T2C of the second transistor T2 is at reference potential in terms of AC voltage, a suction circuit tuned to the oscillator frequency is connected to the connection point between the second inductance L2 and the collector terminal of the second transistor T2.

5 5

10 10th

15 15

20 20th

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30 30th

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2 2nd

3 3rd

CH 677 711 A5 CH 677 711 A5

4 4th

seri, dessen anderer Anschluß auf Bezugspotential liegt. Der Saugkreis wird dabei aus einer dritten Induktivität L3 in Form einer konzentrierten Spule und einem zehnten Kondensator C10 gebildet seri, the other connection of which is at reference potential. The suction circuit is formed from a third inductor L3 in the form of a concentrated coil and a tenth capacitor C10

Die Auskopplung der Oszillatorschwingung aus der Oszillatorstufe erfolgt am Verbindungspunkt des zweiten und des dritten Kondensators C2, C3 über einen dort angeschlossenen vierten Kondensator C4, dessen anderer Anschluß mit dem Basisanschluß eines dritten Transistors T3 verbunden ist. Mit dem Basisanschluß ist weiterhin ein aus einem elften und einem zwölften Widerstand R11, R12 gebildeter Basisspannungsteiler verbunden. Der Emitteranschluß des dritten Transistors T3 ist über einen vierzehnten Widerstand R14 mit einem als Siebkondensator wirkenden elften Kondensator C11 und mit einem fünfzehnten Widerstand R15 verbunden, der andere Anschluß des fünfzehnten Widerstandes R15 ist an die Betriebsspannungsquelle -UB angeschlossen. Der Kollektoranschluß des dritten Transistors T3 ist über einen dreizehnten Widerstand R13 mit Bezugspotential und über einen zwölften Kondensator C12 mit einem Ausgangsanschluß verbunden. The oscillator oscillation is decoupled from the oscillator stage at the connection point of the second and third capacitors C2, C3 via a fourth capacitor C4 connected there, the other connection of which is connected to the base connection of a third transistor T3. A base voltage divider formed from an eleventh and a twelfth resistor R11, R12 is also connected to the base connection. The emitter terminal of the third transistor T3 is connected via a fourteenth resistor R14 to an eleventh capacitor C11 acting as a filter capacitor and to a fifteenth resistor R15, the other terminal of the fifteenth resistor R15 is connected to the operating voltage source -UB. The collector terminal of the third transistor T3 is connected to a reference potential via a thirteenth resistor R13 and to an output terminal via a twelfth capacitor C12.

Zur weiteren Erläuterung der Funktion des spannungsgesteuerten Oszillators nach der Fig. 1 dient das in Fig. 2 dargestellte Prinzipschaltbild, in dem die frequenzbestimmenden Kapazitäten zum Kondensator C zusammengefaßt sind. Es ist erkennbar, daß diese Kapazitäten zusammen mit der gezogenen ersten Induktivität L1 einen Parallelschwingkreis bilden, der mit dem Kollektoranschluß T1C des ersten Transistors T1 verbunden ist, außerdem ist dieser Kollektoranschluß T1C über die zweite Induktivität L2 gleichspannungsmäßig mit dem Kollektoranschluß T2C des Transistors T2 der leerlaufenden Verstärkerstufe verbunden. Durch die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitterdiode des Transistors T2 entsteht am Kollektoranschluß T2C dieses Transistors eine temperaturabhängige Spannung, die gleichzeitig die Kollektorspannung des ersten Transistors T1 darstellt. Die am Transistor T1 angelegte Kollektor-Emitterspannung ist damit temperaturabhängig und verändert in temperaturab-hängigerweise die Kapazität zwischen dem Emitter und dem Kollektoranschluss dieses Transistors. Da diese Kapazität Teil der frequenzbestimmenden Kapazität C ist, ergibt sich bei geeigneter Bemessung eine Temperaturkompensation durch eine Spannungsnachführung am Kollektor des Schwingtransistors T1. Zusätzlich kann durch Veränderung der Gegenkopplung des Transistors T2, also insbesondere durch Veränderung des Wertes des achten Widerstandes R8 die Änderung der Kollektorspannung bei der Transistoren über der Temperatur an eine gegebene Schaltung angepaßt werden. Ais besonders vorteilhaft hat sich dabei erwiesen, daß die Basisspannung und damit auch die Emitterspannung des Schwingtransistors T1 von der Kompensationsschaltung nicht beeinflußt werden und sich damit keine zusätzliche temperaturbedingte Pegelabhängigkeit des Ausgangssignals ergibt. The basic circuit diagram shown in FIG. 2, in which the frequency-determining capacitances to the capacitor C are combined, serves to further explain the function of the voltage-controlled oscillator according to FIG. 1. It can be seen that these capacitances, together with the drawn first inductor L1, form a parallel resonant circuit which is connected to the collector terminal T1C of the first transistor T1, moreover this collector terminal T1C is in direct voltage form via the second inductor L2 with the collector terminal T2C of the transistor T2 of the no-load circuit Amplifier stage connected. Due to the temperature dependence of the base-emitter diode of the transistor T2, a temperature-dependent voltage arises at the collector terminal T2C of this transistor, which voltage also represents the collector voltage of the first transistor T1. The collector-emitter voltage applied to the transistor T1 is therefore temperature-dependent and changes the capacitance between the emitter and the collector terminal of this transistor in a temperature-dependent manner. Since this capacitance is part of the frequency-determining capacitance C, temperature compensation is obtained with suitable dimensioning by voltage tracking at the collector of the oscillating transistor T1. In addition, by changing the negative feedback of the transistor T2, in particular by changing the value of the eighth resistor R8, the change in the collector voltage in the case of the transistors can be adapted to a given circuit over the temperature. It has been found to be particularly advantageous that the base voltage and thus also the emitter voltage of the oscillating transistor T1 are not influenced by the compensation circuit and that there is therefore no additional temperature-dependent level dependency of the output signal.

Claims (8)

PatentansprücheClaims 1. Spannungsgesteuerter Oszillator mit wenigstens einem, in einer Rückkopplungsschaltung angeordneten ersten Transistor, dessen Koliektoran-schluß mit einem, wenigstens eine Kapazitätsdiode, eine Induktivität und Kondensatoren enthaltenden frequenzbestimmenden Netzwerk verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kollektoranschluß (TIC) des ersten Transistors (T1) gleichstrommäßig der Kollektoranschluß (T2G) eines in einer leerlaufenden Verstärkerstufe angeordneten zweiten Transistors (T2) parallelgeschaltet ist.1. Voltage-controlled oscillator with at least one, arranged in a feedback circuit first transistor, the Koliektoran-connection is connected to a, at least one capacitance diode, an inductor and capacitors containing frequency-determining network, characterized in that the collector terminal (TIC) of the first transistor (T1 ) the collector terminal (T2G) of a second transistor (T2) arranged in an idling amplifier stage is connected in parallel. 2. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die parallelgeschalteten Kollektoranschlüsse (T1 C, T2C) beider Transistoren (T1, T2) über einen gemeinsamen Kollektorwiderstand (R7) an eine Betriebsspannungsquelle (-UB) angeschlossen sind.2. Voltage-controlled oscillator according to claim 1, characterized in that the parallel collector connections (T1 C, T2C) of both transistors (T1, T2) are connected via a common collector resistor (R7) to an operating voltage source (-UB). 3. Spannungsgesteuerter Oszillatòr nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (T1) eine Grenzfrequenz in Basisschaltung von wenigstens 1 GHz aufweist,3. Voltage-controlled oscillator according to claim 1 or 2, characterized in that the first transistor (T1) has a cut-off frequency in the basic circuit of at least 1 GHz, 4. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich beim zweiten Transistor um einen NF-Transistor handelt.4. Voltage controlled oscillator according to claim 1 or 2, characterized in that the second transistor is an LF transistor. 5. Spannungsgesteuerter Oszillator nach einem der Patentansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisanschluß des ersten Transistors (T1) über einen ersten Widerstand (R1) mit der Betriebsspannungsquelle (-UB) und über die Parallelschaltung eines ersten Kondensators (C1) und eines zweiten Widerstandes (R2) mit Bezugspotential verbunden ist, daß der Emitteranschluß des ersten Transistors (T1) über die Reihenschaltung eines dritten und eines vierten Widerstandes (R3, R4) mit der Betriebsspannungsquelle (-UB) verbunden ist, daß der Kollektoranschluß (T1C) des ersten Transistors (T1) über die Reihenschaltung eines zweiten und eines dritten Kondensators (C2, C3) mit Bezugspotential verbunden ist, daß am Verbindungspunkt des zweiten und des dritten Kondensators (C2, C3) der eine Anschluß eines vierten und eines fünften Kondensators (C4, C5) und eines fünften Widerstandes angeschlossen sind, daß die anderen Anschlüsse des fünften Kondensators (C5) und des fünften Widerstandes (R5) an den gemeinsamen Verbindungspunkt des dritten und des vierten Widerstandes (R3, R4) angeschlossen sind, daß der Kollektoranschluß (T1C) des ersten Transistors (T1) über eine erste Induktivität (L1) mit dem einen Anschluß eines sechsten und eines siebten Kondensators (C6, C7) verbunden ist, daß der andere Anschluß des sechsten Kondensators über eine Kapazitätsdiode (CD) mit Bezugspotentiai und über einen sechsten Widerstand (R6) mit einer Regelspannungsquelle (UR) verbunden ist, der ein neunter Kondensator (C9) parallelgeschaltet sein kann, dass der andere Anschluß des siebten Kondensators (C7) über einen achten Kondensator (C8) mit Bezugspotential verbunden ist, dass der Kollektoranschluß des ersten Transistors (T1) außerdem über eine zweite Induktivität (L2) mit dem Kollektoranschluß des zweiten Transistors (T2) und mit einem5. Voltage-controlled oscillator according to one of claims 1, 2 or 3, characterized in that the base connection of the first transistor (T1) via a first resistor (R1) to the operating voltage source (-UB) and via the parallel connection of a first capacitor (C1) and a second resistor (R2) is connected to reference potential, that the emitter connection of the first transistor (T1) is connected via the series circuit of a third and a fourth resistor (R3, R4) to the operating voltage source (-UB), that the collector connection (T1C ) of the first transistor (T1) is connected via the series circuit of a second and a third capacitor (C2, C3) with reference potential, that at the connection point of the second and the third capacitor (C2, C3) the one connection of a fourth and a fifth capacitor ( C4, C5) and a fifth resistor are connected so that the other connections of the fifth capacitor (C5) and the five Fth resistor (R5) are connected to the common connection point of the third and fourth resistor (R3, R4) that the collector terminal (T1C) of the first transistor (T1) via a first inductance (L1) with the one terminal of a sixth and one Seventh capacitor (C6, C7) is connected, that the other connection of the sixth capacitor is connected via a capacitance diode (CD) with reference potential and via a sixth resistor (R6) to a control voltage source (UR) which connects a ninth capacitor (C9) in parallel can be that the other terminal of the seventh capacitor (C7) is connected via an eighth capacitor (C8) with reference potential, that the collector terminal of the first transistor (T1) is also connected to the collector terminal of the second transistor (T2 ) and with one 55 1010th 1515 2020th 2525th 3030th 3535 4040 4545 5050 5555 6060 6565 33rd 55 CH 677 711 A5CH 677 711 A5 Saugkreis für die Oszillatorfrequenz aus einem zehnten Kondensator (CIO) und einer dritten Induktivität (L3) verbunden ist, und dass der andere Anschluß des Saugkreises auf Bezugspotential liegt.Suction circuit for the oscillator frequency from a tenth capacitor (CIO) and a third inductor (L3) is connected, and that the other connection of the suction circuit is at reference potential. 6. Spannungsgesteuerter Oszillator nach einem der Patentansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die leerlaufende Verstärkerstufe in Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung aufgebaut ist und dabei der Emitteranschluß des zweiten Transistors (T2) mit Bezugspotential unmittelbar verbunden ist und der Basisanschluß dieses Transistors (T2) über einen achten Widerstand (RS) mit dessem Kollektoranschluß (T2C) sowie über einen neunten Widerstand (R9) mit der Betriebsspannungsquelle (-UB) und über einen zehnten Widerstand (R10) mit Bezugspotentiai verbunden ist.6. Voltage-controlled oscillator according to one of the claims 1 to 5, characterized in that the idle amplifier stage is constructed in an emitter circuit with negative voltage feedback and the emitter connection of the second transistor (T2) is directly connected to reference potential and the base connection of this transistor (T2) via a Eighth resistor (RS) with its collector connection (T2C) as well as via a ninth resistor (R9) with the operating voltage source (-UB) and via a tenth resistor (R10) with reference potential. 7. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Patentanspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite Induktivität (L2) eine auf die Schwingfrequenz des Oszillators abgestimmte Lambda-Viertei-Lei-tung vorgesehen ist.7. Voltage controlled oscillator according to claim 5, characterized in that a second inductance (L2) is matched to the oscillation frequency of the oscillator lambda fourth line. 8. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Patentanspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem anderen Anschluß des vierten Kondensators (C4) der Eingang einer weiteren Verstärkerstufe verbunden ist, an deren Ausgang die erzeugte Oszillatorschwingung ansteht.8. Voltage-controlled oscillator according to claim 5, characterized in that the other terminal of the fourth capacitor (C4) is connected to the input of a further amplifier stage, at the output of which the oscillator oscillation is applied. 55 1010th 1515 2020th 2525th 3030th 3535 4040 4545 5050 5555 6060 6565 44th
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