CH665730A5 - ARRANGEMENT OF A HOUSELESS POWER SEMICONDUCTOR DISC TO BE SUBMERSED IN A BOILING LIQUID, AND STACK OF SUCH ARRANGEMENTS. - Google Patents
ARRANGEMENT OF A HOUSELESS POWER SEMICONDUCTOR DISC TO BE SUBMERSED IN A BOILING LIQUID, AND STACK OF SUCH ARRANGEMENTS. Download PDFInfo
- Publication number
- CH665730A5 CH665730A5 CH5493/84A CH549384A CH665730A5 CH 665730 A5 CH665730 A5 CH 665730A5 CH 5493/84 A CH5493/84 A CH 5493/84A CH 549384 A CH549384 A CH 549384A CH 665730 A5 CH665730 A5 CH 665730A5
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- power semiconductor
- heat sink
- stack
- cathode
- arrangement
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
- H01L2023/4025—Base discrete devices, e.g. presspack, disc-type transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
BESCHREIBUNG Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1. DESCRIPTION The invention relates to an arrangement according to the preamble of claim 1.
Eine solche Anordnung ist durch die DE-OS 2 907 780 bekannt. Danach wird die in einer Siedekühlflüssigkeit, z.B. flüssigem fluorierten Kohlenwasserstoff, zu kühlende Leistungshalbleiterscheibe zwischen zwei zylindrische Wärmeabieiter eingespannt. Dazu sind zwei aussen vieleckig geformte Isolierplatten vorgesehen, die den anoden- und den kathodenseitigen Wärme-ableiter umgeben und jeweils auf einem Sprengring aufliegen, der in eine Ringnut in den jeweiligen Wärmeabieiter eingelegt ist. Die Isolierplatten sind miteinander durch drei Bolzen aus Isoliermaterial verspannt, die die Halbleiterscheibe berühren und in drei Kerben der Isolierplatten einrasten, die je 120° gegeneinander versetzt sind. Such an arrangement is known from DE-OS 2 907 780. Then the in a boiling liquid, e.g. liquid fluorinated hydrocarbon, to be cooled power semiconductor disc clamped between two cylindrical heat dissipators. For this purpose, two polygonal shaped insulating plates are provided, which surround the anode- and cathode-side heat sinks and each rest on a snap ring, which is inserted into an annular groove in the respective heat sink. The insulating plates are clamped together by three bolts made of insulating material, which touch the semiconductor wafer and engage in three notches in the insulating plates, which are each offset by 120 °.
Die bekannte Anordnung ist gut als Einzelelement zur Siedekühlung einer Leistungshalbleiterscheibe einzusetzen, wobei die Wärmeabieiter kupferne Metallblöcke sind. Schwierigkeiten treten auf, wenn aus Kosten- und/oder Gewichtsgründen statt des Kupfers Aluminium eingesetzt werden soll. Für die gleiche Siedekühlleistung muss die Oberfläche dann entsprechend ver-grössert bzw. der Wärmeleitweg bei gleicher Oberflächengrösse verkürzt werden. The known arrangement can be used well as a single element for evaporative cooling of a power semiconductor wafer, the heat dissipators being copper metal blocks. Difficulties arise when aluminum is to be used instead of copper for reasons of cost and / or weight. For the same boiling cooling capacity, the surface must then be increased accordingly or the heat conduction path shortened for the same surface area.
Sofern aus Spannungsgründen mehrere Leistungshalbleiterscheiben hintereinander geschaltet werden müssen und dies zwecks kompakter Bauweise durch Schichtung in Stapeln geschieht, ist die zuvor beschriebene Anordnung nur schlecht geeignet, weil die im Stapel aneinander liegenden Kreisflächen der zylindrischen Wärmeabieiter als Oberfläche für die Siedekühlung nicht zur Verfügung stehen. If, for reasons of voltage, several power semiconductor disks have to be connected in series and this is done by stacking them in a stack for the purpose of a compact design, the arrangement described above is only poorly suited because the circular surfaces of the cylindrical heat dissipators lying next to one another in the stack are not available as surfaces for evaporative cooling.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs angegebenen Art so auszugestalten, dass viele dieser Elemente zu Stapeln zusammengepresst werden können, dabei trotzdem eine ausreichende Oberfläche der Wärmeableitkörper zur Siedekühlung ohne Filmsieden zur Verfügung gestellt wird und gleichzeitig eine kompakte und einfache Montage erreicht wird. The invention has for its object to design an arrangement of the type mentioned in such a way that many of these elements can be pressed together in stacks, yet a sufficient surface of the heat dissipation body is provided for evaporative cooling without film boiling and at the same time a compact and simple assembly is achieved .
Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung durch die im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst. This object is achieved according to the invention by the features characterized in claim 1.
Infolge der Distanznoppen an der der Leistungshalbleiterscheibe abgewandten Seite jedes Wärmeabieiters wird die Oberfläche, die für die Siedekühlung jeweils zur Verfügung gestellt wird, entsprechend gross gehalten. As a result of the spacer knobs on the side of each heat sink facing away from the power semiconductor wafer, the surface area that is made available for the evaporative cooling is kept correspondingly large.
Vorteilhafterweise gelangt gleichzeitig die Siedekühlflüssigkeit besonders dicht an die zu kühlende Wärmequelle, also die Leistungshalbleiterscheibe. Der Einsatz von Wärmeableitern aus Aluminium ist damit trotz der gegenüber Kupfer benötigten grösseren Oberfläche möglich, ohne dass eine kompakte Bauweise der Stapel verhindert wird. At the same time, the boiling coolant advantageously comes particularly close to the heat source to be cooled, that is to say the power semiconductor wafer. The use of aluminum heat sinks is therefore possible despite the larger surface area required compared to copper, without preventing the stack from being compact.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet. Advantageous embodiments of the invention are characterized in the dependent claims.
Die Erfindung soll im folgenden anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels erläutert werden. The invention will be explained below with reference to an embodiment shown in the drawing.
Es zeigen: Show it:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Wärmeabieiter innerhalb eines Stapels von Anordnungen nach der Erfindung Fig. 1 is a plan view of a heat sink within a stack of arrangements according to the invention
Fig. 2 einen Schnitt durch eine Anordnung nach der Erfindung innerhalb eines Stapels gleicher Anordnung. Fig. 2 shows a section through an arrangement according to the invention within a stack of the same arrangement.
In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäss ausgebildeter Wärmeabieiter dargestellt, der in einer Siedekühlflüssigkeit der Wärmeabfuhr von einer (gestrichelt angedeuteten) Leistungshalbleiterscheibe 1 dient. Der Wärmeabieiter ist auf der der Leistungshalbleiterscheibe 1 zugekehrten Seite plan ausgebildet. Zur Bereitstellung einer ausreichend grossen Oberfläche für die Siedekühlung ist die der Leistungshalbleiterscheibe 1 abgekehrte Seite des Wärmeabieiters mit gleich hohen (gestrichelt gezeigten) Distanznoppen 8 versehen. 1 shows a heat sink designed according to the invention, which is used to remove heat from a power semiconductor disk 1 (indicated by dashed lines) in a boiling coolant. The heat sink is flat on the side facing the power semiconductor wafer 1. In order to provide a sufficiently large surface for evaporative cooling, the side of the heat sink facing away from the power semiconductor disk 1 is provided with spacers 8 of the same height (shown in broken lines).
Zur radialen Festlegung der Leistungshalbleiterscheibe 1 sind in den Wärmeabieiter Isolierzapfen 9 eingelassen, die um ihre Längsachse federnd ausgebildet sind und in einer Höhe über dem Wärmeableiter, die der axialen Höhe der Leistungshalbleiterscheibe 1 entspricht, sich zu einem Kopf erweitern (siehe auch Fig. 2 beim Wärmeableiter 3). Damit bilden die For the radial fixing of the power semiconductor disk 1, insulating pins 9 are embedded in the heat sink, which are designed to be resilient about their longitudinal axis and expand to a head at a height above the heat sink that corresponds to the axial height of the power semiconductor disk 1 (see also FIG. 2 at Heat sink 3). With that form the
5 5
10 10th
15 15
20 20th
25 25th
30 30th
35 35
40 40
45 45
50 50
55 55
60 60
65 65
Isolierzapfen 9 für die Leistungshalbleiterscheibe 1 eine montagefreundliche Snap-Halterung. Insulating pin 9 for the power semiconductor wafer 1 an easy-to-assemble snap holder.
Der Wärmeableiter ist in Form eines gleichseitigen, die Leistungshalbleiterscheibe 1 voll überdeckenden Dreiecks ausgebildet, in dessen Eckbereichen jeweils ein Durchgangsloch zur Führung eines (in seiner Funktion bei der Erläuterung der Fig. The heat sink is designed in the form of an equilateral triangle that completely covers the power semiconductor wafer 1, in the corner regions of which there is in each case a through hole for guiding a (in its function in the explanation of FIG.
2 näher beschriebenen) elektrisch isolierten Zugbolzens 7 vorgesehen ist. In der Ebene des Wärmeabieiters sind diese Durchgangslöcher und Isolierzapfen 9 zur Snap-Halterung jeweils um 60° zueinander versetzt angeordnet. 2 described in more detail) electrically insulated tension bolt 7 is provided. In the level of the heat sink, these through holes and insulating pins 9 for the snap holder are each offset by 60 ° to one another.
Der Wärmeableiter weist zum Anschluss einer Anoden-Ka-thoden-Bedämpfungsschaltung für den Halbleiter an seinem Umfang einen Anschlussbolzen 6 auf. The heat sink has a connecting pin 6 on its periphery for connecting an anode-cathode damping circuit for the semiconductor.
Fig. 2 zeigt im Schnitt den Einsatz des zuvor beschriebenen Wärmeabieiters — hier mit 3 bezeichnet — innerhalb einer Anordnung, bei der die Halbleiterscheibe 1 zwischea dem erwähnten, ihr als anodenseitiger Anschluss dienenden Wärmeableiter Fig. 2 shows in section the use of the previously described heat sink - here designated 3 - within an arrangement in which the semiconductor wafer 1 between the mentioned heat sink, which serves as an anode-side connection
3 und einem weiteren, hier als kathodenseitiger Anschluss dienenden Wärmeableiter 2 eingespannt ist. Der Wärmeableiter 2 weist die gleiche zuvor abgegebene konstruktive Ausbildung wie der Wärmeableiter 3 auf, mit der Ausnahme, dass er auf der der Leistüngshalbleiterscheibe 1 zugewandten Seite keine Isolierzapfen trägt. 3 and a further heat sink 2, which serves here as a cathode-side connection, is clamped. The heat sink 2 has the same previously given design as the heat sink 3, with the exception that it does not have any insulating pins on the side facing the power semiconductor wafer 1.
Diese Anordnung aus Wärmeableiter 2, Leistungshalbleiterscheibe 1 und Wärmeableiter 3 ist zwecks kompakter Bauweise und ggf. zur Beherrschung einer hohen elektrischen Spannung Teil eines Stapels gleicher Anordnungen, die über die in Fig. 1 gezeigten, isolierten Zugbolzen 7 und gemeinsame an den beiden Enden des Stapels vorgesehene (nicht gezeigte) Spannelemente miteinander verspannt sind. Die von den Spannelementen miteinander verspannt sind. Die von den Spannelementen gegen die Zugbolzen 7 aufgebrachte Anpresskraft ist mit P angedeutet, die über die Distanznoppen (nicht näher bezeichneter) Wärmeableiter benachbarter Anordnungen und die Distanznoppen 8 der Wärmeableiter 2 bzw. 3 auf die Leistungshalbleiterscheibe 1 wirkt. Zwischen den Distanznoppen 8 bleibt dabei trotz der Übertragung der für eine gute elektrische Kontaktgabe zur Leistungshalbleiterscheibe 1 notwendigen Anpresskraft P Raum und Oberfläche für den Siedekühlprozess. This arrangement of heat sink 2, power semiconductor disk 1 and heat sink 3 is part of a stack of the same arrangements for the purpose of compact construction and, if necessary, for controlling a high electrical voltage, the same arrangements, which are provided via the insulated pull bolts 7 shown in FIG provided (not shown) clamping elements are clamped together. Which are clamped together by the clamping elements. The pressing force exerted by the tensioning elements against the tension bolts 7 is indicated by P, which acts on the power semiconductor wafer 1 via the spacer knobs (not specified) of heat dissipators of adjacent arrangements and the spacer knobs 8 of the heat dissipators 2 and 3. Despite the transmission of the contact pressure P necessary for good electrical contact to the power semiconductor wafer 1, there remains space and surface between the spacer knobs 8 for the evaporative cooling process.
Jeder der Wärmeableiter 2, 3 weist, wie aus Fig. 1 erkennbar ist, zumindest zwei, an verschiedenen Schenkeln des gleichseitigen Dreiecks seines Umfangs angebrachte Potentialanschlussbolzen 4 bzw. 5 auf, so dass innerhalb eines Stapels Each of the heat dissipators 2, 3 has, as can be seen from FIG. 1, at least two potential connection bolts 4 and 5 attached to different legs of the equilateral triangle of its circumference, so that within a stack
665 730 665 730
durch einfache, direkte Verbindung die einzelnen anoden- bzw. kathodenpotentialbehafteten Wärmeableiter 2, 3 zu einer gewünschten elektrischen Schaltung (z.B. einer Brückenschaltung) zusammengeschaltet werden können. Stossen infolge dieser Verschattung Wärmeableiter unterschiedlichen Potentials zusammen, so sind zur Vermeidung eines Kurzschlusses zwischen deren aneinandergrenzende Distanznoppen Isolierscheiben 10 eingefügt. the individual anode- or cathode-potential heat sink 2, 3 can be connected to a desired electrical circuit (e.g. a bridge circuit) by a simple, direct connection. If heat conductors of different potential collide as a result of this shading, insulating washers 10 are inserted in order to avoid a short circuit between their adjoining spacer knobs.
Die Leistungshalbleiterscheiben 1, die also ohne Gehäuse zwischen zwei Wärmeableitern 2,. 3 eingespannt sind, können Dioden oder aber auch steuerbare Halbleiter-Bauelemente (z.B. Thyristoren) sein. Für den letzteren Fall sind drei Isolierzapfen 9 im anodenseitigen Wärmeableiter 3 eingepresst, während der Steueranschluss für die zentrale Steuerelektrode der Leistungshalbleiterscheibe 1 über den kathodenseitigen Wärmeableiter 2 vorgenommen wird. Zu diesem Zweck befindet sich im kathodenseitigen Wärmeableiter 2 für den Steueranschluss eine zentral angeordnete Isolierbuchse 11 mit einem Kontaktstift 12 und mehreren gegeneinander geschichteten Spannscheiben 13. Eine derartige Kontaktgabe ist an sich aus der eingangs erwähnten DE-O'S 2 907 780 bekannt. Die montierten Teile sind bei der in der Zeichnung gezeigten Anordnung mit einer Sicherungsscheibe 14 gegen das Herausfallen gesichert. Das hindurchragende Ende des Kontaktstifts 12 ist als Lötanschluss 18 für eine Steueranschlussleitung 15, die durch den Raum zwischen den Distanznoppen 8 geführt ist, ausgebildet. Das Kathodenpotential für eine zweite Steuerleitung 16 mit mittels eines Kabelschuhs 17 direkt am Wärmeableiter 2 angenietet. Die erforderliche Kontaktkraft für den Steueranschluss stellt sich ein, wenn die Anpresskraft P auf dem Stapel aufgebracht wird. The power semiconductor disks 1, that is, without a housing between two heat dissipators 2. 3 are clamped, can be diodes or controllable semiconductor components (e.g. thyristors). For the latter case, three insulating pins 9 are pressed into the anode-side heat sink 3, while the control connection for the central control electrode of the power semiconductor wafer 1 is made via the cathode-side heat sink 2. For this purpose, in the cathode-side heat sink 2 for the control connection there is a centrally arranged insulating bush 11 with a contact pin 12 and a plurality of clamping washers 13 stacked against one another. Such contacting is known per se from the aforementioned DE-O'S 2 907 780. The assembled parts are secured in the arrangement shown in the drawing with a locking washer 14 against falling out. The protruding end of the contact pin 12 is designed as a solder connection 18 for a control connection line 15 which is guided through the space between the spacer knobs 8. The cathode potential for a second control line 16 is riveted directly to the heat sink 2 by means of a cable lug 17. The contact force required for the control connection is established when the contact pressure P is applied to the stack.
Die Montage des Stapels kann weitgehend ohne die schmutzempfindlichen Leistungshalbleiterscheiben erfolgen. Diese werden letztlich eingesetzt bzw. ausgewechselt, ohne die Komponenten zu entstapeln und ohne die flexiblen elektrischen Verbindungen lösen zu müssen. Hierzu ist der axiale Kraftschluss (Kraft P) des Stapels nur so weit zu lösen, dass die jeweiligen Wärmeableiter 10 bis 15 mm auseinander geschoben werden können. The assembly of the stack can largely be done without the dirt-sensitive power semiconductor wafers. These are ultimately used or replaced without having to unstack the components and without having to disconnect the flexible electrical connections. For this purpose, the axial frictional connection (force P) of the stack can only be loosened to such an extent that the respective heat dissipators can be pushed apart by 10 to 15 mm.
Insgesamt ist mit dieser Anordnung mithin eine Verringerung des Bauvolumens bei gleichzeitiger Minderung der Verlustleistung und damit der Betriebskosten zu erreichen, wobei zusätzlich für die einzelnen Leistungshalbleiterscheiben die Kosten für ein getrenntes Gehäuse eingespart werden. Overall, with this arrangement, a reduction in the construction volume while simultaneously reducing the power loss and thus the operating costs can be achieved, the costs for a separate housing additionally being saved for the individual power semiconductor wafers.
3 3rd
5 5
10 10th
15 15
20 20th
25 25th
30 30th
35 35
40 40
V V
1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings
Claims (8)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3342102A DE3342102C2 (en) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | Structure of stackable, housing-less power semiconductors for evaporative cooling |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH665730A5 true CH665730A5 (en) | 1988-05-31 |
Family
ID=6214908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH5493/84A CH665730A5 (en) | 1983-11-18 | 1984-11-16 | ARRANGEMENT OF A HOUSELESS POWER SEMICONDUCTOR DISC TO BE SUBMERSED IN A BOILING LIQUID, AND STACK OF SUCH ARRANGEMENTS. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT391775B (en) |
CH (1) | CH665730A5 (en) |
DE (1) | DE3342102C2 (en) |
ES (1) | ES537385A0 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040051A (en) * | 1988-12-05 | 1991-08-13 | Sundstrand Corporation | Hydrostatic clamp and method for compression type power semiconductors |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2907780A1 (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-11 | Alsthom Atlantique | Support box for cooled power semiconductor - has cylindrical anode and cathode held together by polygonal plates with three parallel holding bolts |
-
1983
- 1983-11-18 DE DE3342102A patent/DE3342102C2/en not_active Expired
-
1984
- 1984-11-05 ES ES537385A patent/ES537385A0/en active Granted
- 1984-11-16 AT AT0363484A patent/AT391775B/en not_active IP Right Cessation
- 1984-11-16 CH CH5493/84A patent/CH665730A5/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3342102C2 (en) | 1986-06-19 |
ATA363484A (en) | 1990-05-15 |
ES8600570A1 (en) | 1985-10-16 |
ES537385A0 (en) | 1985-10-16 |
AT391775B (en) | 1990-11-26 |
DE3342102A1 (en) | 1985-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3005313C2 (en) | Semiconductor device | |
DE2556749A1 (en) | POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT IN DISC CELL DESIGN | |
DE1639039A1 (en) | Disc-shaped semiconductor device | |
DE1589847A1 (en) | Semiconductor rectifier arrangement | |
DE3009511C2 (en) | Pressure-contacted semiconductor device | |
EP1318545A1 (en) | Power semiconductor submodule and power semiconductor module | |
DE1514477C3 (en) | Semiconductor arrangement with a number of semiconductor components | |
DE2012440C3 (en) | Semiconductor arrangement for gas-tight sealed disk-shaped semiconductor elements | |
DE2611749A1 (en) | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A PRESSURE-CONTACTABLE SEMICONDUCTOR COMPONENT | |
DE3201296C2 (en) | Transistor arrangement | |
CH680478A5 (en) | ||
CH665730A5 (en) | ARRANGEMENT OF A HOUSELESS POWER SEMICONDUCTOR DISC TO BE SUBMERSED IN A BOILING LIQUID, AND STACK OF SUCH ARRANGEMENTS. | |
DE2104726A1 (en) | Semiconductor component | |
DE3444173C2 (en) | Boiling cooling device for power semiconductor elements | |
DE3439339A1 (en) | ELECTRIC HEATING UNIT | |
DE102015213916A1 (en) | The power semiconductor module arrangement | |
DE19615112A1 (en) | Power semiconductor component with two-lid housing | |
AT391774B (en) | ARRANGEMENT FOR THE COOLING OF STACKABLE, DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR COMPONENTS | |
DE2840399A1 (en) | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT OF SEMICONDUCTOR DISC CONNECTED IN STACKING TECHNOLOGY IN A HOUSING, AT LEAST ONE PN TRANSITION | |
CH695406A5 (en) | Gate Turn-Off thyristor Rectified. | |
DE4210643A1 (en) | Cooling appts. with conductive medium for semiconductor devices - has thermally highly conductive insulators between coolant and devices and externally insulated container | |
DE3401785A1 (en) | CLAMPING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS | |
DE2150127A1 (en) | Rectifier arrangement | |
DE523622C (en) | Metal rectifier | |
DE19711965C2 (en) | Device for the low-inductance connection of a switchable thyristor to its control device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PL | Patent ceased |