CH468139A - Lumineszenzdiode mit einem AIIIBv-Halbleiter-Einkristall und einem durch Legieren hergestellten ebenen pn-Übergang - Google Patents

Lumineszenzdiode mit einem AIIIBv-Halbleiter-Einkristall und einem durch Legieren hergestellten ebenen pn-Übergang

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CH468139A
CH468139A CH982366A CH982366A CH468139A CH 468139 A CH468139 A CH 468139A CH 982366 A CH982366 A CH 982366A CH 982366 A CH982366 A CH 982366A CH 468139 A CH468139 A CH 468139A
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alloying
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light
emitting diode
single crystal
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CH982366A
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Winstel Guenter Dr Dipl-Phys
Karl-Heinz Dipl Phys Zschauer
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Siemens Ag
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CH982366A 1965-07-07 1966-07-05 Lumineszenzdiode mit einem AIIIBv-Halbleiter-Einkristall und einem durch Legieren hergestellten ebenen pn-Übergang CH468139A (de)

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NL6609463A (de) 1967-01-09
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