Leistungstransistor Diese Erfindung betrifft einen Leistungstransistor mit einem Halbleiter-Grundkörper und einem Kollek tor eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer am Kollektor angrenzenden Basis entgegengesetzten Leitfähigkeits- typs und einem an der Basis angrenzenden Emitter gleichen Leitfähigkeitstyps wie der Kollektor.
Aufgabe der Erfindung ist, thermische Schäden in Transistoren zu vermeiden.
Neuere Untersuchungen über die Betriebssicherheit von Transistoren führten zu dem Ergebnis, dass bei bestimmten kritischen inneren Temperaturen Mängel oder Defekte (z. B. solche, die sich auf Grund von che mischen Verunreinigungen ergeben) in Transistorkör pern und Unstabilitäten in den die Wärme erzeugenden und Verluste bewirkenden Teilen zu örtlichen Erhit zungen führen.
In Bauelementen, in denen hohe Lei stungsdichten auftreten sollen, führen diese örtlichen Erhitzungen, die auch als Heissstellenbildung bezeich net werden, zu steigenden Strömen und Temperaturen in einem- kleinen Emittergebiet oder Emitter-Basis- Ü'bergangsgebiet. Wenn die Temperatur der Heissstelle zu hoch wird, treten Störungen in dem Bauelement auf. Physikalisch kann diese Störung als Emitter-Kol- lektor-Kurzschluss auftreten.
Diese Art von Störungen wird auch als Sekundärdurchbruch oder als Heiss- stellen-Störung bezeichnet; sie ist beschrieben in dem Artikel Thermal Instabilities and Hot Spots in Junc- tion Transistors von R.
M. Scarlett u. a. in dem Buch Physics of Failure in Electronics , Seiten 194-203, Spartan Books Inc. (1963). Die obengenannten Be zeichnungen für die erwähnten Störungen, wie sie auch hier verwendet werden, sind synonym aufzufassen.
Typische elektrische Voraussetzungen, unter denen Sekundärdurchbrüche und die dadurch bedingten Nachteile im Transistor-Betrieb auftreten, sind be schrieben in dem Buch Power Transistor Handbook von Motorola Inc., Seiten 31-35 (1960).
Bei einigen bekannten Bauelementen ist versucht worden, das Problem der Heissstellen dadurch zu lösen, dass besondere Emitter-Widerstände verwendet wurden. Eine Anordnung dieser Art erfordert eine ver- hältnismässig grosse Zahl von Widerständen mit hohen Widerstandswerten, .die mit den Erfordernissen der Basis-Emitter-Spannung und des Sättigungswiderstan des des Bauelementes entsprechend abgestimmt sein müssen. Im günstigsten Fall sind bekannte Anordnun gen dieser Art umständlich und aufwendig, und sie bereiten insbesondere bei der Fertigung höherer Stück zahlen erhebliche Schwierigkeiten.
Der erfindungsgemässe Leitungstransistor ermög licht eine Lösung des Problems der Heissstellen und kennzeichnet sich durch eine Widerstandsschicht, wel che über wenigstens einem Teil des Emitterbereis aus gebildet ist und mit ihm in ohmsahem Kontakt steht, um die Ausbildung von Heissstellen zu verhindern.
Die Widerstandsschicht bewirkt bei der beschriebe nen Einrichtung einen niedrigen Gesamtwiderstand zwischen dem Emitterkontakt und dem Basis-Emitter- Übergang und einen höheren effektiven Seriewider- stand zwischen dem Emitterkontakt und kleinen Emit- tergebieten oder Basis Emitter-Übergangsgebieten. Der geringe Gesamtwiderstand zwischen dem Emitterkon- takt und dem
Basis-Emitter-'Gbergang verhindert ein unerwünschtes Anwachsen der Basis-Emitter-Spannung und des Sättigungswiderstandes. Der verhältnismässig hohe Serienwiderstand zwischen dem Emitterkontakt und kleinen Basis-Emitter-Ubergangsgebieten (z. B. einer Heissstelle) bewirkt, dass die Stromkonzentration in einem solchen Gebiet wirksam begrenzt wird.
Diese Begrenzung des Stromes verhindert im wesentlichen das Auftreten von Heissstellenstörungen, ohne dass die Wirkungsweise des Bauelementes beeinträchtigt wird, so dass hohe Belastungen in kleinen Leistungstransistor- Anordnungen untergebracht werden können.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeich nung beispielsweise näher erläutert.
Fig.1 zeigt in vereinfachter Darstellung und unter Entfernung bestimmter Teile eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäss ausgebildeten Transistor. Fig. 2 zeigt einen Schnitt in Seitenansicht nach der Linie 2-2 der Fig. 1.
Der in den Fig. 1 und 2 dargestellte Leistungstran sistor hoher Belastbarkeit weist einen Grundkörper 10 aus Einkristall-Halbleitermaterial (z. B. aus Silizium) auf; er hat eine ebene ,obere Fläche 12. In -dem Grundkörper 10 sind. benachbarte Gebiete bestimmter Leitfähigkeitstypen ausgebildet.
Ein typisches Ausfüh rungsbeispiel ist das dargestellte Bauelement, bei dem in dem Körper der dargestellten Halbleiterplatte ein Kollektorgebiet 14 ausgebildet ist, welches einen ersten Leitfähigkeitstyp hat. Dieser erste Leitfähigkeitstyp sei beispielsweise die n-Leitfähigkeit, die man entweder durch gleichmässiges Dotieren des Kristalls beim Wachstum erhält, oder aber durch nachfolgendes Dotieren mit geeigneten Dotierungsmitteln, wie bei spielsweise Arsen, Phosphor und Antimon. Dotie- rungsverfahren dieser Art sind bekannt.
Innerhalb des Kollektors 14 ist ein Basisbereich 16 ausgebildet, welcher gegenüber dem Kollektor 14 den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp hat. Nach fertiger Ausbildung erstreckt sich die Basis 16 bis zu der Flä che 12. Wenn der Kollektor die n-Leitfähigkeit hat, hat die Basis 16 die p-Leitfähigkeit, und diese wird bei spielsweise durch Eindiffundierung von Bor, Alumi nium oder Indium in den Kollektor 14 erhalten. Wenn ein Silizium-Grundkörper verwendet wird, kann ein Oxyd auf der Oberfläche des Grundkörpers gebildet und als Maske benutzt werden.
Das Oxyd auf dem Grundkörper 10 wird zunächst durch bekannte Foto- verfahren selektiv dort entfernt, wo die Basis ausgebil det werden soll. Der Grundkörper wird dann in einem Diffusionsofen untergebracht, in dem das Dotierungs- mittel eingeführt und anschliessend die Diffusion durchgeführt wird. Diese Verfahrensschritte und ihre Durchführung im Einzelnen sind in der Technik be kannt.
Beispielsweise werden das Diffusionsverfahren und die damit zusammenhängenden Verfahrensschritte von Dr. G. E. Moore in dem Buch Microelectronics , herausgegeben von E. Keonjian, Seiten 268-281, McGraw Hill Book Co., Inc. (1963), beschrieben.
Im unmittelbaren Anschluss an die Basis 16 und innerhalb der Basis ist ein Emitterbereich 18 ausgebil det, welcher den gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Kollektor 14 hat. Der Emitter 18 erstreckt sich ebenso wie die Basis 16 zur Oberfläche 12. Wenn der Grund körper die n-Leitfähigkeit hat, wird der Emitter 18 in der oben beschriebenen Art dadurch hergestellt, dass n-Dotierungen, z. B. Phosphor, Arsen und Antimon, durch eine Maske eindiffundiert werden.
Bei Verwen dung eines Silizium-Grundkörpers besteht diese Maske vorzugsweise aus Siliziumoxyd, das während der vor hergegangenen Diffusion der Basis oder aber nach die sem Diffusionsschritt ausgebildet wurde.
Wenigstens ein Teil der Oberfläche des Grundkör pers ist nun durch eine isolierende Schicht 20 ge schützt, welche bei Verwendung eines Silizium-Grund- körpers aus Siliziumoxyd besteht. Diese Isolierschicht 20 kann das gleiche Oxyd sein, das während der oben beschriebenen Diffusionsschritte zur Maskierung be nutzt wurde. Da die Ausbildung des Siliziumoxyds und von Isolierschichten in .dem betreffenden Zweig der Technik bekannt sind, erübrigt sich eine weitere Be schreibung.
Anschliessend werden Teile der Isolierschicht selektiv entfernt, so dass bestimmte Gebiete des Halb leitermaterials freigelegt werden, an denen ein Basis- kontakt 24 und eine Widerstandsschicht 2 ohmisch angebracht werden können.
Durch fotografische Ver fahren wird ein rechteckiger Teil der Isolierschicht 20 über dem Emitter 18 in der Nähe des Basis-Emitter- überganges entfernt, so dass das Emittergebiet an der Oberfläche freiliegt. Die Entfernung dieses Teils der Isolierschicht 20 ermöglicht, dass die Widerstands schicht 27 in ohmschen Kontakt mit der freiliegenden Oberfläche des Emitters 18 in der Nähe des Randes des Basis-Emitter-Überganges an der Oberfläche 12 gebracht wird, während der Rest der Schicht (Bezugs zeichen 26)
gegenüber der Oberfläche 12 durch die Isolierschicht 20 isoliert ist. Der ohmsche Kontakt zu dem freigelegten Emitter 18 wird erleichtert durch die Aufbringung des sehr dünnen Films 27 aus leitendem Material, beispielsweise Aluminium, auf die freilie gende Emitterfläche. Die Widerstandsschicht 26 kann aus einem Material mit hohem spezifischen Widerstand ausgebildet werden, beispielsweise aus Chromnickel, Cermet (einer starken Legierung einer hitzebeständi gen Verbindung, z. B. Titancarbid, und einem Metall, z. B.
Nickel), Zinnoxyd, Indiumoxyd, und Legierungen des Aluminium, Tantal und Titan. Die Ausbildung die ser Schicht kann durch Vakuumauftragung erfolgen, durch Plattieren, Kathodenzerstäubung oder andere bekannte Vakuumverfahren und Verdampfungstechni- ken, wie sie beispielsweise in Thin Film Circuit Tech- nology IEEE Spectrum Seiten 72-80 (April 1964) beschrieben sind.
Als Beispiel sei genannt, dass eine Chromnickel-Widerstandsschicht mit einer Stärke von etwa 50-100 000 A durch Vakuumverdampfung aufge tragen wird und die Widerstandsschicht 26 bildet.
Basisanschluss 22 und Emitteranschluss 32 werden durch ohmsche Kontakte 24 und 28 mit der Basis 16 bzw. der Widerstandsschicht 26 ohmisch verbunden. Der Kontakt 24 besteht aus einer in. geeigneter Weise aufgetragenen leitenden Metallschicht mit rechteckiger, rahmenartiger Form, welche wenigstens auf einem Teil der Basis 16 angeordnet ist, der nach Entfernung der Isolierschicht 20 an der Oberfläche 12 freiliegt. Das selektive Entfernen der Oxydschicht kann durch foto grafische Verfahren erfolgen.
In ähnlicher Weise wird der Kontakt 28 dadurch ausgebildet, dass eine feste, rechteckig geformte Schicht aus leitfähigem Material über oder unter der Widerstandsschicht 26 ausgebildet wird. Die Kontakte 24 und 28 bestehen aus Metall hoher Leitfähigkeit, welches einen ohmschen Kontakt mit einem Halbleiter und einer Widerstandsschicht bil den kann, beispielsweise aus Aluminium.
Die Kontakte können durch Vakuumverdampfung durch eine Maske gebildet werden, so dass sie die erwünschte Form er halten, oder dadurch, dass sie auf die gesamte Oberflä che des Grundkörpers 10 aufgetragen werden, wobei anschliessend überflüssige Teile in bekannter Weise durch Ätzung oder andere geeignete Verfahren entfernt werden, um die gewünschte Ausbildung zu erhalten. Das letztere Verfahren ist in der USA-Patentschrift Nr. 3 108 359 (Gordon E. Moore N. Noyce) beschrie ben.
Nachdem die Kontakte ausgebildet sind, wird das Bauelement im allgemeinen erhitzt, so dass sich eine Legierung an den Metall-Silizium-Grenzschichten er gibt, und ein guter ohmscher Kontakt zwischen dem Metall und dem Silizium gebildet wird. Basisanschluss 22 und Emitteranschluss 32 können an den leitfähigen Schichten 24 bzw. 28 durch bekannte Verbindungs oder Schweissverfahren angebracht werden, beispiels weise durch Ultraschallverbindung, Thermokompres- sionsverbindung oder ähnliche Verfahren, wie sie bei spielsweise in dem USA-Patent 2<B>981877</B> (Robert N. Noyce) ausgegeben am 25. April 1961, beschrieben sind.
Bei der Herstellung des Transistors wird schliess- lich ein elektrischer Kontakt am Kollektor 14 ange bracht, welcher beispielsweise als Metallschicht 34 durch Plattierung oder Vakuumauftragung hergestellt sein kann und die gesamte rückwärtige Seite des Grundkörpers 10 bedeckt.
Der wesentlichste Unterschied zwischen dem erfin- dungsgemäss ausgebildeten Transistor und Transistoren bekannter Art liegt in der zusätzlichen Ausbildung der Widerstandsschicht 26. Die Widerstandsschicht 26 trägt wenig bei zu dem Gesamtwiderstand zwischen dem Emitteranschluss 32 und dem Basis-Emitter- Hbergang. Der Spannungsabfall über dem zusätzlichen Widerstand liegt im allgemeinen in der Grössenord- nung zwischen 0,1 V und 1,0 V. Der Wert des zusätzli chen Widerstandes ist im wesentlichen eine Funktion der Schichtstärke, der Breite und der Länge.
Der Widerstandsweg zu einem kleinen Gebiet, beispiels weise einer Heissstelle 36, wird in der Regel einen Wert haben, der zwischen 1 und 30 Ohm liegt. Dieser verhältnismässig hohe Widerstand ist der Tatsache zu- zuschreiben, dass die Breite des Schichtweges zu einer einzelnen Stelle sehr gering ist, und der Widerstand ist dementsprechend hoch. Der hohe Widerstand begrenzt den Strom, der an einer Heissstelle konzentriert wer den kann.
Dies wiederum stellt eine sehr wirksame Begrenzung der Möglichkeit dar, dass eine Heissstelle zu einer dauernden Schadenstelle in dem Transistor wird, so dass höhere Stromdichten erreicht werden können, welche ermöglichen, dass die Bauelemente sehr ldein gebaut werden können und hohe Leistungen aufnehmen. Die Widerstandsschicht arbeitet daher weitgehend als ein Mittel, um eine gleichmässige Injek tion durch ein Emittergebiet zu erreichen. Eine solche gleichmässige Injektion führt zu einer verbesserten hohen Frequenzstabilität und einem sehr niedrigen hfe (Gleichstromsignal-Stromverstärkungsfaktor).
Die obige Beschreibung eines Ausführungsbeispiels ren, insbesondere auf einen einfachen Leistungstran sistor. Wenn die Erfindung auch bei Leistungstransisto ren von besonderer Bedeutung ist, so ist sie jedoch auch bei anderen Bauelementen mit Vorteil anwend bar, bei denen Heissstellen, Sekundärdurchbrüche usw. zum Versagen der Bauelemente führen können. Auch ist die Erfindung bei komplizierteren Transistorbauar ten verwendbar, beispielsweise bei dem iiiterdigitalen Bauelement, wie es in dem USA-Patent Nr. 3 225 261 (Helmut F.
Wolf) beschrieben ist, oder bei solchen Transistorbauarten, wie sie in Transistor Enginee ring von Alvin B. Phillips, McGraw-Hill, New York 1962, beschrieben sind.
Power Transistor This invention relates to a power transistor having a semiconductor body and a collector of a first conductivity type, a base adjacent to the collector of opposite conductivity type and an emitter adjacent to the base of the same conductivity type as the collector.
The object of the invention is to avoid thermal damage in transistors.
More recent investigations into the operational safety of transistors have led to the result that at certain critical internal temperatures, defects or defects (e.g. those resulting from chemical impurities) in transistor bodies and instabilities in the heat-generating and losses causing parts lead to local heating.
In components in which high power densities are to occur, this local heating, which is also referred to as hot spot formation, leads to increasing currents and temperatures in a small emitter area or emitter-base transition area. If the temperature of the hot spot becomes too high, faults occur in the component. Physically, this disturbance can occur as an emitter-collector short circuit.
This type of fault is also referred to as a secondary breakthrough or a hot spot fault; it is described in the article Thermal Instabilities and Hot Spots in Junction Transistors by R.
M. Scarlett et al. a. in the book Physics of Failure in Electronics, pp. 194-203, Spartan Books Inc. (1963). The abovementioned terms for the malfunctions mentioned, as they are also used here, are to be understood as synonymous.
Typical electrical conditions under which secondary breakdowns and the resulting disadvantages occur in transistor operation are described in the book Power Transistor Handbook by Motorola Inc., pages 31-35 (1960).
In some known components, attempts have been made to solve the problem of hot spots by using special emitter resistors. An arrangement of this type requires a relatively large number of resistors with high resistance values, which must be matched accordingly to the requirements of the base-emitter voltage and the saturation resistance of the component. In the best case, known Anordnun conditions of this type are cumbersome and expensive, and they cause considerable difficulties, especially in the production of higher numbers.
The inventive line transistor enables a solution to the problem of hot spots and is characterized by a resistance layer which is formed over at least part of the emitter area and is in ohmic contact with it to prevent the formation of hot spots.
In the device described, the resistance layer brings about a low total resistance between the emitter contact and the base-emitter junction and a higher effective series resistance between the emitter contact and small emitter regions or base-emitter junction regions. The low total resistance between the emitter contact and the
The base-emitter junction prevents an undesired increase in the base-emitter voltage and the saturation resistance. The relatively high series resistance between the emitter contact and small base-emitter junction areas (e.g. a hot spot) has the effect that the current concentration in such an area is effectively limited.
This limitation of the current essentially prevents the occurrence of hot spot faults without the functioning of the component being impaired, so that high loads can be accommodated in small power transistor arrangements.
The invention is explained in more detail below with reference to the drawing voltage, for example.
1 shows a simplified illustration and with certain parts removed, a plan view of a transistor designed according to the invention. FIG. 2 shows a section in side view along the line 2-2 of FIG. 1.
The power transistor shown in Figures 1 and 2 high load capacity has a base body 10 made of single crystal semiconductor material (z. B. made of silicon); it has a flat, upper surface 12. In the base body 10 are. adjacent areas of certain conductivity types formed.
A typical Ausfüh approximately example is the component shown, in which a collector region 14 is formed in the body of the semiconductor plate shown, which has a first conductivity type. This first conductivity type is, for example, the n-conductivity, which is obtained either by uniformly doping the crystal during growth, or by subsequent doping with suitable dopants, such as arsenic, phosphorus and antimony. Doping methods of this type are known.
A base region 16, which has the opposite conductivity type to that of the collector 14, is formed within the collector 14. After completion of the training, the base 16 extends to the surface 12. If the collector has the n-conductivity, the base 16 has the p-conductivity, and this is for example by diffusion of boron, Alumi nium or indium into the collector 14 received. When a silicon base is used, an oxide can be formed on the surface of the base and used as a mask.
The oxide on the base body 10 is first selectively removed by known photographic processes where the base is to be formed. The main body is then placed in a diffusion furnace, in which the dopant is introduced and then the diffusion is carried out. These process steps and their implementation in detail are known in the art.
For example, the diffusion process and the related process steps are carried out by Dr. G. E. Moore in Microelectronics, edited by E. Keonjian, pages 268-281, McGraw Hill Book Co., Inc. (1963).
Immediately adjacent to the base 16 and within the base, an emitter region 18 is formed which has the same conductivity type as the collector 14. The emitter 18 extends just like the base 16 to the surface 12. If the base body has the n-conductivity, the emitter 18 is produced in the manner described above in that n-doping, e.g. B. phosphorus, arsenic and antimony, are diffused through a mask.
When using a silicon base body, this mask is preferably made of silicon oxide that was formed during the previous diffusion of the base or after this diffusion step.
At least part of the surface of the base body is now protected by an insulating layer 20 which, when a silicon base body is used, consists of silicon oxide. This insulating layer 20 can be the same oxide that was used for masking during the diffusion steps described above. Since the formation of silicon oxide and insulating layers are known in the relevant branch of technology, no further description is required.
Subsequently, parts of the insulating layer are selectively removed so that certain areas of the semiconductor material are exposed, to which a base contact 24 and a resistance layer 2 can be applied ohmically.
A rectangular part of the insulating layer 20 above the emitter 18 in the vicinity of the base-emitter junction is removed by photographic processes, so that the emitter region is exposed on the surface. The removal of this part of the insulating layer 20 enables the resistance layer 27 to be brought into ohmic contact with the exposed surface of the emitter 18 near the edge of the base-emitter junction on the surface 12, while the remainder of the layer (ref 26)
is insulated from the surface 12 by the insulating layer 20. The ohmic contact to the exposed emitter 18 is facilitated by the application of the very thin film 27 of conductive material, for example aluminum, on the exposed emitter surface. The resistance layer 26 can be formed from a material with a high specific resistance, for example chromium-nickel, cermet (a strong alloy of a heat-resistant compound, e.g. titanium carbide, and a metal, e.g.
Nickel), tin oxide, indium oxide, and alloys of aluminum, tantalum and titanium. This layer can be formed by vacuum application, by plating, cathode sputtering or other known vacuum processes and evaporation techniques, as described, for example, in Thin Film Circuit Technology IEEE Spectrum pages 72-80 (April 1964).
As an example, it should be mentioned that a chromium-nickel resistance layer with a thickness of approximately 50-100,000 A is applied by vacuum evaporation and forms the resistance layer 26.
Base connection 22 and emitter connection 32 are ohmically connected to base 16 and resistance layer 26 by ohmic contacts 24 and 28. The contact 24 consists of a suitably applied conductive metal layer with a rectangular, frame-like shape, which is arranged at least on a part of the base 16 which is exposed on the surface 12 after the insulating layer 20 has been removed. The selective removal of the oxide layer can be done by photographic processes.
Similarly, contact 28 is formed by forming a solid, rectangularly shaped layer of conductive material above or below resistive layer 26. The contacts 24 and 28 are made of high conductivity metal, which can form an ohmic contact with a semiconductor and a resistive layer, for example aluminum.
The contacts can be formed by vacuum evaporation through a mask so that they keep the desired shape, or by applying them to the entire surface of the base body 10, with superfluous parts subsequently being removed in a known manner by etching or other suitable methods in order to receive the desired training. The latter method is described in U.S. Patent No. 3,108,359 (Gordon E. Moore N. Noyce).
After the contacts have been formed, the component is generally heated so that an alloy is formed at the metal-silicon interfaces and a good ohmic contact is formed between the metal and the silicon. Base connection 22 and emitter connection 32 can be attached to the conductive layers 24 and 28 by known connection or welding methods, for example by ultrasonic connection, thermocompression connection or similar methods, as for example in the USA patent 2 <B> 981877 </ B> (Robert N. Noyce) issued April 25, 1961.
During the manufacture of the transistor, an electrical contact is finally made on the collector 14, which can be manufactured, for example, as a metal layer 34 by plating or vacuum deposition and covers the entire rear side of the base body 10.
The most essential difference between the transistor designed according to the invention and transistors of a known type lies in the additional design of the resistance layer 26. The resistance layer makes little contribution to the overall resistance between the emitter connection 32 and the base-emitter junction. The voltage drop across the additional resistor is generally of the order of magnitude between 0.1 V and 1.0 V. The value of the additional resistor is essentially a function of the layer thickness, the width and the length.
The resistance path to a small area, for example a hot spot 36, will usually have a value between 1 and 30 ohms. This comparatively high resistance is attributable to the fact that the width of the layer path to a single point is very small, and the resistance is correspondingly high. The high resistance limits the current that can be concentrated at a hot spot.
This in turn represents a very effective limitation of the possibility that a hot spot will become a permanent damage point in the transistor, so that higher current densities can be achieved which enable the components to be built very individually and to consume high powers. The resistive layer therefore works largely as a means to achieve uniform injection through an emitter area. Such a uniform injection leads to an improved high frequency stability and a very low hfe (direct current signal current amplification factor).
The above description of an exemplary embodiment ren, in particular on a simple power transistor. If the invention is also of particular importance for power transistors, it can also be used with advantage in other components where hot spots, secondary breakouts, etc. can lead to component failure. The invention can also be used in more complicated transistor designs, for example in the case of the iiiterdigital component, as described in US Pat. No. 3,225,261 (Helmut F.
Wolf), or in the case of transistor designs as described in Transistor Engineering by Alvin B. Phillips, McGraw-Hill, New York 1962.