CH439233A - Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems auf aus dem betreffenden Element bestehende Grundkristalle - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems auf aus dem betreffenden Element bestehende GrundkristalleInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES74176A DE1204197B (de) | 1961-06-02 | 1961-06-02 | Verfahren zum Herstellen kristalliner, insbesondere einkristalliner Schichten aus Germanium oder Silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH439233A true CH439233A (de) | 1967-07-15 |
Family
ID=7504469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH185662A CH439233A (de) | 1961-06-02 | 1962-02-15 | Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems auf aus dem betreffenden Element bestehende Grundkristalle |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE618408A (en, 2012) |
CH (1) | CH439233A (en, 2012) |
DE (1) | DE1204197B (en, 2012) |
GB (1) | GB966811A (en, 2012) |
NL (1) | NL278620A (en, 2012) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6468886B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Midwest Research Institute | Purification and deposition of silicon by an iodide disproportionation reaction |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE509317A (en, 2012) * | 1951-03-07 | 1900-01-01 |
-
0
- NL NL278620D patent/NL278620A/xx unknown
-
1961
- 1961-06-02 DE DES74176A patent/DE1204197B/de active Pending
-
1962
- 1962-02-15 CH CH185662A patent/CH439233A/de unknown
- 1962-06-01 GB GB21148/62A patent/GB966811A/en not_active Expired
- 1962-06-01 BE BE618408A patent/BE618408A/fr unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB966811A (en) | 1964-08-19 |
NL278620A (en, 2012) | 1900-01-01 |
BE618408A (fr) | 1962-12-03 |
DE1204197B (de) | 1965-11-04 |
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