CH411068A - Verfahren zum Herstellen von Bauelementen nach Art gedruckter Schaltungen und nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Bauelementen nach Art gedruckter Schaltungen und nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement

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CH411068A
CH411068A CH1216462A CH1216462A CH411068A CH 411068 A CH411068 A CH 411068A CH 1216462 A CH1216462 A CH 1216462A CH 1216462 A CH1216462 A CH 1216462A CH 411068 A CH411068 A CH 411068A
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Description


  Verfahren zum Herstellen von Bauelementen nach     Art        gedruckter    Schaltungen  und nach diesem     Verfahren    hergestelltes Bauelement    Bauelemente nach Art der gedruckten Schaltun  gen bestehen grundsätzlich stets aus einem isolie  rende Eigenschaften aufweisenden Träger; der mit  fest in oder auf dem Träger haftenden Leiterzügen  aus beispielsweise Kupfer versehen ist.

   Diese Lei  terzüge können entweder auf einer Seite des Träger  materials oder auch auf beiden Seiten angebracht  sein; es können mehrere geeignet ausgeführte Ge  bilde aus Isolierträger und Leiterzügen zu sogenann  ten     Mehrlagenschal'tungen        kombiniert    werden, wobei  dann alle Lagen eine mechanische Einheit bilden,  oder es können auch die Leiterzüge völlig in das  Basismaterial eingebettet sein. Die Kupferleiter kön  nen beispielsweise im Photodruck, mit und ohne An  wendung galvanischer Verfahren in     Ätztechnik    aus  gebildet werden. Ebenso können sie jedoch auch  durch einen Prozess hergestellt werden, der es in  wirtschaftlicher Weise gestattet, Kupfer derart auf  einem Basismaterial abzuscheiden, dass hierdurch das  Leitermuster zur Ausbildung gelangt.  



  Üblicherweise werden entweder Endanschlüsse in  Form von Lötösen an die Leiterzüge angelötet, oder  aber es werden die mit den Leiterzügen zu verbin  denden Drähte direkt an diese     *angelötet.    Derartige       Anschlussverbindungen    zeigen den Nachteil, dass sie  insbesondere unter extremen Temperaturanforderun  gen sowie bei Stoss- und     Vibrationsbelastungen    zu  Unterbrechungen und zur elektrischen Geräuschbil  dung neigen.  



  Vom elektrischen und mechanischen Standpunkt  aus wären geschweisste Verbindungen zwischen den  Leitern und den zu diesen führenden     Anschlussdräh-          ten    sehr erstrebenswert. Es ist jedoch im     Regelfall     unmöglich, zum Herstellen derartiger Verbindungen  das Punktschweissen zu benutzen, da weder die re  lativ dünnen     Kupferleiterzüge    auf den Bauelementen    nach Art der gedruckten Schaltungen     (etwa    0,03  oder 0,06 mm dick) die Schweissströme aushalten  noch das     darunterliegende    Basismaterial.  



  Das an sich     gleichfalls    erstrebenswerte Hart  löten scheidet gleichfalls als Verbindungsmittel aus,  da die hierbei auftretenden Temperaturen regelmässig  übel der Zerstörungstemperatur für den verwendeten  Isolierstoff des Basismaterials liegen.  



  Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren  zum Herstellen von Bauelementen nach Art ge  druckter Schaltungen, mit einer gedruckten Leiter  platte, welche mit Bohrungen versehen ist, die mit  einer Metallschicht ausgestattet sind, und aus An  schlusselementen zum Herstellen von elektrischen       Verbindungen    zu jenen metallisierten Bohrungen und  zu mit diesen     elektrisch    verbundenen Leiterzügen.

    Das erfindungsgemässe Verfahren zeichnet sich von  den bekannten Verfahren dieser Art dadurch aus,  dass die Metallwandung in den Bohrungen oder die  Metalloberfläche der     Anschlusselemente    oder beide  mit mindestens einem Metall oder einer Legierung  aus der Gruppe überzogen werden, die aus     Indium,     Gallium, Zinn,     Indiumlegierungen    und     Galliumlegie-          rungen    besteht, dass das     Anschlusselement    in die ihm  zugeordnete Bohrung eingefügt wird und dass das  Bauelement, bestehend aus Leiterplatte und An  schlusselementen, einer Temperatur ausgesetzt wird,  die ausreicht,

   um zwischen der Metallschicht der  Bohrungswandung und dem     Anschlusselement    eine  Diffusionsverbindung auszubilden, welche durch Dif  fusion des     Metalles    oder der     Legierung    aus der  Gruppe von     Indium,    Gallium, Zinn,     Indiumlegie-          rungen    und     Gälliumlegierungen    entsteht.  



  Die Erfindung betrifft auch ein nach diesem Ver  fahren hergestelltes Bauelement. Dasselbe zeichnet  sich dadurch aus, dass zu seiner Verbindung mit      ausserhalb befindlichen anderen elektrischen Bauele  menten     Anschlusselemente    benutzt werden, die in       metallisierte    Löcher eingesetzt sind, wobei entweder  diese oder die     Anschlusselemente    mit mindestens  einem Stoff aus der Gruppe überzogen sind, welche  von     Indium,    Gallium, Zinn,     Indiumlegierungen    und       Galliumlegierungen    gebildet wird,

   und dass die An  schlusselemente in den ihnen zugeordneten Bohrungen  mit dem die Wandung derselben bildenden Metall  vermittels einer     Diffusionslegierungsverbindung    fest  verbunden sind.  



  Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der  Erfindung anhand der Zeichnung erläutert.  



       Fig.    1 zeigt in Aufsicht ein Bauelement nach  Art einer gedruckten Leiterplatte mit     Anschlussele-          menten.     



  Hierin bedeutet 10 das     Basismaterial,    11 die  Kupferleiter und 12 sind die metallisierten Bohrun  gen, welche mit den     Anschlusselementen    13 ver  sehen sind.  



       Fig.    2 bis 6 sind Schnittzeichnungen, welche eine  Bohrung und verschiedene, geeignete, erfindungs  gemässe     Anschlusselemente    darstellen.  



  In     Fig.    1 besteht beispielsweise das Basismaterial  10 aus einem Phenol- oder     Epoxyglas-Isolierstoff;     11 sind die Leiterzüge, die vorzugsweise aus Nicht  eisenmetallen, wie Kupfer, gebildet sind und bei  spielsweise in üblichen Photodruck und     Ätzverfah-          ren    ausgebildet sind. Ebenso kann auch ein anderes  zum Herstellen von Leitermustern nach Art der  gedruckten Schaltungen bekannt gewordenes Verfah  ren benutzt werden. Die Leiterzüge können beispiels  weise auch aus     Beryllium-Kupfer,    Zink,     Aluminium,     Zinn oder einer     Bronze    bestehen.

   Auch Kadmium,  Wismut, Antimon, Gold,     Blei,    Magnesium, Mangan,       Molybdän,    Palladium, Platin, Silber, Titan und     Zir-          konium    sind als Ausgangsmaterial für die Leiter  züge geeignet. Ebenso alle Legierungen, welche über  wiegend aus einem oder mehreren der     obangeführten     Stoffe bestehen. Beispielsweise können     Kupfer-Nik-          kel-Verbindungen,    die     überwiegend    gewichtsmässig  aus Kupfer bestehen, benutzt werden.  



       Indium        zeigt    auch Diffusionserscheinungen mit  einer grossen Zahl anderer Materialien. Diese können       grundsätzlich    gleichfalls benutzt werden; in der Re  gel ist allerdings bei diesen die Diffusionsgeschwin  digkeit sehr gering.  



  Die Bohrungen 12 in     Fig.    1 sind vorzugsweise  mit einer     Verkupferung    der Wandung versehen und  können mit den Leiterzügen 11 eine elektrische  Einheit bilden. Diese Bohrungen sind genauer in  den     Fig.    2 bis 4 dargestellt. Die in diesen     Fig.    2 bis  4 dargestellten     Anschlusselemente    stellen Ausfüh  rungsformen dar, die sich als besonders     vorteilhaft     erwiesen haben.

   Jedes dieser     Anschlusselemente    weist  einen praktisch ringförmigen Querschnitt 13a zu  mindest in einem Teil seiner Länge auf, und dieser  Teil weist vorzugsweise einen Längsschlitz 13b auf,  der zulässt, dass dieser     Teilbezirk    des     Anschlussele-          mentes    federnd ist.     Mit    diesem Federteil wird das         Anschlusselement    in die Bohrung 12 eingesetzt. Die       Anschlusselemente    nach den     Fig.    2 bis 4 sind wei  terhin dergestalt ausgeführt, dass ein elektrischer An  schlussdraht in einfacher Weise entsprechend der Er  findung mit ihnen verbunden werden kann.  



  Mindestens eines der Gruppe von Bohrungen und       Anschlusselementen    ist mit einer Schicht versehen,  die aus zumindest einem der Stoffe der Gruppe be  steht, die im wesentlichen von     Indium,    Gallium, Zinn,       Indiumlegierungen    und     Galliumlegierungen        gebildet     wird. Die     Anschlusselemente    können aus jedem der  weiter oben aufgeführten Basismaterialien hergestellt  werden, die dort als geeignet bezeichnet wurden,  um die Leiterzüge des Leitermusters<B>11</B> zu bilden.

    Vorzugsweise bestehen sie aus     Beryllium-Kupfer    oder  anderen Nichteisenmetallen, die     vortei'lhafterweise          gute    Federeigenschaften aufweisen.  



  In einer anderen Ausführungsform bestehen die       Anschlusselemente    aus mehreren Schichten, wobei  auch eine     Eisenmetall-Schicht    Verwendung finden  kann. Dies ermöglicht es, Materialien mit besonders  guten mechanischen und Federeigenschaften zu be  nutzen. Beispielsweise kann das     Anschlusselement    aus  einem Röhrchen gebildet sein, das aus einer 42  Eisen enthaltenden     Eisen-Nickel-Legierung    besteht;  dieses Röhrchen ist entweder überhaupt oder auf  seiner inneren oder auf seiner äusseren Oberfläche  mit Kupfer oder einer überwiegend Kupfer enthal  tenden Legierung überzogen.  



  Das Ausrüsten der     Anschlusselemente    mit der       Indiumschicht    kann     vorteilhafterweise    auf galvani  schem Wege geschehen, und die Schichtdicke kann  beispielsweise 6,45 X 10-5 cm betragen. In gleicher  Weise ist Gallium geeignet.

   Geeignete     Indium-    oder       Galliumlegierungen    sind beispielsweise     Zinn-Indium,          Aluminium-Indium    und     Zink-Indium    mit einem In  dium-Gehalt von minimal 50     %,    gewichtsmässig sowie       Gallium-Zinn,        Aluminium-Gallium    und     Zink-Gal-          lium    mit einem Minimalgehalt an Gallium von 50     9ö,     gewichtsmässig. Geeignete Legierungen können bei  spielsweise auch aus mehreren Metallen mit     Indium     und Gallium bestehen.  



  Wie bereits ausgeführt, kann man, anstatt die       Anschlusselemente    30     (Fig.    6) mit     Indium    zu über  ziehen, auch die Kupferschicht in den Bohrungen 12  mit     Indium    oder einem anderen Stoff der     oban-          geführten    Gruppe überziehen. Ebenso kann es vor  teilhaft sein, sowohl die     Oberfläche    des     Anschluss-          elementes    30, als auch die Kupferschicht in der  Bohrung 12 mit     Indium,    Gallium oder mindestens  einem der zu der beanspruchten Stoffgruppe zählen  den Stoffe zu überziehen.  



  Nach den Untersuchungen der     Anmelderin    hat  es sich als zweckmässig erwiesen, die     Anschlussele-          mente    so auszubilden, dass sie unter Anwendung von  Druck in die zugeordneten Bohrungen der Leiter  platte     eingepresst    werden müssen. Hierzu wird vor  teilhafterweise der Ringdurchmesser grösser ausgebil  det als der Lochdurchmesser der zugeordneten Boh  rung. Hierdurch wird     bewirkt,    dass ein seitlicher bzw.      radialer Druck von beispielsweise 2     at    zwischen  Bohrungswandung und Wandung des     Anschlussele-          mentes    zur Ausbildung gelangt.  



  Nach dem Einsetzen der     Anschlusselemente    in  die zugeordneten Bohrungen der Leiterplatte wird  das Bauelement einer Temperatur ausgesetzt, die  geeignet ist, die Ausbildung der Diffusionsverbin  dung zwischen dem     Anschlusselement    und der Me  tallwandung der Bohrung herbeizuführen.  



  In einer bevorzugten Ausführung, in der die       Anschlusselemente        Indiumschichten    tragen, wird das  aus der Leiterplatte und den in deren Löcher ein  gesetzten     Anschlusselementen    gebildete Bauelement  nach Art der gedruckten Schaltungen beispielsweise  auf 250  C gebracht, eine Temperatur, die beträcht  lich über dem Schmelzpunkt von     Indium    (155,5  C)  liegt, jedoch unterhalb der Zerstörungstemperatur  für das verwendete Basismaterial, die beispielsweise  bei 315,5  C liegen kann.  



  Sobald das Bauelement auf eine Temperatur  erwärmt wird, die über 155,5  C liegt, schmilzt  das     Indium    und     beginnt    sowohl in das Kupfer des       Anschlusselementes    als auch in das Kupfer der Me  tallwandung der Bohrung zu diffundieren. Wird das  Bauelement beispielsweise für 30 Minuten auf einer  Temperatur gehalten, die oberhalb des Schmelzpunk  tes von     Indium    liegt, so kann darnach die Beendi  gung des Diffusionsvorganges auch bei Raumtempe  ratur     bewerkstelligt    werden. Allerdings findet sie bei  erhöhter Temperatur wesentlich schneller statt.

   Nach  der Beendigung der     Diffusion    bilden     Anschlusselement     und Kupferschicht in der Bohrung eine     feste,    mecha  nische Einheit;     sie    sind durch die     ausgebildete        Kup-          fer-Indium-Legierung    miteinander verbunden. Auf  Grund der Beobachtungen der     Anme'lderin.    ist anzu  nehmen, dass am Ende der Diffusionsperiode prak  tisch alles     Indium    in die entsprechende Legierung  umgewandelt ist.  



  Die vermittels der erfindungsgemässen Diffusions  legierungen bewirkte Verbindung zwischen     Anschluss-          element    und Metallschicht in der Bohrung weist eine  ausserordentlich hohe Festigkeit auf. Um beispiels  weise ein     Anschlusselement    von 0,15 cm äusserem  Durchmesser und 0,24 cm Verbindungslänge aus  der Bohrung zu reissen, sind mehr als 35 kg Zug  erforderlich. Ein Vergleichswert für ein gleichartiges,  eingelötetes     Anschlusselement    liegt bei etwa 19 kg  Zug.

   Diese für die praktische Verwendung derarti  ger Bauelemente besonders vorteilhafte, hohe Fe  stigkeit wird einmal dadurch bewirkt, dass eine Ver  bindung zwischen     Anschlusselement    und Metall  schicht in der Bohrung auf der ganzen Bohrungs  länge erfolgt, und zum anderen, da     Kupfer-Indium-          Legierungen    eine ganz ausserordentliche Scherfestig  keit aufweisen.  



  Um zu noch höheren     Festigkeiten    zu gelangen,  kann die Legierungsoberfläche vergrössert werden.       Fig.    4 zeigt eine beispielsweise Ausführung, bei der  das     Anschlusselement    einen Flansch 14 aufweist,    der sich mit dem von ihm bedeckten Gebiet von  11 durch Diffusion     verbindet.     



  Als besonderer Vorteil der Verbindung von An  schlusselementen und Leiterplatten zu Bauelementen  der beanspruchten Art besteht darin, dass die zur  Ausbildung kommenden     Diffusionslegierungen    ausser  ordentlich hohe     Schmelzpunkte    aufweisen. Beispiels  weise beträgt der Schmelzpunkt für die     Kupfer-          Indium-Diffusionslegierung    etwa 900  C.  



  Wie bereits ausgeführt, sind die     Anschlussele-          mente    nach einer erfindungsgemässen Ausgestaltung  derart ausgeführt, dass sie in einfacher Weise mit  einem     Drahtanschluss    verbunden werden können.  Wie die     Fig.    2 bis 4 zeigen, sind     hierfür    die ver  schiedenartigsten Ausführungsformen brauchbar. In  der Regel     wird    das     Anschlusselement    so ausgebildet  werden, dass der     Anschlussdraht        in    dessen Öffnung  eingeführt werden kann.  



  Jedoch sind auch andere Ausführungsformen un  ter Umständen besonders geeignet.     Fig.    2 und 4  zeigen beispielsweise     Anschlusselemente,    welche Fah  nen 15 aufweisen, die es in einfacher Weise ermög  lichen, einen     Anschlussdraht    anzuschweissen, herum  zuwinden,     einzusicken    oder auch anzulöten.  



  Das     Anschlusselement    nach     Fig.    3 besitzt eine       ringförmige    Verformung 16 mit einem Durchmesser;  der grösser ist als der im übrigen Teil des Ele  mentes. Hierdurch wird erreicht, dass die Feder  spannung, welche die Wandung des     Anschlusselemen-          tes    gegen die Metallschicht in der Bohrung presst,  erhöht wird.  



  In     Fig.    5 ist ein     Anschlusselement    dargestellt,  dessen Basismaterial aus einer     Eisenlegierung    be  steht, beispielsweise aus Nickel-Eisen mit 58 %     Nik-          kelgehalt.    Dieses     Anschlusselement    ist mit 20 be  zeichnet. Derartige Eisenlegierungen eignen sich  kaum dazu,     mit        Indium-Gallium    oder den anderen       Mitgliedern    der von der     Anmelderin    beanspruchten  Stoffgruppe Diffusionsverbindungen zu bilden.

   In  einer     Weiterführung    der Erfindung wird daher das       Anschlusselement    20 mit einer geeigneten, beispiels  weise einer Kupferschicht 21 überzogen. Als über  zugsmetall eignen sich alle jene Nichteisenmetalle,  die bereits als brauchbar für die Herstellung von       Anschlusselementen    aufgeführt sind. Auf die Kup  ferschicht wird dann beispielsweise eine Schicht von       Gallium    oder     Indium    aufgebracht. Die Kupferschicht  kann beispielsweise eine Dicke von 0,0025 cm auf  weisen. Das     Anschlusselement    nach     Fig.    5 ist ein  typisches Ausführungsbeispiel der erfinderischen  Lehren.

   Es ist in seinem Ringdurchmesser etwas  grösser als der Durchmesser der Bohrung, in die es  eingesetzt werden soll, und weist einen     Längsschlitz     auf, der ein federndes Nachgeben beim Einsetzen  in die Bohrung zulässt. Um auch einen     Anschlussdraht     mit dem     Anschlusselement    nach     Fig.    5 durch Dif  fusion verbinden zu können, kann auch die innere  Oberfläche desselben mit     Indium    oder einem anderen  Stoff der Gruppe überzogen werden.  



  Anhand der     Fig.    6 soll eine derartige Verbindung      zwischen einem     Anschlussdraht    und der Innenwan  dung eines     Anschlusselementes    näher betrachtet wer  den. Das     Anschlusselement    30 ist entsprechend je  nem nach     Fig.    3 ausgeführt. Es ist beispielsweise       innen    und aussen mit     Indium    überzogen.

   Ein An  schlussdraht 31 ist in das     Anschlusselement    30 ein  gesetzt und     vorteilhafterweise    ist dieses sodann, wie  in     Fig.    6 dargestellt,     eingepresst,    so dass ein fester  Kontakt zwischen Drahtoberfläche und Innenwan  dung des     Anschlusselementes    bewerkstelligt wird. An  schliessend     wird    die ganze Baueinheit der Wärme  behandlung ausgesetzt, um die Diffusionsverbindung  zwischen     Anschlussdraht    und     Anschlusselement    her  zustellen.

   Hierbei ist besonders vorteilhaft, dass eine  solche zweite     Wärmebehandlung    ohne Einfluss nach  teiliger Art auf eine beispielsweise in einem früheren  Verfahrensschritt ausgebildete     Diffusionsverbindung     zwischen Metallschicht in der Bohrung 12 und An  schlusselement 13 in     Fig.    3 bleibt. Es ist natürlich  auch möglich, beide     Diffusionsverbindungen    in einer       Wärmebehandlung    herzustellen.  



  Aus den vorstehenden Ausführungen ist zu er  sehen, dass die beschriebenen Bauelemente den gro  ssen Vorteil aufweisen, dass die Verbindung zu den  Leiterzügen des Leitermusters vermittels von An  schlusselementen     bewirkt    wird, die mit der Metall  schicht der metallisierten Bohrungen des Leiter  musters eine Legierung bilden, welche ausserordent  liche mechanische und Temperaturbeständigkeit auf  weist. An     derartigen        Anschlusselementen    können An  schlussdrähte beispielsweise durch Schweissen oder  durch analoge Metalldiffusion verbunden werden,  oder aber     durch    übliches Löten.

   In letzterem Fall  erweist sich als wesentlicher Vorzug gegenüber üb  lichen Lötverbindungen, dass auch praktisch beliebig       oftmaliges    Wiederholen des Lötvorganges zu     keiner     Verschlechterung der Eigenschaften der Verbindung       führt.    Hierdurch wird grösste Reparaturfähigkeit ge  währleistet.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE I. Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes nach Art einer gedruckten Schaltung mit einer ge druckten Leiterplatte, welche mit Bohrungen verse hen ist, die mit einer Metallschicht ausgestattet .sind, und aus Anschlusselementen zum Herstellen von elek trischen Verbindungen zu jenen metallisierten Boh rungen und zu mit diesen elektrisch verbundenen Leiterzügen, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall wandung in den Bohrungen oder die Metalloberfläche der Anschlusselemente oder beide mit mindestens einem Metall oder einer Legierung aus der Gruppe überzo gen werden, die aus Indium,
    Gallium, Zinn, Indium- legierungen und Galliumlegierungen besteht, dass das Anschlusselement in die ihm zugeordnete Bohrung ein gefügt wird, und dass das Bauelement, bestehend aus Leiterplatte und Anschlusselementen, einer Temperatur ausgesetzt wird, die ausreicht, um zwischen der Me tallschicht der Bohrungswandung und dem Anschluss- element eine Diffusionsverbindung auszubilden,
    wel che durch Diffusion des Metalles oder der Legierung aus der Gruppe von Indium, Gallium, Zinn, Indium- legierungen und Galliumlegierungen entsteht. II. Bauelement, hergestellt nach dem Verfahren gemäss Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass zu seiner Verbindung mit ausserhalb befindlichen anderen elektrischen Bauelementen Anschlussele- mente benutzt werden, die in metallisierte Löcher eingesetzt sind, wobei entweder diese oder die An schlusselemente mit mindestens einem Stoff aus der Gruppe überzogen sind,
    welche von Indium, Gallium, Zinn, Indiumlegierungen und Galliumlegierungen gebildet wird, und dass die Anschlusselemente in den ihnen zugeordneten Bohrungen mit dem die Wandung derselben bildenden Metall vermittels einer Diffu- sionslegierungsverbindung fest verbunden sind. UNTERANSPRÜCHE 1.
    Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlusselement derart aus gebildet ist, dass es vorzugsweise einen grösseren Durchmesser aufweist als die ihm zugeordnete Boh rung, und ferner mit einem derartigen Längsschlitz versehen wird, dass sich die Aussenwandung des selben mit hohem Druck, beispielsweise einem sol chen von 2,32 kg/cmz an die Bohrungswandung anschmiegt. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlusselemente aus Nichteisenmetallen bestehen, vorzugsweise aus Beryl- lium-Kupfer-Legierungen. 3.
    Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlusselemente aus Eisenmetallen, vorzugsweise aus Legierungen mit ho her Federkraft bestehen, beispielsweise aus Nickel- Eisen-Legierungen mit 52 % Nickelgehalt, und dass deren Oberfläche oder Oberflächen mit einer Über zugsschicht aus einem Nichteisenmetall oder einer solchen Legierung, vorzugsweise aus Kupfer, ver sehen wird. 4.
    Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement, bestehend aus Leiterplatte und in deren Bohrungen eingesetzte An schlusselemente, einer Temperatur ausgesetzt wird, welche höher ist als die Schmelzpunkttemperatur des zum Aufbau der Diffusionslegierung benutzten Stoffes, beispielsweise höher als 155,5 C, wenn Indium benutzt wird. 5. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass das Anschlusselement zumindest teilweise hohl ausgebildet ist, vorzugsweise röhrchen- artig, und dass diese Höhlung benutzt wird, um in ihr einen Anschlussdraht zu befestigen. 6.
    Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlusselement mit einer Anschlussfahne versehen wird, um mit ihr einen An schlussdraht zu verbinden. 7. Verfahren nach Unteranspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen einem Anschlussdraht und dem ihm zugeordneten Anschluss- element durch Schweissen geschieht. B. Verfahren nach Unteranspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen An schlussdraht und Anschlusselement durch Löten be werkstelligt wird. 9.
    Verfahren nach Unteranspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Verbinden von Anschluss- draht und zugeordnetem Anschlusselement entweder die Oberfläche des Drahtes oder die Innenwandung des Anschlusselementes oder beide in dem für die Ausbildung der Verbindung bestimmten Teil mit mindestens einem der Metalle oder Legierungen aus der Gruppe von Indium, Gallium, Zinn, Indium- Legierungen oder Galliumlegierungen überzogen werden,
    dass sodann der Anschluss in die Höhlung des Anschlusselementes eingeführt oder um die An schlussfahne desselben gewickelt und durch Anpres sen ein fester Kontakt zwischen Anschlussdraht und Anschlusselement-Innenwand herbeigeführt wird, und dass schliesslich das ganze Bauelement einer Tem peratur ausgesetzt wird, welche die Ausbildung einer Diffusionslegierung und damit die feste Verbindung von Anschlussdraht und Anschlusselement bewirkt.
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