CH378547A - Verfahren zur Veränderung des Querschnittes eines Stabes aus kristallinem Material insbesondere Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Veränderung des Querschnittes eines Stabes aus kristallinem Material insbesondere Halbleitermaterial

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CH378547A
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
CH534860A 1959-05-29 1960-05-10 Verfahren zur Veränderung des Querschnittes eines Stabes aus kristallinem Material insbesondere Halbleitermaterial CH378547A (de)

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DES63193A DE1148525B (de) 1959-05-29 1959-05-29 Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial

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