CH374120A - Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkörpers - Google Patents

Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkörpers

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CH374120A
CH374120A CH7796059A CH7796059A CH374120A CH 374120 A CH374120 A CH 374120A CH 7796059 A CH7796059 A CH 7796059A CH 7796059 A CH7796059 A CH 7796059A CH 374120 A CH374120 A CH 374120A
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CH
Switzerland
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doping
zone
semiconductor body
semiconductor
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CH7796059A
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German (de)
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Inventor
Karl Dr Siebertz
Original Assignee
Siemens Ag
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    • H10P10/00—
    • H10P32/00—
    • H10P95/00—
    • H10P95/50—
CH7796059A 1958-09-15 1959-09-08 Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkörpers CH374120A (de)

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DES59838A DE1144850B (de) 1958-09-15 1958-09-15 Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkoerpers unter Verwendung einer Legierungsform

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CH374120A true CH374120A (de) 1963-12-31

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CH7796059A CH374120A (de) 1958-09-15 1959-09-08 Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkörpers

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DE (1) DE1144850B (OSRAM)
FR (1) FR1232135A (OSRAM)
GB (1) GB881936A (OSRAM)
NL (1) NL242858A (OSRAM)

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NL88391C (OSRAM) * 1952-08-14

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GB881936A (en) 1961-11-08
NL242858A (OSRAM)
FR1232135A (fr) 1960-10-05
DE1144850B (de) 1963-03-07

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