BRPI0806510A2 - meio para armazenamento óptico com uma camada de máscara que fornece um efeito de campo próximo com super-resolução e método da respectiva fabricação - Google Patents

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Abstract

MEIO PARA ARMAZENAMENTO óPTICO COM UMA CAMADA DE MáSCARA QUE FORNECE UM EFEITO DE CAMPO PRóXIMO COM SUPER-RESOLUçãO E MéTODO DA RESPECTIVA FABRICAçãO. Trata-se de um meio para armazenamento óptico (1), em particular, um disco óptico somente para leitura, que compreende uma camada de substrato (2), uma camada de dados somente para leitura (3) que compreende uma estrutura de sulco e disposta sobre a camada de substrato (2), uma camada de máscara (4) que compreende nanopartículas para fornecer um efeito de campo próximo com super-resolução, e uma camada dielétrica (5) disposta entre a camada de dados (3) e a camada de máscara (4). A camada dielétrica (5) tem uma espessura (9, 10, 12, 13), que se altera dependendo da estrutura de sulco e é, por exemplo, uma camada plástica que possui uma superfície completamente plana para fornecer uma disposição uniforme das nanopartículas. Para a fabricação de um meio respectivo para o armazenamento óptico, a camada dielétrica (5) é disposta sobre a camada de dados (3) vantajosamente por meio de revestimento por rotação.

Description

"MEIO PARA ARMAZENAMENTO ÓPTICO COM UMA CAMADA DE MÁSCARA QUE FORNECE UM EFEITO DE CAMPO PRÓXIMO COM SUPER-RESOLUÇÃO E MÉTODO DA RESPECTIVA FABRICAÇÃO"
Campo da Técnica da Invenção
A presente invenção refere-se a um meio para armazenamento óptico, em particu- lar, um disco óptico, que usa um efeito de campo próximo com super-resolução para arma- zenar dados com uma alta densidade de dados em uma região somente de leitura, e um método de fabricação para um respectivo meio para armazenamento óptico.
Antecedentes da Técnica
Os meios para armazenamento ópticos são meios nos quais os dados são armaze- nados de modo opticamente legível, por exemplo, através de um laser e um fotodetector integrado em um leitor (pickup), sendo que o fotodetector é usado para detectar a luz refleti- da do feixe de laser quando lê os dados.
Até o presente momento, uma ampla variedade de meios para armazenamento de dados é conhecida, que são operados com diferentes comprimentos de onda de laser e que têm diferentes tamanhos para fornecerem capacidades de armazenamento a partir de me- nos de um Gigabyte até 50 Gigabytes (GB). Os formatos incluem formatos somente para leitura tais como CD de Áudio e DVD de Vídeo, meios ópticos de gravação única tais como CD-R e DVD-R, DVD+R, bem como formatos regraváveis do tipo CD-RW, DVD-RW e DVD+RW. Os dados digitais são armazenados nestes meios ao longo de faixas em uma ou mais camadas dos meios.
O meio de armazenamento com a mais alta capacidade de dados atualmente é o disco Blu-Ray (BD), que permite o armazenamento de 50 GB em um disco de camada du- pla. Os formatos Blu-Ray disponíveis são, atualmente, discos de BD-ROM somente de leitu- ra, BD-RE regraváveis e BD-R de gravação única. Para a leitura e a gravação de um disco Blu-Ray, é usado um leitor óptico opcional com um comprimento de onda de laser de 405 nm. No disco Blu-Ray, um intervalo de faixa de 320 nm e um comprimento de marca de 2T a 8T + 9T são usados, onde T é o comprimento de bit de canal e corresponde a um compri- mento de marca mínimo de 138 a 160 nm. O disco BD-RE regravável é baseado na tecno- logia de troca fase que compreende uma camada de troca de fase, que usa, por exemplo, um composto de AgInSbTe ou GeSbTe. As informações adicionais sobre o sistema de disco Blu-Ray estão disponíveis, por exemplo, junto ao grupo Blu-Ray através da internet: www.blu-raydisc.com.
Os novos meios para armazenamento de dados com uma estrutura de campo pró- ximo com super-resolução (Super-RENS) oferecem a possibilidade de aumentar a densida- de dos dados do meio para armazenamento óptico por um fator de quatro em uma dimen- são comparada com o disco Blu-Ray. Isto de faz possível devido a uma estrutura chamada de Super-RENS, que é colocada acima de uma camada de dados do meio para armazena- mento óptico e que reduz significativamente o tamanho efetivo de um ponto de luz usada para ler ou gravar o meio para armazenamento óptico. A camada de super-resolução é tam- bém chamada de camada de máscara, pois fica disposta acima da camada de dados e so- mente a parte central de alta intensidade de um feixe de laser pode penetrar a camada de máscara.
O efeito de Super-RENS permite registrar e ler os dados armazenados nas marcas de um disco óptico, que tenha um tamanho abaixo do limite de resolução de um feixe de laser usado para ler ou gravar os dados no disc. Conforme se tem conhecimento, o limite de difração da resolução do feixe de laser é lambda/(2*NA), onde Iambda é o comprimento de onda de laser e NA a abertura numérica da lente objetiva do leitor óptico.
A "Super resolution and frequency dependent-efficiency of near-field optical disks with silver nanoparticles" é descrita por Ng and Liu, Optics Express, Vol. 13, No. 23, 14 de novembro de 2005, p. 9422 - 9430. Conforme descrito, as nanopartículas de prata em uma camada de AgOx geram campos próximos que exibem um intenso aprimoramento de campo local em torno das nanopartículas devido aos plásmons de superfície localizados. As marcas de registro de sub-comprimento de onda menores que lambda/10 foram distinguíveis uma vez que as nanopartículas metálicas transferiram ondas evanescentes para os sinais detec- táveis no campo longe. O disco de super-RENS estudado por Ng and Liu inclui um material de troca de fase GeSbTe como uma camada de registro, uma camada de AgOx que inclui uma distribuição aleatória de nanopartículas de prata embutida na camada de AgOx e duas camadas dielétricas de ZnS-SiO2 como camadas protetoras para a camada AgOx.
Em US 2005/0009260, é descrito um disco óptico registrável, que compreende uma camada de troca de fase ou uma camada de metal como a camada de dados. Como a ca- mada de máscara, uma camada de óxido de metal ou uma camada de nanopartículas pode ser usada, por exemplo, uma camada com nanopartículas de platina.
Em EP 1724768, é descrito um meio para armazenamento óptico que compreende uma camada compósita transmissível à luz para fornecer um efeito de super-resolução, a camada compósita contém nanopartículas com um alto índice de refração para aumentar o índice de refração da camada compósita. A camada compósita pode ser aplicada através do uso de revestimento por rotação.
É revelada no documento WO 2005/098843 uma camada de máscara para um sis- tema de armazenamento em campo próximo de alta densidade, em que a camada de más- cara inclui nanopartículas embutidas em um material óptico não-linear para modificar um índice de refração.
Breve Sumário da Invenção
O meio para armazenamento óptico, de acordo com a invenção, compreende uma camada de substrato, uma camada de dados somente para leitura que compreende uma estrutura de sulco disposta sobre a camada de substrato, a camada de máscara que fornece um efeito de campo próximo com super-resolução através da utilização de nanopartículas e uma camada dielétrica disposta entre a camada de dados e a camada de máscara, que for- nece uma distância não-uniforme definida entre a camada de máscara e a estrutura de sulco da camada de dados. A distância entre a camada de máscara e a camada de dados, con- forme definida pela camada dielétrica, é, particularmente, de tal modo a ser alterada depen- dendo da estrutura de sulco.
Preferencialmente, as nanopartículas são selecionadas pra terem propriedades de modo que a seção transversal de espalhamento das nanopartículas aumente quando estive- rem próximas a um sulco, o que ocasiona uma forte interação entre a luz espalhada pelas nanopartículas e os sulcos. Por conseguinte, haverá uma modulação de sinal aumentada entre as nanopartículas e os sulcos e, portanto, os sulcos com sub-limite de difração podem ser detectados.
A camada dielétrica e4stá em uma modalidade preferencial, uma camada plástica, que é disposta sobre a camada de dados por meios de revestimento por rotação para forne- cer uma superfície plana da camada dielétrica. O meio para armazenamento óptico é, em particular, um disco óptico disposto para operar com um leitor Blu-Ray, de acordo com um leitor para o sistema do disco Blu-Ray.
Para uma fabricação de um disco óptico respectivo, primeiro o substrato que inclui a estrutura de sulco é fabricado, no qual uma camada metálica refletiva é fornecida em uma próxima etapa, por exemplo, através de bombardeamento iônico, para fornecer uma camada de dados somente para leitura. Então, uma camada dielétrica é disposta sobre a camada de dados, que é aplicada, em particular, por meios de revestimento por rotação, para que se obtenha uma superfície completamente plana para a camada de máscara. A espessura da camada dielétrica é, portanto, não uniforme, pois a espessura altera dependendo da estrutu- ra de sulco.
A vantagem do revestimento por rotação sobre, por exemplo, o bombardeamento iônico, é que os sulcos negativos são preenchidos com material, respectivamente os sulcos positivos são circundados pelo material dielétrico e, ainda, uma superfície plana é fornecida para a camada de máscara, quando um método de revestimento por rotação é usado. Isto não se aplica ao caso de métodos de bombardeamento iônico, pois então a espessura da camada seria essencialmente constante e, portanto, uma superfície plana não seria obtida por causa da estrutura de sulco.
Breve Descrição dos Desenhos
As modalidades preferenciais da invenção são explicadas no momento em mais de- talhes abaixo por meio de exemplo com referência aos desenhos esquemáticos, que mos- tram:
A Figura 1 é um meio para armazenamento óptico de acordo com a invenção em uma seção transversal,
A Figura 2 é um diagrama simplificado para ilustrar a função de uma camada de máscara que compreende nanopartículas,
A Figura 3 é uma segunda modalidade da invenção que mostra um meio para ar- mazenamento óptico que compreende uma camada de dados somente para leitura com uma estrutura de sulco negativa, e
A Figura 4 é uma terceira modalidade da invenção que mostra um meio para arma- zenamento óptico que compreende duas camadas de máscara incluindo as nanopartículas. Descrição Detalhada das Modalidades Preferenciais
Um meio para armazenamento óptico 1 é mostrado em uma seção transversal na Figura 1 de uma maneira simplificada. Em um substrato 2, uma camada de dados somente para leitura 3 é disposta compreendendo uma camada metálica refletiva, que possui uma estrutura de sulco, por exemplo, uma camada de alumínio. Sobre a camada de dados 3, uma primeira camada dielétrica 5 é disposta consistindo, por exemplo, de um material plás- tico. Sobre a camada dielétrica 5, uma camada de máscara 4 é disposta compreendendo nanopartículas para fornecer um efeito de campo próximo com super-resolução (Super- RENS).
A camada dielétrica 5 é disposta com uma superfície plana, na qual as nanopartícu- las são colocadas, e fornece, portanto, uma distância definida entre as nanopartículas da camada de máscara 4 e da camada de dados 3 em que a espessura altera dependendo da estrutura de sulco. Acima da camada de máscara 4, é disposta uma segunda camada dielé- trica 6, que compreende, por exemplo, material de ZnS-SiO2. Como uma camada adicional, uma camada de cobertura 7 é disposta sobre a camada dielétrica 6 como uma camada de proteção. Para a leitura dos dados da camada de dados 53, um feixe de laser é aplicado a partir do topo do meio de armazenamento 1, penetrando a primeira camada de cobertura 7.
O meio para armazenamento óptico 1 é, em particular, um disco óptico. A camada de dados somente para leitura 3 pode ter uma estrutura de sulco pressionado 10 tendo mar- cas positivas ou marcas negativas, conforme conhecido nos discos ROM convencionais, por exemplo, DVDs e CDs.
Na Figura 2, uma primeira modalidade é mostrada compreendendo uma camada de dados 3 que possui uma estrutura de sulco com marcas dispostas como sulcos 8, que têm, por exemplo, uma profundidade maior que 30 nm, por exemplo, cerca de 40 nm. Os sulcos 8 da camada de dados 3 podem ser fabricados, por exemplo, por meio de um estampador. A camada de máscara 4 com as nanopartículas é mostrada como pontos dispostos em um plano uniforme. A camada de máscara 4 pode ter uma espessura, por exemplo, na faixa de 1 a 30 nm e a camada dielétrica 5, uma espessura na faixa de 20 a 50 nm.
Para obter tal plano uniforme da camada de máscara 4, a camada dielétrica 5 dis- posta entre a camada de dados 3 e a camada de máscara 4 inclui uma superfície comple- tamente plana para as nanopartículas da camada de máscara 4. A distância entre as nano- partículas da camada de máscara 4 e da camada de dados 3 é alterada quando há um sulco 8 na camada de dados 3. A distância 9 entre a camada de máscara 4 e o fundo do sulco 8 é, em particular, maior que 50 e, no caso de não haver sulco, a distância 10 é, em particular, menor que 50 nm.
Portanto, as propriedades das nanopartículas serão alteradas dependendo da es- pessura não-uniforme da camada dielétrica 5 e, preferencialmente, as propriedades das nanopartículas são selecionadas de tal modo que a seção transversal de espalhamento das nanopartículas aumentem quando estiverem próximas a um sulco. Neste caso, há uma forte interação entre a luz espalhada pelas nanopartículas e o sulco e, então, a modulação de sinal devido aos sulcos será aumentada e os sulcos com sub-limite de difração podem ser detectados, fornecendo, portanto um efeito de campo próximo com super-resolução.
Considera-se que as nanopartículas geram plásmons de superfície localizada de- pendendo da estrutura de sulco da camada de dados, quando irradiadas por luz de laser, que leva a sinais detectáveis no campo longe, correspondendo ao efeito da nanopartícula da camada de AgOx, conforme descrito pelo artigo "Super resolution and frequency dependent- efficiency of near-field optical disks with silver nanoparticles " de Ng and Liu, conforme citado no começo da descrição.
Para a leitura dos dados da camada de dados somente para leitura 3, em particular, um leitor com um diodo de laser azul tendo 405 nm, de acordo com o sistema do disco Blu- ray, pode ser usado. Um laser com tal comprimento de onda permite, atualmente, discos de dados ópticos com a mais alta densidade de dados possível. Quando um diodo de laser com um comprimento de onda diferente é usado, então, a espessura da camada dielétrica 5 tem que ser alterada consequentemente.
Na Figura 3, é mostrada uma segunda modalidade da invenção que compreende uma camada de dados 3 com uma estrutura de sulco negativa, com os sulcos 11 dispostos, portanto, como marcas positivas ou ressaltos. A distância 12 entre o sulco 11 e a camada de máscara 4 é, portanto, pequena e a distância 13 correspondentemente grande. A camada dielétrica 5 disposta entre a camada de máscara 4 e a camada de dados 3 é também forne- cida com uma superfície completamente plana, na qual as nanopartículas da camada de máscara 4 são dispostas. Para esta modalidade, a camada de dados 3 compreende, por exemplo, marcas negativas com uma altura maior que 30 nm, por exemplo, 40 nm, e a dis- tância 13 entre a camada de máscara 4 e a camada de dados 3 é maior que 50 nm, no caso de não haver ressalto. A distância 12 é, por exemplo, menor que 50 nm entre a camada de máscara 4 e o sulco 11 presente em um local da camada de dados 3. A espessura da ca- mada dielétrica 5 varia, portanto, dependendo da estrutura de sulco entre uma distância mí- nima, por exemplo, em uma faixa de 20 a 50 nm e uma distância máxima maior que, por exemplo, 50 a 60 nm.
Na Figura 4, uma modalidade adicional da invenção é mostrada, que compreende além de uma primeira camada de máscara 4, uma segunda camada de máscara 17 com nanopartículas 14 dispostas diretamente sobre a superfície da camada de dados 3. As na- nopartículas 14 da camada dielétrica 13 estão, portanto, localizadas também no fundo dos sulcos 18. Entre as camadas de nanopartículas 17 e 4, uma camada dielétrica 15 é disposta tendo uma superfície plana para fornecer a disposição das nanopartículas 16 da camada de máscara 4 em um plano uniforme. As distâncias 9, 10 e a profundidade dos sulcos podem ser similares aos valores como usado na modalidade da figura 2. A espessura da segunda camada de máscara 17 é, em particular, constante. A espessura da camada dielétrica 15 varia, portanto, também dependendo da estrutura de sulco entre uma distância mínima e uma distância máxima, correspondendo às modalidades anteriores. Para a leitura dos dados da camada de dados somente para leitura 3 dos meios para armazenamento de dados mos- trados nas figuras de 2 a 4, em particular, um leitor com um diodo de laser azul tendo 405 nm de acordo com o sistema de disco Blu-Ray pode ser usado. Um laser com tal compri- mento de onda permite discos de dados ópticos atuais com a mais alta densidade de dados possível. Quando um diodo de laser com um comprimento de onda diferente é usado, então, a espessura da camada dielétrica 5 tem que ser alterada consequentemente. Para a fabri- cação de um meio de armazenamento 1, em particular, um disco óptico, primeiro o substrato 2 que inclui a estrutura de sulco é fabricado, no qual uma camada metálica refletiva como a camada de dados 3 é disposta, por exemplo, por meio de bombardeamento iônico. Para o fornecimento de uma camada dielétrica 5 com uma superfície completamente plana sobre a camada de dados 3, vantajosamente, um método de revestimento por rotação é usado. Um método de bombardeamento iônico não pode ser usado para a camada dielétrica 5, pois a camada 5 poderia ter uma espessura constante e não forneceria, portanto, uma superfície plana para a camada de máscara 4 com as nanopartículas. A camada dielétrica 5 é, por exemplo, uma camada plástica fina que possui um valor de espessura na faixa de 20 a 50 nm, que pode ser facilmente fabricada por revestimento por rotação.
Em uma próxima etapa, as nanopartículas da camada de máscara 4 são dispostas sobre a camada dielétrica 5, por exemplo, por meio de bombardeamento iônico. A camada de máscara 4 com as nanopartículas pode ser produzida, por exemplo, por bombardeamen- to iônico reativo, conforme descrito em US 2005/0009260. Então, a camada de cobertura 7 é disposta sobre o disk, por exemplo, através do uso de um método de revestimento por rota- ção. Adicionalmente, pode ser disposta uma segunda camada dielétrica 6 entre a camada de máscara 4 e a camada de cobertura 7.
Ademais, outras modalidades da invenção podem ser realizadas por um versado na técnica sem se afastar do espírito e do escopo da invenção. A invenção não está, particu- larmente, limitada a um meio de armazenamento para utilização com uma unidade leitora que compreende um leitor do tipo disco Blu-Ray. A invenção se sustenta, portanto, pelas reivindicações do presente documento anexadas doravante.

Claims (21)

1. Meio para armazenamento óptico (1) que compreende: uma camada de substrato (2), uma camada de dados somente para leitura (3) que compreende uma estrutura de sulco e disposta sobre a camada de substrato (2), uma camada de máscara (4) que compreende nanopartículas para fornecer um e- feito de campo próximo com super-resolução através da geração de plásmons de superfície quando irradiadas com um feixe de laser, e uma camada dielétrica (5) disposta entre a camada de dados (3) e a camada de máscara (4), CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5) tem uma espessu- ra (9, 10), que se altera dependendo da estrutura de sulco.
2. Meio para armazenamento óptico, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato de que a espessura da camada dielétrica (5) se situa em uma faixa de 20 a 50 nm.
3. Meio para armazenamento óptico, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada de dados somente para leitura (3) é coberta por uma camada metálica refletiva.
4. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções de 1 a 3, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada de dados (3) compreende sulcos positivos (8) com uma profundidade de sulco maior que 30 nm, a distância (9) entre a camada de máscara (4) e a camada de dados (3) maior que 50 nm, no caso de um sulco, e a distância (10) entre a camada de máscara (4) e a camada de dados (3) menor que 50 nm, no caso de não haver sulco presente em um local da camada de dados (3).
5. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções de 1 a 3, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada de dados (3) compreende sulcos negativos ou ressaltos (11) com uma altura de sulco maior que 30 nm, a distância (13) entre a camada de máscara (4) e a camada de dados (3) maior que 50 nm, no caso de não haver sulco, e a distância (12) menor que 50 nm entre a camada de máscara (4) e um sulco presente em um local da camada de dados (3).
6. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5) compreende uma superfície plana para fornecer uma distância definida entre a camada de máscara (4) e a camada de dados (3).
7. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5) é uma camada plástica e está disposta sobre a camada de dados (3) por meio de revestimento por rotação.
8. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores, CARACTERIZADO pelo fato de que a espessura da camada de máscara (4) está em uma faixa de 1 a 30 nm, e sendo que as nanopartículas incluídas na camada de máscara (4) contêm um metal nobre.
9. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores, CARACTERIZADO pelo fato de que a espessura da camada dielétrica (5) varia dependendo da estrutura de sulco entre uma distância mínima, por exemplo, em uma faixa de 20 a 50 nm, e uma distância máxima, por exemplo, maior que 50 nm.
10. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores, CARACTERIZADO pelo fato de que o meio para armazenamento óptico é um disco óptico somente para leitura (1).
11. Método para fabricação de um meio para armazenamento óptico, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende as etapas subsequentes de: fornecer uma camada de substrato (2), na qual uma camada de dados somente pa- ra leitura (3) com uma estrutura de sulco é disposta, fornecer uma camada dielétrica (5), tendo uma espessura, que se altera dependen- do da estrutura de sulco, fornecer uma camada de máscara (4) sobre a camada dielétrica (5), sendo que a camada de máscara (4) compreende nanopartículas e fornecer uma camada de cobertura (6) como uma camada de proteção sobre a ca- mada de máscara (4).
12. Método, de acordo com a reivindicação 11, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5) é uma camada plástica, que é disposta sobre a camada de dados (3) por meio de revestimento por rotação.
13. Método, de acordo com a reivindicação 11 ou 12, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende a etapa adicional de fornecer uma segunda camada dielétrica (6) entre a camada de máscara (4) e a camada de cobertura (7).
14. Meio para armazenamento óptico (1), que compreende: uma camada de substrato (2), uma camada de dados somente para leitura (3) que compreende uma estrutura de sulco e disposta sobre a camada de substrato (2), uma camada de máscara (4) que compreende nanopartículas para fornecer um e- feito de campo próximo com super-resolução, e uma camada dielétrica (5, 15) disposta entre a camada de dados (3) e a camada de máscara (4), CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5) tem uma espessu- ra (9,10), que se altera dependendo da estrutura de sulco.
15. Meio para armazenamento óptico, de acordo com a reivindicação 14, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada de dados somente para leitura (3) é coberta por uma camada metálica refletiva.
16. Meio para armazenamento óptico, de acordo com a reivindicação 14 ou 15, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5, 15) compreende uma superfície plana para fornecer uma distância definida entre a camada de máscara (4) e a camada de dados (3).
17. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores de 14 a 16, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dielétrica (5, 15) é uma camada plástica e é disposta sobre a camada de dados (3) por meio de revestimento por rotação.
18. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores de 14 a 17, CARACTERIZADO pelo fato de que as nanopartículas incluídas na camada de máscara (4) contêm um metal nobre para gerarem um efeito de super- resolução induzido por plásmon de superfície, quando irradiadas com um feixe de laser.
19. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores de 14 a 18, CARACTERIZADO pelo fato de que a espessura da camada dielétrica (5, 15) varia dependendo da estrutura de sulco entre uma distância mínima, por exemplo, em uma faixa de 20 a 50 nm e uma distância máxima, por exemplo, maior que 50 nm.
20. Meio para armazenamento óptico, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções anteriores de 14 a 19, CARACTERIZADO pelo fato de que uma segunda camada de máscara (17), que compreende nanopartículas para fornecer um efeito de campo próximo com super-resolução, é disposta sobre a camada de dados somente para leitura (3), entre a camada de dados (3) e a camada dielétrica (15).
21. Meio para armazenamento óptico, de acordo com a reivindicação 20, CARACTERIZADO pelo fato de que a segunda camada de máscara (17) tem uma espessu- ra constante (9, 10).
BRPI0806510-1A 2007-01-23 2008-01-21 meio para armazenamento óptico com uma camada de máscara que fornece um efeito de campo próximo com super-resolução e método da respectiva fabricação BRPI0806510A2 (pt)

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