BR0307130A - Processo de fabricação de camadas de silìcio poroso por exposição a vapores corrosivos do silìcio - Google Patents
Processo de fabricação de camadas de silìcio poroso por exposição a vapores corrosivos do silìcioInfo
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"PROCESSO DE FABRICAçãO DE CAMADAS DE SILìCIO POROSO POR EXPOSIçãO A VAPORES CORROSIVOS DO SILìCIO". A presente invenção refere-se à produção de nanocristais de Si por meio da formação de camadas de silício poroso. O método aqui proposto envolve a utilização de um béquer contendo uma solução de quatro partes de HF e uma parte de HNO3, sobre o qual fica exposto o substrato de silício. Quando são colocados pedaços de Si na solução, gera-se o vapor que origina a camada de Si poroso (fig.1). Tal método proporciona camadas com luminescência na chamada banda S (vermelho-alaranjado) (fig.2) com excelente uniformidade e reprodutibilidade (fig.3).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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BR0307130-8A BR0307130A (pt) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Processo de fabricação de camadas de silìcio poroso por exposição a vapores corrosivos do silìcio |
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BR0307130-8A BR0307130A (pt) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Processo de fabricação de camadas de silìcio poroso por exposição a vapores corrosivos do silìcio |
Publications (1)
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BR0307130A true BR0307130A (pt) | 2005-05-24 |
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ID=34578439
Family Applications (1)
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BR0307130-8A BR0307130A (pt) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Processo de fabricação de camadas de silìcio poroso por exposição a vapores corrosivos do silìcio |
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BR (1) | BR0307130A (pt) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103232845A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-07 | 安徽工业大学 | 一种硅量子点的制备及其应用 |
-
2003
- 2003-09-10 BR BR0307130-8A patent/BR0307130A/pt not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103232845A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-07 | 安徽工业大学 | 一种硅量子点的制备及其应用 |
CN103232845B (zh) * | 2013-05-08 | 2014-08-27 | 安徽工业大学 | 一种硅量子点的制备及其应用 |
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