BG66569B1 - Двуосен магнитометър - Google Patents

Двуосен магнитометър Download PDF

Info

Publication number
BG66569B1
BG66569B1 BG111066A BG11106611A BG66569B1 BG 66569 B1 BG66569 B1 BG 66569B1 BG 111066 A BG111066 A BG 111066A BG 11106611 A BG11106611 A BG 11106611A BG 66569 B1 BG66569 B1 BG 66569B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contacts
contact
output
microsensor
magnetometer
Prior art date
Application number
BG111066A
Other languages
English (en)
Other versions
BG111066A (bg
Inventor
Август ИВАНОВ
Вълчева Лозанова Сия
Чавдар РУМЕНИН
Атанасов Нойков Светослав
Светослав НОЙКОВ
Йорданов Иванов Август
Сия ЛОЗАНОВА
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG111066A priority Critical patent/BG66569B1/bg
Publication of BG111066A publication Critical patent/BG111066A/bg
Publication of BG66569B1 publication Critical patent/BG66569B1/bg

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Двуосният магнитометър съдържа полупроводникова подложка с р-тип проводимост (1), върху едната страна на която е образувана дълбока n-тип област (2) с формата на кръг. Върху горната страна на област (2) по периферията й са разположени на равни разстояния един от друг 2k на брой омични n+-контакта, където k е цяло число, а в центъра й има още един омичен n+-контакт (3), свързан c единия извод на токоизточник (4). Всеки от периферните контакти може да бъде в едно от двете положения - да е включен към интерфейсна схема, или да е висящ. Във всеки момент само контакт (3) и два диаметрално срещуположни периферни контакти (5 и 6) са активни, докато останалите 2k - 2 контакти са висящи. Така обособената триконтактна конфигурация (3, 5 и 6) формира микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, измерващ магнитното поле (7), лежащо в равнината на подложката (1). Двата срещуположни контакта (5 и 6) са едновременно захранващи и изходни, като през еднакви по стойност резистори (8 и 9) са свързани с другия извод на токоизточника (4). Интерфейсната схема съдържа два мултиплексора (10 и 11), всеки от които е с 2k на брой входове; тактов генератор (12) с фиксирана работна честота, управляващ мултиплексорите (10 и 11); брояч (13), свързан с мултиплексорите (10 и 11), като стъпката на завъртане на триконтактния микросензор на Хол около оста, перпендикулярна на областта (2) и преминаваща през контакта (3), съответства на ъгъла между два съседни периферни контакта; измервателен усилвател (14), на който входът е свързан през двата мултиплексора (10 и 11) с контактите (5 и 6) на микросензора. Изходът на усилвателя (14) е съединен с входа на нискочестотен филтър (15), чийто изход е изходът (16) на двуосния магнитометър.

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до двуосен магнитометър, приложимо в областта на контролноизмервателната технология, слабополевата и векторната магнитометрия, безжичните комуникации, микро- и нано-сензориката, безконтактната автоматика и управление, автомобилостроенето, позиционирането на обекти в пространството, уредостроенето, военното дело, сигурността и антитерористичната дейност, и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е двуосен магнитометър, съдържащ полупроводникова подложка с р-тип проводимост, върху едната страна на която е образувана дълбока и тясна п-тип рингова област. Върху горната страна на п-ринга е формирана верига от разположени на равни разстояния един от друг 2к на брой омични п+-контакти, където k е цяло число. Всеки от контактите може да бъде в едно от следните три положения - или да е свързан със захранващ токоизточник, или да е включен към интерфейсна схема, или да е висящ. Във всеки момент само един сегмент, съдържащ пет от последователно разположените и еквидистантни п+-контакти е активен, докато останалите 2к - 5 контакти са висящи. Този сегмент формира петконтактен микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, измерващ магнитно поле, лежащо в равнината на р-подложката. Той се състои от един вътрешен захранващ контакт, от двете му страни са разположени по един изходен контакт, до който е разположен по един външен захранващ контакт. Външните контакти са свързани с единия извод на токоизточника, а другият му извод - със средния захранващ контакт. Интерфейсната, обработваща сигнала от микросензора схема се състои от пет мултиплексора, всеки от които е с 2к на брой входове; тактов генератор с фиксирана работна честота, управляващ мултиплексорите; брояч, свързан с мултиплексорите; измервателен усилвател, чийто вход е свързан през съответни два мултиплексора с изходните контакти на микросензора, изходът на усилвателя е съединен с входа на нискочестотен филтър, чийто изход е изходът на двуосния магнитометър като стъпката на преместване на обособения петконтактен микросензор на Хол по периферния п-ринг е един контакт [1].
Недостатък на този двуосен магнитометър е значителната грешка, която се внася в измерването на магнитното поле чрез офсета от неминуемата нееквидистантност в разположението на п+-контактите, формиращи микросензора на Хол по причина технологията на производство.
Друг недостатък е усложнената интерфейсна схема, изискваща пет отделни мултиплексора, комутиращи петте активни контакта от сегмента, образуващ микросензора на Хол с паралелна ос на чувствителност.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде двуосен магнитометър с минимална грешка в измерването на магнитното поле от нееквидистантност наомичните контакти и опростена интерфейсна схема за обработка на сигнала.
Тази задача се решава с двуосен магнитометър, съдържащ полупроводникова подложка с р-тип проводимост, върху едната страна на която е образувана дълбока п-тип област с формата на кръг. Върху горната страна на п-областта по периферията й са разположени на равни разстояния един от друг 2к на брой омични п+контакти, където k е цяло число, а в центъра й има още един централен омичен п+-контакт, свързан с единия извод на токоизточник. Всеки от периферните контакти може да бъде в едно от следните две положения - или да е включен към интерфейсна схема, или да е висящ. Във всеки момент само централният и два диаметрално срещуположни периферни контакти са активни, докато останалите 2к - 2 контакта са висящи. Така обособената конфигурация от контакти формира триконтактен микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, измерващ магнитно поле, лежащо в равнината на подложката. Двата диаметрално срещуположни периферни контакта са едновременно захранващи и изходни като през еднакви по стойност товарни резистори са свързани с другия извод на токоизточника. Интерфейсната схема съдържа два мултиплексора, всеки от които е с 2к на брой входове; тактов генератор с фиксирана работна честота, управляващ мултиплексорите; брояч, свързан с мултиплексорите като стъпката на завъртане на обособения триконтактен микросензор на Хол около оста, перпендикулярна на п-тип областта и преминаваща през централния контакт съот
66569 Bl ветства на ъгъла между два съседни периферни контакта; измервателен усилвател, на който входът е свързан през двата мултиплексора с изходните контакти на микросензора като изходът на усилвателя е съединен с входа на нискочестотен филтър, чийто изход е изходът на двуосния магнитометър.
Предимство на изобретението е минималната грешка, внасяна от офсета на обособените три- 10 контактни микросензори на Хол в измерването на магнитното поле, поради слабото влияние на нееквидистантността на периферните контакти върху изхода на микросензорите.
Друго предимство е значително опростената 15 интерфейсна схема от използване само на два вместо на пет мултиплексори и отсъствието на сложни вериги за компенсиране на офсета както това е в известното решение. 20
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с приложената фигура 1, представляваща едно негово примерно изпълнение. 25
Примери за изпълнение на изобретението
Двуосният магнитометър съдържа полупроводникова подложка с р-тип проводимост 1, върху едната страна на която е образувана дълбока п-тип област 2 с формата на кръг. Върху горната страна на п-областта 2 по периферията й са разположени на равни разстояния един от друг 2к на брой омични п+-контакти, където k е цяло число, а в центъра й има още един централен 35 омичен п+-контакт 3, свързан с единия извод на токоизточник 4. Всеки от периферните контакти може да бъде в едно от следните две положения - или да е включен към интерфейсна схема, или да е висящ. Във всеки момент само централният 3 и два диаметрално срещуположни периферни контакти 5 и 6 са активни, докато останалите 2к - 2 контакти са висящи. Така обособената конфигурация от контакти 3, 5 и 6 формира триконтактен микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, измерващ магнитно 45 поле 7, лежащо в равнината на подложката 1. Двата диаметрално срещуположни периферни контакта 5 и 6 са едновременно захранващи и изходни като през еднакви по стойност товарни резистори 8 и 9 са свързани с другия извод на токоизточника 4. Интерфейсната схема съдържа два мултиплексора 10 и 11, всеки от които е с 2к на брой входове; тактов генератор 12 с фиксирана работна честота, управляващ мултиплексорите 10 и 11; брояч 13, свързан с мултиплексорите 10 и 11 като стъпката на завъртане на обособения триконтактен микросензор на Хол около оста, перпендикулярна на п-областта 2 и преминаваща през централния контакт 3 съответства на ъгъла между два съседни периферни контакта; измервателен усилвател 14, на който входът е свързан през двата мултиплексора 10 и 11 с изходните контакти 5 и 6 на микросензора като изходът на усилвателя 14 е съединен с входа на нискочестотен филтър 15, чийто изход е изходът 16 на двуосния магнитометър.
Действието на двуосния магнитометър, съгласно изобретението, е следното. При включване на захранващия токоизточник 4, в резултат на радиалната симетрия на контакти 5 и 6 по отношение на контакт 3 в обособената триконтактна Ходова конфигурация 5-3-6 с паралелна ос на чувствителност протичат два еднакви по стойност и противоположно насочени токови компоненти L, и - L,, L = I- L ,1. Омичните контакти 3, 5 и 6 представляват еквипотенциални равнини. Ето защо траекториите на токоносителите са първоначално насочени вертикално надолу в дълбоката п-област, след което стават паралелни на горната й повърхност. Чрез товарните резистори R, 8 и R, 9 се осъществява режим на функциониране генератор на ток на микросензора на Хол. В присъствие на външно магнитно поле В 7, лежащо в равнината на полупроводниковата подложка 1, силата на Лоренц FL = qVdr х В отклонява латерално тока 13 като генерира чрез него Ходови потенциали V5(B) и - V6(B) върху двата периферни контакта 5 и 6, където q е товарът на електрона, a Vdr е дрейфовата скорост на основните токоносители в п-областта 2. В резултат диференциалното напрежение на Хол V56(B) се развива между контакти 5 и 6. С помощта на интерфейсната схема се осъществява виртуално завъртане с фиксирана честота натриконтактния елемент на Хол, зададена от тактовия честотен генератор 12 около оста, перпендикулярна на повърхността на област 2 и преминаваща през контакта 3. Избраната стъпка на завъртане от един периферен контакт, реализируема с двата мултиплексора 10 и 11 позволява прецизното сканиране на равнината на областта 2, в която лежи магнитното поле В 7 от 360°. Това позволява
66569 В1 обем на активната преобразувателна област в нашия случай допуска и по-голяма разсейвана мощност, респективно по-голям захранващ ток 13, а следователно и съществено по-висока стойност на Холовото напрежение V5 6(13,В), което да се подаде на интерфейсната схема за обработка. Едновременно с това е постигнато опростяване на интерфейсната електроника - мултиплексорите вместо пет са два 10 и 11, и отсъстват сложни вериги за компенсиране на офсета както това е в известното решение.
Предпочитаният полупроводник и технологии за реализация на двуосния магнитометър са силицият, CMOS и BiCMOS процесите. Върху общ чии могат да се формират едновременно 2D магнитометъра и интерфейсната електроника. Броят на контактите 2к по периферията на циркулярната п-област 2 е свързан от една страна с възможностите на конкретната интегрална технология на производство, а от друга - използваните логически елементи в интерфейсната цифрова електроника.

Claims (2)

Патентни претенции
1. Двуосен магнитометър, съдържащ полупроводникова подложка с р-тип проводимост, върху едната страна на която е образувана дълбока п-тип област, върху горната страна на която по периферията й са разположени на равни разстояния един от друг 2к на брой омични п+-контакти, където k е цяло число, микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, токоизточник и интерфейсна схема, съдържаща мултиплексори, всеки от които е с 21 на брой входове, тактов генератор с фиксирана работна честота, управляващ мултиплексорите, брояч, свързан с мултиплексорите, измервателен усилвател, чийто вход е съединен през мултиплексорите с изходните контакти на микросензора на Хол, като изходът на усилвателя е свързан с входа на нискочестотен филтър, чийто изход е изходът на двуосния магнитометър, а магнитно поле лежи в равнината на подложката, характеризиращ се с 45 това, че п-тип областта (2) е с формата на кръг, като в центъра й има още един централен омичен п+-контакт (3), свързан с единия извод на токоизточника(4), всеки от периферните контакти може да бъде в едно от следните две положения - или да е включен към интерфейсната схема, или да е висящ, във всеки момент само централният (3) точно определяне посоката и стойността на магнитния вектор В 7. В резултат от обработката на резултиращия сигнал с измервателния усилвател 14 и нискочестотния филтър 15, напрежението на изхода 16 на двумерния векторен магнитометър $ представлява синусоидна функция от номера на стъпката с добре дефинирани максимум и фаза на отместване. Стойността на магнитното поле В 7 представлява максимумът на амплитудата |θ на тази синусоида, а стойността на ъгловата координата на вектора В 7, определяща посоката му е фазовото отместване на синусоидата по отношение на предварително избрана реперна стойност. Както и при известното решение, 15 собственият шум Ι/f е драстично минимизиран чрез интерфейсната схема. В нашия случай, обаче е налице съществено опростяване на електронната схемотехника чрез използване само на два мултиплексора 10 и 11.
Неочакваният положителен ефект, постигнат с 2D магнитометъра е приложеният за първи път във векторната магнитометрия единичен триконтактен микросензор на Хол с паралелна 25 ос на чувствителност за измерване едновременно на стойността на полето В 7 и ъгловата му координата чрез увеличен обем на ефективната преобразувател на зона, без при това да се наруши резолюцията. Фактически измерването е разширено не в пространството, а във времето, което е принципно нов подход. В известното решение виртуалният петконтактен елемент на Хол е концентриран в периферната зона 35 на п-ринга, която е най-малко с два порядъка по-малка от тази на новото решение. По тази причина всяко технологично несъвършенство, водещо до нееквидистантност на периферните контакти води до съществен офсет, респективно до значителна грешка в измерването на полето В 7. Пространствената разделителна способност (резолюцията) на магнитометъра в известното решение се определя от диаметъра на п-ринга, а не от локалната сензорна зона на ротиращия петконтактен Холов елемент. В предложения нов 2D магнитометър резолюцията е същата, определена е от диаметъра на п-областта 2, като преобразувателната зона не е периферията, а обема на цялата кръгла п-област
2. Така евентуална нееквидистантност на контактите по перифери ята не оказва съществено влияние върху офсета 50 на микросензора на Хол. Също така големият
66569 Bl и два диаметрално срещуположни периферни контакти (5 и 6) са активни, докато останалите 2к - 2 контакти са висящи, мултиплексорите са два (10 и 11), обособената конфигурация от контакти (3,5 и 6) формиратриконтактен микросензор на Хол с паралелна ос на чувствителност, двата диаметрално срещуположни периферни контакта (5 и 6) са едновременно захранващи и изходни като през еднакви по стойност товарни резистори (8 и 9) са свързани с другия извод на токоизточника (4), стъпката на завъртане на обособения триконтактен микросензор на Хол около оста, перпендикулярна на п-областта (2) и преминаваща през контакт (3) съответства на ъгъла между два съседни периферни контакта.
BG111066A 2011-10-28 2011-10-28 Двуосен магнитометър BG66569B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111066A BG66569B1 (bg) 2011-10-28 2011-10-28 Двуосен магнитометър

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111066A BG66569B1 (bg) 2011-10-28 2011-10-28 Двуосен магнитометър

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG111066A BG111066A (bg) 2013-04-30
BG66569B1 true BG66569B1 (bg) 2017-03-31

Family

ID=48875357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG111066A BG66569B1 (bg) 2011-10-28 2011-10-28 Двуосен магнитометър

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66569B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG111066A (bg) 2013-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5187781B2 (ja) 面内の磁界の方向を測定する磁界センサ
US9182250B2 (en) Circular vertical hall magnetic field sensing element and method with a plurality of continuous output signals
US8749005B1 (en) Magnetic field sensor and method of fabricating a magnetic field sensor having a plurality of vertical hall elements arranged in at least a portion of a polygonal shape
KR102176106B1 (ko) 물체의 이동을 감지하는 센서 및 물체의 이동을 감지하는 방법
US9310224B2 (en) Magnetic field orientation sensor and angular position sensor using same
US8890518B2 (en) Arrangements for self-testing a circular vertical hall (CVH) sensing element and/or for self-testing a magnetic field sensor that uses a circular vertical hall (CVH) sensing element
US7965076B2 (en) Magnetic field orientation sensor
US8786279B2 (en) Circuit and method for processing signals generated by a plurality of sensors
US8860410B2 (en) Circuits and methods for processing a signal generated by a plurality of measuring devices
US10746569B2 (en) Magnetic angle sensor device and method of operation
KR20150121054A (ko) 각도 보정 모듈을 포함하는 자기장 센서
CN103443590A (zh) 绝对编码装置及电动机
JP2011180001A (ja) 回転センサ
US10386427B1 (en) Magnetic field sensor having at least two CVH elements and method of operating same
CN104823025B (zh) 基于霍尔效应的角取向传感器及其相应的方法和设备
BG66569B1 (bg) Двуосен магнитометър
CN104730474A (zh) 磁传感器以及电流传感器
BG66570B1 (bg) Двумерен преобразувател на хол
BG66646B1 (bg) Интегрален двуосен магнитометър
BG67010B1 (bg) Интегрален магнитометър
BG66311B1 (bg) Интегрален магнитометър на хол
JP2021135161A (ja) 回転検出装置
BG65344B1 (bg) Магниточувствителен сензор с честотен изход
Petoussis et al. INTRODUCING A NEW HALL EFFECT SENSOR
BG66824B1 (bg) Устройство за определяне посоката на въртен