BE840358R - Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dans des cristaux semi-conducteurs lors d'une fusion par zones sans creuset - Google Patents

Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dans des cristaux semi-conducteurs lors d'une fusion par zones sans creuset

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    • C30B13/08Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
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BE165828A 1975-04-04 1976-04-02 Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dans des cristaux semi-conducteurs lors d'une fusion par zones sans creuset BE840358R (fr)

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DE2338338C3 (de) * 1973-07-27 1979-04-12 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Dotieren beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterkristallstabes

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