BE840358R - Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dans des cristaux semi-conducteurs lors d'une fusion par zones sans creuset - Google Patents
Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dans des cristaux semi-conducteurs lors d'une fusion par zones sans creusetInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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ID=5943121
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