Dispositifs photovoltaïques.
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des cellules solaires utilisant du sulfure de cadmium. On fabrique ces cellules en déposant du sulfure de cadmium sous vide sur
du verre Nesa, sous la forme d'une mince couche microcristalline,
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che d'une matière comprenant des cations monovalents d'un métal
choisi dans le groupe 1B du tableau périodique. Cette dernière
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pulvérisant des solutions adéquates, sous une forme atomisée, sur
du verre Nesa classique. Le procédé de la Demanderesse prend beaucoup moins de temps que le dépôt sous vide et produit en outre des cellules de qualité supérieure sous certains aspects.
Si l'on veut utiliser des cellules solaires pour produire de l'énergie à grande échelle, il faut prévoir des kilomètres carrés de superficie de cellules et le coût de la fabrication de ces grandes superficies de cellules est comparable au coût de l'énergie obtenue par des systèmes classiques, si l'on se réfère au coût d'un système classique capable de produire la même énergie. Sur cette base, l'intérêt économique d'une installation de cellules solaires à grande échelle dépend en grande partie de l'efficacité des cellules, c'est-à-dire du rapport de la puissance électrique produite à
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résistivité en ohms par carré du verre Nésa qui forme une électrode négative pour les cellules solaires et de sa capacité à transmettre l'énergie solaire. Une difficulté à laquelle on se heurte consiste alors à appliquer sur du verre des couches de faible résistivité, c'est-à-dire une résistivité bien inférieure à celle du verre Nesa ordinaire ou à celles que l'on connaît actuellement, mais qui possèdent une résistivité élevée vis-à-vis de la plupart des composantes de l'énergie rayonnante solaire. On a donc appliqué sur du verre des pellicules, comme du SnOx, dont les résistivités sont voisines d'environ 10 ohms par carré. Si les couches de CdS ont des résistivités
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limpides, c'est-à-dire non troubles, on atteint alors des efficacités de cellule de 5% et des valeurs allant jusqu'à 8% sont possibles. Des tensions de sortie d'environ 400 M.V. sont régulièrement obte-
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La fabrication de dispositifs photovoltalques très efficace.:
n'est pas seulement une question de promue Lion de revêtements de SnO x de faible résistance par carré. De tels revêtements peuvent être
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le pouvoir de transmission de la lumière est altéré. Une interdépendance existe entre la résistance par carré, le pouvoir de transmission des fréquences de rayonnement désirées et le taux de suppression des rayons infrarouges.
Une autre difficulté a trait à la fabrication des électro-
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intérêt pratique. On a constaté qu'il est avantageux d'introduire
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épaisseur requise, puis poursuivre cette pulvérisation avec un apport d'oxygène sous la forme de CuSO� pour former une couche super-
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elle-même être protégée par une autre couche de cuivre superposée.
En procédant de la façon décrite plus haut, on estime que l'on peut obtenir des puissances de 128.000 kW (crête) à une
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Il subsiste la difficulté de produire la superficie
de cellules requise, à un prix de revient raisonnable et en un laps c= temps raisonnable également. Conformément à l'invention, des installations de fabrication de verre "float" qui sont capables de produire du verre à vitre à grande échelle en continu, doivent être modifiées pour que l'on puisse pulvériser ou appliquer d'une autre
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un lieu d'installation et monté à cet endroit, puis interconnec-
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trique.
Un avantage majeur de cette manière de procéder réside dans le fait que la feuille de verre, au moment de sa fabrication, est à une température plus élevée que dans n'importe quelle phase du procédé et les diverses phases du procédé peuvent être réalisées
à des températures successivement plus basses. Cela étant, le procédé conforme à l'invention peut être mis en oeuvre avec un apport
de chaleur minimum pendant le procédé d'application du revêtement, à mesure que ce dernier progresse. Il est nécessaire de maintenir les bassins de flottage et les fours aux températures requises
pour le procédé, mais il n'est pas nécessaire de chauffer le verre lui-même et, en fait, le verre transmet de la chaleur
à la matière fondue. Ceci représente une économie
d'énergie importante,par comparaison avec des procédés dans lesquels des panneaux de verre froid sont chauffés, puis revêtus ou traités. L'économie de temps jusqu'à achèvement du procédé est également importante par rapport au temps nécessaire lorsqu'on entame le procédé av=:
des panneaux de verre froid et que l'on chauffe le verre à la température re�uise pour appliquer le SnO , en tant que première phase dans le procédé de fabrication de cellules solaires à grande échelle.
Le coût approximatif d'une installation de production de courant électrique par voie thermique est d'au moins 250 dollars
par kW. On estime qu'une installation de cellules solaires fabriquée au moyen du procédé décrit dans le présent mémoire et produisant en moyenne une quantité d'énergie équivalente serait approximativement aussi coûteuse. Cependant, le coût de l'accumulation
du courant électrique n'est pas inclus dans cette estimation.
Certains facteurs contraires qui interviennent dans le cas de cellules du type Carlson n'ont pas été retrouves dans la cellule conforme à l'invention. Par exemple, l'énergie infrarouge parait détériorer les cellules du type Carlson, c'est-à-dire les cellules déposées sous vide. Les cellules conformes à l'invention,
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de faible résistivité, sont exposées au rayonnement à travers la
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rapidement, mais le revêtement est très efficace lorsqu'il s'agit de laisser passer les fréquences supérieures à celles de l'infrarouge.
Suivant l'invention, dans une installation servant à produire des cellules solaires de grande surface par un procédé continu dans une installation de production de verre float modifiée,
le verre est fabriqué en une feuille continue dans un premier bassin de flottage et la feuille est revêtue des couches de matière requise pour former des cellules solaires dans des bassins de flottage ultérieurs qui sont maintenus à des températures adéquates, chaque bassin de flottage étant à une température inférieure à celui qui le précède dans le procédé.
Aux dessins annexés:
la Fig. la est une vue en perspective d'un panneau fabri-qué conformément à l'invention;
la Fig. lb est une vue d'une partie du panneau de la Fig. la, à plus grande échelle pour montrer certains détails;
la Fig. le est une vue en coupe transversale d'une cellule solaire selon une forme d'exécution de l'invention;
la Fig. 2 est une vue en élévation de côté d'une installation de fabrication de verre float;
la Fig. 3 est une vue en élévation de côté d'une installa- <EMI ID=21.1>
des feuilles de cellules solaires en un procède continu;
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de la Fig. le;
la Fig. 5 est une microphotographie- d'une pellicule polycristalline de CdS fabriquée par le procédé confonde à l'invention, et
la Fig. 6 est une vue en élévation de côté d'une installation pilote servant à fabriquer des cellules solaires en continu par le procédé conforme à l'invention.
Sur la Fig. la des dessins annexés, 10 est un panneau
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sert de support ou de substrat pour les cellules solaires fabriquées en masse et à grande échelle conformément à l'invention. 11 représente d'une manière générale des revêtements sur le substrat formant une hétérojonction photovoltarque, plus des électrodes positives, tandis que 10 et 12 représentent des électrodes négatives. On peut se référer à la Fig. lb qui est une vue à plus grande échelle de
la partie cerclée sur la Fig. la. Sur la Fig. lb, 10 est le sub-
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SnO , constituant une électrode négative commune à tout le substrat
10, le x indiquant qu'on ne connaît pas sa composition précise. Sur la couche 14 est déposée une couche 15 de CdS cristallin qui a
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la couche 15 et, après un traitement thermique adéquat, elle sert
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est appliquée une couche de cuivre 17 qui sert de borne positive. Les couches 15, 16 et 17 peuvent être dissoutes par gravure chimique jusqu'à la couche de SnOx 14, à des intervalles déterminés, pour constituer des passages dans lesquels on peut déposer des conducteurs communs ou omnibus en Inconel ou en chrome 18 surmontés d'aluminium
19 qui constituent des bornes négatives comportant des aires de <EMI ID=27.1>
tion que la présente invention, mais elle part d'un panneau en verre à vitre revêtu de SnO . L'invention a trait à la fabrication continue de cellules solaires au départ de matériaux à partir desquels le verre est fabriqué sous la forme d'un ruban continu
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L'invention a pour but de procurer des cellules photovoltaïques de grande superficie à un prix de revient suffisamment bas pour être compétitif avec les centrales thermiques, et qui cou-
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pratique de ces cellules à la vitesse requise, en diverses mesures.
Pour obtenir les panneaux à un prix de revient suffisamment bas, il faut les fabriquer à grande échelle. Le procédé de fabrication habituel de panneaux en verre est le procédé utilisé pour fabriquer le verre float (voir Fig. 2). Dans une.installation servant à exécuter ce procédé, le verre est fabriqué sous la forme d'un ruban continu. Les matières premières 20 sont continuellement introduites dans un four 21 et sont fondues. Le liquide obtenu est coulé sur un bain d'étain fondu 22 dans lequelpn agissant sur la vitesse de coulée des matières ainsi que sur la vitesse de défilement
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près.Le verre a 3,175 mm d'épaisseur (il s'agit d'un verre dit double . Le verre est entrainé sous la forme d'un ruban continu de 3 m de largeur à partir du bain d'étain liquide 22 vers une galerie de refroidissement ou de recuisson 23 où il est refroidi progressivement avant d'être automatiquement coupé à dimension. La production annuelle type d'une telle installation doit être de 18.580.000 m<2>.
Une installation de ce type récemment achevée, qui utilise deux
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projection du jet pulvérise entraîne une diminution momentanée de la température du verre. La seconde chambre 26 est utilisée pour pulvériune couche ;.-.inca de CdS, et la troisième 27, dans la chaîne de refroidissement à une température beaucoup plus basse, pour pul-
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verre est automatiquement coupé en panneaux par les dispositifs de
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sont recouverts d'une matière de réserve à travers un pochoir adéquat qui laisse exposées les zones nécessaires auxpassages, selon
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par gravure chimique au poste 31. Dans les passages 32 ainsi obtenus, après lavage au poste 33,on dépose de l'Inconel ou du chrome par évaporation sur le verre exposé selon le motif requis et cette opération est suivie d'un dépôt de Al par évaporation pour former le collecteur négatif. Du cuivre est alors déposé par évaporation
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en vue de former le collecteur pasitif et tout le panneau est lente- <EMI ID=37.1>
En variante, on utilise du zinc déposé par évaporation comme électrode négative, comme dans la demande de brevet américain n[deg.] 303.365. Lorsqu'on le chauffe, le zinc diffuse à travers la
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avec la couche de CdS sous-jacente. Dans une autre variante, au lieu de former des passages par dissolution chimique à travers la couche de CdS, on dépose du zinc par évaporation, puis du Cu à travers un pochoir sur la couche de CdS.
Le procédé servant à élaborer des cellules solaires en appliquant des revêtements successifs déposés par pulvérisation conformément à l'invention diminue suffisamment le temps requis pour revêtir les grandes surfaces requises pour qu'un procédé continu devienne possible. Le temps nécessaire pour élaborer des cellules en déposant sous vide les matières requises pour former une hétérojonction importante est si long et le prix de revient d'une telle opération est si élevé qu'une fabrication à grande échelle en devient impossible. De plus, les revêtements obtenus par pulvérisation ont des caractéristiques supérieures sous de nombreux rapports, à ceux obtenus par dépôt sous vide.
On a obtenu une croissance intéressante de couches
minces cristallines, par pulvérisation, à partir de cristal-
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Fig. 6. Dans le procédé de dépôt sous vide, les cristallites <EMI ID=40.1>
Une autre caractéristique de ces couches minces réside dans
leur résistivité spécifique élevée, après croissance, cette résistivité variant entre 10<3> et 105 ohm-cm. Ceci est dû au fait que les cristaux,après croissance aux températures indiquées plus haut, <EMI ID=41.1>
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sous vide.
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des pellicules de CdS en pulvérisant une solution d'acétate de cuivre et de N,N,diméthylthiourée tandis que le substrat en verre flotte sur un bain de métal liquide maintenu à une température d'environ
149[deg.]C. Cependant, comme la couche de CuS est extrêmement mince, elle peut être déposée par évaporation.
Les procédés qui précèdent ont été mis en oeuvre dans de l'air
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pêcher l'oxydation de l'étain, qui est onéreux.
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tivité de 10 à 15 ohms/carré. Un revêtement présentant une si faible résistivité n'est pas disponible dans le commerce et l'invention se rapporte en partie à la fabrication de ces revêtements.
On a réussi à déposer des couches minces de
SnO de 10 ohms/carré sur du verre à la soude et à la chaux avec une transmission de rayonnement résultante (y compris le verre) de
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chaleur au verre tandis qu'une solution contenant du SnCl2 est pulvérisée sur la surface.De plus, comme la structure cristalline du
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que la croissance de chacune de ces couches minces soit uniforme pour produire des cellules utiles.On a constaté qu'en formant la couche de
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pérature réglée et en procédant à cette pulvérisation d'une manière <EMI ID=51.1>
dépit de l'application d'une pulvérisation liquida ce qui assure l'obtention des couches requises.
En revêtant la matière d'arrêt, de cuivre en tant qu'électrode positive , on peut abaisser fortement la résistance de la
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la couche de cuivre métallique sert à protéger la ratière d'arrêt de toute pollution atmosphérique. On peut utiliser une couche d'aluminium supplémentaire sur le cuivre pour protéger davantage le cuivre lui-mêne. Les deux revêtements peuvent être déposés par évaporation dans un système d'évaporation sous vide opérant en continu.
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des dessins annexés, 40 représente un dispositif de rangement de panneaux de verre, qui peuvent ne pas avoir les dimensions voulues. Les panneaux prévus peuvent être préalablement coupés à dimension
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quoi ils sont introduits dans un premier long four 43 qui élève leur température à partir d'une température supposée de 21[deg.]C
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cond four 44, qui élève la température des panneaux jusqu'à environ
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traverse ensuite une galerie de recuisson 46 dans laquelle la température du panneau est lentement ramenée à 371[deg.]C, de sorte que le verre est recuit lorsqu'il arrive dans une chambre de flottage 47. La chambre de flottage 47 contient une masse d'étain liquide sur laquelle le panneau flotte et l'étain liquide est maintenu à 327[deg.]C, de sorte que le panneau est maintenu uniformément à cette tempéra- ture au-dessus de sa surface, tandis qu'une solution aqueuse capable de fournir du CdS et d'autres, éléments est déposée lentement <EMI ID=59.1>
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moment donné, de telle sorte que de la chaleur ne soit pas prélevée
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l'eau ou à la formation de cristaux de CdS, la température du panneau pouvant ainsi être maintenue uniforme. A mesure que le
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zones successives qui s'étendent transversalement au panneau sont revêtut-s en déplaçant les ajutages d'une manière transitoire par rapport au panneau à mesure que celui-ci se déplace, jusqu'à ce que tout le panneau soit complètement revêtu d'une couche ayant l'épaisseur requise. De nombreux ajutages de pulvérisation peuvent être utilisés et les surfaces continuent à se déplacer pendant la pulvérisation sur le verre jusqu'à ce que l'épaisseur de cristaux CdS requise ait été déposée de maniera uniforme. La longueur de
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de pulvérisation appropriés, compte tenu du nombre d'ajutages utilisés et de la vitesse d'avancement ou de défilement du verre.
Tandis que du CdS est appliqué.sur le panneau, la matière sur laquelle ce panneau flotte est maintenue à 327[deg.]C.L'application d'une couche de Cu2S sur la couche de CdS doit être effectuée à
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la chambre 48, et, à la sortie de cette chambre, il est introduit dans une chambre de flottage sur métal qui le maintient à l49[deg.]C, tandis qu'il est recouvert par pulvérisation
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essentiellement pareil à celui décrit dans la chambre 47.
Lorsque le panneau a été revêtu de Cu2S jusqu'à l'épaisseur requise, il est lentement refroidi jusqu'à 21[deg.]C, dans la chambre 50, et à partir de cette chambre, il progresse vers le poste 51, dans lequel les aires de contact positives et négatives sont déposées, vers le poste 52, dans lequel le panneau achevé est <EMI ID=66.1>
d'être évacué.
Pour que les cellules solaires fonctionnent avec l'effica-
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de faible résistance par carré, qui ne soit pas brouillé.
Ceci implique (1) que la majeure partie de la lumière disponible
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Pour améliorer les aspects de la cellule notés dans le paragraphe qui précède, le verre à la soude et à la chaux (verre
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qui empêche du sodium en provenance du verre de diffuser vers la
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cette couche protège le verre du SnO x et maintient la clarté du verre. Le revêtement de SnO x résultant a une résistance par carré relativement faible (environ 10 ohms/carré)tout en possédant un bon coefficient de transmission de la lumière, tandis que dans les réalisations connues, ce chiffre n'est habituellement que d'environ
55 ohms/carré pour du verre à la soude et à la chaux. On a également constaté que la couche de CdS est plus claire et plus uniforme si le verre est préalablement traité avec de l'acide avant l'ap-
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de CdS a parfois tendance à être trouble, ce qui indique que la couche polycristalline de CdS n'est pas faite d'une couche de micro-
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des germes pour la formation de la couche de CdS polycristalline.
Le procède conforme à l'invention fournit les cernes requis.
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couverte que des couches minces de CdS formées sur les revêtements de SnO peuvent être améliorées de cette manière, est réellement le fait de la Demanderesse. On sait que le revêtement for-
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ce dernier est un isolant. Le SnO x à haute résistivité qui a été formé conformément au procédé connu.manque probablement d'oxygène et est probablement amalgamé par fusion avec de la matière provenant du verre ou combinée avec certaine substances du verre. Le
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sa composition précise soit inconnue, un revêtement ayant de? propriétés inattendues et intéressantes. On constate que le revê-
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tandis que l'acide est pulvérisé et si la température est maintenue uniforme au-dessus de la surface du verre pendant la pulvérisation du composé qui produit du SnO x ainsi que dans la totalité du volume du verre,et si le flottage du verre s'effectue à 510[deg.]C, tandis que le
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raisonnables de la température implique une application lente des solutions d'acide et de SnO x et exige des déplacements des ajutages
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neau de verre à un moment donné quelconque. En l'absence d'une uniformité de température pendant la pulvérisation, les résultats décrits plus haut ne sont pas atteints. Par exemple, une diminution de température de 27,5[deg.]C peut aboutir à un accroissement de
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On a également constaté que la couche de SnO x doit être <EMI ID=81.1>
vérisée à température ambiante à sa sortie de l'ajutage et présente à ce moment les proportions suivantes :
500 cc de néthanol
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puissant pour éliminer tous les sous-produits gazeux, à mesure qu'ils sont formés sur la surface du verre, est alors requis.
Lorsque l'on fabrique du verre à vitre, la Masse fondue
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sant sur le bain d'étain de sorte qu'à l'extrémité de la chambre de
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feuille de verre se réchauffe à cette température et est alors recouverte par pulvérisation de la .solution de SnCl2 spécifiée plus
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d'exemple. Le but de l'agent dopant est de diminuer la résistivité des cristaux de CdS,d'une manière réglée, ces cristaux croissant
sur la surface chaude du verre. D'autres agents dopants adéquats sont connus et peuvent être utilisés.
Après avoir fait subir une croissance à la couche de microcristaux de CdS, on peut refroidir la feuille de verre dans une
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vérisation. Ceci est nécessaire parce que des réactions chimiques se produisent lentement pendant le mélange et ces réactions sont indésirables. Le mclange complet est nécessaire et les temps spé-
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o <EMI ID=93.1>
vérisation est effectuée selon un motif de balayage couvrant de petites zones à la fois, de telle sorte que la feuille de verre reste à une température uniforme en dépit de l'effet de refroidiss�ment de la pulvérisation. La seconde pulvérisation qui forme une couche de sulfate de cuivre (CuSO�) prend 15 minutes et laisse
0
une couche d'environ 500 A d'épaisseur.
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di à température ambiante, toute sa surface est revêtue de cuivre
o
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est ensuite revêtu de Al qui le protège contre l'oxydation.
Des électrodes négatives peuvent être formées d'autres manières. Des passages peuvent être gravés par dissolution chi-
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Inconel recouverts de Al peuvent être installés.En variante,on peut utiliser les électrodes négatives décrites dans la demande de brève:
américain n[deg.] 303.365 ou bien déposer une électrode en
Zn directement sur la couche de CdS avant l'application
du Cu2S. L'électrode en Zn peut être revêtue d'un
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longtemps que le verre est maintenu à la température uniforme appropriée, spécifiée plus haut, et que l'on évite la présence d'eau ou de matières contenant de l'eau dans la pulvérisation, que l'on réduit au minimum la présence de chlore, par exemple en utilisant du SnC12 comme matière de départ au lieu de SnCl4, que l'on utilise
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ainsi que du bifluorure d'ammonium en substance dans les quantités spécifiées plus haut. Si l'on s'écarte considérablement de la composition spécifiée, on obtient un verre trouble et/ou une résistance
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c'est-à-dire qu'elle peut être trouble au lieu d'être claire ou limpide, les implications de cette turbidité ayant été mentionnées plus haut.
Une composition précise utilisée pour un revêtement au moyen de CdS comprend les proportions suivantes, pour une pulvérisation au moyen d'ajutages:
5 litres d'eau désionisée
75 ce de solution 1 M de N,N,diméthylthiourée
100 ce de solution 1 M de CdCl2.2 1/2 H20
0,3 g de A1C13.6H20 (agent dopant).
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est de 1,4 kg/cm<2>, la température du bain d'étain est de 327[deg.]C, le temps de pulvérisation peut aller jusqu'à 20 heures, selon l'épaisseur désirée, et une puissante lumière ultraviolette doit frapper le verre pendant la pulvérisation. Comme, dans une-instal- <EMI ID=102.1>
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liquide dans lequel le verre se déplace doit être long, éventuel] ment 1.200 m de longueur, afin de déterminer un temps de pulvérisation suffisant pour chaque unité de surface du verre.
La longueur totale de la chancre de pulvérisation, et le nombre total d'ajutages requis, ainsi que le temps de pulvérisation total peuvent être radicalement réduits si l'on utilise une pulvérisation électrostatique dans laquelle un atomiseur électrostatique
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requises dans les revêtements conformes à l'invention. Un dispositif de pulvérisation adéquat est celui fabriqué par la Société Ransburg Electro-Coating Corporation , dont le fonctionnement est
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Un des inconvénients de la pulvérisation au moyen d'un ajutage est qu'elle n'est pas précisément uniforme.
Lorsqu'une grosse et une fine goutte de la pulvérisation atteignent la surface du verre tout près l'une de l'autre, elles provoquent un refroidissement inégal du verre, c'est-à-dire qu'elles introduisent un gradient de température. Le verre est un excellent isolant thermique de sorte que le métal liquide sous-jacent est incapable de corriger immédiatement la température au niveau de
la surface supérieure du verre, ce qui a pour résultat de produire de:
microcristaux de divers calibres, dans le cas du CdS, diminuant l'efficacité de l'aire de cellules. Dans une pulvérisation électrostatique à cloche, la matière appliquée par pulvérisation est divisée au moyen d'une cloche qui tourne très rapidement. La solution est introduite au centre de la cloche et se divise par centrifugation en filets vers le bord de la cloche,puis elle est projetée vers l'extérieur.Une différence de potentiel importante,par
<EMI ID=106.1> ainsi produit, la matière pulvérisée forme des filets espaces
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à leur tour en gouttelette:; qui sont chargées séparément et les gouttelettes sont remarquablement uniformes, comme la présente
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bre des cristaux.
Une pulvérisation électrostatique peut couvrir, en un laps
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être couverte par un ajutage de pulvérisation à l'air, et la vitesse de dépôt, pour n'importe quelle petite surface donnéedu verre, peut être accrue, parce que les gradients de température présents le long de la surface du verre, sont radicalement réduits lorsque les gouttelettes sont uniformes et fines. Les valeurs prévues cidessus pour l'application d'une couche de CdS, sont des valeurs
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A une échelle macroscopique, il est nécessaire de pulvériser de la matière sur le verre à une allure linéaire pour éviter des gradients de température à grande échelle, par opposition aux gradients microscopiques produits par des gouttelettes adjacentes de calibres différents. Dans le cas d'une bande de matière en mouvement, on peut,à cet effet,immobiliser les dispositifs de pulvérisation dans le sens de la longueur de cette bande tout en les déplaçant à une allure constante latéralement, tandis que la matière ou bande en cours de pulvérisation se déplace'longitudinalement.
Pour obtenir les vitesses de dépôt lentes requises, de nombreux dispositifs de pulvérisation qui se déplacent latéralement sent nécessaires et sont espacés dans le sens de la longueur de la bande, ces dispositifs de pulvérisation peuvent ne débiter que lorsqu'ils se déplacent dans un sens et non pendant leur retour, de sorte que les zones de la bande situées près des bords ne reçoivent pas plus de matière pulvérisée, en un laps de temps donné, que les zones qui se trouvent au milieu de cette bande, c'est-à-dire que l'épaisseur de la couche pulvérisée est uniforme sur une très grande surface.
A l'air libre, la température de la surface de la banc;?
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enceinte ou d'une chambre au-dessus du verre. Lorsque la pulvérisa-
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pérature transitoire,par exemple de 11[deg.] environ se produit à l'endroit où parvient la pulvérisation, mais cette chute de température transitoire est rapidement récupérée lorsque la pulvérisation se déplace vers une autre zone. Ces chutes de température transitoire
ne provoquent pas de détérioration de la couche mince.Des gradients de température microscopiques causés par des gouttelettes de divers calibres qui frappent la bande en des points immédiatement adjacents, sont également transitoires, mais semblent produire des microcristaux de calibres inégaux. Des variations de température
non transitoires le long de la surface de la bande paraissent introduire des contraintes de déformation permanente dans la couche
de cristaux ou une non-uniformité de la couche de cristaux sur la surface de la bande ,ce qui est indésirable.Pour éviter ces effets indésirables, il faut procéder très lentement à la pulvérisation et maintenir les solutions pulvérisées à un calibre de gouttelettes constant, du moins autant que possible, pour éviter tous gradients de température macr oscopiques autres que transitoires le long
de la surface de la bande recouverte par pulvérisation, et pour réduire au minimum tous gradients de température transitoires microscopiques. Le fait que le verre flotte sur un bain de métal
fournit rapidement un nouvel apport de chaleur à toute partie
du verre qui est refroidie par la pulvérisation.
Une forme d'exécution préférée de l'invention (demande
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comme décrit plus haut, suivie de= l'application d'une couche de CuSO� et ensuite d'une couche de-Cu, le CuSO� fournissant de l'oxy- <EMI ID=115.1>
étant posée directement sur les microcristaux de CdS et l'électro-
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ce moment, en étant chauffé jusqu'à environ 26C[deg.]C pendant un laps de temps suffisant, fournir l'oxygène destiné à être combiné à l'électrode en Cu pour former une électrode redresseuse et le soufrr
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une hétérojonction photovoltaïque, x étant proche de 2, mais inférieur à cette valeur.
On a constaté que la qualité des polycristaux d'un revê-
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faces de feuilles de verre revêtues à plat l'une près de l'autre et si on chauffe le sandwich obtenu à environ �10[deg.]C pendant 10 minutes. Cet effet paraît faire intervenir la croissance de grosses masses de cristaux. Une couche de cristaux plus uniforme est formée par
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est épais sur une surface vers des zones où le dépôt est mince sur une autre surface, et en général par la production de microcristaux de calibre uniforme sur la totalité des deux surfaces. Le procédé est actif, pour autant qu'on le sache, par le fait d'une recroissance des cristaux parce que les surfaces du verre sont suffisamment planes pour que l'air soit exclu des couches minces, ce qui permet
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Cds et le C12 provenant des couches minces.La Fig.6 est une microphotographie d'un film de microstaux de CdS obtenu par recroissance conformément au procédé de l'invention, c'est-â-dire amélioré en juxtaposant deux couches minces et en les chauffant.
Pour former des électrodes négatives, on peut procéder à
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un casque de réserve pour obtenir des passages de la nature repré-
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être chauffé en vue d'être amené jusqu'au niveau de la couche de
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de à des températures convenant pour la formation des couches minces, et les couches minces étant déposées par pulvérisation à des allures choisies pour permettre au liquide contenu dans les bassins de flot-
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banle de verre pendant la formation des couches minces.