BE704399A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE704399A BE704399A BE704399DA BE704399A BE 704399 A BE704399 A BE 704399A BE 704399D A BE704399D A BE 704399DA BE 704399 A BE704399 A BE 704399A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- installation
- precipitated
- vaporization
- desc
- page number
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/16—Remelting metals
- C22B9/22—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
- C22B9/226—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by electric discharge, e.g. plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/16—Remelting metals
- C22B9/22—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
- C22B9/221—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by electromagnetic waves, e.g. by gas discharge lamps
- C22B9/223—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by electromagnetic waves, e.g. by gas discharge lamps by laser beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/16—Remelting metals
- C22B9/22—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
- C22B9/228—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by particle radiation, e.g. electron beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> " Procédé de fabrication de matières à partir d'éléments présentant des températures de ùnion différentes" La présente invention se rapporte à un prooddé utilisable à la fabrication de nouvelles matières à partir d'éléments présentant des températures de fusion différen- tee, ainsi qu'a une installation servant à la mise en oeu- vre de ce procédé. Gaâce à ce procédé, il est possible de préparer des alliages qui ne peuvent être obtenue d'une manière classique. Il est connu, au moyen d'appareils émettant un flux d'électrons, de plasma ou du type laeer, de faire fon- dre des matières, de les vaporiner, de les séparer et de les combiner. Il est bien connu également de vaporiser sous vide @ <Desc/Clms Page number 2> des matières différentes à l'aide d'appareile émettant un flux d'électrons, de plasma ou du type laser et de les con- donner sur des pièces quelconques. D'âpres ces procédés connue, on utilise par en- ple un flux ou faisceau d'éleotrone de grande puissance* les électrons viennent frapper la matière et la chaleur dégagée par la transformation de l'énergie cinétique des électrons entraîne la fusion de la matière, Par suite de l'apport d'énergie et de l'utilisation d'un flux étroit, les pointe de développement de chaleur peuvent être déliai- tés avec une très grande précision, L'utilisation de ces procédée exige, dans la plupart des cae, 1'application du vide. Lorsqu'on enlevé de la matière au moyen d'un flux d'éleotrone, on met à profit cette constatation que les flux d'électrons à densité d'énergie très élevée provoquent l'évaporation de la matière. Afin d'empêcher la fusion d'une assez grande quantité de matière autour du point d'impact, on fait agir le flux d'électron, par courte, impulsions à niveau d'énergie élevé. Pendant la durée de l'impulsion, qui n'est que de quelques microsecondes, il se vaporise bien une petite quantité de matière, mais il en résulte eimplement la fusion d'une très petite quantité de matière. La matière transformée en vapeur ee dépose sur des parties de parois plus froides. Cette propriété de la matière à l'état de vapeur est utilisée d'une manière connue en soi Pour recouvrir de couches les surfaces d'objets métalliques ou non métalliques. Le but de l'invention consiste à vaporiser simul- tanément deux ou plusieurs matières de natures différentes dans une môme installation, à mélanger ces vapeur, et à les Précipiter, dans le but de créer, par ces précipitation. des matières d'un. composition orientée, présentant des qua- lités optima qu'il n'est pas possible d'obtenir avec des <Desc/Clms Page number 3> procédas classiques. Ce résultat est obtenu, suivant l'invention, par le fait que, par exemple, des flux d'électrons aggisent sur des matières différentes de façon à les vaporiser dans des conditions dosées, ces vapeurs étant réunies, mélangées ou contraintes de réagir ensemble, entre autres par catalyse, puis précipitées dans un récipient à température réglée et prélevées de ce récipient en vue de leur traitement ulté- rieur. Les flux d'électrons doivent être projetés sur les différentes matières de départ, chaque fois par des canons à électrons séparés, aelon un dosage tel que, d'une part, il en résulte non pas une fusion, mais une vaporisa- tion, et que, d'autre part, :Le rapport quantitatif désiré soit obtenu, le flux d'électrone agit alors rationnellement par brèves impulsions. Comme exemple de matière nouvell@ment formée par vaporisation et condensation 'de vapeurs, on peut citer la combinaison sodium-chrome. On obtient on définitive une nouvelle matière qu'il n'est pas possible de produire par les méthodes connues utilisées à la formation des alliages. Un autre but de l'invention consiste à faire appa- raître des propriétés qu'il convient de provoquer d'une manière envisagée, comme par exemple une dureté superficiel- le élevée, une résistance thermique ou une résistance à l'a- brasion, tout en conférant aux matières autant que possible leur forme définitive, même au cours de leur élaboration, sans que soit nécessaire un traitement subséquent, qui est très difficilement applicable par suite des circonstances. Ce but est atteint par le fait qu'au coure d'un procédé du type précité, la nouvelle matière est précipitée sur un mince support en matière synthétique, métal ou autre, qui, selon une autre conseption de! l'invention, peut être EMI3.1 45a:ale..nt un annnl'lwo+ +"10..,.."... ......-¯..¯.. ¯¯¯ <Desc/Clms Page number 4> réfrigérant. Il est en outre possible, conformément à l'in- vention, de précipiter la nouvelle matière intérieurement et extérieurement eur le support tubulaire qui, finalement, peut même avoir la forme d'une nouvelle pièce à usiner. L'invention est décrite ci-après à l'aide d'un exemple de réalisation. Sur un récipient refroidi, il est fixé une feuil- le sur laquelle se condensent les vapeurs. Si la feuille; en tant que surface métallique, présente un faible point de fusion, elle peut être fondue aisément par la matière obte- nue. S'il s'agit d'un produit en matière synthétique, elle peut être dissout. dans un bain chimique. Le récipient peut être un ajutage ou un tube en matière synthétique refroidi intérieurement ou la matière peut être condensée sur des corps ou des masques conformé- ment conçus en matière synthétique, dans lesquels les oon- duite de refroidissement sont formés. Il est encore possible de sillonner de conduite de refroidissement des pièces de construction spéciales, dont la surface doit être sensible par exemple à la tempé- rature ou à la gravitation, et de laisser se précipiter les vapeurs mélangées de la nouvelle matière sur leur sur- face extérieure. Il est d'autre part décrit ci-après à titre d'exem- ple ; une installation utilisable à la mise en oeuvre de ce procédé. Le dispositif destiné à provoquer une vaporisation par des flux d'électrons est essentiellement constitué par @ une installation destinée à engendrer et à guider des flux d'électrons. Le dessin schématique annexé montre, à titre d'exemple non limitatif, un mode de réalisation possible de l'objet do l'invention. La figure unique est une vue schématique très sim- plifiée d'une installation servant à la mise en oeuvre du <Desc/Clms Page number 5> EMI5.1 procédés tel que le prévoit l t la'f"A't1oa. Il est prévu, solîm :le noabre 40@ a&t1r.. ou 41ú.u:te à réuni?, pluaieurit source$ 1 de flux d 43eatrors à l'1at'r1eur d'urne chambre : dens laquelle aont également placées les aatiarso de dépgxt 50 ces Mtittee peuvent étre déposées sur dos supporte alitecide à des dispositifs 4' an.11- 04 ou de réchauffage préalattle,. Leo vapeurs de matières de départ sont précipitées dans un récipient 3. Un catalyseur EMI5.2 ou un dispositif de chauffées peut etzoo sont. dans la chambre 2 afin daotiver les, r,faotion. chiaiqu... Les avantagea d'un flux d'électrons pour provo- quer la vaporisation de matières réside dans le fait que l'énergie est transmise directement du point où elle est produits à la matière à chauffer, sans support intermédiai- re, tels que des conducteure de chaleur ou gaz. L'énergie peut être dosée aveo précision et concentrée sur des eur- facee bien délimitées. lies détails de mise en oeuvre du procédé et les EMI5.3 détails de réalisation de ltlni3tallation décrite et repré- sentés peuvent être modifiés, sans s'écarter de l'invention, dans le domaine das équivalences techniques. R E 8 U M E EMI5.4 -------- ....t8.... 10) Procédé da tab.riCI8.tion de Mtieree a partir d'61émcnta pre-sentant des température. de tue ion différez- toct lequal consiste h titre o8aotéri8tique!, à vaporiser deux ou plusieurs matières de départ au moyen de flux d'électrons, de plasma ou du type laser, à réunir leur EMI5.5 vapeur, à les mélanger. et iL :Lem précipiter dans un réoi.- l'1ant à température réglée, 01; à prélever de ce récipient la matière désirés sous la forme d'une combinaison de ma- tières. EMI5.6 2 ) Xodes de mïoo on oeuvre du procéda selon le)$ caraotri8' en ce ques **ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.
Claims (1)
- <Desc/Clms Page number 6> a) on règle ou on commande la puissance de$ tour- ces d'énergie utilisées, telles que des faisceaux d'élec- trous$ de plasma ou de laser, afin de provoquer la vapori- sation de chaque matière de départ en fonction du rapport quantitatif, de la température de vaporisation et de la tension de vapeur; b) on produit la vaporisation et la précipitation des matières de départ dans des chambres de réaction (2) sous vide ou sous une atmosphère de gaz; c) la matière est précipitée sur un mince support en matière synthétique, métal ou autre; d) la matière est précipitée sur un support tubu- laire qui est parcouru par un produit réfrigérant; e) la matière est précipitée intérieurement et extérieurement sur le support tubulaire ;f) le support se compose d'une matière mince et est prélablement façonné même sous la forme d'une nouvelle pièce à usiner.3 ) Installation pour la mise en oeuvre du procé- dé selon 1 ou 2 , caractérisé en ce qu'il est prévu dans une chamure à vide au moins deux sources d'énergie focali- sées (1) dont les puissances de production d'énergie peuvent être commandées séparément.4 ) Modes de réalisation de l'installation selon 3 , caractérisés par les particularités suivantes, séparé- ment ou collectivement: . aa) les supports des matières de départ sont munis de dispositifs d'avance ou de réchauffage préalable, bb) il est prévu un dispositif à température réglable (récipient 3)servant à la captation et à la préci- pitation des vapeurs réunies; <Desc/Clms Page number 7> co) un catalyseur ou un dispositif de chauffage (4) est monté dans l'installation en vue de la production ou de l'accélération des réactions chimiques.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DER0044311 | 1966-10-08 | ||
DER0046826 | 1967-09-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE704399A true BE704399A (fr) | 1968-02-01 |
Family
ID=25992032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE704399D BE704399A (fr) | 1966-10-08 | 1967-09-27 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT279194B (fr) |
BE (1) | BE704399A (fr) |
CH (1) | CH513244A (fr) |
DE (1) | DE1621329A1 (fr) |
FR (1) | FR93689E (fr) |
NL (1) | NL6713126A (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS533644B2 (fr) * | 1972-01-24 | 1978-02-08 |
-
1967
- 1967-09-02 DE DE19671621329 patent/DE1621329A1/de active Pending
- 1967-09-27 NL NL6713126A patent/NL6713126A/xx unknown
- 1967-09-27 BE BE704399D patent/BE704399A/fr unknown
- 1967-12-01 AT AT1085667A patent/AT279194B/de not_active IP Right Cessation
- 1967-12-27 FR FR133813A patent/FR93689E/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-02-06 CH CH181068A patent/CH513244A/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH513244A (de) | 1971-09-30 |
FR93689E (fr) | 1969-05-02 |
DE1621329A1 (de) | 1971-05-13 |
NL6713126A (fr) | 1968-04-09 |
AT279194B (de) | 1970-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6254005A (ja) | 超微粒子の製造方法 | |
US6235615B1 (en) | Generation of low work function, stable compound thin films by laser ablation | |
Peng et al. | Experimental explanation of the formation mechanism of surface mound-structures by femtosecond laser on polycrystalline Ni60Nb40 | |
US4480677A (en) | Method for processing and fabricating metals in space | |
JPH04505478A (ja) | 合金製造用複合試料源蒸発装置及び蒸発方法 | |
BE704399A (fr) | ||
Petrović et al. | Laser induced damage/ablation morphology on the 8 (Al/Ti)/Si system in different ambient conditions | |
CN107304470A (zh) | 靶材组件的制造方法 | |
Cristescu et al. | New results in pulsed laser deposition of poly-methyl-methacrylate thin films | |
Gonzalez-Zavala et al. | Preparation of vanadium oxide thin films modified with Ag using a hybrid deposition configuration | |
Semerok et al. | Laser ablation efficiency of pure metals with femtosecond, picosecond, and nanosecond pulses | |
Gedvilas et al. | Driving forces for self-organization in thin metal films during their partial ablation with a cylindrically focused laser beam | |
JP2010247200A (ja) | 金属部材の接合方法 | |
Pimenov et al. | Damage of niobium by pulsed flows of helium ions and helium plasma | |
Baldwin | Comment on``Laser evaporation and elemental analysis'' | |
FR2520265A1 (fr) | Meche pour tube de chaleur | |
Dai et al. | Improvement of Al thin film morphology with picosecond pulsed laser deposition in burst mode | |
WO2013084351A1 (fr) | Dispositif de réduction | |
RU2643287C2 (ru) | Способ получения нанопорошка соединений и смесевых составов и устройство для его реализации | |
CN100516284C (zh) | 蒸镀装置 | |
JPH0593263A (ja) | ハースライナおよび蒸着方法 | |
Yendeti et al. | Direct fabrication of sub-100 nm nanoneedles in silver using femtosecond laser direct writing | |
JP2505376B2 (ja) | 成膜方法及び装置 | |
WO2019030890A1 (fr) | Élément et méthode de fabrication d'agrégat de nano-cornet de carbone | |
JP2913015B2 (ja) | 表面被覆方法 |