BE682888A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE682888A BE682888A BE682888DA BE682888A BE 682888 A BE682888 A BE 682888A BE 682888D A BE682888D A BE 682888DA BE 682888 A BE682888 A BE 682888A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- compounds
- substances
- semiconductors
- bodies
- metal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 3
- 239000012928 buffer substance Substances 0.000 claims description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 claims 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims 2
- 150000005208 1,4-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011874 heated mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 210000003537 structural cell Anatomy 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
" Procédé de production de semi-conducteurs extrinsèques, électriquement stabilisés, et semi-conducteurs extrin- sèques obtenus selon ce procédé ".-
<Desc/Clms Page number 2>
L'objet de la présente invention est un procédé de production.de semi-conducteurs extrinsèques, destinés notamment au chauffage électrique, procédé selon lequel on obtient des semi-conducteurs que l'on peut mouler, se présentant sous forme de couche, et qui possèdent des propriétés durables et stables pendant une période de temps indéfiniment longue.
et pour une gamme de températures variables,
On connaît déjà des semi-conducteurs de ce genre, mais leur production exige soit des corps simples d'une pureté égale, au moins,à 99,9999 %, tels que le germanium ou le silicium, additionnés d'atomes d'autres métaux, par exemple, ou bien des oxydes de métaux de transition qui subis.sent un disproportionnement sous l'effet de la température, ou bien des additions effectuées en plus aux ions de différentes valeurs, pour déplacer l'équilibre de la réaction:
EMI2.1
gràce à quoi ils deviennent des matériaux conducteurs.
Mais les éléments semi-conducteurs de ce genre s'échauffent après avoir été branchés à une source de courant, la température du dispositif augmente, l'équilibre du processus Redox varie, si bien que le nombre d'agents de transport du courant augmente ou diminue. L'atmosphère ambiante exerce ses effets sur la résistance de tels éléments, notamment par l'oxygène y contenu,qui oxyde le dispositif conducteur aux températures supérieures. On a cons-
<Desc/Clms Page number 3>
taté qu'une addition de 0,001 % d'oxygène peut changer @ quelques billions de fois la conductibilité de l'élé- ment qui se grille ou qui devient alors un isolant.
Du point de vue technique, la production de ce genre de semi-conducteurs extrinsèques exige l'em- ploi de matières premières de très grande pureté, ce qui influence considérablement le prix de revient.
On a constaté.de même,que, dans les semi-con- ducteurs extrinsèques, le rôle d'agents de transport du courant incombe généralement aux électrons et aux la- éléments d' cunes des/addition aux températures inférieures tandis que ce rôle incombe aux électrons et aux lacunes du ré- seau principal aux températures supérieures; donc, dans ces semi-conducteurs connus, même sans variation de l'é- tat d'équilibre de la réaction, la conductivité s'élève fortement.
L'invention se proposait de découvrir une subs- tance tampon telle qu'elle réglerait le nombre d'agents de transport du courant dans chaque condition, particuliè- rement à des températures différentes, de façon que les propriétés de l'élément de chauffage selon l'invention restent constantes dans une large gamme de températures.
On a constaté, à présent, que ce but peut être attinet, et cela fait l'objet de la présente invention, lorsque la composition est constituée par une substance de base de composés métalliques et, éventuellement de subs- tances d'addition comme solution dans laquelle la condition de stabilisation de la conductibilité est relative à l'équi-
<Desc/Clms Page number 4>
libre du potentiel Redox, c'est-à-dire, qu'on y emploie des tampons.
On a encore constaté que l'on produit des semi- conducteurs additionnés stabilisés destinés au chauffage électrique, lorsque la composition semi-conductrice con- éléments d' tient, à part la substance, et, éventuellement des/addi- tion , une substance qui, dans la suite du présent mémoi- re sera désignée sous l'appellation de "tampon thermique".
De longs essais ont démontré que les composés ou les corps simples, qui possèdent un ion dont le cali- bre est inférieur à celui de la substance de base, con- viennent très bien puisque, d'une part, aux températures inférieures, ils agiront comme éléments d'addition, car ils se logeront à l'intérieur de la cellule structurale du ré- seau cristallographique, et, d'autre part, aux températu- res supérieures, ils se logeront dans les noeuds du ré- seau et ils produiront les agents de transport du courant d'un type opposé à celui des agents principaux, si bien qu'il se produira une recombinaison partielle et le nom- bre d'agents de transport du courant reviendra à l'état originel.
Le procédé selon l'invention se caractérise en ce que la production de semi-conducteurs extrinsèques stabilisés destinés à être employés dans le chauffage élec- trique, est réalisée par l'addition desdits "tampons ther- miques" à la substance de base, ou éventuellement aux éléments d'addition.
Comme tampons thermiques conviennent très bien les ions d'un calibre inférieur au calibre des ions du réseau principal. Les meilleurs effets sont produits par
<Desc/Clms Page number 5>
les ions des corps simples du second groupe de la classi- fication périodique, puisqu'ils possèdent un calibre plus petit.
Les semi-conducteurs extrinsèques selon l'inven- tion sont produits de la manière suivante; on chauffe jusqu'à une température proche de celle du point de ramollissement du mélange constitué par des composés métalliques auxquels on a ajouté des éléments d'addition et, nécessairement, des substances qui a @idont comme tampon sur l'état de la conducti@llité électrique et, ensuite, on broie ce mélange réchauffé qu'on refroidit rapidement; éventuellement ce processus de chauffage et de broyage est répété plusieurs fois jusqu'à obtention d'une poudre sèche finement cristallisée. Il s'avère utile, parfois, de bien mélanger, au début, les composants du mélange préparé.
Il est utile alors de les dissoudre ou de les disperser dans un solvant ou un diluant tel que l'eau, les alcools, les acides, les éthers ou autres, et après un mélange minutieux, la solution est soumise à une évaporation, après quoi on procède de la même manière que selon l'invention.
Tous les composés métalliques peuvent être employés, dans le procédé selon l'invention, comme substance de base, mais ils devront être résistants aux températures supérieures à 70 C, tandis qu'éventuellement, comme éléments d'addition, peuvent être employées tout aussi bien des substances réductrices qu'oxydantes, par exemple, l'oxygène, l'acide chromique, l'eau oxygénée, les alcools, l'hydrogène, les composés métalliques des groupes de transition, d'une autre valeur que la substance de base.
<Desc/Clms Page number 6>
Le semi-conducteur extrinsèque selon l'invention devra contenir de 50 à 99,9% en poids de la substance de base, éventuellement mélangée avec des éléments d'addition, tandis que la quantité de substance tampon thermique varie- ra dans les limites de 0,1 à 50 % en poids du mélange.
Les semi-conducteurs extrinsèques selon l'inven- tion peuvent être appliqués, selon les procédés connus, par pulvérisation ou par revêtement. Ils pénètrent dans la cou- che monomoléculaire de la surface de la substance résistan- te à la chaleur. Àu cas d'enduisage d'une surface transpa- rente telle que du verre, du quartz, du mica, des matières etc., plastiques,des substances minérale par exemple, avec la substance selon l'invention, on obtient des éléments pos- sédant une couche de chauffage transparente. Ce fait pro- cure des possibilités d'emploi avantageuses, notamment dans l'industrie chimique, pharmaceutique, etc.
L'enduisage, avec des semi-conducteurs extrinsè- ques selon l'invention, d'autres substrats réfractaires tels que la céramique, la porcelaire, les minéraux, émail- lés ou revêtus d'oxydes métalliques, donne toute une nou- velle gamme de nouvelles applications utiles à la techni- que et à l'économie domestique.
De même, grâce aux semi-conducteurs extrinsèques selon l'invention, on peut donner des formes diverses aux éléments de chauffage, qui non seulement, remplacent avec succès les éléments résistants connus tels que les fils résistants nichromes, siliciques, mais leurs sont supérieurs la du point de vue de/longévité et de la gamme d'emplois, du fait qu'il est possible de les produire sous une forme
<Desc/Clms Page number 7>
quelconque convenable et, en plus, ils peuvent être employés dans n'importe quelle gamme de températures jusqu'à 2500 même.
L'invention est caractérisée en ce que le prix
EMI7.1
de revient des semi-conducteurs extrinsèques selon l'in- vention est plusieurs fois inférieur à celui des semiconducteurs connus du même type, car les matières premières employées d'une pureté technique sont très bon marché.
EXEMPLE I.
Dans le but de vérifier les propriétés des semiconducteurs extrinsèques selon l'invention, on a préparé un mélange semi-conducteur selon les revendications 1 - 15 de manière à mélanger les différents composants du tableau 1, ensuite on a formé leur structure, on les a chauffés jusqu'à la température proche de celle de la température de fusion, après quoi ce mélange a été broyé et refroidi.
Ces opérations furent répétées plusieurs fois jusqu'à l'obtention d'une poudre active et sèche finement cristallisée.
On a enduit les substrats cités dans le tableau 1 avec les mélanges ainsi obtenus, si bien qu'on a obtenu des couches semi-conductrices qui ont résisté aux températures indiquées dans ledit tableau et dont la durée des essais variait de 3000 heures à deux ans.
Les résultats obtenus sont mis en regard dans le tableau l; où on a employé les désignations suivantes:
A - substance de base
B.T. - tampon thermique
D - addition en quantité pondérale.
<Desc/Clms Page number 8>
TABLEAU 1.
EMI8.1
<tb>
A <SEP> D <SEP> BT
<tb> Substrat <SEP> symbole <SEP> quantité <SEP> symbole <SEP> quantité <SEP> symbole <SEP> quantité <SEP> tempé- <SEP> temps <SEP> Remarques
<tb> rature <SEP> d'essai
<tb>
EMI8.2
Porcelai- ZnC12 100 Sb Cl, 10 Be C12 2 O.3.n 450 C 4 mois essais
EMI8.3
<tb> interne <SEP> rompus
<tb>
EMI8.4
ZnC12 100 Sb Cl 10 l'r2 4.50 C 10 heu- étince-
EMI8.5
<tb> Verre <SEP> ' <SEP> Bi <SEP> Cl3 <SEP> 100 <SEP> hydrazi- <SEP> 5 <SEP> Li2CO3 <SEP> 5 <SEP> 0,
1# <SEP> 350 C <SEP> 2 <SEP> ans <SEP>
<tb>
EMI8.6
ne ¯¯¯ ¯¯¯ ¯¯¯¯¯¯ ¯¯¯¯¯¯¯ .¯¯¯¯ Nb cis 50 - - B/ocx/ 50 12 Jt 350"C 300o h
EMI8.7
<tb> Porcelai- <SEP> alcoola- <SEP> 100 <SEP> alcoola- <SEP> 10 <SEP> alcoola- <SEP> 5 <SEP> 3.il <SEP> 700 C <SEP> 3000 <SEP> h <SEP>
<tb> ne <SEP> te <SEP> de <SEP> te <SEP> de <SEP> te <SEP> de
<tb> chrome <SEP> vanadium <SEP> lithium
<tb>
<Desc/Clms Page number 9>
EXEMPLE II, Production déplaces moulées chauffantes dans leur volume
EMI9.1
entier, ¯¯¯¯¯ ,¯¯ ¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯
On a préparé un semi-conduoteur extrinsèque com- prenant :
Sn O2 - 50 quantités pondérales V2 O5 - 50 quantités pondérales Li F - 20 quantités pondérales
Le mélange préparé selon les revendications 1- 15 fut ensuite moulé en bâtonnets d'une longueur de 30 cm et d'un diamètre de 1 cm dans un moule convenable, à la presse hydraulique. Les extrémités des bâtonnets furent enduites d'une pâte à l'argent et on y a monté des anneaux métalliques, après quoi le bâtonnet fut branché à une sour- ce de courant électrique.
L'élément chauffant ainsi obtenu procurait une température de 8500Ctout en conservant constamment ses propriétés électriques durant quelques mois.
EXEMPLE III.
Chauffage d'un appareil à quartz de laboratoire.
Une colonne quartzique de rectification à 100 éages, un dispositif de chloration quarzique et un appa- reillage quartzique pour la réduction des composés métalli- ques à la température de 1000 C environ, furent enduits @ d'une couche chauffante semi-conductrice de composition suivante:
EMI9.2
<tb>
<tb> A <SEP> - <SEP> In <SEP> Cl3 <SEP> 100 <SEP> quantités <SEP> pondérales
<tb> BT <SEP> - <SEP> B <SEP> Cl3 <SEP> 10 <SEP> quantités <SEP> pondérales
<tb>
<Desc/Clms Page number 10>
Les résultats obtenus étaient positifs.
La cou- che transparente de chauffage donnait notamment une tem- pérature uniforme dans la gamme des températures de 20 à
1000 C durant deux ans d'exploitation, Sans tampons ther- miques, l'effet obtenu était négatif,
REVENDICATIONS..
1.- Procédé de production de semi-conducteurs extrinsèques, électriquement stabilisés et destinés au chauffage électrique, caractérisé en ce que le mélange contenant une substance qui sert de tampon pour la con- ductibilité électrique, ainsi qu'au moins un composé de métal avec un non-métal résistant à une température supé- rieure à 70 C, notamment un composé métallique des grou- .
pes 2 à 5 de la classification périodique, et, en parti- culier, des halogénures, des sulfures, des oxydes, des carbonates et, éventuellement, des substances d'addition est chauffé jusqu'à une température proche de la tempé- rature de fusion ou de ramollissement, après quoi le mé- lange est broyé intensivement et rapidement refroidi, ce processus pouvant être répété plusieurs fois jusqu'à obten- tion d'une poudre sèche finement cristallisée.
Claims (1)
- 2.- Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce qu'on emploie, comme substances tampons , des corps simples, ou des composés dont les ions ont des cali- bras inférieurs à ceux des ions du composé métallique, donc ceux qui, dans la classification périodique des corps simples, prennent place dans la période inférieure à celle des ions des composés métalliques de la substance princi- pale . <Desc/Clms Page number 11>3.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'on emploie, comme substances tampons des corps simples, ou des composés, de la seconde période de la classification périodique, tandis que, comme composés métalliques, on emploie des corps simples d'un groupe de transition.4.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on emploie comme substances d'addition des composés ou des corps simples réducteurs.5.- Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que l'on emploie, comme .substances d'addition, des composes ou des corps simples 1 propriétés oxydantes.6.- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'on emploie, comme composés ou corps simples à propriétés réductrices, de l'hydrogène, des composés métaltiques des groupes de transition, des réducteurs organiques.7.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'on emploie comme substances oxydantes de l'oxygène, des peroxydes.8,- Semi-conducteurs extrinsèques produits selon les revendications 1-7, caractérisés en ce qu'ils contien- nent des composés de métaux avec des non métaux, résistant à une température supérieure à 70 C, des substances qui agissent comme tampons sur la conductivilité électrique et, éventuellement, des substances d'addition , mélange dans lequel la quantité de composés métalliques avec les non mé- talliques, conjointement avec les substances d'addition, comporte de 50 à 99,9 % en poids par rapport au semi-con. ducteur extrinsèque, tandis que la substance tampon consti- tue de 0,1 à 50 % en poids par rapport à ce semi-conducteur. <Desc/Clms Page number 12> EMI12.1 9.- Semi-conducteurs selon la revendication 8, caractérisée en ce qu'ils comportent, comme substances tampons des composés ou des corps simples dont les ions ont des calibres inférieurs à ceux des ions du composé métallique, donc ceux qui, dans la classification périodique, occupent une période inférieure à celle des ions du composé du métal avec des non-métaux.10.4 Semi-conducteurs selon la revendication 8, caractérisés en ce qu'ils comportent des substances d'addition en quantité jusqu'à 50 % en poids par rapport au composé métallique.11.- Semi-conducteurs selon la revendication 9, caractérisés en ce qu'ils comportent, comme substances tampons, des composés ou des corps simples de la seconde période de la classification périodique des éléments, lorsque le composé du métal avec les non-métaux est un composé des corps simples du groupe de transition, .12.- Semi-conducteurs selon la revendication 8, caractérisés en ce qu'ils comportent, comme composés du EMI12.2 métal avee les non métaux, des hulog4nuros, dex ,; ifure8, des carbures, d'H1 carbonates, des composés organo-métalli- ques des métaux du groupe 2 à 5 de la classification périodique des éléments, 13.- Semi-conducteurs selon la revendication 8, caractérisés en ce qu'ils comportent des composée ou des corps simples réducteurs comme substances d'addition.14.- Semi-conducteurs selon la revendication 8, caractérisée en ce qu'ils comportent des composés ou dea corps simples oxydants comme substances d'addition. <Desc/Clms Page number 13> EMI13.115. Semi-conducteUrs selon la revendication 8, caractérisés en ce qu'ils sont moulés sous forme de pièces constituantes d'éléments d,e chauffage autonomes, ou bien en ce qu'ils se présentent sous forme de couche appliquée.., d'une manière quelconque, sur une matière isolante réfractaire telle que du quartz, du verre, du mica, de la céramique, des substances minérales, du vernis, de l'émail, et des oxydes métalliques.16,- Semi-conducteurs, selon la revendication 14, caractérisés en ce qu'on emploie, comme substances réductrices, de l'hydrogène, des composés métalliques du groupe de transition, des réducteurs organiques tels que les aldéhydes, les hydroquinones et autres.17.- Semi-conducteurs, selon la revendication 15, caractérisés en ce qu'on emploie comme substances oxydantes, des oxydants connus, tels que l'oxygène, les peroxydes, les métaux du groupe de transition et autres.18.- Procédé de production de semi-conducteurs extrinsèques, électriquement stabilisés, et semi-conducteurs extrinsèques obtenus selon ce procédé.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL10967665 | 1965-06-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE682888A true BE682888A (fr) | 1966-12-01 |
Family
ID=19946756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE682888D BE682888A (fr) | 1965-06-22 | 1966-06-21 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE682888A (fr) |
| ES (2) | ES328202A1 (fr) |
| FR (1) | FR1499185A (fr) |
| LU (1) | LU51383A1 (fr) |
| NL (1) | NL6608659A (fr) |
-
1966
- 1966-06-21 ES ES0328202A patent/ES328202A1/es not_active Expired
- 1966-06-21 BE BE682888D patent/BE682888A/fr unknown
- 1966-06-21 FR FR66320A patent/FR1499185A/fr not_active Expired
- 1966-06-22 LU LU51383A patent/LU51383A1/xx unknown
- 1966-06-22 NL NL6608659A patent/NL6608659A/xx unknown
-
1967
- 1967-04-15 ES ES339365A patent/ES339365A1/es not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES328202A1 (es) | 1967-08-16 |
| ES339365A1 (es) | 1968-10-01 |
| NL6608659A (fr) | 1966-12-23 |
| LU51383A1 (fr) | 1966-08-22 |
| FR1499185A (fr) | 1967-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0473224B1 (fr) | Mélanges de polymères polaires et de polymères conducteurs dédopés, procédés d'obtention de ces mélanges et utilisation de ces mélanges pour fabriquer des dispositifs électroniques optoélectriques, électrotechniques et électromécaniques | |
| FR2554456A1 (fr) | Materiau semi-conducteur a base de fibres de tissu de verre et procede de fabrication | |
| LU86811A1 (fr) | Procede en vue de modifier les caracteristiques superficielles du noir de carbone et noir de carbone ainsi obtenu | |
| FR2584229A1 (fr) | Procede de preparation d'une resistance electrique a base de metal commun et resistance ainsi obtenue | |
| JPS5933868A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
| BE682888A (fr) | ||
| Atyia et al. | Peculiarities of resistive switching in thin films of glassy SeTeSnGe system | |
| Jia et al. | Electrically conductive composites based on epoxy resin containing polyaniline–DBSA‐and polyaniline–DBSA‐coated glass fibers | |
| Ram et al. | Electrical conduction mechanism in Se90-xTe5Sn5Inx (x= 0, 3, 6 and 9) multi-component glassy alloys | |
| FR2538802A1 (fr) | Procede de production d'une matiere ceramique, systeme a solvant organique, dispersion aqueuse et article obtenu par le procede | |
| Al‐Ahmed et al. | Preparation, characterization, thermooxidative degradation, and stability of polyaniline/polyacrylonitrile composites in terms of direct‐current electrical conductivity retention | |
| Green et al. | The electrical conductivity of graphite nanoplatelet filled conjugated polyacrylonitrile | |
| US3244490A (en) | Superconductor | |
| CN110395714A (zh) | 一种锑掺杂SnO2@碳纳米管复合电热膜的制备方法 | |
| EP0002418B1 (fr) | Procédé de fabrication de produits extrudés à base de compositions polyoléfiniques | |
| Isaji et al. | Electrical and self‐heating properties of UHMWPE‐EMMA‐NiCF composite films | |
| US1019393A (en) | Boron-carbon alloy. | |
| Berezkin et al. | Percolation transition in carbon composite on the basis of fullerenes and exfoliated graphite | |
| JP6670114B2 (ja) | 導電フィラー用粉末 | |
| Hakim et al. | The Effect of aluminum oxide nanoparticles on optical properties of (polyvinyl alcohol-polyethylene glycol) blend | |
| Choi et al. | Influence of CMC on the electrical and heating performance of carbon papers planar heating elements under low power | |
| JPH01101372A (ja) | 導電性複合樹脂組成物 | |
| FR2555154A1 (fr) | Procede de preparation d'oxyde metallique modifie | |
| Brau et al. | Electrical conductivity of BEDT-TTF composites with gold-derived acceptors obtained by direct charge transfer reaction in the solid state | |
| Rao et al. | Studies on the optical properties and stability in dc: Conductivity of PTSA-I2 doped poly-4-vinyl pyridine |