BE622986A - - Google Patents

Info

Publication number
BE622986A
BE622986A BE622986DA BE622986A BE 622986 A BE622986 A BE 622986A BE 622986D A BE622986D A BE 622986DA BE 622986 A BE622986 A BE 622986A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
deposit
temperature
arsenic
desc
page number
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of BE622986A publication Critical patent/BE622986A/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B30/00Obtaining antimony, arsenic or bismuth
    • C22B30/04Obtaining arsenic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Peptides Or Proteins (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 



  PtOO'd' M pr'p'ft'Ób 4tjri M .fl'.fi.ttu. , 1 fÓÎiSJ!j4 4 
 EMI1.2 
 procédé bivet fellemtftd 261*922 tient de$ dl4ffiegts et des bbmpob4s êd awsnant Its 'bjttea à rôduirs, par exemple soua l6 e gazsuae, dans une flamme invoreôô* Le* pbudrea rirr extrêmement ailïàîea ainsi obtehuôâ sent teie & pattllfec fins  qu'elles .

   abaorbént le  pantenfeitbs d ïa èàâiâilobé En outfè tilèb bdiiu tiennent à peu près toute* <t impuretés pt*ésent ë dans là utiêt-é de pài  H dit connu bli outre <A'6Ki ât exera- Pl* de irac t1 Cfiëtàux gai$ï*a sublimant larset* -Mi  et *à 1 adeït&nt sur dés surfaces <t!MMifféea* Un vient pedodeoment de d4couVï*ii* un peôd4dî pat le* quoi on parVie à obtenir dernart l'arsenic gt'ûssi'* renient oriatallisé ôt très pur, convenant pour ios applica- tions dans le domaine doâ m,rar, rf réduisant les composé  tt'it't,dl réductibles pue de lihydtbgéné dans des 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 flaEMt&a inversées* Le procédé se Caractérise en ce que le , # courant, gueux sortant de la fle rencontre une autA*4 ai dépôt qui se trouve'. une température oo#pri...ntr.

   $$4 0 Dans-le l'roêd6 conforMe & l'invention le cûMX'an& ',...1 $eux, sur le trajet allant de la flamme jusqu'à l',nc1rÓ1' dé dépôt, doit être maintenu 4 une température environ 104d plui élevée que la température de condeneat1on de l'Aï'eeiO't Un   l'occurrence   on entend par   température   de   condensation   de   1 arsenic   la   température   à laquelle la tension de   vapeur   sa- -turante est égale à la pression partielle de la   vapeur   d'ar-   aenic   dans le courant gazeux.

   Dans un mélange   gâteux     dans   le- quel par   exemple   la pression partielle de la   vapeur   d'arse- 
 EMI2.2 
 nie 6#416ve à 30 mb Cette tompérature est de 473*<!!it ta température citée peut être obtenue par ith tout. l'âge supplémentaire ou par isolation thermique. Mait il bit également possible de disposer la surface de ddp$t et pr'6< de la   flamme   qu'un   chauffage   supplémentaire du courant gaseux devient superflu. 
 EMI2.3 
 



  , #-. Comme matières premières conviennent de prd±4tléÀdio les halég4nurob Mais on peut aussi employé*' gvob .:a6'''bbna,.:r6su1.'t.at! d().oc:re d'arsenic (A"03) bU dès .Ott1, - es arsenicaux .organiques, par exemple de l'oxyde d)t 'I06a1' -r<OH3 fi Ai' 2 . du chlorure de caco'dyle ou de 1 bt4iÍrt..f" ..'nit,.tt:

  .."'pX'Qdu1ti de substitution, La surface de--d-'p4t est avantageusement disposé a-iU -le courant gâteux de telle manière qu'il.. prôd4id* me blie une déviation du courant   gazeux.   Le   maintien.   constant de la température de la   surface de   dépôt peut être   réalisa   par   une   
 EMI2.4 
 circulation dt gas. -de-liu1de.

   ou en cédant la chaleur a dbâ   métaux* - * @   
Le   procédé   permet non seulement de   préparer   de l'ar-   sonie   de grande   puretés     mais   aussi d'introduire les   sub@t@n-   
 EMI2.5 
 ces de dotation usuelles vaquée dans Ilaraonio# 1..q1' 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 
 sont ajoutées au opmpqoê 494,4e 4 1p, **#4u#ij4on,, est par exemple possiblef, en eangoa.n du téftohprur-e d'eia dp. trichlorure d'arsenic, d'obtenir un aw  &4e'eppt& njwi* 4e Vé* tain, comme cela est souhaité m vue de la dotation dans le cas de l'arsérçiure de gallium, En prévoyant  de ItAe*er4g 9*;npngqrgt4l comme sur* 
 EMI3.2 
 face de dépôt réchauffée, il est possible de déposer le métal 
 EMI3.3 
 également sous la forwe ç mopocyistal  E:

  ce!nplQ L'appareil ppe  iv 4tr.+ , 9Fq4 x grossiers 50 Compose du ,1(,",."tar 1. d bQJ, 8i de la surface de dépôt ? et} d4 991goqp do pqJ1à" 4 tpous Sien éléments, à l'exception du aat st const verre de quartz* .,' Le saturatew l est. a,l',6 gyçq environ 40P Qf1J ea tyichloruï'e dtaragn9, 4r Ig 9 t|?w3, |re 5 circule de 1 vapeur d'eau dane t'nV1Q9Pt gui, çutt 1 ballon du oa7 turateiuf 1 à envi ?$,OR Le condonjalî sort pAr 1i décharge 7* Par l'entrée 8 on 1 (;\'A'r A 'r)/'''I'f$ 1 swatJiOur un courant de chlore $wu* -eu w ggeant 4tpr 4 -44q Vea" ne de circulation de 15 A 90 lr'/h;

  .). . 9 gggoux sort à la buselura du \)rdtf) ?p Il m$mo temps pe fait pas-* *or par le bout tubulaire lAtéira 9 de l'hydrogène 4 une viw tonse de circulation de 5P 70 1tr8/hIr. , 1 'eurpuleent de chauffage 10 chauffe g section de tu4ç entourait le brun leur à environ ÔOOC, ai 4gn due le opWA,14 o Qb*Qe ou dtoxygène s'entlamme aussitôt (;\r.1 la <sortie hora 4M brûleur 2 et brûle avec une flamme haute d'environ. 10 M. 



  Dans la partie élargie 11 de la chAMbre de brûleur fait saillie à l'intérieur un pyl4ndxpe 4 la surface, avant 3 duquel le dépôt d'arsenic go ta1 go cylindre est constitué en verre 4e quart a et# par un mbo X3 qui lui est soudé, il est dep;4qAble dans le (guidage l, Dans le tube de support l Çe oÇud6 a1eme un tube 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 
 EMI4.1 
 pa gp "99of ont fggqo qrrgqq de tp Un qeno non A4Qe 9p9!' 89 $4gem M ',m W s"'? 4p eq ne a# |ff4 4.1 i mbpo9 pf 4#ss ( nvirflp 49 Uiçn 4 M<4t9 if-s I* tqi{ 4p0ttrf 4 swfftfff 4ép fc pWfttyl,!!.* f, wviffi n 379 n ?W9t U  9 F 4w|i  ace w 4é|?ôfe 4îniQ t9!<-9M etpWt *  <!t<aaw  1, 4épft 6'<!e iWîiwentjt, pn 1 . oyUo4ro e p ean lep g 41AVogntqf qmt gç tA" Mbtfo ew. 



  . - e%4rg ee 4 P*r4tp 19P$9 49 4 bzz   fcF|tfyï*  ow4t> 9pi w 4e H( UAfirp 4 tt ger# 4e enhx1q 40A gorréo r 49 24 ;epe d  wytn 914 4f ';x w en)!t<*pA<; eg 44ppge er4qtpe 94lq $ non nfmrntfi'f'rrr,nerft ]. do prUtn 4' jiwrç4  W pue fez <;.a egr 4!!.< MB !fC$W6 %é$U$ W$q .n'r' 1 P f*W* 4p 3,  |XiRfi py <!y 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 
 EMI5.1 
 ' OM lotwtmoo CIO 'edpet 94t ne o eeaptww. fe qu'on pr4yoit eonimo otwr-Age e4o4ge4o dç 1 farueoo 0 jf -on 00 1414n eeout des ubqtgnçoo. 4* i 9 qnniieil au <mp9 foqrola à )U râduotiipn. ' '*.,'###

BE622986D 1961-10-02 BE622986A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW30810A DE1169138B (de) 1961-10-02 1961-10-02 Verfahren zur Gewinnung von grobkristallinem hochreinem Arsen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE622986A true BE622986A (fr)

Family

ID=7599602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE622986D BE622986A (fr) 1961-10-02

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE622986A (fr)
CH (1) CH424275A (fr)
DE (1) DE1169138B (fr)
GB (1) GB1017782A (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111348680B (zh) * 2018-12-21 2023-03-24 紫石能源有限公司 砷烷的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CH424275A (de) 1966-11-15
DE1169138C2 (fr) 1964-11-12
DE1169138B (de) 1964-04-30
GB1017782A (en) 1966-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE622986A (fr)
JPH10306925A (ja) 高効率直接接触高温水加熱器
GB312089A (en) Evaporating method and means therefor
GB191011117A (en) Improvements in Gas Burners applicable for Melting Furnaces and other purposes.
US1352481A (en) Heater
US2021903A (en) Mercury condenser
US1499355A (en) Hydrocarbon-oil burner
US1448126A (en) Apparatus for purifying gases
US669757A (en) Vaporizer.
US583940A (en) Heating apparatus foe use with liquid eydeocarbons
US683281A (en) Evaporating apparatus.
US125854A (en) stein
AT19868B (de) Verdampfer für flüssige Brennstoffe.
GB191212796A (en) Improvements in Vapour Burning Lamps.
NO164620B (no) Fremgangsmaate til aa redusere flammetemperaturen i en brenner samt brenner for dette.
US392175A (en) Furnace gas-burner
US647692A (en) Incandescent vapor-burner.
AT67867B (de) Petroleumdampf-Glühlichtlampe.
GB189900401A (en) Improvements in Atmospheric Burners for Gas Heating.
AT24395B (de) Anzündevorrichtung für Flüssigkeitsglühlichtlampen mit dochtlosem Vergaser und nach unten hängendem Glühkörper.
GB189713194A (en) Improved Means for Heating, Drying and Ventilating.
US594345A (en) dupee
GB332063A (en) Improvements in gas burners
US130326A (en) Improvement in steam-boiler furnaces
US532018A (en) beazley