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Publication of BE582663ApublicationCriticalpatent/BE582663A/fr
BE582663A1958-09-161959-09-14Dispositif à barrière semi-conductrice, en particulier transistor ou diode à cristal, et procédé pour sa fabrication
BE582663A
(fr)
Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs notamment en germanium et dispositif semi-conducteur conforme à celui obtenu à l'aide du procédé ou d'un procédé similaire
Procédé de fabrication de tellurure de cadmium à forte résistance et dispositif semi-conducteur ou photosensible incorporant du tellurure de cadmium ainsi fabriqué