BE557168A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE557168A BE557168A BE557168DA BE557168A BE 557168 A BE557168 A BE 557168A BE 557168D A BE557168D A BE 557168DA BE 557168 A BE557168 A BE 557168A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- impurities
- impurity
- concentration
- heat treatment
- emi
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1174438X | 1956-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE557168A true BE557168A (cs) |
Family
ID=10879740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE557168D BE557168A (cs) | 1956-05-02 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE557168A (cs) |
| FR (1) | FR1174438A (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3260624A (en) * | 1961-05-10 | 1966-07-12 | Siemens Ag | Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1248102A (fr) * | 1959-10-30 | 1960-12-09 | Materiel Telephonique | Préparation des semi-conducteurs |
-
0
- BE BE557168D patent/BE557168A/fr unknown
-
1957
- 1957-05-02 FR FR1174438D patent/FR1174438A/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3260624A (en) * | 1961-05-10 | 1966-07-12 | Siemens Ag | Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1174438A (fr) | 1959-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2477771A1 (fr) | Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise | |
| FR2804245A1 (fr) | Procede de formation d'une couche mince cristalline contenant du silicium | |
| EP0760162B1 (fr) | Procede de realisation d'une structure a faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterree dans un substrat | |
| FR2794897A1 (fr) | Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette | |
| FR2514566A1 (fr) | Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif | |
| EP2143687B1 (fr) | Procédé de purification d'un substrat en silicium cristallin et procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque | |
| FR2899378A1 (fr) | Procede de detachement d'un film mince par fusion de precipites | |
| EP2795668B1 (fr) | Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant | |
| EP0034982A1 (fr) | Procédé de préparation de couches homogènes de Hg1-xCdxTe | |
| FR2978549A1 (fr) | Determination des teneurs en dopants dans un echantillon de silicium compense | |
| EP1580805B1 (fr) | Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface d'un alliage silicium-germanium | |
| FR2468208A1 (fr) | Dispositif semiconducteur avec une diode zener | |
| BE557168A (cs) | ||
| FR2497402A1 (fr) | Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration | |
| FR2463509A1 (fr) | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede | |
| EP1337683B1 (fr) | Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif associe obtenu | |
| EP4030467A1 (fr) | Procédé de collage direct hydrophile de substrats | |
| FR2531106A1 (fr) | Procede de metallisation de la face arriere d'une plaquette de silicium | |
| FR2484703A1 (fr) | Procede pour realiser une jonction pn sur un semiconducteur compose du groupe ii-vi | |
| WO2011027045A2 (fr) | Procede de traitement de cellules photovoltaiques contre la diminution du rendement lors de l'eclairement. | |
| EP4060716A1 (fr) | Procede de modification d'un etat de contrainte d'au moins une couche semi-conductrice | |
| FR2905706A1 (fr) | Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi | |
| EP0127488B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture | |
| FR2709842A1 (fr) | Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif. | |
| EP0012324B1 (fr) | Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes |