FR2477771A1
(fr )
1981-09-11
Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2794897A1
(fr )
2000-12-15
Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette
FR2514566A1
(fr )
1983-04-15
Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
FR2513016A1
(fr )
1983-03-18
Transistor v mos haute tension, et son procede de fabrication
EP0760162A1
(fr )
1997-03-05
Procede de realisation d'une structure a faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterree dans un subsrat semi-conducteur
EP2143687B1
(fr )
2016-12-07
Procédé de purification d'un substrat en silicium cristallin et procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque
EP2795668B1
(fr )
2017-11-15
Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant
EP0034982A1
(fr )
1981-09-02
Procédé de préparation de couches homogènes de Hg1-xCdxTe
EP4030467A1
(fr )
2022-07-20
Procédé de collage direct hydrophile de substrats
EP1580805B1
(fr )
2013-06-19
Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface d'un alliage silicium-germanium
BE557168A
(OSRAM )
FR2497402A1
(fr )
1982-07-02
Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration
FR2463509A1
(fr )
1981-02-20
Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
FR3073076A1
(fr )
2019-05-03
Point memoire a materiau a changement de phase
EP1337683B1
(fr )
2011-10-05
Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif associe obtenu
FR2484703A1
(fr )
1981-12-18
Procede pour realiser une jonction pn sur un semiconducteur compose du groupe ii-vi
WO2011027045A2
(fr )
2011-03-10
Procede de traitement de cellules photovoltaiques contre la diminution du rendement lors de l'eclairement.
EP4060716A1
(fr )
2022-09-21
Procede de modification d'un etat de contrainte d'au moins une couche semi-conductrice
FR2905706A1
(fr )
2008-03-14
Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
EP0148065A2
(fr )
1985-07-10
Composant semiconducteur rapide, notamment diode pin haute tension
EP0127488B1
(fr )
1988-11-17
Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture
FR2709842A1
(fr )
1995-03-17
Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif.
EP0012324B1
(fr )
1982-02-17
Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes
FR2664096A1
(fr )
1992-01-03
Procede de metallisation pour dispositif a semi-conducteur utilisant du nitrure de titane amorphe.
EP0001375A1
(fr )
1979-04-04
Agencement de diodes luminescentes multicolores intégrées dans un corps semi-conducteur et son procédé de fabrication