BE557168A - - Google Patents

Info

Publication number
BE557168A
BE557168A BE557168DA BE557168A BE 557168 A BE557168 A BE 557168A BE 557168D A BE557168D A BE 557168DA BE 557168 A BE557168 A BE 557168A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
impurities
impurity
concentration
heat treatment
emi
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of BE557168A publication Critical patent/BE557168A/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10P32/00
    • H10P95/00

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
BE557168D 1956-05-02 BE557168A (OSRAM)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1174438X 1956-05-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE557168A true BE557168A (OSRAM)

Family

ID=10879740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE557168D BE557168A (OSRAM) 1956-05-02

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE557168A (OSRAM)
FR (1) FR1174438A (OSRAM)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3260624A (en) * 1961-05-10 1966-07-12 Siemens Ag Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1248102A (fr) * 1959-10-30 1960-12-09 Materiel Telephonique Préparation des semi-conducteurs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3260624A (en) * 1961-05-10 1966-07-12 Siemens Ag Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
FR1174438A (fr) 1959-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2477771A1 (fr) Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2794897A1 (fr) Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette
FR2514566A1 (fr) Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
FR2513016A1 (fr) Transistor v mos haute tension, et son procede de fabrication
EP0760162A1 (fr) Procede de realisation d'une structure a faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterree dans un subsrat semi-conducteur
EP2143687B1 (fr) Procédé de purification d'un substrat en silicium cristallin et procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque
EP2795668B1 (fr) Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant
EP0034982A1 (fr) Procédé de préparation de couches homogènes de Hg1-xCdxTe
EP4030467A1 (fr) Procédé de collage direct hydrophile de substrats
EP1580805B1 (fr) Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface d'un alliage silicium-germanium
BE557168A (OSRAM)
FR2497402A1 (fr) Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration
FR2463509A1 (fr) Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
FR3073076A1 (fr) Point memoire a materiau a changement de phase
EP1337683B1 (fr) Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif associe obtenu
FR2484703A1 (fr) Procede pour realiser une jonction pn sur un semiconducteur compose du groupe ii-vi
WO2011027045A2 (fr) Procede de traitement de cellules photovoltaiques contre la diminution du rendement lors de l'eclairement.
EP4060716A1 (fr) Procede de modification d'un etat de contrainte d'au moins une couche semi-conductrice
FR2905706A1 (fr) Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
EP0148065A2 (fr) Composant semiconducteur rapide, notamment diode pin haute tension
EP0127488B1 (fr) Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture
FR2709842A1 (fr) Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif.
EP0012324B1 (fr) Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes
FR2664096A1 (fr) Procede de metallisation pour dispositif a semi-conducteur utilisant du nitrure de titane amorphe.
EP0001375A1 (fr) Agencement de diodes luminescentes multicolores intégrées dans un corps semi-conducteur et son procédé de fabrication