FR2477771A1
(fr )
1981-09-11
Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2804245A1
(fr )
2001-07-27
Procede de formation d'une couche mince cristalline contenant du silicium
FR2794897A1
(fr )
2000-12-15
Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette
FR2514566A1
(fr )
1983-04-15
Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
FR2513016A1
(fr )
1983-03-18
Transistor v mos haute tension, et son procede de fabrication
WO1995031825A1
(fr )
1995-11-23
Procede de realisation d'une structure a faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterree dans un subsrat semi-conducteur
EP2143687B1
(fr )
2016-12-07
Procédé de purification d'un substrat en silicium cristallin et procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque
EP2795668B1
(fr )
2017-11-15
Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant
EP0034982A1
(fr )
1981-09-02
Procédé de préparation de couches homogènes de Hg1-xCdxTe
EP1774579B1
(fr )
2012-05-16
Procédé de réalisation d'une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de séparation
EP1580805B1
(fr )
2013-06-19
Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface d'un alliage silicium-germanium
FR2468208A1
(fr )
1981-04-30
Dispositif semiconducteur avec une diode zener
BE557168A
(OSRAM )
FR2497402A1
(fr )
1982-07-02
Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration
EP1483793A2
(fr )
2004-12-08
Diode schottky de puissance a substrat sicoi, et procede de realisation d'une telle diode
FR2463509A1
(fr )
1981-02-20
Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
FR3073076A1
(fr )
2019-05-03
Point memoire a materiau a changement de phase
EP1337683B1
(fr )
2011-10-05
Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif associe obtenu
FR2531106A1
(fr )
1984-02-03
Procede de metallisation de la face arriere d'une plaquette de silicium
EP4060716A1
(fr )
2022-09-21
Procede de modification d'un etat de contrainte d'au moins une couche semi-conductrice
FR2905706A1
(fr )
2008-03-14
Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
EP0148065A2
(fr )
1985-07-10
Composant semiconducteur rapide, notamment diode pin haute tension
FR2814855A1
(fr )
2002-04-05
Jonction schottky a barriere stable sur carbure de silicium
EP0127488B1
(fr )
1988-11-17
Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture
FR2709842A1
(fr )
1995-03-17
Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif.