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EP0116010B1
(fr)
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Agencement pour protéger contre l'étincelage un organe capillaire servant au soudage des fils dans un élément semi-conducteur
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CN101740382B
(zh)
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形成半导体器件的方法
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FR2744835A1
(fr)
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Circuit integre de puissance haute tension avec fonctionnement a decalage de niveau et sans traversee metallique
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FR2680284A1
(fr)
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Dispositif de connexion a tres faible pas et procede de fabrication.
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EP0135230B1
(fr)
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Dispositif semi-conducteur, notamment transistor incluant des moyens de protection contre les surcharges
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FR2759493A1
(fr)
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Dispositif de puissance a semiconducteur
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FR2550661A1
(fr)
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Procede de mise a la masse d'un support de pastille et dispositif obtenu par ce procede
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US4042951A
(en)
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Gold-germanium alloy contacts for a semiconductor device
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US6649995B2
(en)
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Semiconductor device and method of manufacturing the same
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US5731635A
(en)
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Semiconductor device having a carrier and a multilayer metallization
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BE554982A
(enrdf_load_stackoverflow)
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EP0079265B1
(fr)
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Procédé de réalisation d'un socle pour le montage d'une pastille semiconductrice sur l'embase d'un boîtier d'encapsulation
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EP0161166B1
(fr)
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Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences
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FR2563381A1
(fr)
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Raccordement electrique des pastilles et des elements de cablage d'un dispositif a semi-conducteurs a un fil de cuivre
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FR2493603A1
(fr)
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Dispositif semiconducteur
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EP0554195B1
(fr)
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Composant de protection semiconducteur auto-protégé
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FR2569056A1
(fr)
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Transistor a induction statique du type a injection par effet tunnel et circuit integre comprenant un tel transistor
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CN100578809C
(zh)
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SiC器件的可焊接顶层金属
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EP0109887B1
(fr)
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Structure de diode hyperfréquence dont les connexions extérieures sont prises par deux poutres métalliques
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EP0109899A1
(fr)
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Module préadapté pour diode hyperfréquence à forte dissipation thermique
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EP3834229B1
(fr)
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Transistor à effet de champ et procédé de fabrication associé
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EP0642163A1
(fr)
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Procédé d'assemblage tridimensionnel de composants électroniques par boucles de microfils et éléments de soudure
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JP2708798B2
(ja)
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炭化ケイ素の電極形成方法
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US3382419A
(en)
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Large area wafer semiconductor device
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FR2561822A1
(fr)
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Dispositif semi-conducteur a effet de champ a faible tension de dechet
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