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EP0148088B1
(fr)
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Joint d'étanchéité métallique flexible comportant des parties saillantes consommables
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EP0750346B1
(fr)
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Assemblage monolithique de composants semi-conducteurs incluant une diode rapide
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FR3056022B1
(fr)
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Dispositif d'interconnexion electrique d'elements de batterie et batterie d'accumulateurs pourvue d'un tel dispositif
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EP2834189B1
(fr)
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Structure semiconductrice optoelectronique a nanofils et procede de fabrication d'une telle structure
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FR2797094A1
(fr)
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Procede de fabrication de composants unipolaires
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FR2986907A1
(fr)
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Diode schottky superjonction-pin oxyde avec des couches p minces sous le contact schottky
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FR2723260A1
(fr)
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Thyristor a trois bornes avec caracteristiques commandees par une seule gachette mos
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EP3240041A1
(fr)
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Transistor à heterojonction de type normalement ouvert a tension de seuil elevee
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FR2508708A1
(fr)
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Procede electrolytique d'elimination des courts-circuits et des shunts dans les cellules solaires
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FR3017242A1
(fr)
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Diode schottky verticale au nitrure de gallium
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EP1483793B1
(fr)
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Diode schottky de puissance a substrat sicoi, et procede de realisation d'une telle diode
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FR3043839A1
(fr)
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Diode a heterojonction ayant un courant de surcharge transitoire accru
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FR3053834A1
(fr)
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Structure de transistor
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BE543168A
(en:Method)
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EP1076365B1
(fr)
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Commutateur statique bidirectionnel sensible
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EP0128062B1
(fr)
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Transistor à effet de champ, fonctionnant en régime d'enrichissement
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EP0881687A1
(fr)
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Contact sur une région de type P
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EP1958261A1
(fr)
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Transistor de type i-mos comportant deux grilles independantes, et procede d'utilisation d'un tel transistor
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FR2697674A1
(fr)
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Thyristor et assemblage de thyristors à cathode commune.
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FR3091021A1
(fr)
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Thyristor vertical
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EP1328980A1
(fr)
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Diac planar
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FR2512590A1
(fr)
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Transistor a effet de champ du type a jonction et procede de fabrication
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WO2019224448A1
(fr)
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Transistor a haute mobilite electronique en mode enrichissement
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CH695408A5
(fr)
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Dispositif de puissance à semi-conducteur.
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FR3061360A1
(fr)
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Dispositif electroluminescent
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