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FR3056022B1
(fr)
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Dispositif d'interconnexion electrique d'elements de batterie et batterie d'accumulateurs pourvue d'un tel dispositif
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EP2834189B1
(fr)
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Structure semiconductrice optoelectronique a nanofils et procede de fabrication d'une telle structure
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FR2986907A1
(fr)
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Diode schottky superjonction-pin oxyde avec des couches p minces sous le contact schottky
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FR2797094A1
(fr)
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Procede de fabrication de composants unipolaires
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FR2967294A1
(fr)
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Procédé de formation d'une structure multicouches
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EP0148088A2
(fr)
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Joint d'étanchéité métallique flexible comportant des parties saillantes consommables
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FR2807569A1
(fr)
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Perfectionnement apportes aux diodes schottky
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EP3240041A1
(fr)
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Transistor à heterojonction de type normalement ouvert a tension de seuil elevee
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EP0750346A1
(fr)
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Assemblage monolithique de composants semi-conducteurs incluant une diode rapide
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FR3017242A1
(fr)
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Diode schottky verticale au nitrure de gallium
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EP3378098B1
(fr)
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Diode a heterojonction ayant un courant de surcharge transitoire accru
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EP1483793B1
(fr)
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Diode schottky de puissance a substrat sicoi, et procede de realisation d'une telle diode
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BE543168A
(enrdf_load_html_response)
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EP1076365B1
(fr)
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Commutateur statique bidirectionnel sensible
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EP0128062B1
(fr)
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Transistor à effet de champ, fonctionnant en régime d'enrichissement
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EP0833394B1
(fr)
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Diode bidirectionnelle de protection, à retournement
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EP0881687A1
(fr)
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Contact sur une région de type P
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FR3091021A1
(fr)
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Thyristor vertical
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EP0996165A1
(fr)
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Composant de puissance portant des interconnexions
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EP1328980A1
(fr)
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Diac planar
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WO2019224448A1
(fr)
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Transistor a haute mobilite electronique en mode enrichissement
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FR2894386A1
(fr)
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Transistor de type i-mos comportant deux grilles independantes, et procede d'utilisation d'un tel transistor
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FR3097682A1
(fr)
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Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium
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FR2512590A1
(fr)
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Transistor a effet de champ du type a jonction et procede de fabrication
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EP3560001A1
(fr)
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Dispositif electroluminescent
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